JPH07130677A - 赤外線による基板加熱方法および基板加熱装置 - Google Patents

赤外線による基板加熱方法および基板加熱装置

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JPH07130677A
JPH07130677A JP27913393A JP27913393A JPH07130677A JP H07130677 A JPH07130677 A JP H07130677A JP 27913393 A JP27913393 A JP 27913393A JP 27913393 A JP27913393 A JP 27913393A JP H07130677 A JPH07130677 A JP H07130677A
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Kazunari Shiina
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 赤外線による基板加熱方法および基板加熱装
置に関し、低圧の加熱チャンバと大気圧下に置かれた赤
外線ランプの間を薄肉の石英製筒状体によって分離し、
赤外線ランプの端子の酸化や腐食を防止する手段を提供
する。 【構成】 平面状に配置された複数の石英製筒状体6を
ガス導入間2と排気間3を有する加熱チャンバ1の壁と
気密に貫通させ、石英製筒状体6の中に直線状の赤外線
ランプ8を収容し、赤外線ランプ8に対向して被加熱基
板5を載置するカーボンサセプタ4を配置し、石英製筒
状体6によって加熱チャンバ1内外の差圧を支え、石英
製筒状体6と赤外線ランプ8の間に非酸化性ガスを流す
ことによって赤外線ランプ8の端子部を酸化や腐食から
保護する。石英製筒状体6の断面の一部を反射膜7を形
成した放物線または楕円形状にし、赤外線ランプ8から
放出される赤外線の放出方向を調節することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ等の基板
の上に被膜を堆積する場合に用いる赤外線による基板加
熱方法および基板加熱装置に関する。赤外線ランプによ
る加熱は、被加熱体の昇温速度あるいは降温速度を大き
くすることができ、加熱対象面積を大口径まで自由に調
節できる等の利点を有するため、基板上に半導体、強誘
電体、酸化物超伝導体等の膜を形成する工程で多用され
ている。
【0002】そして、近年の被加熱基板の大口径化が進
み、1バッチ当たりの処理枚数が増加するに伴って、必
要な加熱領域の面積は増大の一途をたどっている。通
常、赤外線ランプは大気側に配置され、被加熱基板は減
圧した加熱チャンバ内に配置され、赤外線ランプと被加
熱基板の間を石英板によって密閉する構造を採っている
ため、加熱領域の面積が大きくなった場合は、加熱チャ
ンバ内外の圧力差に耐えるために石英板の肉厚を著しく
厚くする必要がある。
【0003】そのため、加熱チャンバの大きさが、赤外
線ランプの大きさではなく、石英板の製造可能な大きさ
で制約されるのが現状である。仮に、厚い石英板を製造
することができたとしても、赤外線ランプと被加熱基板
との距離が離れることになり、加熱効率が悪くなるばか
りでなく、被加熱基板の温度分布を制御するための分解
能も悪くなる。そこで、何らかの方法によって赤外線ラ
ンプと被加熱基板とを近づけることが必要である。
【0004】
【従来の技術】図4は、従来の赤外線ランプによる基板
加熱装置の構成説明図である。この図において、31は
加熱チャンバ、32はガス導入管、33は排気管、34
は石英板、35はカーボンサセプタ、36は被加熱基
板、37はリフレクタ、38は赤外線ランプである。
【0005】この従来の赤外線ランプによる加熱装置に
おいては、ガス導入管32と排気管33を有する加熱チ
ャンバ31の底面を石英板34によって密閉し、加熱チ
ャンバ31内にカーボンサセプタ35を配置し、その上
に被加熱基板36を載置するようになっている。そし
て、加熱チャンバ31の底面を密閉する石英板34の下
に、リフレクタ37と直線状の赤外線ランプ38が設け
られている。
【0006】この加熱装置においては、赤外線ランプ3
8から放出される赤外線はリフレクタ37によって反射
され、石英板34を透過し、カーボンサセプタ35によ
って吸収されて、このカーボンサセプタ35を発熱させ
ることによって、その上に載置されている被加熱基板3
6を加熱する。
【0007】この加熱装置においては、カーボンサセプ
タ35と被加熱基板36を取り巻く雰囲気は大気圧であ
ることは稀であり、通常0.1気圧程度の水素等のキャ
リアガスあるいは反応性ガスであることが多い。一方、
赤外線ランプ38は、その端子38の温度を300℃以
下に保って、端子を酸化あるいは腐食から保護するため
に空冷する必要があり、加熱チャンバ31の外側に配置
されている。
【0008】このように、石英板34は、一方の側は真
空に近い低圧に接し、他方の側は大気圧に接することに
なり、この石英板34には、1cm2 当たり1kgfの
力が加わることになる。そして、平面状の石英板34に
よって加熱チャンバ31内外の圧力差を支える形式の加
熱チャンバの大口径化を行うと、赤外線ランプ38の有
効照射径を大きくすることはもとより、石英板34の大
きさも大きくしなければならない。
【0009】例えば、直径30cmのカーボンサセプタ
35を加熱する場合、放熱の関係から石英板34の直径
をおよそ40cmにすることが必要であり、石英板34
にかかる力は約1.2tと計算され、この力に耐え得る
石英板34の厚さは2cmとなる。石英板34の直径が
90cmにもなると、必要な最小の石英板34の厚さは
10cmにもおよび、石英板34の加工が困難になるだ
けでなく、必然的に赤外線ランプ38とカーボンサセプ
タ35の距離が大きくなり、赤外線ランプ38の効率や
温度分布の制御性が悪化する。
【0010】赤外線ランプ38自身を加熱チャンバ31
内に配置すると、この石英板34は不要になり、先に述
べた石英板34の強度的な問題は解消されるが、雰囲気
が反応性である場合は赤外線ランプ38の端子の酸化や
腐食、端子の取り出し方法等を考慮することが必要にな
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、加熱チャン
バと直線状の赤外線ランプの間を分離する石英製筒状体
によって加熱チャンバ内外の差圧を支え、石英製筒状体
に非酸化性ガスを流すことによって赤外線ランプの端子
を酸化や腐食から保護する手段を提供する。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる赤外線に
よる基板加熱方法においては、石英製筒状体に収容した
直線状の赤外線ランプを複数個平面状に配置し、該石英
製筒状体に収容した直線状の赤外線ランプに対向して被
加熱基板を配置し、該直線状の赤外線ランプと石英製筒
状体の間に、該被加熱基板を取り囲む雰囲気から独立し
たガスを流す工程を採用した。
【0013】また、本発明にかかる赤外線による基板加
熱装置においては、平面状に配置された複数の直線状の
赤外線ランプと、個々の該直線状の赤外線ランプを収容
する石英製筒状体と、該石英製筒状体に収容された直線
状の赤外線ランプに対向して被加熱基板を配置する手段
とを有する構成を採用した。
【0014】この場合、石英製筒状体が直線状の赤外線
ランプよりも長くし、赤外線ランプと石英製筒状体の間
に非酸化性ガスを流すことによって赤外線ランプの端子
部を保護することができる。
【0015】また、この場合、直線状の赤外線ランプを
収容する石英製筒状体の被加熱基板に対向しない側の管
壁に反射面を形成して赤外線を有効に放出させることが
でき、この際、石英製筒状体の断面の一部を楕円または
放物線形状にし、赤外線ランプの位置を変えることによ
って、赤外線ランプから放出される赤外線の方向を調節
することができる。
【0016】
【作用】図1は、本発明の赤外線ランプによる基板加熱
装置の原理説明図である。この図において、1は加熱チ
ャンバ、2はガス導入管、3は排気管、4はカーボンサ
セプタ、5は被加熱基板、6は石英製筒状体、7は反射
膜、8は赤外線ランプである。
【0017】この原理説明図によって、本発明の赤外線
による基板加熱方法と加熱装置の原理を説明する。本発
明の赤外線ランプによる基板加熱装置においては、ガス
導入管2と排気管3を有する加熱チャンバ1内に、被加
熱基板5を載置するカーボンサセプタ4を配置し、この
カーボンサセプタ4の下に、被加熱基板5から遠い側面
に反射膜7を形成した石英製筒状体6に直線状の赤外線
ランプ8を配置している。このように、加熱チャンバ1
の内外差圧を断面の一部が円、楕円、放物線状の石英製
筒状体6によって支えることにより、赤外線ランプ8と
被加熱基板5の間の石英板を省略することができ、その
結果、赤外線ランプ8と被加熱基板5を近づけることが
でき、カーボンサセプタ4の加熱効率と温度分布の向上
を図ることができる。
【0018】なお、図示されていないが、この石英製筒
状体6は、加熱チャンバ1の壁を気密状態で貫通し、石
英製筒状体6の内部は大気に連通し、石英製筒状体6と
赤外線ランプ8の間に被酸化性ガスを流して、赤外線ラ
ンプ8の端子を冷却し、酸化や腐食から保護するように
なっている。
【0019】また、この図に示されているように、石英
製筒状体6の断面の一部、すなわち、被加熱基板5から
遠い側の断面を楕円または放物線状にし、その側面に反
射膜7を形成し、その焦点近傍に直線状の赤外線ランプ
8を配置して、焦点と赤外線ランプ8の間の距離を変え
ることによって、赤外線ランプ8から放出される赤外線
の放射方向を調節して、カーボンサセプタ4の温度分布
を所望の形状にすることができる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 (第1実施例)図2は、第1実施例の赤外線による基板
加熱装置の構成説明図であり、(A)は平面を示し、
(B)は断面を示している。この図において、11はカ
ーボンサセプタ、12は被加熱基板、13はリフレク
タ、14は石英製筒状体、15は赤外線ランプである。
【0021】この実施例の赤外線による基板加熱装置に
おいては、被加熱基板12を載置するカーボンサセプタ
11の下に、複数の円筒状の反射面を有するリフレクタ
13を配置し、この円筒状の反射面の中心軸に沿って、
赤外線ランプ15を収容した石英製筒状体14を配置し
ている。
【0022】この実施例の赤外線による基板加熱装置の
大気と真空との遮断は、断面円形の石英製筒状体14に
よって行っているため、従来技術における平面状の石英
板の内外圧力差に耐えることができる最小肉厚がその直
径の2乗に比例するのに対して、円筒の場合は個々の円
筒の直径に比例した値で充分である。
【0023】例えば、赤外線ランプの直径が2cm、加
熱直径が90cmの場合、従来の技術では厚さ10cm
の石英板が必要であったのに対して、赤外線ランプを覆
う石英製筒状体14の内径を余裕をもって3cmとする
としても、肉厚は1mmあれば充分である。
【0024】したがって、従来技術による場合は、赤外
線ランプの中心から被加熱基板までの距離が最低でも1
1cm必要であったものが、この本発明あるいはこの実
施例によると、1.6cmと大幅に短縮することができ
る。
【0025】この実施例においては、直線状の赤外線ラ
ンプと石英製筒状体の間に被加熱基板を取り囲む雰囲気
から独立したガスを流すことによって、赤外線ランプを
冷却することができる。そして、石英製筒状体を直線状
の赤外線ランプよりも長くすると、赤外線ランプの端子
部を被酸化性ガスによって覆って有効に冷却することが
できる。
【0026】また、直線状の赤外線ランプを収容する石
英製筒状体の被加熱基板に対向しない側の管壁に金等の
反射性物質を形成することによって反射面を形成する
と、赤外線ランプから放出される赤外線を有効に利用す
ることができる。
【0027】(第2実施例)図3は、第2実施例の赤外
線による基板加熱装置の構成説明図であり、(A)は平
面を示し、(B)は断面を示している。この図におい
て、21はカーボンサセプタ、22は被加熱基板、23
は駆動軸、24は回転導入機、25は加熱チャンバ、2
6は石英製筒状体、27は反射膜、28は赤外線ラン
プ、29は端子、30はOリングである。
【0028】この実施例においては、被加熱基板22を
載置し加熱するための円板状のカーボンサセプタ21の
中心を駆動軸23によって支持し、この駆動軸23をシ
ール、磁性流体、ベローズ等からなる回転導入機24を
通して回転可能にステンレス製の加熱チャンバ25の底
部を貫通して外部に導出し、駆動機構によってカーボン
サセプタ21を回転できるようにしている。
【0029】そして、このカーボンサセプタ21の下
に、反射膜27を形成した断面が放物線の部分と赤外線
に対して透明な半円の部分とからなる石英製筒状体26
の中に、直線状の赤外線ランプ28を収容し、石英製筒
状体26の外周とステンレス製の加熱チャンバ25の側
面の間をOリング30によって密封し、赤外線ランプ2
8の端子29を石英製筒状体26の開放端から導出して
いる。なお、反射面として用いる石英製筒状体26の底
部の断面形状を、放物線に代えて楕円形にしても、上記
とほぼ同様の効果を生じさせることができる。
【0030】この実施例の赤外線による基板加熱装置に
おいては、赤外線ランプ28の外径は15mm、長さは
450mmであり、また、石英製筒状体26の半円部分
の内径は35mm、肉厚は1.5mm、長さは500m
mである。この石英製筒状体26の放物面部分に金等の
反射膜27が形成されているため、反射板として作用す
る。
【0031】また、この場合、赤外線ランプ28の中心
軸が石英製筒状体26の放物面部分の焦点と一致するよ
うに端子板によって支持して赤外線を平行に放出させて
いるが、赤外線ランプ28の中心軸と放物面部分の焦点
との距離を変えることによって赤外線の放出角を調節す
ることができる。赤外線ランプ28は45mm間隔で1
0本配置され、2ゾーンに分けて併置されて、400m
m×400mmの領域を加熱できるようになっている。
なお、赤外線を熱に換えるカーボンサセプタ21は直径
400mm、厚さ7mmの円板である。
【0032】また、石英製筒状体26と赤外線ランプ2
8の間には窒素ガスが流され、赤外線ランプ28の端子
29の温度が上昇するのを防いでいる。カーボンサセプ
タ21は赤外線ランプ28の中心から50mm離れて設
置されており、10本のうちの所定の赤外線ランプの投
入電力を制御することによって、カーボンサセプタ21
の全面にわたって所望の温度分布状態を実現することが
できる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の赤外線に
よる基板加熱方法および基板加熱装置によると、被加熱
基板の直径を大きくする場合でも、赤外線ランプと被加
熱基板の間の距離を短くすることができ、半導体装置等
の大口径化、多数枚バッチ処理によるスループット向上
に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の赤外線ランプによる基板加熱装置の原
理説明図である。
【図2】第1実施例の赤外線による基板加熱装置の構成
説明図であり、(A)は平面を示し、(B)は断面を示
している。
【図3】第2実施例の赤外線による基板加熱装置の構成
説明図であり、(A)は平面を示し、(B)は断面を示
している。
【図4】従来の赤外線ランプによる基板加熱装置の構成
説明図である。
【符号の説明】
1 加熱チャンバ 2 ガス導入管 3 排気管 4 カーボンサセプタ 5 被加熱基板 6 石英製筒状体 7 反射膜 8 赤外線ランプ 11 カーボンサセプタ 12 被加熱基板 13 リフレクタ 14 石英製筒状体 15 赤外線ランプ 21 カーボンサセプタ 22 被加熱基板 23 駆動軸 24 回転導入機 25 加熱チャンバ 26 石英製筒状体 27 反射膜 28 赤外線ランプ 29 端子 30 Oリング 31 加熱チャンバ 32 ガス導入管 33 排気管 34 石英板 35 カーボンサセプタ 36 被加熱基板 37 リフレクタ 38 赤外線ランプ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 石英製筒状体に収容した直線状の赤外線
    ランプを複数個平面状に配置し、該石英製筒状体に収容
    した直線状の赤外線ランプに対向して被加熱基板を配置
    し、該直線状の赤外線ランプと石英製筒状体の間に、該
    被加熱基板を取り囲む雰囲気から独立したガスを流すこ
    とを特徴とする赤外線による基板加熱方法。
  2. 【請求項2】 平面状に配置された複数の直線状の赤外
    線ランプと、個々の該直線状の赤外線ランプを収容する
    石英製筒状体と、該石英製筒状体に収容された直線状の
    赤外線ランプに対向して被加熱基板を配置する手段とを
    有することを特徴とする赤外線による基板加熱装置。
  3. 【請求項3】 石英製筒状体が直線状の赤外線ランプよ
    りも長いことを特徴とする請求項2に記載された赤外線
    による基板加熱装置。
  4. 【請求項4】 直線状の赤外線ランプと石英製筒状体の
    間に非酸化性ガスを流す手段を設けたことを特徴とする
    請求項2に記載された赤外線による基板加熱装置。
  5. 【請求項5】 直線状の赤外線ランプを収容する石英製
    筒状体の被加熱基板に対向しない側の管壁に反射面を形
    成したことを特徴とする請求項2に記載された赤外線に
    よる基板加熱装置。
  6. 【請求項6】 直線状の赤外線ランプを収容する石英製
    筒状体の断面の一部が楕円または放物線の形状を有する
    ことを特徴とする請求項2から請求項5までのいずれか
    1項に記載された赤外線による基板加熱装置。
  7. 【請求項7】 石英製筒状体の断面の楕円または放物線
    の焦点に沿って直線状の赤外線ランプが配置されている
    ことを特徴とする請求項6に記載された赤外線による基
    板加熱装置。
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