JPH07130014A - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 透光性を有する基板１上に、誘電体層２と、
希土類金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー
点まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示す磁性層３
と、希土類金属−遷移金属合金からなり、磁性層３より
も高いキュリー点を有し、室温での保磁力が磁性層３よ
り低い磁性層４と、保護層５とが順次形成されており、
上記の誘電体層２および保護層５は、それぞれ、ＡｌＮ
または、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのい
ずれかからなる光磁気ディスクおよび、その光磁気記録
方法。 【効果】 光変調オーバーライトが可能であり、かつ、
保護層５上に反射層を設けなくても、記録パワーマージ
ンが大きい、すなわち、レーザー光の強度の許容範囲が
大きい光磁気ディスクを実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録、
再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光カー
ド等に用いられる光磁気記録媒体および、これに対する
光磁気記録方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録方式とは、基板上に磁性体か
らなる垂直磁化膜を形成したものを記録媒体とし、以下
の方法で記録、再生するものである。

【０００３】記録の際には、記録媒体をまず、強力な外
部磁場等によって初期化し、磁化の方向を一方向（上向
き、または下向き）に揃えておく。その後、記録したい
エリアにレーザービームを照射して、その部分の温度を
キュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱
し、これにより、保磁力（Ｈｃ）をゼロ、または、ほと
んどゼロとした上で、初期化時の磁化の向きとは逆向き
の外部磁場（バイアス磁場）を印加して磁化を反転させ
る。レーザービームの照射を止めると、記録媒体は常温
に戻るので反転した磁化は固定される。つまり、情報が
熱磁気的に記録される。

【０００４】再生の際には、直線偏光したレーザービー
ムを記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が
磁化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気
ファデー効果）を利用して光学的に情報の読み出しを行
う。

【０００５】光磁気記録方式は、書き換え可能な大容量
記憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使
用（書き換え）をするためには、次のいずれかの方法を
採る必要がある。

【０００６】（ａ）何らかの方法で初期化する。

【０００７】（ｂ）外部磁場発生装置を工夫してオーバ
ーライト（消去が不要な書き換え）を可能にする。

【０００８】（ｃ）記録媒体を工夫してオーバーライト
を可能にする。

【０００９】しかし、（ａ）の方法では、初期化装置、
あるいは、ヘッドが２個必要になるので、コスト高を招
く。また、１個のヘッドで書き換えを行おうとすると、
消去してから記録するので、時間がかかる。（ｂ）の方
法では、磁気記録の場合と同じようにヘッドクラッシュ
が問題となる。

【００１０】このため、（ｃ）の方法が最も有力であ
る。例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏ
ｌ．２８（１９８９）Ｓｕｐｐｌ．２８−３，ｐｐ．３
６７−３７０には、記録層を交換結合二層膜にすれば、
オーバーライト可能な記録媒体を実現できる、と記載さ
れている。

【００１１】ここで、オーバーライトの手順について簡
単に説明する。初期化においては、図１４に示すよう
に、初期化磁界（Ｈ_init）を印加することにより、第２
磁性層１０の磁化のみを一方向（図では、下向き）に揃
える。なお、初期化は常時、あるいは、記録時のみ行わ
れる。第１磁性層９の保磁力Ｈ₁ は、図１３の如く、Ｈ
_initより大きいので、第１磁性層９の磁化の反転は生じ
ない。

【００１２】記録は、記録磁界（Ｈ_w ）を印加しなが
ら、高レベルＩと低レベルIIに強度変調されたレーザー
光を照射することにより行う。

【００１３】高レベルＩのレーザー光が照射されると、
第１磁性層９・第２磁性層１０が共にキュリー点Ｔ₁ 、
Ｔ₂ 付近またはそれ以上となる温度Ｔ_H まで昇温し、低
レベルIIのレーザー光が照射されると、磁性層９だけが
キュリー点Ｔ₁ 付近またはそれ以上となる温度Ｔ_L まで
昇温するように、高レベルＩおよび低レベルIIは設定さ
れている。

【００１４】したがって、高レベルＩのレーザー光が照
射されると、第２磁性層１０の磁化は、Ｈ_w により、図
１４に示すように、上向きに反転し、第１磁性層９の磁
化は冷却の過程で界面に作用する交換力により第２磁性
層１０の向きと一致する。したがって、第１磁性層９の
向きは上向きになる。

【００１５】一方、低レベルIIのレーザー光が照射され
ると、第２磁性層１０の磁化は、Ｈ_w により反転するこ
とはない。第１磁性層９の磁化は、上記と同様に、冷却
の過程で界面に作用する交換力により第２磁性層１０の
向きと一致する。したがって、第１磁性層９の向きは、
図１４に示すように、下向きになる。

【００１６】なお、上記Ｈ_w はＨ_initよりかなり小さく
設定されている。また、再生時のレーザー光の強度は、
記録時の低レベルIIよりもかなり小さいレベルに設定さ
れている。さらに、第１磁性層９と第２磁性層１０との
間に中間層を設けて、三層構造とすることにより、第１
・第２磁性層９・１０間の界面結合力を小さくし、Ｈ
_initを小さくする改良がなされている。

【００１７】また、Ｊ．Ｍａｇ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖ
ｏｌ．１５，Ｓｕｕｐｌ．Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），４
４７では、記録層（磁性層９・１０に対応）の保護等を
目的として、記録層の両側にＳｉＮ層を設けている。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録層
の両側にＳｉＮ層を設けた場合、記録パワーマージン、
すなわち、レーザー光の強度の許容範囲が小さくなる。
このため、記録パワーマージンを広げためのＡｌ等から
なる反射層等をレーザー光の入射しない側のＳｉＮ層上
に新たに設ける必要があるという問題点を有している。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、透光性
を有する基体上に、誘電体層と、希土類金属−遷移金属
合金からなり、室温からキュリー点まで垂直磁気異方性
が優位となる特性を示す第１磁性層と、希土類金属−遷
移金属合金からなり、第１磁性層よりも高いキュリー点
を有し、室温での保磁力が第１磁性層より低い第２磁性
層と、保護層とが順次形成されており、上記の誘電体層
および保護層は、それぞれ、ＡｌＮまたは、Ｓｉ含有量
が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのいずれかからなること
を特徴としている。

【００２０】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項１の光磁気記録媒
体であって、第１磁性層と第２磁性層との間に、希土類
金属−遷移金属合金からなる中間磁性層が形成されてお
り、上記の中間磁性層は、室温での保磁力がほぼゼロで
あり、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等
しく、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる特性
を示すことを特徴としている。

【００２１】請求項３の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２の光磁気記録媒
体であって、誘電体層と第１磁性層との間に、希土類金
属−遷移金属合金からなる第０磁性層が形成されてお
り、上記の第０磁性層は、第１磁性層よりも高いキュリ
ー点を有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で
面内磁気異方性が優位となる特性を示し、所定温度以上
で垂直磁気異方性が優位となる特性を示すことを特徴と
している。

【００２２】請求項４の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２または３の光磁
気記録媒体であって、第１磁性層は、キュリー点が１０
０〜２５０℃、室温での保磁力が５ｋＯｅ以上であり、
中間磁性層は、垂直磁気異方性を示す温度が８０℃以上
であり、キュリー点が第１磁性層のキュリー点以上であ
り、第２磁性層は、キュリー点が１５０〜４００℃であ
り、室温での保磁力が３ｋＯｅ以下であることを特徴と
している。

【００２３】請求項５の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２または３の光磁
気記録媒体であって、第１磁性層の組成は、室温で遷移
金属リッチもしくは補償組成となるように設定されてお
り、中間磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであ
り、補償点が１００〜２５０℃となるように設定されて
おり、第２磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチで
あり、補償点が中間磁性層の補償点より高く、かつ、３
００℃より低くなるように設定されていることを特徴と
している。

【００２４】請求項６の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２、３、４または
５の光磁気記録媒体であって、第１磁性層はＤｙＦｅＣ
ｏからなり、中間磁性層はＧｄＦｅＣｏからなり、第２
磁性層はＧｄＤｙＦｅＣｏもしくはＤｙＦｅＣｏからな
ることを特徴としている。

【００２５】請求項７の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２、３、４または
５の光磁気記録媒体であって、第１磁性層はＤｙ_a （Ｆ
ｅ_bＣｏ_1-b ）_1-a からなり、中間磁性層はＧｄ_c （Ｆ
ｅ_d Ｃｏ_1-d ）_1-c からなり、第２磁性層は（Ｇｄ_e Ｄ
ｙ_1-e ）_g （Ｆｅ_f Ｃｏ_1-f ）_1-g 、もしくは、Ｄｙ_h
（Ｆｅ_i Ｃｏ_1-i ）_1-h からなり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉは、それぞれ、 0.18≦ａ≦0.25、 0.70≦ｂ≦0.90、 0.26≦ｃ≦0.3
2、 0.50≦ｄ≦0.90、0.10≦ｅ≦0.95、 0.30≦ｆ≦
0.90、 0.28≦ｇ≦0.33、 0.28≦ｈ≦0.33、0.30≦ｉ
≦0.80 を満足するように設定されていることを特徴としてい
る。

【００２６】請求項８の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項２、３、４、５、
６または７の光磁気記録媒体であって、第１磁性層の膜
厚が２０〜１００ｎｍ、中間磁性層の膜厚が５〜５０ｎ
ｍ、第２磁性層の膜厚が２０〜２００ｎｍに設定されて
いることを特徴としている。

【００２７】請求項９の発明に係る光磁気記録方法は、
上記の課題を解決するために、透光性を有する基体上
に、誘電体層と、希土類金属−遷移金属合金からなり、
室温からキュリー点まで垂直磁気異方性が優位となる特
性を示す第１磁性層と、希土類金属−遷移金属合金から
なり、第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温で
の保磁力が第１磁性層より低い第２磁性層と、保護層と
が順次形成されており、上記の誘電体層および保護層
は、それぞれ、ＡｌＮまたは、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％
以下のＡｌＳｉＮのいずれかからなる光磁気記録媒体に
対し、層面に垂直な一定の初期化磁場を印加することに
より第２磁性層の磁化を初期化磁場の方向に初期化した
後、情報に応じて高レベルと低レベルとに強度変調され
たレーザー光を照射することにより第１磁性層に情報を
記録する光磁気記録方法であって、高レベルのレーザー
光を照射することにより、第２磁性層のキュリー点近傍
の温度またはそれ以上の温度に昇温し、低レベルのレー
ザー光を照射することにより、第１磁性層のキュリー点
近傍の温度またはそれ以上の温度で、かつ、第２磁性層
のキュリー点より低い温度に昇温することを特徴として
いる。

【００２８】

【作用】請求項１の構成によれば、光変調オーバーライ
トが可能であり、かつ、保護層上に反射層を設けなくて
も、記録パワーマージンが大きい、すなわち、レーザー
光の強度の許容範囲が大きい光磁気記録媒体を実現でき
る。

【００２９】請求項２の構成によれば、室温での保磁力
がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異
方性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気異方性が優
位となる特性を示す中間磁性層を、第１磁性層と第２磁
性層との間に設けたので、請求項１の作用に加え、光変
調オーバーライトが可能である上に、初期化磁界を小さ
くできる。

【００３０】請求項３の構成によれば、第１磁性層より
も高いキュリー点を有し、室温での保磁力がほぼゼロで
あり、室温で面内磁気異方性が優位となる特性を示し、
所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる特性を示す
第０磁性層を、誘電体層と第１磁性層との間に設けたの
で、請求項２の作用に加え、より小さな記録ビットの再
生が可能となる。

【００３１】すなわち、再生時に、第０磁性層に光ビー
ムが照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼ
ガウス分布になるので、光ビームの径よりも小さい中心
近傍領域のみの温度が上昇する。

【００３２】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、第
０磁性層および第１磁性層の２層間の交換結合力によ
り、第１磁性層の磁化の向きに第０磁性層の磁化の向き
が従う。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行す
ると、温度上昇部位のみが極カー効果を示すようにな
り、該部位からの反射光に基づいて情報が再生される。

【００３３】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さ
なくなる。このことは、第１磁性層に記録された磁化が
第０磁性層の面内磁化によりマスクされて読み出されな
いということを意味している。これにより、雑音の原因
となり、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信
号混入がなくなる。以上の通り、所定温度以上の温度を
有する領域のみを再生に関与させるので、従来より小さ
な記録ビットの再生が可能となる。これにより、記録密
度が著しく向上する。

【００３４】請求項４の構成によれば、請求項２または
３の作用に加え、中間磁性層の垂直磁気異方性を示す温
度が８０℃以上であるので、記録時の温度が８０℃以上
であれば第１磁性層と第２磁性層の磁気的結合が起こ
る。中間磁性層のキュリー点が第１磁性層のキュリー点
以上であるので、第２磁性層に記録された情報は必ず第
１磁性層に転写される。さらに、第２磁性層の室温での
保磁力が３ｋＯｅ以下であるので、初期化磁場は３ｋＯ
ｅ以下になる。さらに、第１磁性層のキュリー点を１０
０〜２５０℃、第２磁性層のキュリー点を１５０〜４０
０℃とすることにより、実用上問題のないレーザーパワ
ーで記録が可能になり、充分な再生信号特性が得られ
る。

【００３５】請求項５の構成によれば、請求項２または
３の作用に加え、第２磁性層は補償点をもつので、室温
から補償点までは希土類金属支配の磁化の向きを示し、
補償点からキュリー点までは遷移金属支配の磁化の向き
を示す。すなわち、記録時の高温で記録された磁化の向
きは室温で反転するので、初期化磁場の向きと記録磁場
の向きを同じにすることが可能となる。さらに、中間磁
性層の補償点が、第２磁性層の補償点よりも低いので、
記録時に中間磁性層の漏洩磁界を利用することができ、
光変調オーバーライトが行い易くなる。第２磁性層の補
償点を１００〜３００℃、中間磁性層の補償点を１００
〜２５０℃とすることにより、実用上問題のないレーザ
ーパワーで記録が可能になる。

【００３６】請求項６の構成によれば、請求項２、３、
４または５の作用に加え、希土類金属の組成比で室温の
保磁力、磁化の向きを決定することが可能となり、Ｆｅ
／Ｃｏの比でキュリー点、補償点を決定することが可能
となる。

【００３７】請求項７の構成によれば、請求項２、３、
４または５の作用に加え、組成を限定することにより、
適度なレーザーパワー、初期化磁場、記録磁場により記
録することが可能となる上に、ディジタル記録に必要と
される再生信号品質を確保することが可能となる。

【００３８】請求項８の構成によれば、２、３、４、
５、６または７の作用に加え、膜厚を限定することによ
り、適度なレーザーパワー、初期化磁場、記録磁場によ
り記録することが可能となる上に、ディジタル記録に必
要とされる再生信号品質を確保することが可能となる。

【００３９】請求項９の構成によれば、上記の光磁気記
録媒体に対し、光変調オーバーライトの動作、すなわ
ち、室温での第２磁性層の初期化動作、第２磁性層への
記録動作、第２磁性層から第１磁性層への転写動作を円
滑に行うことができる。

【００４０】

【実施例】本発明の第１実施例について図１ないし図６
に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００４１】本実施例の光磁気記録媒体は、図１に示す
ように、透光性基板１（基体）上に、透光性を有する誘
電体層２と、磁性層３（第１磁性層）と、磁性層４（第
２磁性層）と、保護層５と、オーバーコート層６とを順
次形成した構成になっている。

【００４２】磁性層３、４は、希土類金属−遷移金属合
金からなっている。

【００４３】磁性層３は、図２に示すように、磁性層４
と比較して、低いキュリー点（Ｔ_C1）と、室温で高い保
磁力（Ｈ_C1）を有しており、室温からＴ_C1まで垂直磁気
異方性が優位となる特性を示す。

【００４４】磁性層４は、磁性層３のＴ_C1よりも高いキ
ュリー点（Ｔ_C2）と、室温で磁性層３のＨ_C1よりも低い
保磁力（Ｈ_C2）を有しており、室温からＴ_C2まで垂直磁
気異方性が優位となる特性を示し、補償点（Ｔ_comp2 ）
を有する。

【００４５】上記の構成において、記録を行う場合、ま
ず、初期化が行われる。すなわち、図３に示すように、
上向きの初期化磁界（Ｈ_init）を印加することにより、
磁性層４の磁化だけを一方向に揃える。なお、図３で
は、希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よ
りも大きい、いわゆる希土類金属リッチの磁性層４にお
ける、遷移金属の副格子磁化が矢印で示されている。

【００４６】上記初期化は常時、あるいは、記録時にの
み行われる。磁性層３のＨ_C1はＨ_{in it}より大きいため、
磁性層３の磁化の反転は生じない。

【００４７】記録は、Ｈ_initよりかなり小さくＨ_initと
同一方向の記録磁界（Ｈ_w ）を印加しながら、図４に示
すように、高レベルＩと低レベルIIに強度変調されたレ
ーザー光を照射することにより行う。

【００４８】高レベルＩのレーザー光が照射されると、
磁性層３・５が共にＴ_C1、Ｔ_C2付近またはそれ以上とな
る温度（Ｔ_H ）まで昇温し、低レベルIIのレーザー光が
照射されると、磁性層３だけがＴ_C1付近またはそれ以上
となる温度（Ｔ_L ）まで昇温するように、高レベルＩと
低レベルIIとが設定されている。

【００４９】したがって、高レベルＩのレーザー光が照
射されると、磁性層５の磁化は、Ｈ_w により上向きに反
転し、冷却の過程では、界面に作用する交換力により磁
性層４の磁化の向きが磁性層３に転写されることによ
り、磁性層３の磁化の向きと磁性層４の磁化の向きとが
一致する。したがって、磁性層３の向きは上向きにな
る。

【００５０】一方、低レベルIIのレーザー光が照射され
ると、磁性層４の磁化は、Ｈ_w により反転することはな
い。冷却の過程では、上記と同様に、界面に作用する交
換力により磁性層４の向きが磁性層３に転写されること
により、磁性層３の磁化の向きと磁性層４の磁化の向き
とが一致する。したがって、磁性層３の向きは下向きに
なる。

【００５１】つまり、高レベルＩと低レベルIIのレーザ
ー光でオーバーライトが可能になる。

【００５２】情報を再生する場合、記録時よりもかなり
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。

【００５３】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。

【００５４】サンプル＃１では、透光性の基板１は、外
径８６mm、内径１５mm、厚さ１．２mmの円盤状のガラス
からなっている。基板１の片側の表面には、光ビーム案
内用の凹凸状のガイドトラックが反応性イオンエッチン
グ法により直接形成されている。トラックピッチは１．
６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は０．８μｍ、ランド
（凸部）の幅は０．８μｍである。

【００５５】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより膜厚７０ｎｍのＡｌＮからなる
誘電体層２と、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなる
磁性層３と、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時
スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＤｙＦｅＣｏ
からなる磁性層４と、膜厚７０ｎｍのＡｌＮからなる保
護層５とを積層した。

【００５６】磁性層３、４の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２および保護層５の成膜時のスパッタリング条件は、
到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ｎ₂ ガス圧３．０
×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。

【００５７】さらに、保護層５の上にアクリレート系紫
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート層６を形成した。

【００５８】磁性層３は、Ｄｙ_0.19（Ｆｅ_0.86Ｃ
ｏ_0.14）_0.81、遷移金属リッチ、Ｔ_C1＝１７０℃、室温
でのＨ_C1＝１２ｋＯｅであり、磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.30（Ｆｅ_0.72Ｃｏ_0.28）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２５０℃、Ｔ_COMP2＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．５ｋＯｅである。

【００５９】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
Ｈ_init＝２．５ｋＯｅ、Ｈ_w ＝５００Ｏｅの条件の下
で、長さ０.6５μｍの記録ビットを記録したところ、消
し残りのない光変調オーバーライトができた。これらの
記録ビットを、レベルIII の再生レーザーパワー
（Ｐ_R ）＝１ｍＷの条件の下で、再生したところ、良好
な信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）が得られた。

【００６０】Ｃ／Ｎが４５ｄＢを越えたときの、高レベ
ルＩのレーザーパワーおよび低レベルIIのレーザーパワ
ーの組み合わせを図５に示す。図から明らかなように、
誘電体層２、保護層５にＡｌＮを用いた本実施例の光磁
気ディスクでは、４５ｄＢを越えるＣ／Ｎが得られるレ
ーザーパワーの許容範囲が広い。つまり、記録パワーマ
ージンが大きい。

【００６１】比較例として、誘電体層２、保護層５にＳ
ｉＮを用いた従来の光磁気ディスクにおいて、Ｃ／Ｎが
４５ｄＢを越えたときの、高レベルＩのレーザーパワー
および低レベルIIのレーザーパワーの組み合わせを図６
に示す。図から明らかなように、従来の光磁気ディスク
では、４５ｄＢを越えるＣ／Ｎが得られるレーザーパワ
ーの許容範囲は、本実施例の光磁気ディスクと比較し
て、非常に狭い。つまり、記録パワーマージンが非常に
狭い。

【００６２】次の光磁気ディスクのサンプル＃２は、誘
電体層２、保護層５を除いて、サンプル＃１と同一であ
る。

【００６３】サンプル＃２の誘電体層２、保護層５は、
膜厚が７０ｎｍの１５ａｔ％のＳｉを含有したＡｌＳｉ
Ｎからなっており、いずれも反応性スパッタリングによ
り形成された。

【００６４】このサンプル＃２に対しても、上記の条件
の下で記録再生を行ったところ、サンプル＃１と同様の
結果が得られた。つまり、大きい記録パワーマージンが
得られた。

【００６５】本発明の第２実施例について図７および図
８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説
明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の
機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明
を省略する。

【００６６】本実施例の光磁気記録媒体は、図７に示す
ように、磁性層４が補償点（Ｔ_{comp 2} ）を有さない点
で、前記実施例とは異なっている。

【００６７】上記の構成において、情報を記録する場
合、図８に示すように、初期化磁界（Ｈ_init）と反対方
向の記録磁界（Ｈ_w ）が印加される。この点を除いて、
初期化、記録、再生の方法は、前記実施例と同様であ
る。

【００６８】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。

【００６９】サンプル＃３は、磁性層４を除いて、前記
実施例のサンプル＃１と同一である。

【００７０】サンプル＃３の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50Ｄ
ｙ_0.50）_0.32（Ｆｅ_0.68Ｃｏ_0.32）_0.68、希土類金属リ
ッチ、Ｔ_C2＝２５０℃、Ｔ_COMP2 は無し、室温でのＨ_C2
＝１．５ｋＯｅである。

【００７１】このサンプル＃３に対しても、前記実施例
と同一の条件の下で記録再生を行ったところ、サンプル
＃１と同様の結果が得られた。すなわち、４５ｄＢを越
えるＣ／Ｎが得られるレーザーパワーの許容範囲が広
い。換言すれば、記録パワーマージンが大きい。

【００７２】本発明の第３実施例について図９ないし図
１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一
の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説
明を省略する。

【００７３】本実施例の光磁気記録媒体は、図９に示す
ように、磁性層３と４との間に、磁性層７（中間磁性
層）を設けた点で、前記第１実施例とは異なっている。

【００７４】磁性層７は、図１０に示すように、磁性層
３のＴ_C1よりも高いキュリー点（Ｔ_C3）と、室温で面内
磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しい特性を示し、
ほぼゼロの保磁力（Ｈ_C3）を有しており、所定温度以上
で垂直磁気異方性が優位となる特性を示し、補償点（Ｔ
_comp3 ）を有している。

【００７５】上記の構成において、初期化、記録、再生
の方法は、前記第１実施例と同様である。ただし、磁性
層７を設けたので、初期化過程および記録過程が以下に
述べるように異なる。

【００７６】記録を行う場合、まず、初期化が行われ
る。すなわち、図１１に示すように、上向きの初期化磁
界（Ｈ_init）を印加することにより、磁性層４の磁化だ
けを一方向に揃える。なお、図１１では、希土類金属の
副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よりも大きい、いわ
ゆる希土類金属リッチの磁性層４における、遷移金属の
副格子磁化が矢印で示されている。

【００７７】上記初期化は常時、あるいは、記録時にの
み行われる。磁性層３のＨ_C1はＨ_{in it}より大きく、磁性
層７は面内磁気異方性を示すため、磁性層４の磁化の向
きが磁性層７を通して磁性層３に転写されることはな
く、磁性層３の磁化の反転は生じない。

【００７８】記録は、Ｈ_initよりかなり小さくＨ_initと
同一方向の記録磁界（Ｈ_w ）を印加しながら、高レベル
Ｉと低レベルIIに強度変調されたレーザー光を照射する
ことにより行う。

【００７９】高レベルＩのレーザー光が照射されると、
磁性層３・４が共にＴ_C1、Ｔ_C3付近またはそれ以上とな
る温度（Ｔ_H ）まで昇温し、低レベルIIのレーザー光が
照射されると、磁性層３だけがＴ_C1付近またはそれ以上
となる温度（Ｔ_L ）まで昇温するように、高レベルＩと
低レベルIIとが設定されている。

【００８０】したがって、高レベルＩのレーザー光が照
射されると、磁性層４の磁化は、Ｈ_w により上向きに反
転し、冷却の過程では、磁性層７も垂直磁気異方性を示
すので、界面に作用する交換力により磁性層４の向きが
磁性層７に転写され、さらに磁性層７の磁化の向きが磁
性層３に転写されることにより、磁性層３の向きと磁性
層４の向きが一致する。したがって、磁性層３の向きは
上向きになる。

【００８１】一方、低レベルIIのレーザー光が照射され
ると、磁性層４の磁化は、Ｈ_w により反転することはな
い。冷却の過程では、磁性層７は垂直磁気異方性を示す
ので、上記と同様に、界面に作用する交換力により磁性
層４の向きが磁性層７に転写され、さらに磁性層７の磁
化の向きが磁性層３に転写されることにより、磁性層３
の向きと磁性層４の向きが一致する。したがって、磁性
層３の向きは下向きになる。

【００８２】つまり、高レベルＩと低レベルIIのレーザ
ー光でオーバーライトが可能になる。

【００８３】情報を再生する場合、記録時よりもかなり
低いレベルIII のレーザー光を照射し、その反射光にお
ける偏光面の回転を検出している。

【００８４】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。

【００８５】サンプル＃４は、磁性層７を除いて、前記
第１実施例のサンプル＃１と同一である。

【００８６】磁性層７は、Ｇｄ_0.28（Ｆｅ_0.61Ｃ
ｏ_0.39）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ_C3≧３００℃、Ｔ
_comp3 ＝１５０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、約８０℃
で垂直磁気異方性が優位となる特性を示す。膜厚は５０
ｎｍであり、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏのターゲットの同時スパ
ッタリングにより磁性層３上に形成された。

【００８７】このサンプル＃４に対して、前記実施例と
同一の条件の下で記録再生を行ったところ、サンプル＃
１と同様の結果が得られた。すなわち、４５ｄＢを越え
るＣ／Ｎが得られるレーザーパワーの許容範囲が広い。
換言すれば、記録パワーマージンが大きい。

【００８８】次の光磁気ディスクのサンプル＃５〜＃１
１は、磁性層７を除いて、サンプル＃４と同一である。

【００８９】サンプル＃５の磁性層７は、Ｇｄ_0.26（Ｆ
ｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.74、希土類金属リッチ、Ｔ_C3≧３０
０℃、Ｔ_COMP3 ＝１３０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、
約６０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９０】サンプル＃６の磁性層４は、Ｇｄ_0.27（Ｆ
ｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.73、希土類金属リッチ、Ｔ_C3＝２９
０℃、Ｔ_COMP3 ＝１４０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、
約７５℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９１】サンプル＃７の磁性層４は、Ｇｄ_0.27（Ｆ
ｅ_0.60Ｃｏ_0.40）_0.73、希土類金属リッチ、Ｔ_C3≧３０
０℃、Ｔ_COMP3 ＝１４０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、
約８０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９２】サンプル＃８の磁性層４は、Ｇｄ_0.28（Ｆ
ｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ_C3＝２８
０℃、Ｔ_COMP3 ＝１５０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、
約８０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９３】サンプル＃９の磁性層４は、Ｇｄ_0.28（Ｆ
ｅ_0.90Ｃｏ_0.10）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ_C3＝２６
０℃、Ｔ_COMP3 ＝１５０℃、室温でのＨ_C3〜０ｋＯｅ、
約８０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９４】サンプル＃１０の磁性層４は、Ｇｄ
_0.28（Ｆｅ_0.65Ｃｏ_0.35）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ
_C3≧３００℃、Ｔ_COMP3 ＝１５０℃、室温でのＨ_C3〜０
ｋＯｅ、約８０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９５】サンプル＃１１の磁性層４は、Ｇｄ
_0.29（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.71、希土類金属リッチ、Ｔ
_C3＝２８０℃、Ｔ_COMP3 ＝１７０℃、室温でのＨ_C3〜０
ｋＯｅ、約１２０℃で垂直磁気異方性を示す。

【００９６】上記サンプル＃５〜＃１１のいずれに対し
ても、消し残りのない光変調オーバーライトができた。

【００９７】次の光磁気ディスクのサンプル＃１２〜＃
１５は、磁性層３を除いて、サンプル＃４と同一であ
る。

【００９８】サンプル＃９の磁性層３は、Ｄｙ_0.21（Ｆ
ｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.79、遷移金属リッチ、Ｔ_C1＝１７０
℃、室温でのＨ_C1＝１５ｋＯｅである。

【００９９】サンプル＃１０の磁性層３は、Ｄｙ
_0.23（Ｆｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.77、補償組成、Ｔ_C1＝１５
０℃、室温でのＨ_C1≧２０ｋＯｅである。

【０１００】サンプル＃１１の磁性層３は、Ｄｙ
_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77、補償組成、Ｔ_C1＝１６
５℃、室温でのＨ_C1≧２０ｋＯｅである。

【０１０１】サンプル＃１２の磁性層３は、Ｄｙ
_0.19（Ｆｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.81、遷移金属リッチ、Ｔ_C1
＝２００℃、室温でのＨ_C1＝８ｋＯｅである。

【０１０２】上記サンプル＃１２〜＃１５のいずれに対
しても、消し残りのない光変調オーバーライトができ
た。

【０１０３】次の光磁気ディスクのサンプル＃１６〜＃
２９は、磁性層４を除いて、サンプル＃４と同一であ
る。

【０１０４】サンプル＃１６の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.32（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.69、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２３０℃、Ｔ_COMP2 ＝２２０℃、室温で
のＨ_C2＝１．２ｋＯｅである。

【０１０５】サンプル＃１７の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２６０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．４ｋＯｅである。

【０１０６】サンプル＃１８の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.30（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２５０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．２ｋＯｅである。

【０１０７】サンプル＃１９の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.30（Ｆｅ_0.60Ｃｏ_0.40）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２９０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．２ｋＯｅである。

【０１０８】サンプル＃２０の磁性層４は、（Ｇｄ_0.50
Ｄｙ_0.50）_0.30（Ｆｅ_0.55Ｃｏ_0.45）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝３１０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．０ｋＯｅである。

【０１０９】サンプル＃２１の磁性層４は、（Ｇｄ_0.60
Ｄｙ_0.40）_0.30（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２６０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．２ｋＯｅである。

【０１１０】サンプル＃２２の磁性層４は、（Ｇｄ_0.70
Ｄｙ_0.30）_0.30（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２８０℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝１．０ｋＯｅである。

【０１１１】サンプル＃２３の磁性層４は、（Ｇｄ_0.80
Ｄｙ_0.20）_0.30（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝３００℃、Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
のＨ_C2＝０．８ｋＯｅである。

【０１１２】サンプル＃２４の磁性層４は、（Ｇｄ_0.85
Ｄｙ_0.15）_0.30（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝３１０℃、Ｔ_COMP2 ＝２２０℃、室温で
のＨ_C2＝０．５ｋＯｅである。

【０１１３】サンプル＃２５の磁性層４は、（Ｇｄ_0.60
Ｄｙ_0.40）_0.31（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.69、希土類金属
リッチ、Ｔ_C2＝２９０℃、Ｔ_COMP2 ＝２３０℃、室温で
のＨ_C2＝１．２ｋＯｅである。

【０１１４】サンプル＃２６の磁性層４は、Ｄｙ
_0.28（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ
_C2＝２００℃、Ｔ_COMP2 ＝１８０℃、室温でのＨ_C2＝
２．２ｋＯｅである。

【０１１５】サンプル＃２７の磁性層４は、Ｄｙ
_0.28（Ｆｅ_0.60Ｃｏ_0.40）_0.72、希土類金属リッチ、Ｔ
_C2＝２３０℃、Ｔ_COMP2 ＝１８５℃、室温でのＨ_C2＝
２．３ｋＯｅである。

【０１１６】サンプル＃２８の磁性層４は、Ｄｙ
_0.29（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.69、希土類金属リッチ、Ｔ
_C2＝２５０℃、Ｔ_COMP2 ＝１９０℃、室温でのＨ_C2＝
２．０ｋＯｅである。

【０１１７】サンプル＃２９の磁性層４は、Ｄｙ
_0.30（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.70、希土類金属リッチ、Ｔ
_C2＝２５０℃、Ｔ_COMP2 ＝１９０℃、室温でのＨ_C2＝
１．８ｋＯｅである。

【０１１８】上記サンプル＃１６〜＃２９のいずれに対
しても、消し残りのない光変調オーバーライトができ
た。

【０１１９】次の光磁気ディスクのサンプル＃３０は、
磁性層５の膜厚が３０ｎｍである点を除いて、サンプル
＃４と同一である。

【０１２０】上記サンプル＃３０に対しても、消し残り
のない光変調オーバーライトができた。また、磁性層５
の膜厚をサンプル＃１の磁性層５の膜厚５０ｎｍより薄
くしたので、記録パルスのデューティーを４０％にして
も充分記録できた。サンプル＃４の記録パルスのデュー
ティーが６０％であったことを考慮すると、サンプル＃
４よりも記録感度が向上した。

【０１２１】サンプル＃４〜＃３０に対して、前記第１
実施例と同一の条件の下で記録再生を行ったところ、サ
ンプル＃１と同様の結果が得られた。すなわち、４５ｄ
Ｂを越えるＣ／Ｎが得られるレーザーパワーの許容範囲
が広い。換言すれば、記録パワーマージンが大きい。

【０１２２】本発明の第４実施例について図１２に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。

【０１２３】本実施例の光磁気記録媒体は、図１２に示
すように、誘電体層２と磁性層３との間に磁性層８（第
０磁性層）を設けた点で前記実施例と異なっている。

【０１２４】上記の磁性層８は、磁性層３よりも高いキ
ュリー点（Ｔ_C0）を有し、室温での保磁力（Ｈ_C0）がほ
ぼゼロであり、室温で面内磁気異方性を示し、所定温度
以上で垂直磁気異方性を示す。

【０１２５】上記の構成において、記録時、前記実施例
と同様に、光変調オーバーライトができる。しかも、従
来より小さな記録ビットの再生が可能になる。

【０１２６】すなわち、再生時に、磁性層８に光ビーム
が照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼガ
ウス分布になるので、光ビームの径よりも小さい中心近
傍領域のみの温度が上昇する。

【０１２７】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、磁
性層８および磁性層３の２層間の交換結合力により、磁
性層３の磁化の向きに磁性層８の磁化の向きが従う。温
度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、温度
上昇部位のみが極カー効果を示すようになり、該部位か
らの反射光に基づいて情報が再生される。

【０１２８】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さ
なくなる。このことは、磁性層３に記録された磁化が磁
性層８の面内磁化によりマスクされて読み出されないと
いうことを意味している。これにより、雑音の原因とな
り、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信号混
入がなくなる。以上の通り、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、従来より小さな記
録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上すること
になる。

【０１２９】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。

【０１３０】光磁気ディスクのサンプル＃３１は、前記
サンプル＃４の誘電体層２と磁性層３との間に、膜厚が
５０ｎｍの磁性層８を有しており、前記実施例のサンプ
ル＃４の製法と同じ製法で作製された。

【０１３１】サンプル＃３１の磁性層８は、Ｇｄ
_0.25（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.75、希土類金属リッチ、Ｔ
_C0＝３００℃、補償点なし、室温でのＨ_C0〜０ｋＯｅ、
約１００℃で垂直磁気異方性を示す。

【０１３２】上記サンプル＃３１に対しても、前記第１
実施例と同一の条件の下で記録再生を行ったところ、サ
ンプル＃１によりも良い結果が得られた。すなわち、サ
ンプル＃３１における、４７ｄＢを越えるＣ／Ｎが得ら
れるレーザーパワーの許容範囲が、サンプル＃１におけ
る、４５ｄＢを越えるＣ／Ｎが得られるレーザーパワー
の許容範囲とほぼ同じになった。換言すれば、サンプル
＃３１の記録パワーマージンは、サンプル＃１のそれよ
り大きい。

【０１３３】サンプル＃４のＣ／Ｎが４５ｄＢを越える
ことを考慮すると、サンプル＃３１の信号品質はサンプ
ル＃４のそれよりも向上した。これは、Ｔ_C0＞Ｔ_C1に設
定したので、カー回転角が大きくなったためと考えられ
る。

【０１３４】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル＃４ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃３１
ではＣ／Ｎがあまり低下しなかった。これは、磁性層８
が室温で面内磁気異方性を示し、レベルIII の再生レー
ザーパワーのレーザー光を照射すると垂直磁気異方性を
示すようになるので、短い記録ビットであっても、隣接
記録ビットからの影響を受けずに再生できるためと考え
られる。

【０１３５】以上の第１ないし第４実施例において、サ
ンプル＃１〜＃３１の基板１として、ガラスを用いた
が、これ以外にも、化学強化されたガラス、これらのガ
ラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる
２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポ
リオレフィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ
塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板１を使
用することが可能である。

【０１３６】上記透明誘電体層２のＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ
の膜厚は、８０ｎｍに限定されるものではない。

【０１３７】透明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク
を再生する際、磁性層３あるいは磁性層８からの極カー
回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、いわゆる
カー効果エンハンスメントを考慮して決定される。再生
時のＣ／Ｎをできるだけ大きくさせるには、極カー回転
角を大きくさせることが必要であり、このため、透明誘
電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大きくなるよう
に設定される。

【０１３８】この膜厚は、再生光の波長、透明誘電体層
２の屈折率により変化する。本実施例の場合は、ＡｌＮ
の屈折率２．０であるので、再生光の波長が７８０ｎｍ
の場合、透明誘電体層２のＡｌＮ、ＡｌＳｉＮの膜厚を
３０〜１２０ｎｍ程度にすると、カー効果エンハンスメ
ントの効果が大きくなる。尚、好ましくは、透明誘電体
層２のＡｌＮ、ＡｌＳｉＮの膜厚は、７０〜１００ｎｍ
であり、この範囲であれば極カー回転角がほぼ最大にな
る。

【０１３９】また、再生光の波長が４００ｎｍの場合、
上記透明誘電体層２の膜厚を半分（＝４００／７８０)
にすればよい。さらに、材料の違い、あるいは、製法に
より透明誘電体層２の屈折率が上記とは異なる場合、屈
折率と膜厚を乗じた値（光路長）が同じになるように、
透明誘電体層２の膜厚を設定すればよい。

【０１４０】上記の説明からわかるように、透明誘電体
層２の屈折率は大きいほど、その膜厚は少なくて済む。
また、屈折率が大きいほど、極カー回転角のエンハンス
効果も大きくなる。

【０１４１】ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮは、スパッター時のス
パッターガスであるＡｒとＮ₂ の比率、ガス圧力等を変
えることにより、その屈折率が変わるが、おおむね１．
８〜２．１程度と屈折率が比較的大きな材料であり、透
明誘電体層２の材料として好適である。

【０１４２】また、透明誘電体層２は、上記のカー効果
エンハンスメントだけでなく、保護層６と共に、磁性層
３、４または、磁性層３、７、４あるいは、磁性層８、
３、７、４の希土類遷移金属合金磁性層の酸化を防止す
る役割がある。

【０１４３】希土類遷移金属からなる磁性膜は、非常に
酸化されやすく、特に希土類が酸化されやすい。このた
め外部からの酸素、水分侵入を極力防止しなければ、酸
化によりその特性が著しく劣化してしまう。

【０１４４】そのため、サンプル＃１〜＃３１において
は、磁性層３、４または、磁性層３、７、４あるいは、
磁性層８、３、７、４の両側をＡｌＮ、ＡｌＳｉＮで挟
み込む形の構成を取っている。ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮは、
その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐湿性
に優れた材料である。

【０１４５】更に、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮは、それぞれＡ
ｌターゲット、、ＡｌＳｉターゲットを用いて、Ｎ₂ ガ
スもしくはＡｒとＮ₂ の混合ガスを導入して反応性ＤＣ
（直流電流）スパッタリングを行うことが可能であり、
ＲＦ（高周波）スパッターに比べて成膜速度が大きいこ
と点でも有利である。

【０１４６】磁性層３のＤｙＦｅＣｏの組成、磁性層７
のＧｄＦｅＣｏの組成、磁性層４のＧｄＤｙＦｅＣｏの
組成、は、上記の組成に限定されるものではない。磁性
層３、７、４の材料として、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｎｄから選ばれた少なくとも１種の希土類金属と、Ｆ
ｅ、Ｃｏから選ばれた少なくとも１種の遷移金属からな
る合金を使用しても、同様の効果が得られる。

【０１４７】上記材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１
種類の元素を添加すると、磁性層３、７、４自体の耐環
境性が向上する。すなわち、酸素侵入による磁性層３、
７、４の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性
に優れた光磁気ディスクを提供することができる。

【０１４８】磁性層３、７、４の膜厚は、磁性層３、
７、４の材料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるもので
ある。磁性層３の膜厚は、２０ｎｍ以上、より好ましく
は３０ｎｍ以上であり、あまり厚すぎると磁性層７の情
報が転写されなくなるので、１００ｎｍ以下が好適であ
る。磁性層７の膜厚は、２０ｎｍ以上、より好ましくは
１０〜５０ｎｍであり、あまり厚すぎると記録感度が低
下するので、２００ｎｍ以下が好適である。磁性層４の
膜厚は、５ｎｍ以上、より好ましくは１０〜５０ｎｍで
あり、あまり厚すぎると磁性層７の情報が転写されなく
なるので、１００ｎｍ以下が好適である。

【０１４９】なお、磁性層３のＴ_C1が１００℃未満の場
合、Ｃ／Ｎがディジタル記録再生で最低限必要とされて
いる４５ｄＢを下まわる。また、Ｔ_C1が２５０℃を越え
る場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層３のＴ
_C1は１００〜２５０℃が適当である。さらに、磁性層３
の室温でのＨ_C1が５ｋＯｅ未満の場合、Ｈ_initにより一
部が初期化される恐れがある。このため、磁性層３の室
温でのＨ_C1は５ｋＯｅ以上が適当である。

【０１５０】磁性層７の垂直磁気異方性を示す温度が８
０℃未満の場合、室温と、Ｐ_R （再生パワー）のレーザ
ー光が照射されたときの温度との間の温度で、磁性層４
から磁性層７への磁化の転写、磁性層７から磁性層３へ
の磁化の転写が起こる。したがって、Ｈ_initにより磁性
層４だけでなく磁性層３も初期化され、記録を行うこと
ができない。このため、磁性層７の垂直磁気異方性を示
す温度は８０℃以上が適当である。

【０１５１】さらに、磁性層７のＴ_C3が磁性層３のＴ_C1
未満の場合、光変調オーバーライト時に磁化の転写がう
まく行われない。このため、磁性層７のＴ_C3はＴ_C1以上
が適当である。

【０１５２】磁性層４のＴ_C2が１５０℃未満の場合、Ｐ
_L （低レベルIIのレーザーパワー）とＰ_R （再生パワ
ー、すなわち、レベルIII のレーザーパワー）との差が
小さくなるので、うまく光変調オーバーライトが行われ
ない。また、Ｔ_C2が４００℃を越える場合、記録感度が
悪くなる。このため、磁性層４のＴ_C2は１５０〜４００
℃が適当である。さらに、磁性層７の室温でのＨ_C3が３
ｋＯｅを越える場合、Ｈ_initの発生装置が大型になり、
好ましくない。このため、磁性層４の室温でのＨ_C2は３
ｋＯｅ以下が適当である。

【０１５３】さらに、磁性層７のＴ_COMP3 が磁性層４の
Ｔ_COMP2 より低い場合、高レベルＩのレーザー光の強度
のマージン、低レベルIIのレーザー光の強度のマージン
が大きくなり、さらに冷却の過程で磁性層４の情報が磁
性層７に転写され、さらに磁性層３に転写されるときに
磁性層４の静磁力を利用できるので好ましい。

【０１５４】保護層５のＡｌＮの膜厚は、本実施例では
８０ｎｍとしたが、これに限定するものではない。保護
層５の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍが好適であ
る。

【０１５５】本実施例においては、磁性層３、４また
は、磁性層３、７、４あるいは、磁性層８、３、７、４
を合わせた膜厚は１００ｎｍ以上であり、この膜厚にな
ると光ピックアップから入射した光はほとんど磁性層を
透過しない。したがって、保護層５の膜厚に特に制限は
なく、磁性層の酸化を長期に渡って防止するに必要な膜
厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれば膜厚
を厚く、高ければ薄くすれば良い。

【０１５６】保護層５は、透明誘導体層２と共にその熱
伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼ
す。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要なレ
ーザーパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘導体層２
を通過し、吸収膜である磁性層３、４または、磁性層
３、７、４あるいは、磁性層８、３、７、４に吸収され
て、熱に変わる。このとき、磁性層３、４または、磁性
層３、７、４あるいは、磁性層８、３、７、４の熱が透
明誘導体層２、保護層５に熱伝導により移動する。した
がって、透明誘導体層２、保護層５の熱伝導率および熱
容量（比熱) が記録感度に影響を及ぼす。

【０１５７】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層５の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザーパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層５の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザー寿命を延ばすため、記録
感度はある程度高い方が有利であり、保護層５の膜厚は
薄い方が良い。

【０１５８】ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮはこの意味でも好適
で、耐湿性に優れるので、保護層５として用いた場合、
膜厚を薄くすることができ、記録感度の高い光磁気ディ
スクを提供することができる。

【０１５９】本実施例では、保護層５を透明誘導体層２
と同じＡｌＮ、ＡｌＳｉＮとすることで、耐湿性に優れ
た光磁気ディスクを提供でき、かつ保護層５と透明誘導
体層２を同じ材料で形成することで、生産性も向上させ
ることができる。

【０１６０】サンプル＃１〜＃３１の光磁気ディスク
は、一般には片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層２、
磁性層３、４または、磁性層３、７、４あるいは、磁性
層８、３、７、４、保護層５の薄膜部分を総じて記録媒
体層と称することにすると、片面タイプの光磁気ディス
クは、基板１、記録媒体層、オーバーコート層６の構造
となる。

【０１６１】これに対して、基板１の上に記録媒体層を
形成したものを２枚、記録媒体層が対向するように接着
層で接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれて
いる。

【０１６２】接着層の材料はポリウレタンアクリレート
系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌気
性の３タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、
紫外線が透過しない記録媒体層の影になる部分の硬化が
熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持
っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安定性に極め
て優れた両面タイプの光磁気ディスクを提供することが
できる。

【０１６３】片面タイプは、両面タイプと比べて光磁気
ディスクの厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求
される記録再生装置に有利である。

【０１６４】両面タイプは、両面再生が可能なため、例
えば大容量を要求される記録再生装置に有利である。

【０１６５】以上の実施例では、光磁気記録媒体として
光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、光磁
気カードにも本発明を応用できる。

【０１６６】請求項１の発明に対応する光磁気ディスク
は、透光性を有する基板１上に、誘電体層２と、希土類
金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー点まで
垂直磁気異方性が優位となる特性を示す磁性層３と、希
土類金属−遷移金属合金からなり、磁性層３よりも高い
キュリー点を有し、室温での保磁力が磁性層３より低い
磁性層４と、保護層５とが順次形成されており、上記の
誘電体層２および保護層５は、それぞれ、ＡｌＮまた
は、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのいずれ
かからなる構成である。

【０１６７】これによれば、光変調オーバーライトが可
能であり、かつ、保護層５上に反射層を設けなくても、
記録パワーマージンが大きい、すなわち、レーザー光の
強度の許容範囲が大きい光磁気ディスクを実現できる。

【０１６８】請求項２の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項１の光磁気ディスクであって、磁性層３と磁
性層４との間に、希土類金属−遷移金属合金からなる磁
性層７が形成されており、上記の磁性層７は、室温での
保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性と垂直
磁気異方性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気異方
性が優位となる特性を示す構成である。

【０１６９】これによれば、室温での保磁力がほぼゼロ
であり、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ
等しく、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる特
性を示す磁性層７を、磁性層３と磁性層４との間に設け
たので、請求項１の作用効果に加え、光変調オーバーラ
イトが可能である上に、初期化磁界を小さくできる。

【０１７０】請求項３の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２の光磁気ディスクであって、誘電体層２と
磁性層３との間に、希土類金属−遷移金属合金からなる
磁性層８が形成されており、上記の磁性層８は、磁性層
３よりも高いキュリー点を有し、室温での保磁力がほぼ
ゼロであり、室温で面内磁気異方性が優位となる特性を
示し、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる特性
を示す構成である。

【０１７１】これによれば、磁性層３よりも高いキュリ
ー点を有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で
面内磁気異方性が優位となる特性を示し、所定温度以上
で垂直磁気異方性が優位となる特性を示す磁性層８を、
誘電体層２と磁性層３との間に設けたので、請求項２の
作用効果に加え、より小さな記録ビットの再生が可能と
なる。

【０１７２】すなわち、再生時に、磁性層８に光ビーム
が照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼガ
ウス分布になるので、光ビームの径よりも小さい中心近
傍領域のみの温度が上昇する。

【０１７３】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、磁
性層８および磁性層３の２層間の交換結合力により、磁
性層３の磁化の向きに磁性層８の磁化の向きが従う。温
度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、温度
上昇部位のみが極カー効果を示すようになり、該部位か
らの反射光に基づいて情報が再生される。

【０１７４】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さ
なくなる。このことは、磁性層３に記録された磁化が磁
性層８の面内磁化によりマスクされて読み出されないと
いうことを意味している。これにより、雑音の原因とな
り、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信号混
入がなくなる。以上の通り、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、従来より小さな記
録ビットの再生が可能となる。これにより、記録密度が
著しく向上する。

【０１７５】請求項４の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２または３の光磁気ディスクであって、磁性
層３は、キュリー点が１００〜２５０℃、室温での保磁
力が５ｋＯｅ以上であり、磁性層７は、垂直磁気異方性
を示す温度が８０℃以上であり、キュリー点が磁性層３
のキュリー点以上であり、磁性層４は、キュリー点が１
５０〜４００℃であり、室温での保磁力が３ｋＯｅ以下
である構成である。

【０１７６】これによれば、請求項２または３の作用効
果に加え、磁性層７の垂直磁気異方性を示す温度が８０
℃以上であるので、記録時の温度が８０℃以上であれば
磁性層３と磁性層４の磁気的結合が起こる。磁性層７の
キュリー点が磁性層３のキュリー点以上であるので、磁
性層４に記録された情報は必ず磁性層３に転写される。
さらに、磁性層４の室温での保磁力が３ｋＯｅ以下であ
るので、初期化磁場は３ｋＯｅ以下になる。さらに、磁
性層３のキュリー点を１００〜２５０℃、磁性層４のキ
ュリー点を１５０〜４００℃とすることにより、実用上
問題のないレーザーパワーで記録が可能になり、充分な
再生信号特性が得られる。

【０１７７】請求項５の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２または３の光磁気ディスクであって、磁性
層３の組成は、室温で遷移金属リッチもしくは補償組成
となるように設定されており、磁性層７の組成は、室温
で希土類金属リッチであり、補償点が１００〜２５０℃
となるように設定されており、磁性層４の組成は、室温
で希土類金属リッチであり、補償点が磁性層７の補償点
より高く、かつ、３００℃より低くなるように設定され
ている構成である。

【０１７８】これによれば、請求項２または３の作用効
果に加え、磁性層４は補償点をもつので、室温から補償
点までは希土類金属支配の磁化の向きを示し、補償点か
らキュリー点までは遷移金属支配の磁化の向きを示す。
すなわち、記録時の高温で記録された磁化の向きは室温
で反転するので、初期化磁場の向きと記録磁場の向きを
同じにすることが可能となる。さらに、磁性層７の補償
点が、磁性層４の補償点よりも低いので、記録時に磁性
層７の漏洩磁界を利用することができ、光変調オーバー
ライトが行い易くなる。磁性層４の補償点を１００〜３
００℃、磁性層７の補償点を１００〜２５０℃とするこ
とにより、実用上問題のないレーザーパワーで記録が可
能になる。

【０１７９】請求項６の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２、３、４または５の光磁気ディスクであっ
て、磁性層３はＤｙＦｅＣｏからなり、磁性層７はＧｄ
ＦｅＣｏからなり、磁性層４はＧｄＤｙＦｅＣｏもしく
はＤｙＦｅＣｏからなる構成である。

【０１８０】これによれば、請求項２、３、４または５
の作用効果に加え、希土類金属の組成比で室温の保磁
力、磁化の向きを決定することが可能となり、Ｆｅ／Ｃ
ｏの比でキュリー点、補償点を決定することが可能とな
る。

【０１８１】請求項７の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２、３、４または５の光磁気ディスクであっ
て、磁性層３はＤｙ_a （Ｆｅ_b Ｃｏ_1-b ）_1-a からな
り、磁性層７はＧｄ_c （Ｆｅ_d Ｃｏ_1-d ）_1-c からな
り、磁性層４は（Ｇｄ_e Ｄｙ_1-e）_g （Ｆｅ_f Ｃ
ｏ_1-f ）_1-g 、もしくは、Ｄｙ_h （Ｆｅ_i Ｃｏ_1-i ）
_1-h からなり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ
は、それぞれ、 0.18≦ａ≦0.25、 0.70≦ｂ≦0.90、 0.26≦ｃ≦0.3
2、 0.50≦ｄ≦0.90、0.10≦ｅ≦0.95、 0.30≦ｆ≦
0.90、 0.28≦ｇ≦0.33、 0.28≦ｈ≦0.33、0.30≦ｉ
≦0.80 を満足するように設定されている構成である。

【０１８２】これによれば、請求項２、３、４または５
の作用効果に加え、組成を限定することにより、適度な
レーザーパワー、初期化磁場、記録磁場により記録する
ことが可能となる上に、ディジタル記録に必要とされる
再生信号品質を確保することが可能となる。

【０１８３】請求項８の発明に対応する光磁気ディスク
は、請求項２、３、４、５、６または７の光磁気ディス
クであって、磁性層３の膜厚が２０〜１００ｎｍ、磁性
層７の膜厚が５〜５０ｎｍ、磁性層４の膜厚が２０〜２
００ｎｍに設定されている構成である。

【０１８４】これによれば、請求項１２、３、４、５、
６または７の作用効果に加え、膜厚を限定することによ
り、適度なレーザーパワー、初期化磁場、記録磁場によ
り記録することが可能となる上に、ディジタル記録に必
要とされる再生信号品質を確保することが可能となる。

【０１８５】請求項９の発明に対応する光磁気記録方法
は、透光性を有する基板１上に、誘電体層２と、希土類
金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー点まで
垂直磁気異方性が優位となる特性を示す磁性層３と、希
土類金属−遷移金属合金からなり、磁性層３よりも高い
キュリー点を有し、室温での保磁力が磁性層３より低い
磁性層４と、保護層５とが順次形成されており、上記の
誘電体層２および保護層５は、それぞれ、ＡｌＮまた
は、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのいずれ
かからなる光磁気ディスクに対し、層面に垂直な一定の
初期化磁場を印加することにより磁性層４の磁化を初期
化磁場の方向に初期化した後、情報に応じて高レベルと
低レベルとに強度変調されたレーザー光を照射すること
により磁性層３に情報を記録する光磁気記録方法であっ
て、高レベルのレーザー光を照射することにより、磁性
層４のキュリー点近傍の温度またはそれ以上の温度に昇
温し、低レベルのレーザー光を照射することにより、磁
性層３のキュリー点近傍の温度またはそれ以上の温度
で、かつ、磁性層４のキュリー点より低い温度に昇温す
る構成である。

【０１８６】これによれば、上記の光磁気ディスクに対
し、光変調オーバーライトの動作、すなわち、室温での
第２磁性層の初期化動作、第２磁性層への記録動作、第
２磁性層から第１磁性層への転写動作を円滑に行うこと
ができる。

【０１８７】

【発明の効果】請求項１の発明に係る光磁気記録媒体
は、以上のように、透光性を有する基体上に、誘電体層
と、希土類金属−遷移金属合金からなり、室温からキュ
リー点まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示す第１
磁性層と、希土類金属−遷移金属合金からなり、第１磁
性層よりも高いキュリー点を有し、室温での保磁力が第
１磁性層より低い第２磁性層と、保護層とが順次形成さ
れており、上記の誘電体層および保護層は、それぞれ、
ＡｌＮまたは、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉ
Ｎのいずれかからなるので、光変調オーバーライトが可
能であり、かつ、保護層上に反射層を設けなくても、記
録パワーマージンが大きい、すなわち、レーザー光の強
度の許容範囲が大きい光磁気記録媒体を実現できるとい
う効果を奏する。

【０１８８】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項１の光磁気記録媒体であって、第
１磁性層と第２磁性層との間に、希土類金属−遷移金属
合金からなる中間磁性層が形成されており、上記の中間
磁性層は、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面
内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しく、所定温度
以上で垂直磁気異方性が優位となる特性を示すので、請
求項１の効果に加え、光変調オーバーライトが可能であ
る上に、初期化磁界を小さくできるという効果を奏す
る。

【０１８９】請求項３の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２の光磁気記録媒体であって、誘
電体層と第１磁性層との間に、希土類金属−遷移金属合
金からなる第０磁性層が形成されており、上記の第０磁
性層は、第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温
での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性が
優位となる特性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性
が優位となる特性を示すので、請求項２の効果に加え、
より小さな記録ビットの再生が可能となるという効果を
奏する。

【０１９０】すなわち、再生時に、第０磁性層に光ビー
ムが照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼ
ガウス分布になるので、光ビームの径よりも小さい中心
近傍領域のみの温度が上昇する。

【０１９１】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、第
０磁性層および第１磁性層の２層間の交換結合力によ
り、第１磁性層の磁化の向きに第０磁性層の磁化の向き
が従う。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行す
ると、温度上昇部位のみが極カー効果を示すようにな
り、該部位からの反射光に基づいて情報が再生される。

【０１９２】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さ
なくなる。このことは、第１磁性層に記録された磁化が
第０磁性層の面内磁化によりマスクされて読み出されな
いということを意味している。これにより、雑音の原因
となり、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信
号混入がなくなる。以上の通り、所定温度以上の温度を
有する領域のみを再生に関与させるので、従来より小さ
な記録ビットの再生が可能となる。これにより、記録密
度が著しく向上する。

【０１９３】請求項４の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２または３の光磁気記録媒体であ
って、第１磁性層は、キュリー点が１００〜２５０℃、
室温での保磁力が５ｋＯｅ以上であり、中間磁性層は、
垂直磁気異方性を示す温度が８０℃以上であり、キュリ
ー点が第１磁性層のキュリー点以上であり、第２磁性層
は、キュリー点が１５０〜４００℃であり、室温での保
磁力が３ｋＯｅ以下であるので、請求項２または３の効
果に加え、記録時の温度が８０℃以上であれば第１磁性
層と第２磁性層の磁気的結合が起こる。中間磁性層のキ
ュリー点が第１磁性層のキュリー点以上であるので、第
２磁性層に記録された情報は必ず第１磁性層に転写され
る。さらに、第２磁性層の室温での保磁力が３ｋＯｅ以
下であるので、初期化磁場は３ｋＯｅ以下になる。さら
に、第１磁性層のキュリー点を１００〜２５０℃、第２
磁性層のキュリー点を１５０〜４００℃とすることによ
り、実用上問題のないレーザーパワーで記録が可能にな
り、充分な再生信号特性が得られるという効果を奏す
る。

【０１９４】請求項５の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２または３の光磁気記録媒体であ
って、第１磁性層の組成は、室温で遷移金属リッチもし
くは補償組成となるように設定されており、中間磁性層
の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が１
００〜２５０℃となるように設定されており、第２磁性
層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が
中間磁性層の補償点より高く、かつ、３００℃より低く
なるように設定されているので、請求項２または３の効
果に加え、室温から補償点までは希土類金属支配の磁化
の向きを示し、補償点からキュリー点までは遷移金属支
配の磁化の向きを示す。すなわち、記録時の高温で記録
された磁化の向きは室温で反転するので、初期化磁場の
向きと記録磁場の向きを同じにすることが可能となる。
さらに、中間磁性層の補償点が、第２磁性層の補償点よ
りも低いので、記録時に中間磁性層の漏洩磁界を利用す
ることができ、光変調オーバーライトが行い易くなる。
第２磁性層の補償点を１００〜３００℃、中間磁性層の
補償点を１００〜２５０℃とすることにより、実用上問
題のないレーザーパワーで記録が可能になるという効果
を奏する。

【０１９５】請求項６の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２、３、４または５の光磁気記録
媒体であって、第１磁性層はＤｙＦｅＣｏからなり、中
間磁性層はＧｄＦｅＣｏからなり、第２磁性層はＧｄＤ
ｙＦｅＣｏもしくはＤｙＦｅＣｏからなるので、請求項
２、３、４または５の効果に加え、希土類金属の組成比
で室温の保磁力、磁化の向きを決定することが可能とな
り、Ｆｅ／Ｃｏの比でキュリー点、補償点を決定するこ
とが可能となるという効果を奏する。

【０１９６】請求項７の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２、３、４または５の光磁気記録
媒体であって、第１磁性層はＤｙ_a （Ｆｅ_b Ｃｏ_1-b ）
_1-aからなり、中間磁性層はＧｄ_c （Ｆｅ_d Ｃｏ_1-d ）
_1-c からなり、第２磁性層は（Ｇｄ_e Ｄｙ_1-e ）_g （Ｆ
ｅ_f Ｃｏ_1-f ）_1-g 、もしくは、Ｄｙ_h （Ｆｅ_i Ｃｏ
_1-i ）_1-h からなり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、
ｈ、ｉは、それぞれ、 0.18≦ａ≦0.25、 0.70≦ｂ≦0.90、 0.26≦ｃ≦0.3
2、 0.50≦ｄ≦0.90、0.10≦ｅ≦0.95、 0.30≦ｆ≦
0.90、 0.28≦ｇ≦0.33、 0.28≦ｈ≦0.33、0.30≦ｉ
≦0.80 を満足するように設定されているので、請求項２、３、
４または５の効果に加え、組成を限定することにより、
適度なレーザーパワー、初期化磁場、記録磁場により記
録することが可能となる上に、ディジタル記録に必要と
される再生信号品質を確保することが可能となるという
効果を奏する。

【０１９７】請求項８の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項２、３、４、５、６または７の光
磁気記録媒体であって、第１磁性層の膜厚が２０〜１０
０ｎｍ、中間磁性層の膜厚が５〜５０ｎｍ、第２磁性層
の膜厚が２０〜２００ｎｍに設定されているので、請求
項２、３、４、５、６または７の効果に加え、適度なレ
ーザーパワー、初期化磁場、記録磁場により記録するこ
とが可能となる上に、ディジタル記録に必要とされる再
生信号品質を確保することが可能となるという効果を奏
する。

【０１９８】請求項９の発明に係る光磁気記録方法は、
以上のように、透光性を有する基体上に、誘電体層と、
希土類金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー
点まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示す第１磁性
層と、希土類金属−遷移金属合金からなり、第１磁性層
よりも高いキュリー点を有し、室温での保磁力が第１磁
性層より低い第２磁性層と、保護層とが順次形成されて
おり、上記の誘電体層および保護層は、それぞれ、Ａｌ
Ｎまたは、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮの
いずれかからなる光磁気記録媒体に対し、層面に垂直な
一定の初期化磁場を印加することにより第２磁性層の磁
化を初期化磁場の方向に初期化した後、情報に応じて高
レベルと低レベルとに強度変調されたレーザー光を照射
することにより第１磁性層に情報を記録する光磁気記録
方法であって、高レベルのレーザー光を照射することに
より、第２磁性層のキュリー点近傍の温度またはそれ以
上の温度に昇温し、低レベルのレーザー光を照射するこ
とにより、第１磁性層のキュリー点近傍の温度またはそ
れ以上の温度で、かつ、第２磁性層のキュリー点より低
い温度に昇温するので、上記の光磁気記録媒体に対し、
光変調オーバーライトの動作、すなわち、室温での第２
磁性層の初期化動作、第２磁性層への記録動作、第２磁
性層から第１磁性層への転写動作を円滑に行うことがで
きるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の光磁気ディスクの概略の
構成を示す断面図である。

【図２】図１の光磁気ディスクにおける各磁性層の保磁
力の温度依存性を示す説明図である。

【図３】図１の光磁気ディスクにおける記録プロセスを
示す説明図である。

【図４】図１の光磁気ディスクに照射されるレーザー光
の強度を示す説明図である。

【図５】図１の光磁気ディスクにおいて、Ｃ／Ｎが４５
ｄＢを越えたときの、高レベルＩのレーザーパワーおよ
び低レベルIIのレーザーパワーの組み合わせを示すグラ
フである。

【図６】比較例を示すものであり、従来の光磁気ディス
クにおいて、Ｃ／Ｎが４５ｄＢを越えたときの、高レベ
ルＩのレーザーパワーおよび低レベルIIのレーザーパワ
ーの組み合わせを示すグラフである。

【図７】本発明の第２実施例の光磁気ディスクにおける
各磁性層の保磁力の温度依存性を示す説明図である。

【図８】図７の磁性層を有する光磁気ディスクにおける
記録プロセスを示す説明図である。

【図９】本発明の第３実施例の光磁気ディスクの概略の
構成を示す断面図である。

【図１０】図９の光磁気ディスクにおける各磁性層の保
磁力の温度依存性を示す説明図である。

【図１１】図９の光磁気ディスクにおける記録プロセス
を示す説明図である。

【図１２】本発明の第４実施例の光磁気ディスクの概略
の構成を示す断面図である。

【図１３】従来の光磁気ディスクにおける各磁性層の保
磁力の温度依存性を示す説明図である。

【図１４】図１３の磁性層を有する光磁気ディスクにお
ける記録プロセスを示す説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 誘電体層 ３ 磁性層（第１磁性層） ４ 磁性層（第２磁性層） ５ 保護層 ６ オーバーコート層 ７ 磁性層（中間磁性層） ８ 磁性層（第０磁性層）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８６ Ｂ 8935−5Ｄ (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透光性を有する基体上に、誘電体層と、希
   土類金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー点
   まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示す第１磁性層
   と、希土類金属−遷移金属合金からなり、第１磁性層よ
   りも高いキュリー点を有し、室温での保磁力が第１磁性
   層より低い第２磁性層と、保護層とが順次形成されてお
   り、 上記の誘電体層および保護層は、それぞれ、ＡｌＮまた
   は、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのいずれ
   かからなることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】第１磁性層と第２磁性層との間に、希土類
   金属−遷移金属合金からなる中間磁性層が形成されてお
   り、 上記の中間磁性層は、室温での保磁力がほぼゼロであ
   り、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等し
   く、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる特性を
   示すことを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】誘電体層と第１磁性層との間に、希土類金
   属−遷移金属合金からなる第０磁性層が形成されてお
   り、 上記の第０磁性層は、第１磁性層よりも高いキュリー点
   を有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内
   磁気異方性が優位となる特性を示し、所定温度以上で垂
   直磁気異方性が優位となる特性を示すことを特徴とする
   請求項２記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】第１磁性層は、キュリー点が１００〜２５
   ０℃、室温での保磁力が５ｋＯｅ以上であり、中間磁性
   層は、垂直磁気異方性を示す温度が８０℃以上であり、
   キュリー点が第１磁性層のキュリー点以上であり、第２
   磁性層は、キュリー点が１５０〜４００℃であり、室温
   での保磁力が３ｋＯｅ以下であることを特徴とする請求
   項２または３記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】第１磁性層の組成は、室温で遷移金属リッ
   チもしくは補償組成となるように設定されており、中間
   磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償
   点が１００〜２５０℃となるように設定されており、第
   ２磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補
   償点が中間磁性層の補償点より高く、かつ、３００℃よ
   り低くなるように設定されていることを特徴とする請求
   項２または３記載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】第１磁性層はＤｙＦｅＣｏからなり、中間
   磁性層はＧｄＦｅＣｏからなり、第２磁性層はＧｄＤｙ
   ＦｅＣｏもしくはＤｙＦｅＣｏからなることを特徴とす
   る請求項２、３、４または５記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】第１磁性層はＤｙ_a （Ｆｅ_b Ｃｏ_1-b ）
   _1-a からなり、中間磁性層はＧｄ_c （Ｆｅ_d Ｃｏ_1-d ）
   _1-c からなり、第２磁性層は（Ｇｄ_e Ｄｙ_1-e ）_g （Ｆ
   ｅ_f Ｃｏ_1-f ）_1-g 、もしくは、Ｄｙ_h （Ｆｅ_i Ｃｏ
   _1-i ）_1-h からなり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、
   ｈ、ｉは、それぞれ、 0.18≦ａ≦0.25、 0.70≦ｂ≦0.90、 0.26≦ｃ≦0.3
   2、 0.50≦ｄ≦0.90、 0.10≦ｅ≦0.95、 0.30≦ｆ≦0.90、 0.28≦ｇ≦0.3
   3、 0.28≦ｈ≦0.33、 0.30≦ｉ≦0.80 を満足するように設定されていることを特徴とする請求
   項２、３、４または５記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】第１磁性層の膜厚が２０〜１００ｎｍ、中
   間磁性層の膜厚が５〜５０ｎｍ、第２磁性層の膜厚が２
   ０〜２００ｎｍに設定されていることを特徴とする請求
   項２、３、４、５、６または７記載の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】透光性を有する基体上に、誘電体層と、希
   土類金属−遷移金属合金からなり、室温からキュリー点
   まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示す第１磁性層
   と、希土類金属−遷移金属合金からなり、第１磁性層よ
   りも高いキュリー点を有し、室温での保磁力が第１磁性
   層より低い第２磁性層と、保護層とが順次形成されてお
   り、上記の誘電体層および保護層は、それぞれ、ＡｌＮ
   または、Ｓｉ含有量が１５ａｔ％以下のＡｌＳｉＮのい
   ずれかからなる光磁気記録媒体に対し、 層面に垂直な一定の初期化磁場を印加することにより第
   ２磁性層の磁化を初期化磁場の方向に初期化した後、情
   報に応じて高レベルと低レベルとに強度変調されたレー
   ザー光を照射することにより第１磁性層に情報を記録す
   る光磁気記録方法であって、高レベルのレーザー光を照
   射することにより、第２磁性層のキュリー点近傍の温度
   またはそれ以上の温度に昇温し、低レベルのレーザー光
   を照射することにより、第１磁性層のキュリー点近傍の
   温度またはそれ以上の温度で、かつ、第２磁性層のキュ
   リー点より低い温度に昇温することを特徴とする光磁気
   記録方法。