JPH07130585A - アルミニウム電解コンデンサ - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサInfo
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- JPH07130585A JPH07130585A JP29419193A JP29419193A JPH07130585A JP H07130585 A JPH07130585 A JP H07130585A JP 29419193 A JP29419193 A JP 29419193A JP 29419193 A JP29419193 A JP 29419193A JP H07130585 A JPH07130585 A JP H07130585A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機酸の第４級アンモニウム塩を溶質とした
電解液を用いたアルミニウム電解コンデンサにおいて、
封口部からの電解液の液漏れを防止する。 【構成】 ゴム封口体として、イソブチレンとイソプレ
ンとの共重合体を主ポリマーとした加硫ブチルゴムもし
くはイソブチレン、イソプレンおよびジビニルベンゼン
の３成分共重合体を主ポリマーとするブチルゴムの表面
にフッ素ゴムを被覆したものを用いる。
電解液を用いたアルミニウム電解コンデンサにおいて、
封口部からの電解液の液漏れを防止する。 【構成】 ゴム封口体として、イソブチレンとイソプレ
ンとの共重合体を主ポリマーとした加硫ブチルゴムもし
くはイソブチレン、イソプレンおよびジビニルベンゼン
の３成分共重合体を主ポリマーとするブチルゴムの表面
にフッ素ゴムを被覆したものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム電解コンデ
ンサに関し、さらに詳しく言えば、そのゴム封口体の改
良に関するものである。
ンサに関し、さらに詳しく言えば、そのゴム封口体の改
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサは、アルミ
ニウムからなる陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回してなるコンデンサ素子を備えている。各電極箔
にはタブ端子が予め固着されており、そのタブ端子にゴ
ム封口体を取り付け、また、上記セパレータ紙に電解液
を含浸した後、同コンデンサ素子をそのゴム封口体とと
もに外装ケース内に気密的に組み込むことにより作製さ
れる。
ニウムからなる陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回してなるコンデンサ素子を備えている。各電極箔
にはタブ端子が予め固着されており、そのタブ端子にゴ
ム封口体を取り付け、また、上記セパレータ紙に電解液
を含浸した後、同コンデンサ素子をそのゴム封口体とと
もに外装ケース内に気密的に組み込むことにより作製さ
れる。
【０００３】この種の電解コンデンサの特性は、それに
使用する電解液に密接に関係し、特性を向上させるには
その電解液に高電導性や高温使用下での長期信頼性が求
められている。この点を踏まえて、γ−ブチロラクトン
を主体とした溶媒に有機酸の第４級アンモニウム塩を主
溶質として溶解した電解液が使用されている。
使用する電解液に密接に関係し、特性を向上させるには
その電解液に高電導性や高温使用下での長期信頼性が求
められている。この点を踏まえて、γ−ブチロラクトン
を主体とした溶媒に有機酸の第４級アンモニウム塩を主
溶質として溶解した電解液が使用されている。
【０００４】しかしながら、γ−ブチロラクトンは揮発
性が高く、従来の天然ゴムやエチレンプロピレンジエン
タポリマーなどの封口体では電解液が蒸気として透過飛
散してしまうため、コンデンサ性能を維持することは困
難であった。
性が高く、従来の天然ゴムやエチレンプロピレンジエン
タポリマーなどの封口体では電解液が蒸気として透過飛
散してしまうため、コンデンサ性能を維持することは困
難であった。
【０００５】そこで、より電解液の透過飛散量が小さい
気密性の良好なイソブチレンとイソプレンとの共重合体
からなるブチルゴムの封口体が使用されるようになっ
た。このブチルゴムは、ゴムであるために加硫成型の必
要があり、その加硫方法には例えばイオウ加硫、キノイ
ド加硫、樹脂加硫がある。
気密性の良好なイソブチレンとイソプレンとの共重合体
からなるブチルゴムの封口体が使用されるようになっ
た。このブチルゴムは、ゴムであるために加硫成型の必
要があり、その加硫方法には例えばイオウ加硫、キノイ
ド加硫、樹脂加硫がある。
【０００６】イオウ加硫の場合は、コンデンサの最高使
用温度の拡大により予想される熱ストレスに対して圧縮
永久歪が生じやすく、電解液が液漏れするおそれがあ
る。
用温度の拡大により予想される熱ストレスに対して圧縮
永久歪が生じやすく、電解液が液漏れするおそれがあ
る。
【０００７】キノイド加硫においては、イオウより分子
間の結合力が大きく、架橋強度も上昇し耐熱性が向上す
るが、架橋しているキノイド環がイオウより大きいた
め、網目鎖濃度が低下し電解液が透過飛散しやすくな
り、コンデンサの寿命の低下という問題が生ずる。
間の結合力が大きく、架橋強度も上昇し耐熱性が向上す
るが、架橋しているキノイド環がイオウより大きいた
め、網目鎖濃度が低下し電解液が透過飛散しやすくな
り、コンデンサの寿命の低下という問題が生ずる。
【０００８】樹脂加硫によれば、上記のような問題は生
じないが、加硫剤の中にハロゲンを含有するため、電解
コンデンサの封口用には不向きとされていた。しかし、
近年脱ハロゲン化が達成され、この樹脂加硫によるもの
が一般に使用されるに至っている。
じないが、加硫剤の中にハロゲンを含有するため、電解
コンデンサの封口用には不向きとされていた。しかし、
近年脱ハロゲン化が達成され、この樹脂加硫によるもの
が一般に使用されるに至っている。
【０００９】また、より電解液の透過飛散量が小さい気
密性の良好なゴム封口体の物質として、イソブチレン、
イソプレンおよびジビニルベンゼンの３成分共重合体を
主ポリマーとし、好ましくは過酸化物系加硫剤で加硫し
たブチルゴムが用いられる場合もある。
密性の良好なゴム封口体の物質として、イソブチレン、
イソプレンおよびジビニルベンゼンの３成分共重合体を
主ポリマーとし、好ましくは過酸化物系加硫剤で加硫し
たブチルゴムが用いられる場合もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のゴム封口体によっても第４級アンモニウム塩を含む電
解液はそのゴム封口体を膨潤させ、高温負荷寿命試験を
行なうと、特に陰極箔に固着されたタブ端子の近傍にお
いて電気分解により電解液のｐＨバランスが崩れ強アル
カリが発生し、これが原因でタブ端子とゴム封口体の透
孔との嵌合が弱められ、その隙間から電解液が外部に漏
出してしまう、という問題があった。
のゴム封口体によっても第４級アンモニウム塩を含む電
解液はそのゴム封口体を膨潤させ、高温負荷寿命試験を
行なうと、特に陰極箔に固着されたタブ端子の近傍にお
いて電気分解により電解液のｐＨバランスが崩れ強アル
カリが発生し、これが原因でタブ端子とゴム封口体の透
孔との嵌合が弱められ、その隙間から電解液が外部に漏
出してしまう、という問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされたもので、その構成上の特徴は、イ
ソブチレンとイソプレンとの共重合体を主ポリマーと
し、好ましくはイオウ加硫、キノイド加硫または樹脂加
硫した加硫ブチルゴムからなるゴム封口体の表面をフッ
素ゴムにて被覆したことにある。
決するためになされたもので、その構成上の特徴は、イ
ソブチレンとイソプレンとの共重合体を主ポリマーと
し、好ましくはイオウ加硫、キノイド加硫または樹脂加
硫した加硫ブチルゴムからなるゴム封口体の表面をフッ
素ゴムにて被覆したことにある。
【００１２】なお、ブチルゴムを構成するイソブチレン
とイソプレンとの共重合体としては、他のモノマーを共
重合した共重合体、例えばイソブチレン、イソプレンお
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、好ましくは過酸化物系加硫剤で加硫されたブチルゴ
ムであっても良い。
とイソプレンとの共重合体としては、他のモノマーを共
重合した共重合体、例えばイソブチレン、イソプレンお
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、好ましくは過酸化物系加硫剤で加硫されたブチルゴ
ムであっても良い。
【００１３】被覆するフッ素ゴムの厚さは５μｍ以上で
あればその優れた耐薬品性を示し、５μｍ以下の場合に
はその効果があまり認められない。なお、工業的な生産
性を考慮するならば５〜９００μｍが良く、さらには５
０〜３００μｍの範囲がより好ましい。
あればその優れた耐薬品性を示し、５μｍ以下の場合に
はその効果があまり認められない。なお、工業的な生産
性を考慮するならば５〜９００μｍが良く、さらには５
０〜３００μｍの範囲がより好ましい。
【００１４】また、フッ素ゴムとしては、４フッ化エチ
レン（ＴＦＥ）−プロピレン共重合体、ＴＦＥ−プロピ
レン−フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）共重合体、ＶＤＦ−
６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＶＤＦ−ＨＦ
Ｐ−ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ−パーフルオロビニルエー
テル−ＶＤＦ共重合体、ＴＦＥ−プロピレン共重合体な
どがあげられるが、特にＴＦＥ−プロピレン共重合体が
好ましい。
レン（ＴＦＥ）−プロピレン共重合体、ＴＦＥ−プロピ
レン−フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）共重合体、ＶＤＦ−
６フッ化プロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＶＤＦ−ＨＦ
Ｐ−ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ−パーフルオロビニルエー
テル−ＶＤＦ共重合体、ＴＦＥ−プロピレン共重合体な
どがあげられるが、特にＴＦＥ−プロピレン共重合体が
好ましい。
【００１５】
【作用】フッ素ゴムは単体として封口体に用いられた場
合、電解液の透過飛散量が大きく気密性に劣るが耐熱性
に優れ、さらには第４級アンモニウム塩を電解液の溶質
に用いたコンデンサのタブ端子の近傍において発生する
強アルカリに対して優れた耐薬品性を示す。これは、フ
ッ素原子のもつ強い結合エネルギーによるものである。
合、電解液の透過飛散量が大きく気密性に劣るが耐熱性
に優れ、さらには第４級アンモニウム塩を電解液の溶質
に用いたコンデンサのタブ端子の近傍において発生する
強アルカリに対して優れた耐薬品性を示す。これは、フ
ッ素原子のもつ強い結合エネルギーによるものである。
【００１６】このフッ素ゴムにて上記のブチルゴム封口
体の表面を被覆することにより、電解液とブチルゴムと
が直接に接触することがなくなり、気密性、耐熱性、耐
薬品性の良好な封口体が得られる。
体の表面を被覆することにより、電解液とブチルゴムと
が直接に接触することがなくなり、気密性、耐熱性、耐
薬品性の良好な封口体が得られる。
【００１７】
【実施例】下記の実施例１〜４および従来例１〜４で作
製したゴム封口体を用いて、定格１０Ｖ１２０μＦ（製
品サイズ：直径６．３ｍｍ，軸長７ｍｍ）のアルミニウ
ム電解コンデンサを各々５０個作製し、１０５℃の温度
下において１０Ｖの直流電圧を印加し３０００時間の高
温負荷試験を行なった。
製したゴム封口体を用いて、定格１０Ｖ１２０μＦ（製
品サイズ：直径６．３ｍｍ，軸長７ｍｍ）のアルミニウ
ム電解コンデンサを各々５０個作製し、１０５℃の温度
下において１０Ｖの直流電圧を印加し３０００時間の高
温負荷試験を行なった。
【００１８】なお、電解液としては、γ−ブチロラクト
ン１００ｇに対して、フタル酸テトラメチルアンモニウ
ム塩を２０ｇ溶解した電気伝導度が１２ｍＳ／ｃｍのも
のを使用した。 《実施例１》イソブチレンとイソプレンとの共重合体か
らなるブチル生ゴムをイオウ加硫したゴム封口体にタブ
端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端子挿通孔内
を含めて）にフッ素ゴム層を１５μｍの厚さに塗布し、
１８０℃にて９０分間熱処理した。
ン１００ｇに対して、フタル酸テトラメチルアンモニウ
ム塩を２０ｇ溶解した電気伝導度が１２ｍＳ／ｃｍのも
のを使用した。 《実施例１》イソブチレンとイソプレンとの共重合体か
らなるブチル生ゴムをイオウ加硫したゴム封口体にタブ
端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端子挿通孔内
を含めて）にフッ素ゴム層を１５μｍの厚さに塗布し、
１８０℃にて９０分間熱処理した。
【００１９】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
【００２０】《実施例２》イソブチレンとイソプレンと
の共重合体からなるブチル生ゴムをキノイド加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を８０μｍの
厚さに塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
の共重合体からなるブチル生ゴムをキノイド加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を８０μｍの
厚さに塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
【００２１】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は３２ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は３２ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
【００２２】《実施例３》イソブチレンとイソプレンと
の共重合体からなるブチル生ゴムを樹脂加硫したゴム封
口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端
子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を８０μｍの厚さ
に塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
の共重合体からなるブチル生ゴムを樹脂加硫したゴム封
口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端
子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を８０μｍの厚さ
に塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
【００２３】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であり、漏液発生数は０個であった。
【００２４】《実施例４》イソブチレンとイソプレンと
の共重合体からなるブチル生ゴムを樹脂加硫したゴム封
口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端
子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を１２０μｍの厚
さに塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
の共重合体からなるブチル生ゴムを樹脂加硫したゴム封
口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タブ端
子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を１２０μｍの厚
さに塗布し、１８０℃にて９０分間熱処理した。
【００２５】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は上記実施
例３と同じく、１６ｍｇ（平均値）であり、また、漏液
発生数は０個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は上記実施
例３と同じく、１６ｍｇ（平均値）であり、また、漏液
発生数は０個であった。
【００２６】〈従来例１〉ゴム封口体として、イソブチ
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
イオウ加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
イオウ加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
【００２７】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は１８個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は１８個であった。
【００２８】〈従来例２〉ゴム封口体として、イソブチ
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
キノイド加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
キノイド加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
【００２９】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は３２ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は８個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は３２ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は８個であった。
【００３０】〈従来例３〉ゴム封口体として、イソブチ
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
樹脂加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用いた。
レンとイソプレンとの共重合体からなるブチル生ゴムを
樹脂加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用いた。
【００３１】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は６個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１６ｍｇ
（平均値）であるが、漏液発生数は６個であった。
【００３２】〈従来例４〉ゴム封口体として、エチレン
プロピレンジエンタポリマーからなる生ゴムを過酸化物
加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用いた。
プロピレンジエンタポリマーからなる生ゴムを過酸化物
加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用いた。
【００３３】このゴム封口体を使用したアルミニウム電
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は８０ｍｇ
（平均値）であり、また、漏液発生数は６個であった。
解コンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は８０ｍｇ
（平均値）であり、また、漏液発生数は６個であった。
【００３４】また、下記の実施例５〜７および従来例
５，６で作製したゴム封口体を用いて、定格３５Ｖ４７
μＦ（製品サイズ：直径８ｍｍ，軸長５ｍｍ）のアルミ
ニウム電解コンデンサを各々５０個作製し、１０５℃の
温度下において３５Ｖの直流電圧を印加し５０００時間
の高温負荷試験を行なった。
５，６で作製したゴム封口体を用いて、定格３５Ｖ４７
μＦ（製品サイズ：直径８ｍｍ，軸長５ｍｍ）のアルミ
ニウム電解コンデンサを各々５０個作製し、１０５℃の
温度下において３５Ｖの直流電圧を印加し５０００時間
の高温負荷試験を行なった。
【００３５】なお、電解液としては、γ−ブチロラクト
ン１００ｇに対して、フタル酸テトラエチルアンモニウ
ム塩を２０ｇ溶解した電気伝導度が１３ｍＳ／ｃｍのも
のを使用した。
ン１００ｇに対して、フタル酸テトラエチルアンモニウ
ム塩を２０ｇ溶解した電気伝導度が１３ｍＳ／ｃｍのも
のを使用した。
【００３６】《実施例５》イソブチレン、イソプレンお
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を５μｍの厚
さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を５μｍの厚
さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
【００３７】この封口体を使用したアルミニウム電解コ
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１１ｍｇ（平
均値）であり、漏液発生数は０個であった。
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１１ｍｇ（平
均値）であり、漏液発生数は０個であった。
【００３８】《実施例６》イソブチレン、イソプレンお
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を６０μｍの
厚さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を６０μｍの
厚さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
【００３９】この封口体を使用したアルミニウム電解コ
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は実施例１と同
じく、１１ｍｇ（平均値）であり、漏液発生数は０個で
あった。
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は実施例１と同
じく、１１ｍｇ（平均値）であり、漏液発生数は０個で
あった。
【００４０】《実施例７》イソブチレン、イソプレンお
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を５００μｍ
の厚さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
よびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマーと
し、ジクミルパーオキサイドにより過酸化物加硫したゴ
ム封口体にタブ端子挿通孔を穿設した後、その表面（タ
ブ端子挿通孔内を含めて）にフッ素ゴム層を５００μｍ
の厚さに塗布し、２００℃にて３０分間熱処理した。
【００４１】この封口体を使用したアルミニウム電解コ
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は実施例１と同
じく、１１ｍｇ（平均値）であり、漏液発生数は０個で
あった。
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は実施例１と同
じく、１１ｍｇ（平均値）であり、漏液発生数は０個で
あった。
【００４２】〈従来例５〉ゴム封口体として、エチレン
プロピレンジエンタポリマーをジクミルパーオキサイド
により過酸化物加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したもの
を用いた。
プロピレンジエンタポリマーをジクミルパーオキサイド
により過酸化物加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したもの
を用いた。
【００４３】この封口体を使用したアルミニウム電解コ
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は７２ｍｇ（平
均値）であり、漏液発生数は８個であった。
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は７２ｍｇ（平
均値）であり、漏液発生数は８個であった。
【００４４】〈従来例６〉ゴム封口体として、イソブチ
レン、イソプレンおよびジビニルベンゼンの３成分共重
合体を主ポリマーとし、ジクミルパーオキサイドにより
過酸化物加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
レン、イソプレンおよびジビニルベンゼンの３成分共重
合体を主ポリマーとし、ジクミルパーオキサイドにより
過酸化物加硫し、タブ端子挿通孔を穿設したものを用い
た。
【００４５】この封口体を使用したアルミニウム電解コ
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１１ｍｇ（平
均値）であるが、漏液発生数は１２個であった。
ンデンサの上記負荷試験後の重量減少量は１１ｍｇ（平
均値）であるが、漏液発生数は１２個であった。
【００４６】比較を容易にするため、上記実施例１〜
４、従来例１〜４の試験結果を表１に、また、実施例５
〜７および従来例５，６の試験結果を表２に示す。な
お、重量の減少はゴム封口体を透過して外部に飛散した
電解液によるものであり、また、漏液の発生はゴムの膨
潤によりタブ端子とその挿通孔との嵌合が弱められたこ
とに起因するものである。
４、従来例１〜４の試験結果を表１に、また、実施例５
〜７および従来例５，６の試験結果を表２に示す。な
お、重量の減少はゴム封口体を透過して外部に飛散した
電解液によるものであり、また、漏液の発生はゴムの膨
潤によりタブ端子とその挿通孔との嵌合が弱められたこ
とに起因するものである。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】同表から明らかなように、従来例によるゴ
ム封口体で作製したコンデンサからは負荷試験後に電解
液の液漏れが発生したが、実施例によるゴム封口体を用
いたコンデンサからは漏液の発生は認められなかった。
ム封口体で作製したコンデンサからは負荷試験後に電解
液の液漏れが発生したが、実施例によるゴム封口体を用
いたコンデンサからは漏液の発生は認められなかった。
【００５０】また、実施例のゴム封口体によれば、イソ
ブチレンとイソプレンとの共重合体からなるブチルゴム
もしくはイソブチレン、イソプレンおよびジビニルベン
ゼンの３成分共重合体を主ポリマーとするブチルゴムの
特徴である優れた気密性を損なうものでないことが分か
る。
ブチレンとイソプレンとの共重合体からなるブチルゴム
もしくはイソブチレン、イソプレンおよびジビニルベン
ゼンの３成分共重合体を主ポリマーとするブチルゴムの
特徴である優れた気密性を損なうものでないことが分か
る。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イソブチレンとイソプレンとの共重合体を主ポリマーと
した加硫ブチルゴムもしくはイソブチレン、イソプレン
およびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマー
とするブチルゴムの表面にフッ素ゴムを被覆してなるゴ
ム封口体を用いることにより、電解液の液漏れがないと
ともに、気密性が高く長寿命で信頼性の高い優れたアル
ミニウム電解コンデンサを得ることができる。
イソブチレンとイソプレンとの共重合体を主ポリマーと
した加硫ブチルゴムもしくはイソブチレン、イソプレン
およびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリマー
とするブチルゴムの表面にフッ素ゴムを被覆してなるゴ
ム封口体を用いることにより、電解液の液漏れがないと
ともに、気密性が高く長寿命で信頼性の高い優れたアル
ミニウム電解コンデンサを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一杉 健一 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナー株式会社内 (72)発明者 数原 学 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナー株式会社内 (72)発明者 金子 武夫 神奈川県川崎市幸区塚越３丁目474番地２ 号 旭硝子株式会社玉川分室内
Claims (5)
- 【請求項１】 ともにタブ端子が固着されたアルミニウ
ムからなる陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻
回してなるコンデンサ素子に電解液を含浸させるととも
に、上記タブ端子にゴム封口体を取り付け、同コンデン
サ素子を上記ゴム封口体とともに外装ケース内に気密的
に組み込んでなるアルミニウム電解コンデンサにおい
て、上記ゴム封口体はイソブチレンとイソプレンとの共
重合体を主ポリマーとした加硫ブチルゴムからなり、そ
の表面にはフッ素ゴムが被覆されていることを特徴とす
るアルミニウム電解コンデンサ。 - 【請求項２】 上記ゴム封口体はイソブチレン、イソプ
レンおよびジビニルベンゼンの３成分共重合体を主ポリ
マーとする加硫ブチルゴムからなることを特徴とする請
求項１に記載のアルミニウム電解コンデンサ。 - 【請求項３】 上記ゴム封口体の主ポリマーが過酸化物
系加硫剤にて加硫されていることを特徴とする請求項２
に記載のアルミニウム電解コンデンサ。 - 【請求項４】 上記フッ素ゴムの厚さは５〜９００μｍ
の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載
のアルミニウム電解コンデンサ。 - 【請求項５】 上記電解液がγ−ブチロラクトンを主溶
媒とし、有機酸の第４級アンモニウム塩を溶質とするこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のアルミニウム
電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419193A JPH07130585A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | アルミニウム電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29419193A JPH07130585A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | アルミニウム電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130585A true JPH07130585A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17804499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29419193A Withdrawn JPH07130585A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | アルミニウム電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0843369A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Barrel type non-aqueous electrolyte cell |
| JP2002299190A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2002299167A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用封口体およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP29419193A patent/JPH07130585A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0843369A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Barrel type non-aqueous electrolyte cell |
| JP2002299190A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2002299167A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用封口体およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |