JPH07130782A - ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07130782A JPH07130782A JP5271764A JP27176493A JPH07130782A JP H07130782 A JPH07130782 A JP H07130782A JP 5271764 A JP5271764 A JP 5271764A JP 27176493 A JP27176493 A JP 27176493A JP H07130782 A JPH07130782 A JP H07130782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- semiconductor element
- island portion
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子１４に対する放熱用のヒートシン
ク２０を、前記半導体素子１４に対する合成樹脂製パッ
ケージ部２１に埋設して成るヒートシンク付きパッケー
ジ型半導体装置を、不良品の発生率を低くして安価に製
造する。 【構成】 リードフレーム１０に、アイランド部１１と
複数本のリード端子１３を造形し、前記アイランド部へ
の半導体素子１４のダイボンディングと半導体素子と各
リード端子との間のワイヤボンディングとを行ったの
ち、前記リードフレームを一対の金型１６，１７にて挟
み付け、次いで、前記両金型における成形用キャビティ
ー１８，１９内に、当該両成形用キャビティーのうち前
記アイランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビ
ティー１９内に予めヒートシンク２０を装填した状態で
溶融合成樹脂を充填する。
ク２０を、前記半導体素子１４に対する合成樹脂製パッ
ケージ部２１に埋設して成るヒートシンク付きパッケー
ジ型半導体装置を、不良品の発生率を低くして安価に製
造する。 【構成】 リードフレーム１０に、アイランド部１１と
複数本のリード端子１３を造形し、前記アイランド部へ
の半導体素子１４のダイボンディングと半導体素子と各
リード端子との間のワイヤボンディングとを行ったの
ち、前記リードフレームを一対の金型１６，１７にて挟
み付け、次いで、前記両金型における成形用キャビティ
ー１８，１９内に、当該両成形用キャビティーのうち前
記アイランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビ
ティー１９内に予めヒートシンク２０を装填した状態で
溶融合成樹脂を充填する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の部分を合
成樹脂にてパッケージして成るパッケージ型半導体装置
のうち、その合成樹脂製のパッケージ部内に、前記半導
体素子に対する放熱用のヒートシンクを埋設して成るヒ
ートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法に関
するものである。
成樹脂にてパッケージして成るパッケージ型半導体装置
のうち、その合成樹脂製のパッケージ部内に、前記半導
体素子に対する放熱用のヒートシンクを埋設して成るヒ
ートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるこの種のヒートシンク付き
パッケージ型半導体装置は、図６〜図８に示すように、
金属板製リードフレーム１に一体的に造形した複数本の
リード端子２の下面に、銅等の金属製のヒートシンク３
を、ポリイミド樹脂等の絶縁性テープ４又は絶縁性接着
剤にて接着固着し、このヒートシンク３の上面に、半導
体素子５をダイボンディングし、この半導体素子４と前
記各リード端子２との間を金属線６にてワイヤボンディ
ングしたのち、これらの全体を覆うエポキシ樹脂等の熱
硬化性合成樹脂製のパッケージ部７を、当該パッケージ
部７の下面に前記ヒートシンク３の下面が露出するよう
に成形すると言う構成にしている。
パッケージ型半導体装置は、図６〜図８に示すように、
金属板製リードフレーム１に一体的に造形した複数本の
リード端子２の下面に、銅等の金属製のヒートシンク３
を、ポリイミド樹脂等の絶縁性テープ４又は絶縁性接着
剤にて接着固着し、このヒートシンク３の上面に、半導
体素子５をダイボンディングし、この半導体素子４と前
記各リード端子２との間を金属線６にてワイヤボンディ
ングしたのち、これらの全体を覆うエポキシ樹脂等の熱
硬化性合成樹脂製のパッケージ部７を、当該パッケージ
部７の下面に前記ヒートシンク３の下面が露出するよう
に成形すると言う構成にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるヒートシンク付きパッケージ型半導体装置は、ヒー
トシンク３を、複数本のリード端子２に対して絶縁性テ
ープ４又は絶縁性接着剤にて接着固着したのち、このヒ
ートシンク３に対する半導体素子５のダイボンディング
と、半導体素子５と各リード端子２との間のワイヤボン
ディングを行うようにしているため、前記のダイボンデ
ィング及びワイヤボンディングに際して、ヒートシンク
３を加熱したとき、前記絶縁性テープ４又は絶縁性接着
剤からその有機成分のガスが発生し、このガスによって
ヒートシンク３及び各リード端子２の表面が変質するこ
とになるから、前記ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングに接合不良が発生するおそれが大きくて、ダイボ
ンディング及びワイヤボンディングの信頼性が低いばか
りか、前記絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤における接
着力が、前記ダイボンディング及びワイヤボンディング
に際しての加熱によって大幅に低下するから、ヒートシ
ンク３がリード端子２から外れることが多発し、不良品
の発生率が高いと言う問題がある。
けるヒートシンク付きパッケージ型半導体装置は、ヒー
トシンク３を、複数本のリード端子２に対して絶縁性テ
ープ４又は絶縁性接着剤にて接着固着したのち、このヒ
ートシンク３に対する半導体素子５のダイボンディング
と、半導体素子５と各リード端子２との間のワイヤボン
ディングを行うようにしているため、前記のダイボンデ
ィング及びワイヤボンディングに際して、ヒートシンク
３を加熱したとき、前記絶縁性テープ４又は絶縁性接着
剤からその有機成分のガスが発生し、このガスによって
ヒートシンク３及び各リード端子２の表面が変質するこ
とになるから、前記ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングに接合不良が発生するおそれが大きくて、ダイボ
ンディング及びワイヤボンディングの信頼性が低いばか
りか、前記絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤における接
着力が、前記ダイボンディング及びワイヤボンディング
に際しての加熱によって大幅に低下するから、ヒートシ
ンク３がリード端子２から外れることが多発し、不良品
の発生率が高いと言う問題がある。
【０００４】その上、ヒートシンク３を複数本のリード
端子２に絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤を使用して接
着固着すると言う工程を必要とすることに加えて、前記
絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤を必要とするから、前
記不良品の発生率が高いことと相俟って、製造コストが
大幅にアップするのであった。本発明は、これらの問題
を解消した製造方法を提供することを技術的課題とする
ものである。
端子２に絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤を使用して接
着固着すると言う工程を必要とすることに加えて、前記
絶縁性テープ４又は絶縁性接着剤を必要とするから、前
記不良品の発生率が高いことと相俟って、製造コストが
大幅にアップするのであった。本発明は、これらの問題
を解消した製造方法を提供することを技術的課題とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「金属板製リードフレームに、半導体
素子を支持するアイランド部と、このアイランド部に向
かって延びる複数本のリード端子とを一体的に造形し、
前記アイランド部の上面に対する半導体素子のダイボン
ディング、この半導体素子と各リード端子との間のワイ
ヤボンディングを施工したのち、前記リードフレームを
一対の金型にて、当該リードフレームにおける半導体素
子付きアイランド部及び各リード端子の先端部が両金型
の合わせ面に形成した成形用キャビティー内にのぞむよ
うに挟み付け、次いで、前記両金型における成形用キャ
ビティー内に、当該両成形用キャビティーのうち前記ア
イランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビティ
ー内に予めヒートシンクを装填した状態で溶融合成樹脂
を充填する。」ことにした。
るため本発明は、「金属板製リードフレームに、半導体
素子を支持するアイランド部と、このアイランド部に向
かって延びる複数本のリード端子とを一体的に造形し、
前記アイランド部の上面に対する半導体素子のダイボン
ディング、この半導体素子と各リード端子との間のワイ
ヤボンディングを施工したのち、前記リードフレームを
一対の金型にて、当該リードフレームにおける半導体素
子付きアイランド部及び各リード端子の先端部が両金型
の合わせ面に形成した成形用キャビティー内にのぞむよ
うに挟み付け、次いで、前記両金型における成形用キャ
ビティー内に、当該両成形用キャビティーのうち前記ア
イランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビティ
ー内に予めヒートシンクを装填した状態で溶融合成樹脂
を充填する。」ことにした。
【０００６】
【作 用】すなわち、本発明は、半導体素子を、リー
ドフレームに形成したアイランド部にダイボンディング
する一方、合成樹脂製のパッケージ部を、当該パッケー
ジ部に対する両成形用キャビティーのうち一方の成形用
キャビティー内に予めヒートシンクを装填した状態で成
形するものであるから、半導体素子に対する放熱用のヒ
ートシンクを、従来のように、当該ヒートシンクを予め
リード端子に対して絶縁性テープ又は絶縁性接着剤にて
接着固定することなく、合成樹脂製のパッケージ部内
に、当該ヒートシンクおける下面がパッケージ部の下面
に露出するように埋設することができるのである。
ドフレームに形成したアイランド部にダイボンディング
する一方、合成樹脂製のパッケージ部を、当該パッケー
ジ部に対する両成形用キャビティーのうち一方の成形用
キャビティー内に予めヒートシンクを装填した状態で成
形するものであるから、半導体素子に対する放熱用のヒ
ートシンクを、従来のように、当該ヒートシンクを予め
リード端子に対して絶縁性テープ又は絶縁性接着剤にて
接着固定することなく、合成樹脂製のパッケージ部内
に、当該ヒートシンクおける下面がパッケージ部の下面
に露出するように埋設することができるのである。
【０００７】
【発明の効果】従って、本発明によると、前記従来にお
ける複数本のリード端子に対してヒートシンクを絶縁性
テープ又は絶縁性接着剤にて接着固定すると言う工程を
省略することができるから、製造工程の簡単化と、材料
の節約とを達成でき、しかも、ダイボンディング及びワ
イヤボンディングに際しての接合不良等に起因する不良
品の発生率を低減できて、製造コストを大幅に低減でき
る効果を有する。
ける複数本のリード端子に対してヒートシンクを絶縁性
テープ又は絶縁性接着剤にて接着固定すると言う工程を
省略することができるから、製造工程の簡単化と、材料
の節約とを達成でき、しかも、ダイボンディング及びワ
イヤボンディングに際しての接合不良等に起因する不良
品の発生率を低減できて、製造コストを大幅に低減でき
る効果を有する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１〜図４の図面
について説明する。この図において符号１０は、薄い金
属板製のリードフレームを示し、このリードフレーム１
０には、略矩形状のアイランド部１１が吊りリード１２
を介して一体的に造形されていると共に、複数本のリー
ド端子１３が、前記アイランド部１１に向かって延びる
ように一体的に形成されている。
について説明する。この図において符号１０は、薄い金
属板製のリードフレームを示し、このリードフレーム１
０には、略矩形状のアイランド部１１が吊りリード１２
を介して一体的に造形されていると共に、複数本のリー
ド端子１３が、前記アイランド部１１に向かって延びる
ように一体的に形成されている。
【０００９】そして、前記リードフレーム１０における
アイランド部１２に、半導体素子１４をダイボンディン
グしたのち、この半導体素子１４と、前記各リード端子
１３の先端部との間を細い金属線１５にてワイヤボンデ
ィングする。次いで、前記リードフレーム１０を、図３
に示すように、上下一対の金型１６，１７にて、当該リ
ードフレーム１０における半導体素子１４付きアイラン
ド部１１及び各リード端子１３の先端部が両金型１６，
１７の合わせ面に形成した成形用キャビティー１８，１
９内にのぞむように挟み付ける。
アイランド部１２に、半導体素子１４をダイボンディン
グしたのち、この半導体素子１４と、前記各リード端子
１３の先端部との間を細い金属線１５にてワイヤボンデ
ィングする。次いで、前記リードフレーム１０を、図３
に示すように、上下一対の金型１６，１７にて、当該リ
ードフレーム１０における半導体素子１４付きアイラン
ド部１１及び各リード端子１３の先端部が両金型１６，
１７の合わせ面に形成した成形用キャビティー１８，１
９内にのぞむように挟み付ける。
【００１０】この挟み付けに際しては、前記両キャビテ
ィー１８，１９のうち前記アイランド部１２の下面側に
対応する一方の成形用キャビティー１９内に、予め、ヒ
ートシンク２０を、当該ヒートシンク２０における下面
が一方の成形用キャビティー１９における内底面に接触
するように装填しておき、この状態で、リードフレーム
１０を両金型１６，１７にて挟み付けたのち、この両金
型１６，１７におけるキャビティー１８，１９内に、溶
融合成樹脂を高い圧力で充填することによって、パッケ
ージ部２１を成形すると言うトランファ成形を行うので
ある。
ィー１８，１９のうち前記アイランド部１２の下面側に
対応する一方の成形用キャビティー１９内に、予め、ヒ
ートシンク２０を、当該ヒートシンク２０における下面
が一方の成形用キャビティー１９における内底面に接触
するように装填しておき、この状態で、リードフレーム
１０を両金型１６，１７にて挟み付けたのち、この両金
型１６，１７におけるキャビティー１８，１９内に、溶
融合成樹脂を高い圧力で充填することによって、パッケ
ージ部２１を成形すると言うトランファ成形を行うので
ある。
【００１１】これにより、半導体素子１４に対する放熱
用のヒートシンク２０を、図４に示すように、合成樹脂
製のパッケージ部２１内に、当該ヒートシンク２０おけ
る下面がパッケージ部２１の下面に露出するように埋設
することができるのである。なお、前記一方のキャビテ
ィー１９内にヒートシンク２０を装填するに際しては、
このヒートシンク２０の下面を、キャビティー１９にお
ける内底面に設けた凹所１９ａ内に嵌めるようにすると
か、或いは、ヒートシンク２０における外周の一部を、
キャビティー１９における内側面に接触することによっ
て、前記ヒートシンク２０を位置決めすれば良いのであ
る。
用のヒートシンク２０を、図４に示すように、合成樹脂
製のパッケージ部２１内に、当該ヒートシンク２０おけ
る下面がパッケージ部２１の下面に露出するように埋設
することができるのである。なお、前記一方のキャビテ
ィー１９内にヒートシンク２０を装填するに際しては、
このヒートシンク２０の下面を、キャビティー１９にお
ける内底面に設けた凹所１９ａ内に嵌めるようにすると
か、或いは、ヒートシンク２０における外周の一部を、
キャビティー１９における内側面に接触することによっ
て、前記ヒートシンク２０を位置決めすれば良いのであ
る。
【００１２】また、半導体素子１４に対する放熱性を更
に向上するためには、図５に示すように、ヒートシンク
２０の上面を、前記半導体素子１４をダイボンディング
したアイランド部１１の下面に接触するように構成すれ
ば良いのである。
に向上するためには、図５に示すように、ヒートシンク
２０の上面を、前記半導体素子１４をダイボンディング
したアイランド部１１の下面に接触するように構成すれ
ば良いのである。
【図１】本発明の方法に使用するリードフレームの平面
図である。
図である。
【図２】図１のII−II視拡大断面図である。
【図３】前記図１のリードフレームを一対の金型にて挟
み付けた状態の縦断正面図である。
み付けた状態の縦断正面図である。
【図４】パッケージ部を成形した後における縦断正面図
である。
である。
【図５】本発明における別の実施例を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図６】従来におけるリードフレームの平面図である。
【図７】図６のVII −VII 視拡大断面図である。
【図８】従来における半導体装置の縦断正面図である。
１０ リードフレーム １１ アイランド部 １３ リード端子 １４ 半導体素子 １５ 金属線 １６，１７ 成形型 １８，１９ キャビティー ２０ ヒートシンク ２１ パッケージ部
Claims (1)
- 【請求項１】金属板製リードフレームに、半導体素子を
支持するアイランド部と、このアイランド部に向かって
延びる複数本のリード端子とを一体的に造形し、前記ア
イランド部の上面に対する半導体素子のダイボンディン
グ、この半導体素子と各リード端子との間のワイヤボン
ディングを施工したのち、前記リードフレームを一対の
金型にて、当該リードフレームにおける半導体素子付き
アイランド部及び各リード端子の先端部が両金型の合わ
せ面に形成した成形用キャビティー内にのぞむように挟
み付け、次いで、前記両金型における成形用キャビティ
ー内に、当該両成形用キャビティーのうち前記アイラン
ド部の下面側に対応する一方の成形用キャビティー内に
予めヒートシンクを装填した状態で溶融合成樹脂を充填
することを特徴とするヒートシンク付きパッケージ型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271764A JPH07130782A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271764A JPH07130782A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130782A true JPH07130782A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17504519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271764A Pending JPH07130782A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314004A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂封止型半導体装置用金属ベース絶縁基板とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US11062916B2 (en) | 2017-08-23 | 2021-07-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5271764A patent/JPH07130782A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314004A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂封止型半導体装置用金属ベース絶縁基板とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US11062916B2 (en) | 2017-08-23 | 2021-07-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108987367B (zh) | 在每个引线上具有焊料可附着的侧壁的qfn预模制的引线框 | |
| US6358773B1 (en) | Method of making substrate for use in forming image sensor package | |
| US5091341A (en) | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member | |
| US20050146057A1 (en) | Micro lead frame package having transparent encapsulant | |
| JPH1131776A (ja) | 半導体チップパッケージ | |
| JP7030481B2 (ja) | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 | |
| TWI445139B (zh) | 晶片封裝結構、晶片封裝模具與晶片封裝製程 | |
| US6645792B2 (en) | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP3879823B2 (ja) | 薄型半導体装置のモールド方法及びそのモールド金型 | |
| JP2003170465A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型 | |
| US9911628B2 (en) | Semiconductor device leadframe | |
| US7151013B2 (en) | Semiconductor package having exposed heat dissipating surface and method of fabrication | |
| US20250006596A1 (en) | Qfn packaged semiconductor device and method of making thereof | |
| CN105264657B (zh) | 模塑封装以及其制造方法 | |
| JPH07130782A (ja) | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 | |
| US20020079438A1 (en) | Image sensor package and substrate thereof | |
| US20010042912A1 (en) | Dual-die integrated circuit package | |
| US7939381B2 (en) | Method of semiconductor packaging and/or a semiconductor package | |
| JPH1092856A (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JPH07161910A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| CN102148168B (zh) | 制造具有改进抬升的半导体封装的方法 | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001177007A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06209071A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| CN100394569C (zh) | 防止封装元件溢胶的方法 |