JPH07130603A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07130603A JPH07130603A JP5153516A JP15351693A JPH07130603A JP H07130603 A JPH07130603 A JP H07130603A JP 5153516 A JP5153516 A JP 5153516A JP 15351693 A JP15351693 A JP 15351693A JP H07130603 A JPH07130603 A JP H07130603A
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- wafer
- constituent
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置を構成する各構成層を形成する際
に、それら各構成層間の位置合わせを高精度で行い得る
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体ウェハ１上に各構成層１０，２０，３
０，４０を順次形成する際に、その構成層１０，２０に
夫々アライメントターゲット１５，２５を形成してお
く。そして、さらにその上に別の構成層３０を形成する
際に、それらアライメントターゲット１５，２５を基準
として、各構成層１０，２０に対するウェハ１の各位置
ずれ量ができるだけ小さくなるようにウェハ１の位置合
わせを行ってから、露光を行う。その際、構成層３０に
もアライメントターゲット３５を形成する。 【効果】 各構成層間における相互の位置ずれ量を小さ
くすることができるので、合わせずれ量の規格値を従来
よりも小さく設定することができ、より一層の微細化及
び高集積化を図ることができる。
に、それら各構成層間の位置合わせを高精度で行い得る
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体ウェハ１上に各構成層１０，２０，３
０，４０を順次形成する際に、その構成層１０，２０に
夫々アライメントターゲット１５，２５を形成してお
く。そして、さらにその上に別の構成層３０を形成する
際に、それらアライメントターゲット１５，２５を基準
として、各構成層１０，２０に対するウェハ１の各位置
ずれ量ができるだけ小さくなるようにウェハ１の位置合
わせを行ってから、露光を行う。その際、構成層３０に
もアライメントターゲット３５を形成する。 【効果】 各構成層間における相互の位置ずれ量を小さ
くすることができるので、合わせずれ量の規格値を従来
よりも小さく設定することができ、より一層の微細化及
び高集積化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技術
さらにはリソグラフィ工程に適用して特に有効な技術に
関し、例えば露光装置におけるアライメントに利用して
有用な技術に関する。
さらにはリソグラフィ工程に適用して特に有効な技術に
関し、例えば露光装置におけるアライメントに利用して
有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置を構成する絶縁層や
導電層などの各構成層は、半導体ウェハ上にレジストを
塗布し、所望のパターンを有するマスクを用いて露光・
現像・エッチングを行なうことにより、そのマスクパタ
ーンが転写されて成形されている。従って、露光を行う
際には、マスクとウェハとの位置合わせ、即ちアライメ
ントを高精度で行なう必要がある。
導電層などの各構成層は、半導体ウェハ上にレジストを
塗布し、所望のパターンを有するマスクを用いて露光・
現像・エッチングを行なうことにより、そのマスクパタ
ーンが転写されて成形されている。従って、露光を行う
際には、マスクとウェハとの位置合わせ、即ちアライメ
ントを高精度で行なう必要がある。
【０００３】アライメントを行うために、従来は以下の
ようにしていた。すなわち、半導体装置の製造工程の初
期段階、例えばＭＯＳの場合には素子分離用の選択酸化
膜である所謂ＬＯＣＯＳ（ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ）酸化膜の形成段階或はゲ
ート絶縁膜の形成段階など、において、ウェハの位置合
わせの指標となるアライメントターゲット（マーク）を
形成していた。そして、それからあとの露光工程におい
ては、そのアライメントターゲットに基いてウェハの位
置を合わせていた。
ようにしていた。すなわち、半導体装置の製造工程の初
期段階、例えばＭＯＳの場合には素子分離用の選択酸化
膜である所謂ＬＯＣＯＳ（ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ）酸化膜の形成段階或はゲ
ート絶縁膜の形成段階など、において、ウェハの位置合
わせの指標となるアライメントターゲット（マーク）を
形成していた。そして、それからあとの露光工程におい
ては、そのアライメントターゲットに基いてウェハの位
置を合わせていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、アライメントター
ゲットが上述したように製造初期における特定の基準層
にしか設けられていないため、その基準層よりも上に位
置する構成層を形成するために露光を行う場合には、そ
の基準層に対してしかウェハの位置合わせを行うことが
できなかった。つまり、基準層よりも上の構成層同士に
おける位置合わせができないので、それら上の各構成層
の基準層に対するずれ量は小さくても、上の構成層同士
のずれ量が大きくなる虞があるというものである。従っ
て、上の構成層同士のずれが最大になる場合を見込んで
合わせずれ量の許容範囲（規格値）を決めなければなら
ないので、より一層の微細化を図り高集積化する上で妨
げとなっていた。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、アライメントター
ゲットが上述したように製造初期における特定の基準層
にしか設けられていないため、その基準層よりも上に位
置する構成層を形成するために露光を行う場合には、そ
の基準層に対してしかウェハの位置合わせを行うことが
できなかった。つまり、基準層よりも上の構成層同士に
おける位置合わせができないので、それら上の各構成層
の基準層に対するずれ量は小さくても、上の構成層同士
のずれ量が大きくなる虞があるというものである。従っ
て、上の構成層同士のずれが最大になる場合を見込んで
合わせずれ量の許容範囲（規格値）を決めなければなら
ないので、より一層の微細化を図り高集積化する上で妨
げとなっていた。
【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、半導体装置を構成する各構成層を形成する際に、そ
れら各構成層間の位置合わせを高精度で行い得る半導体
装置の製造方法を提供することを主たる目的としてい
る。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴については、本明細書の記述及び添附図面から明らか
になるであろう。
で、半導体装置を構成する各構成層を形成する際に、そ
れら各構成層間の位置合わせを高精度で行い得る半導体
装置の製造方法を提供することを主たる目的としてい
る。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴については、本明細書の記述及び添附図面から明らか
になるであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
においては、半導体装置を構成する各構成層に、それら
構成層を順次形成する際に同時にアライメントターゲッ
トを形成する。そして、リソグラフィにより上に新たな
構成層を形成する場合には、その下の各構成層のアライ
メントターゲットに基づいて、各構成層に対する位置ず
れ量が夫々小さくなるようにウェハの位置合わせを行
い、ウェハ上のレジストを露光する。また、各構成層に
おいて、１回の露光で２箇所以上にアライメントターゲ
ットを形成することができるように、ＬＳＩの素子パタ
ーンの他にアライメントターゲットのパターンが２箇所
以上に描かれてなるパターンのマスク（本明細書におい
ては、等倍露光用のマスクの他に縮小露光用のレチクル
も含むものとする。）を用いる。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
においては、半導体装置を構成する各構成層に、それら
構成層を順次形成する際に同時にアライメントターゲッ
トを形成する。そして、リソグラフィにより上に新たな
構成層を形成する場合には、その下の各構成層のアライ
メントターゲットに基づいて、各構成層に対する位置ず
れ量が夫々小さくなるようにウェハの位置合わせを行
い、ウェハ上のレジストを露光する。また、各構成層に
おいて、１回の露光で２箇所以上にアライメントターゲ
ットを形成することができるように、ＬＳＩの素子パタ
ーンの他にアライメントターゲットのパターンが２箇所
以上に描かれてなるパターンのマスク（本明細書におい
ては、等倍露光用のマスクの他に縮小露光用のレチクル
も含むものとする。）を用いる。
【０００７】
【作用】上記した手段によれば、新たな構成層を形成す
るために露光を行う際に、それよりも下の形成済みの各
構成層における各アライメントターゲットに基づいて、
ウェハの位置合わせを行うようにしたため、各構成層間
における位置合わせを行うことができ、各構成層間にお
ける相互の位置ずれ量を小さくすることができる。ま
た、１回の露光で２箇所以上にアライメントターゲット
が形成されれば、それら各構成層において少なくとも２
箇所のアライメントターゲットを基準とすることによ
り、新たに構成層を形成する際に各構成層に対するウェ
ハの回転ずれを検出してそのずれを小さくすることがで
きるだけでなく、縮小倍率のずれや像歪などの検出・補
正も可能である。
るために露光を行う際に、それよりも下の形成済みの各
構成層における各アライメントターゲットに基づいて、
ウェハの位置合わせを行うようにしたため、各構成層間
における位置合わせを行うことができ、各構成層間にお
ける相互の位置ずれ量を小さくすることができる。ま
た、１回の露光で２箇所以上にアライメントターゲット
が形成されれば、それら各構成層において少なくとも２
箇所のアライメントターゲットを基準とすることによ
り、新たに構成層を形成する際に各構成層に対するウェ
ハの回転ずれを検出してそのずれを小さくすることがで
きるだけでなく、縮小倍率のずれや像歪などの検出・補
正も可能である。
【０００８】
【実施例】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施
例を図１乃至図８に示し、以下に説明する。図１及び図
２には、本発明に係る製造方法において形成された半導
体装置のアライメントターゲットが模式的に示されてい
る。同図に示すように、本製造方法においては、半導体
ウェハ１上に絶縁層や導電層などの各構成層１０，２
０，３０，４０を順次形成する際に、その構成層１０，
２０に夫々アライメントターゲット１５，２５を形成し
ておく。そして、さらにその上に別の構成層３０をリソ
グラフィ、即ち露光・現像・エッチングにより形成する
際に、それらアライメントターゲット１５，２５を基準
として、各構成層１０，２０に対するウェハ１の各位置
ずれ量ができるだけ小さくなるようにウェハ１の位置合
わせを行うようにする。
例を図１乃至図８に示し、以下に説明する。図１及び図
２には、本発明に係る製造方法において形成された半導
体装置のアライメントターゲットが模式的に示されてい
る。同図に示すように、本製造方法においては、半導体
ウェハ１上に絶縁層や導電層などの各構成層１０，２
０，３０，４０を順次形成する際に、その構成層１０，
２０に夫々アライメントターゲット１５，２５を形成し
ておく。そして、さらにその上に別の構成層３０をリソ
グラフィ、即ち露光・現像・エッチングにより形成する
際に、それらアライメントターゲット１５，２５を基準
として、各構成層１０，２０に対するウェハ１の各位置
ずれ量ができるだけ小さくなるようにウェハ１の位置合
わせを行うようにする。
【０００９】それから、露光を行ってウェハ１上のレジ
スト（図示省略）にマスクパターンを転写し、現像・エ
ッチングを経て構成層３０を所望のパターンをなすよう
に成形する。その際、構成層３０にもアライメントター
ゲット３５を形成する。そして、さらに構成層４０を形
成する際には、アライメントターゲット１５，２５，３
５に基いてウェハ１の位置合わせを行う。
スト（図示省略）にマスクパターンを転写し、現像・エ
ッチングを経て構成層３０を所望のパターンをなすよう
に成形する。その際、構成層３０にもアライメントター
ゲット３５を形成する。そして、さらに構成層４０を形
成する際には、アライメントターゲット１５，２５，３
５に基いてウェハ１の位置合わせを行う。
【００１０】上記構成層３０を例として挙げ、その構成
層３０の形成における露光工程の流れの一例を説明す
る。先ず、アライメントターゲット１５，２５が夫々形
成され順次積層されてなる構成層１０，２０の上に、さ
らに構成層３０を形成するための絶縁膜や導電膜などを
積層させる。そして、その上にレジストを塗布してか
ら、そのウェハ１を露光装置のＸＹステージに取り付け
る。
層３０の形成における露光工程の流れの一例を説明す
る。先ず、アライメントターゲット１５，２５が夫々形
成され順次積層されてなる構成層１０，２０の上に、さ
らに構成層３０を形成するための絶縁膜や導電膜などを
積層させる。そして、その上にレジストを塗布してか
ら、そのウェハ１を露光装置のＸＹステージに取り付け
る。
【００１１】続いて、ＸＹステージを移動させて露光装
置におけるアライメント検出位置にアライメントターゲ
ット１５，２５を合わせる。この検出位置には、検出用
のアライメント照明光が照射されている。そして、その
照明光の反射光を検出し、その検出信号を各ターゲット
１５，２５毎に分解処理する。つまり、その分解処理に
より各ターゲット１５，２５の位置が個別に検出され
る。
置におけるアライメント検出位置にアライメントターゲ
ット１５，２５を合わせる。この検出位置には、検出用
のアライメント照明光が照射されている。そして、その
照明光の反射光を検出し、その検出信号を各ターゲット
１５，２５毎に分解処理する。つまり、その分解処理に
より各ターゲット１５，２５の位置が個別に検出され
る。
【００１２】そして、アライメントターゲット１５を基
準として、構成層１０に対するウェハ１のずれ量（アラ
イメントオフセット）を演算処理して求めるとともに、
アライメントターゲット２５を基準として、構成層２０
に対するウェハ１のずれ量も演算処理して求める。さら
に、それら構成層１０，２０に対する各ずれ量に基づ
き、各ずれ量ができるだけ小さくなるようなウェハ１の
最適位置を演算処理により求める。この際、各ずれ量を
単純に加算した値が最小となるようにしてもよいし、ま
た各構成層の重要性を考慮して、各ずれ量にその重要性
に応じた係数を乗じて加算し、その値が最小となるよう
にしてもよい。すなわち、各構成層のずれ量をａ，ｂ，
ｃ，…とする時、式（１）の値が最小となるようにして
もよい。 ｋ・ａ＋ｌ・ｂ＋ｍ・ｃ，…（ｋ＋ｌ＋ｍ＋…＝１）・・・・（１）
準として、構成層１０に対するウェハ１のずれ量（アラ
イメントオフセット）を演算処理して求めるとともに、
アライメントターゲット２５を基準として、構成層２０
に対するウェハ１のずれ量も演算処理して求める。さら
に、それら構成層１０，２０に対する各ずれ量に基づ
き、各ずれ量ができるだけ小さくなるようなウェハ１の
最適位置を演算処理により求める。この際、各ずれ量を
単純に加算した値が最小となるようにしてもよいし、ま
た各構成層の重要性を考慮して、各ずれ量にその重要性
に応じた係数を乗じて加算し、その値が最小となるよう
にしてもよい。すなわち、各構成層のずれ量をａ，ｂ，
ｃ，…とする時、式（１）の値が最小となるようにして
もよい。 ｋ・ａ＋ｌ・ｂ＋ｍ・ｃ，…（ｋ＋ｌ＋ｍ＋…＝１）・・・・（１）
【００１３】上述したように演算処理により求めた最適
位置にウェハ１が位置するように、ＸＹステージを動か
してその原点調整を行なう。それから、露光を行い、レ
ジストに第３の構成層のパターン（マスクパターン）を
転写する。露光の際に、レジストがポジ形の場合には、
レジストのターゲット１５，２５に対応する部分が露光
光で照射されないように、マスクのターゲット１５，２
５に対応する部分を遮光部としておく。ネガ形レジスト
の場合には、マスクのターゲット１５，２５に対応する
部分を透光部としておく。
位置にウェハ１が位置するように、ＸＹステージを動か
してその原点調整を行なう。それから、露光を行い、レ
ジストに第３の構成層のパターン（マスクパターン）を
転写する。露光の際に、レジストがポジ形の場合には、
レジストのターゲット１５，２５に対応する部分が露光
光で照射されないように、マスクのターゲット１５，２
５に対応する部分を遮光部としておく。ネガ形レジスト
の場合には、マスクのターゲット１５，２５に対応する
部分を透光部としておく。
【００１４】なお、アライメントターゲット１５，２
５，３５は、例えば、夫々一対のマークからなり、線状
をなす凹部となっている。そして、例えば、各ターゲッ
トにおけるマーク間の距離は上層にいくに従って小さく
されており、各構成層１０，２０，３０が相互にずれて
いない場合には、それら全てのマークが等間隔で並ぶよ
うになっている。図１においては、各アライメントター
ゲット１５，２５，３５を区別し易いように、便宜上、
各ターゲット１５，２５，３５を実線で示し、ハッチン
グを付した。
５，３５は、例えば、夫々一対のマークからなり、線状
をなす凹部となっている。そして、例えば、各ターゲッ
トにおけるマーク間の距離は上層にいくに従って小さく
されており、各構成層１０，２０，３０が相互にずれて
いない場合には、それら全てのマークが等間隔で並ぶよ
うになっている。図１においては、各アライメントター
ゲット１５，２５，３５を区別し易いように、便宜上、
各ターゲット１５，２５，３５を実線で示し、ハッチン
グを付した。
【００１５】図３には、本発明に係る製造方法において
使用される露光装置の一例が示されている。同図に示す
ように、この露光装置５は、従来のものと同様の構成の
ものであり、ＸＹステージ５０、縮小投影レンズ５１、
マスク５２、アライメント照明用光源５３、信号検出部
５４、演算処理部５５、反射鏡５６よりなる。そして、
例えば、アライメント照明光及び反射光が縮小投影レン
ズ５１を通るがマスク５２を通らないＴＴＬ（Ｔｈｒｏ
ｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）−ＯＦＦ ＡＸＩＳ方式の
装置である。
使用される露光装置の一例が示されている。同図に示す
ように、この露光装置５は、従来のものと同様の構成の
ものであり、ＸＹステージ５０、縮小投影レンズ５１、
マスク５２、アライメント照明用光源５３、信号検出部
５４、演算処理部５５、反射鏡５６よりなる。そして、
例えば、アライメント照明光及び反射光が縮小投影レン
ズ５１を通るがマスク５２を通らないＴＴＬ（Ｔｈｒｏ
ｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）−ＯＦＦ ＡＸＩＳ方式の
装置である。
【００１６】信号検出部５４は、アライメント照明光の
反射光を検出するもので、カメラなどである。演算処理
部５５は、例えばコンピュータであり、上述したよう
に、信号検出部５４からの検出信号を各ターゲット１
５，２５毎に分解処理し、各構成層１０，２０毎にウェ
ハ１のずれ量を演算処理して求めるとともに、ウェハ１
の最適位置を求める演算処理を行う。
反射光を検出するもので、カメラなどである。演算処理
部５５は、例えばコンピュータであり、上述したよう
に、信号検出部５４からの検出信号を各ターゲット１
５，２５毎に分解処理し、各構成層１０，２０毎にウェ
ハ１のずれ量を演算処理して求めるとともに、ウェハ１
の最適位置を求める演算処理を行う。
【００１７】また、図４に示したように、１回の露光
（１ショット）により照射される露光領域６に、アライ
メントターゲット７を２箇所以上、例えば四隅に形成す
ることにより、各構成層に対するウェハ１の回転ずれを
検出してそのずれを小さくするように補正することがで
きる。さらに、アライメントターゲット７，７間の距離
を求めることにより縮小倍率のずれの検出を行うことが
できる。さらにまた、４点のアライメントターゲット７
を結んでなる形状の歪を検出することにより像歪の検出
・補正も行うことができる。
（１ショット）により照射される露光領域６に、アライ
メントターゲット７を２箇所以上、例えば四隅に形成す
ることにより、各構成層に対するウェハ１の回転ずれを
検出してそのずれを小さくするように補正することがで
きる。さらに、アライメントターゲット７，７間の距離
を求めることにより縮小倍率のずれの検出を行うことが
できる。さらにまた、４点のアライメントターゲット７
を結んでなる形状の歪を検出することにより像歪の検出
・補正も行うことができる。
【００１８】以上、詳述したように、上記実施例によれ
ば、構成層３０を所望のパターンに形成するために露光
を行う際に、構成層１０，２０の各アライメントターゲ
ット１５，２５に基づいて、ウェハ１の位置合わせを行
うため、構成層１０に対する構成層３０の位置ずれを小
さくすることができるだけでなく、構成層２０に対して
も構成層３０の位置ずれを小さくすることができる。つ
まり、各構成層１０，２０，３０，４０間相互の位置ず
れをできるだけ小さくすることができる。従って、合わ
せずれ量の規格値をより小さく設定することができ、よ
り一層の微細化及び高集積化を図ることができる。
ば、構成層３０を所望のパターンに形成するために露光
を行う際に、構成層１０，２０の各アライメントターゲ
ット１５，２５に基づいて、ウェハ１の位置合わせを行
うため、構成層１０に対する構成層３０の位置ずれを小
さくすることができるだけでなく、構成層２０に対して
も構成層３０の位置ずれを小さくすることができる。つ
まり、各構成層１０，２０，３０，４０間相互の位置ず
れをできるだけ小さくすることができる。従って、合わ
せずれ量の規格値をより小さく設定することができ、よ
り一層の微細化及び高集積化を図ることができる。
【００１９】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、全
ての構成層に付いてアライメントターゲットを形成して
もよいし、或は位置合わせの重要性の高い構成層に付い
てのみターゲットを形成してもよい。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、全
ての構成層に付いてアライメントターゲットを形成して
もよいし、或は位置合わせの重要性の高い構成層に付い
てのみターゲットを形成してもよい。
【００２０】また、アライメントターゲット１５，２
５，３５を一対のマークで構成する代わりに、図５に示
すように、夫々１個のマークで構成してもよい。この場
合には、各ターゲット１５，２５，３５の各位置の設計
値を予め演算処理部５５に記憶させておけばよい。さら
に、ターゲットの形状を線状とする代わりに、図６に示
したアライメントターゲット１６，２６，３６のよう
に、矩形のリング状としてもよい。このようにすれば、
上述したアライメントターゲット１５，２５，３５にお
いてはそれらが並んでいる方向（一方向）に付いての位
置合わせしか行うことができなかったが、同時に二方向
に付いての位置合わせを行うことができる。また、ター
ゲットの形状は凹状に限らず凸状でもよいのはいうまで
もない。
５，３５を一対のマークで構成する代わりに、図５に示
すように、夫々１個のマークで構成してもよい。この場
合には、各ターゲット１５，２５，３５の各位置の設計
値を予め演算処理部５５に記憶させておけばよい。さら
に、ターゲットの形状を線状とする代わりに、図６に示
したアライメントターゲット１６，２６，３６のよう
に、矩形のリング状としてもよい。このようにすれば、
上述したアライメントターゲット１５，２５，３５にお
いてはそれらが並んでいる方向（一方向）に付いての位
置合わせしか行うことができなかったが、同時に二方向
に付いての位置合わせを行うことができる。また、ター
ゲットの形状は凹状に限らず凸状でもよいのはいうまで
もない。
【００２１】さらにまた、上記露光装置５に限らず、図
７に示したＯＦＦ ＡＸＩＳ方式（照明光及び反射光が
縮小投影レンズ５１及びマスク５２の何れも通らない方
式）の装置を用いてもよいし、また図８に示したＴＴＬ
−ＯＮ ＡＸＩＳ方式（照明光及び反射光が縮小投影レ
ンズ５１及びマスク５２の何れも通る方式）の装置を用
いてもよいのは勿論である。
７に示したＯＦＦ ＡＸＩＳ方式（照明光及び反射光が
縮小投影レンズ５１及びマスク５２の何れも通らない方
式）の装置を用いてもよいし、また図８に示したＴＴＬ
−ＯＮ ＡＸＩＳ方式（照明光及び反射光が縮小投影レ
ンズ５１及びマスク５２の何れも通る方式）の装置を用
いてもよいのは勿論である。
【００２２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
装置の製造技術に適用した場合について説明したが、こ
の発明はそれに限定されるものではなく、マイクロマシ
ーニング技術などにも利用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
装置の製造技術に適用した場合について説明したが、こ
の発明はそれに限定されるものではなく、マイクロマシ
ーニング技術などにも利用することができる。
【００２３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、半導体装置の各構成層に夫
々アライメントターゲットが設けられているため、新た
な構成層を形成する際には各構成層に対して夫々位置合
わせを行うことができるので、各構成層間における相互
の位置ずれ量を小さくすることができる。従って、合わ
せずれ量の規格値を従来よりも小さく設定することがで
き、より一層の微細化及び高集積化を図ることができ
る。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、半導体装置の各構成層に夫
々アライメントターゲットが設けられているため、新た
な構成層を形成する際には各構成層に対して夫々位置合
わせを行うことができるので、各構成層間における相互
の位置ずれ量を小さくすることができる。従って、合わ
せずれ量の規格値を従来よりも小さく設定することがで
き、より一層の微細化及び高集積化を図ることができ
る。
【図１】本発明に係る製造方法において形成された半導
体装置のアライメントターゲットを平面的に示す模式図
である。
体装置のアライメントターゲットを平面的に示す模式図
である。
【図２】そのアライメントターゲットの断面の様子を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】本発明に係る製造方法において使用される露光
装置の一例を示す概略構成図である。
装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】アライメントターゲットの配置の一例を示す模
式図である。
式図である。
【図５】アライメントターゲットの他の例を示す模式図
である。
である。
【図６】アライメントターゲットのさらに他の例を示す
模式図である。
模式図である。
【図７】露光装置の他の例を示す概略構成図である。
【図８】露光装置のさらに他の例を示す概略構成図であ
る。
る。
１ 半導体ウェハ ７，３５ アライメントターゲット １０ 構成層（第１の構成層） ２０ 構成層（第２の構成層） ３０ 構成層（第３の構成層） ４０ 構成層 １５ アライメントターゲット（第１のアライメントタ
ーゲット） ２５ アライメントターゲット（第２のアライメントタ
ーゲット）
ーゲット） ２５ アライメントターゲット（第２のアライメントタ
ーゲット）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ 9122−2Ｈ (72)発明者 荒尾 修 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス 株式会社内 (72)発明者 関口 耕平 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置を構成する各構成層を半導体
ウェハ上に順次形成するにあたって、第１の構成層に、
当該第１の構成層よりも上に位置する第２の構成層を形
成する際のウェハの位置合わせの指標となる第１のアラ
イメントターゲットを形成し、その第１のアライメント
ターゲットに基いてウェハの位置合わせを行って第２の
構成層を形成するとともに、その第２の構成層に、当該
第２の構成層よりも上に位置する第３の構成層を形成す
る際のウェハの位置合わせの指標となる第２のアライメ
ントターゲットを形成し、少なくとも前記第１のアライ
メントターゲットと前記第２のアライメントターゲット
とに基いてウェハの位置合わせを行い、第３の構成層を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも上記第１のアライメントター
ゲットと上記第２のアライメントターゲットとを検出
し、それら各アライメントターゲットの位置ずれ量を演
算処理して求めるとともに、その各位置ずれ量の総和が
小さくなるような最適位置を演算処理して求め、その最
適位置にウェハを移動させて露光を行い、半導体ウェハ
上のレジストに第３の構成層のパターンを転写すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記構成層の露光時に、１回の露光で２
箇所以上にアライメントターゲットを形成可能なパター
ンを有しているマスクを用いることを特徴とする請求項
１または２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5153516A JPH07130603A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5153516A JPH07130603A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130603A true JPH07130603A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=15564252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5153516A Pending JPH07130603A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610717B1 (ko) * | 1998-05-11 | 2006-08-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN119133149A (zh) * | 2024-09-03 | 2024-12-13 | 上海积塔半导体有限公司 | 一种晶圆结构及其制备方法 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP5153516A patent/JPH07130603A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610717B1 (ko) * | 1998-05-11 | 2006-08-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN119133149A (zh) * | 2024-09-03 | 2024-12-13 | 上海积塔半导体有限公司 | 一种晶圆结构及其制备方法 |
| CN119133149B (zh) * | 2024-09-03 | 2025-10-10 | 上海积塔半导体有限公司 | 一种晶圆结构及其制备方法 |
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