JPH07131064A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
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- JPH07131064A JPH07131064A JP6042329A JP4232994A JPH07131064A JP H07131064 A JPH07131064 A JP H07131064A JP 6042329 A JP6042329 A JP 6042329A JP 4232994 A JP4232994 A JP 4232994A JP H07131064 A JPH07131064 A JP H07131064A
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- Japan
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- light
- receiving surface
- position detecting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】精度の良い位置検出が簡単な回路で行える２次
元の位置検出装置を提供することを目的とする。 【構成】２次元の位置検出素子と、該位置検出素子の、
受光面に設けた相対する電極と、受光面に背設する面に
設けた相対する電極とからそれぞれ導出される生成電流
出力によって位置を特定する検出回路と、前記位置検出
素子の、受光面または受光面に背設する面のいずれか一
方の面の相対する電極からの生成電流出力の和を求める
加算回路と、該加算回路の出力と設定値とが入力される
比較回路と、該比較回路により補正された出力が与えら
れてなる光源とからなる位置検出装置を構成するもので
ある。
元の位置検出装置を提供することを目的とする。 【構成】２次元の位置検出素子と、該位置検出素子の、
受光面に設けた相対する電極と、受光面に背設する面に
設けた相対する電極とからそれぞれ導出される生成電流
出力によって位置を特定する検出回路と、前記位置検出
素子の、受光面または受光面に背設する面のいずれか一
方の面の相対する電極からの生成電流出力の和を求める
加算回路と、該加算回路の出力と設定値とが入力される
比較回路と、該比較回路により補正された出力が与えら
れてなる光源とからなる位置検出装置を構成するもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光源の位置を検出し、
その位置を電気的信号に変換して出力する位置検出装置
に関するものである。
その位置を電気的信号に変換して出力する位置検出装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、対設する辺に電極を有する半導体
の位置検出素子を利用した位置検出装置が存在する。例
えば、第３図に略正方形状に形成された２次元の位置検
出素子の斜視図を示す。受光面側からｐ型シリコン層３
１、ｉ型シリコン層３２、ｎ型シリコン層３３を形成し
た半導体３０の受光面側に、相対して離間する２つの位
置に一対の電極Ａ、Ｂを設け、受光面に背設する面に
は、前記Ａ、Ｂの位置と交差する方向に一対の電極Ｃ、
Ｄを対向配置してなるものである。
の位置検出素子を利用した位置検出装置が存在する。例
えば、第３図に略正方形状に形成された２次元の位置検
出素子の斜視図を示す。受光面側からｐ型シリコン層３
１、ｉ型シリコン層３２、ｎ型シリコン層３３を形成し
た半導体３０の受光面側に、相対して離間する２つの位
置に一対の電極Ａ、Ｂを設け、受光面に背設する面に
は、前記Ａ、Ｂの位置と交差する方向に一対の電極Ｃ、
Ｄを対向配置してなるものである。
【０００３】電極Ａから距離ｘ、電極Ｃから距離ｙの位
置に入射した光は、その入射エネルギ−に比例する電流
を生成せしめ、それぞれの電極までの抵抗値に逆比例す
るように分割されて、電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから取り出さ
れる。即ち、Ｘ座標については、電極Ａ、Ｂから取り出
される電流Ｉａ、Ｉｂを測定して、（Ｉａ／Ｉｂ）もし
くは、（Ｉａ−Ｉｂ）または、（Ｉａ−Ｉｂ／Ｉａ＋Ｉ
ｂ）の演算を行うことによって、入射位置の特定を行
い、Ｙ座標についてもＸ座標と同様に、電極Ｃ、Ｄから
取り出される電流Ｉｃ、Ｉｄにより演算を行い、入射位
置を特定する。このようにして、Ｘ座標、Ｙ座標が特定
され、入射位置の特定を行うことができるものである。
置に入射した光は、その入射エネルギ−に比例する電流
を生成せしめ、それぞれの電極までの抵抗値に逆比例す
るように分割されて、電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから取り出さ
れる。即ち、Ｘ座標については、電極Ａ、Ｂから取り出
される電流Ｉａ、Ｉｂを測定して、（Ｉａ／Ｉｂ）もし
くは、（Ｉａ−Ｉｂ）または、（Ｉａ−Ｉｂ／Ｉａ＋Ｉ
ｂ）の演算を行うことによって、入射位置の特定を行
い、Ｙ座標についてもＸ座標と同様に、電極Ｃ、Ｄから
取り出される電流Ｉｃ、Ｉｄにより演算を行い、入射位
置を特定する。このようにして、Ｘ座標、Ｙ座標が特定
され、入射位置の特定を行うことができるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような２次元の位
置検出装置にあっては、位置を特定する為の検出回路と
して、加減除算回路などの複雑な演算回路を必要とする
ものである。本発明は、このような問題点に鑑みて、極
めて簡単な回路で、位置の検出を行うことが可能な位置
検出装置を提供することを目的とするものである。
置検出装置にあっては、位置を特定する為の検出回路と
して、加減除算回路などの複雑な演算回路を必要とする
ものである。本発明は、このような問題点に鑑みて、極
めて簡単な回路で、位置の検出を行うことが可能な位置
検出装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記本発明の
目的を達成する為に、受光面側に、相対して離間する２
つの位置に１対の電極を配置し、受光面に背設する面側
に、前記２つの位置と交差する方向に他の１対の電極を
対向配置してなる、２次元の位置検出素子と、該位置検
出素子の、受光面に設けた相対する電極と、受光面に背
設する面に設けた相対する電極とからそれぞれ導出され
る生成電流出力によって位置を特定する検出回路と、前
記位置検出素子の、受光面または受光面に背設する面の
いずれか一方の面の相対する電極からの生成電流出力の
和を求める加算回路と、該加算回路の出力と設定値とが
入力される比較回路と、該比較回路により補正された出
力が与えられてなる光源とからなる位置検出装置を構成
するものである。
目的を達成する為に、受光面側に、相対して離間する２
つの位置に１対の電極を配置し、受光面に背設する面側
に、前記２つの位置と交差する方向に他の１対の電極を
対向配置してなる、２次元の位置検出素子と、該位置検
出素子の、受光面に設けた相対する電極と、受光面に背
設する面に設けた相対する電極とからそれぞれ導出され
る生成電流出力によって位置を特定する検出回路と、前
記位置検出素子の、受光面または受光面に背設する面の
いずれか一方の面の相対する電極からの生成電流出力の
和を求める加算回路と、該加算回路の出力と設定値とが
入力される比較回路と、該比較回路により補正された出
力が与えられてなる光源とからなる位置検出装置を構成
するものである。
【０００６】
【作用】本発明に係る位置検出装置は、上述のような構
成からなり、相対する電極の出力の和が一定値になるよ
うに、即ち、光源に供給される電源が、比較回路によっ
て補正されて、光源による光の入射エネルギーを一定に
保ち、相対する電極のうち一方の出力だけを測定して、
光の照射位置を特定するというものである。
成からなり、相対する電極の出力の和が一定値になるよ
うに、即ち、光源に供給される電源が、比較回路によっ
て補正されて、光源による光の入射エネルギーを一定に
保ち、相対する電極のうち一方の出力だけを測定して、
光の照射位置を特定するというものである。
【０００７】
【実施例】本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説
明する。第１図は、本発明に係る位置検出装置の第１実
施例の説明用模式図である。１２は、略正方形の板状に
形成された２次元の位置検出素子であり、この位置検出
素子１２の受光面側に相対して離間する２つの位置に一
対の電極Ｘ１、Ｘ２を有し、受光面に背設する面には、
前記電極Ｘ１、Ｘ２の位置と交差する方向に一対の電極
Ｙ１、Ｙ２を対向配置してなるものである。電極Ｘ１、
Ｘ２の出力Ｉｘ1 、Ｉｘ2 は、増幅器１３、１４によっ
て増幅され、加算回路１７によって加算演算されるとと
もに、増幅器１４からの出力のみにより、Ｘ方向の位置
が決定される。この加算回路１７の出力は、比較回路１
８に入力されて、設定値と比較され、光源７から位置検
出素子１２に入射する光の入射エネルギーを一定に保持
するように、光源７に供給される電流値を補正する。こ
の光源７としては、例えば、発光ダイオード（以下これ
をＬＥＤと称す）等が採用されるものである。また、電
極Ｙ１、Ｙ２の出力Ｉｙ1 、Ｉｙ2 は、増幅器１５、１
６によって増幅され、一方の信号、即ち増幅器１５から
の出力のみにより、Ｙ方向の位置が決定される。この場
合、増幅器１６は特に設けなくても良い。
明する。第１図は、本発明に係る位置検出装置の第１実
施例の説明用模式図である。１２は、略正方形の板状に
形成された２次元の位置検出素子であり、この位置検出
素子１２の受光面側に相対して離間する２つの位置に一
対の電極Ｘ１、Ｘ２を有し、受光面に背設する面には、
前記電極Ｘ１、Ｘ２の位置と交差する方向に一対の電極
Ｙ１、Ｙ２を対向配置してなるものである。電極Ｘ１、
Ｘ２の出力Ｉｘ1 、Ｉｘ2 は、増幅器１３、１４によっ
て増幅され、加算回路１７によって加算演算されるとと
もに、増幅器１４からの出力のみにより、Ｘ方向の位置
が決定される。この加算回路１７の出力は、比較回路１
８に入力されて、設定値と比較され、光源７から位置検
出素子１２に入射する光の入射エネルギーを一定に保持
するように、光源７に供給される電流値を補正する。こ
の光源７としては、例えば、発光ダイオード（以下これ
をＬＥＤと称す）等が採用されるものである。また、電
極Ｙ１、Ｙ２の出力Ｉｙ1 、Ｉｙ2 は、増幅器１５、１
６によって増幅され、一方の信号、即ち増幅器１５から
の出力のみにより、Ｙ方向の位置が決定される。この場
合、増幅器１６は特に設けなくても良い。
【０００８】今、位置検出素子１２に入射光があった
時、この光は、受光面に背設する面に対設させた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射光のあった点に向かって、電流を生成
させ、この電流は半導体内部を通過して、受光面に達
し、電極Ｘ１、Ｘ２に向かって抵抗値に逆比例する値の
電流が流入することとなる。この時、位置検出素子１２
の表面付近の抵抗が均一であり、かつ位置検出素子１２
に入射する光の入射エネルギーが一定であれば、加算回
路１７によって求められる電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）は一定である。受光面に背設する面
に生成した電流の和は、受光面側から流出する電流の和
と等しいことは、キルヒホッフの法則より明白であり、
即ち、電極Ｙ１、Ｙ２における電流の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ
2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２における電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）に等しく、生成電流の和として、どちらか一方の
みを考慮しても差し支えない。
時、この光は、受光面に背設する面に対設させた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射光のあった点に向かって、電流を生成
させ、この電流は半導体内部を通過して、受光面に達
し、電極Ｘ１、Ｘ２に向かって抵抗値に逆比例する値の
電流が流入することとなる。この時、位置検出素子１２
の表面付近の抵抗が均一であり、かつ位置検出素子１２
に入射する光の入射エネルギーが一定であれば、加算回
路１７によって求められる電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）は一定である。受光面に背設する面
に生成した電流の和は、受光面側から流出する電流の和
と等しいことは、キルヒホッフの法則より明白であり、
即ち、電極Ｙ１、Ｙ２における電流の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ
2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２における電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）に等しく、生成電流の和として、どちらか一方の
みを考慮しても差し支えない。
【０００９】しかし、光源７と位置検出素子１２との距
離、光源７からの入射光の入射角度等によって、位置検
出素子１２に入射する光のエネルギーは一定になるとは
限らないものである。その為に、加算回路１７によって
求められた電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）を、比較回路１８によって、設定値である基準電
圧と比較して、その差を光源７に供給することによっ
て、光源７の光量を制御して、位置検出素子１２に入射
する光のエネルギーを一定にしている。このことによっ
て、電極Ｘ１からの距離ｘ、電極Ｙ２からの距離ｙの位
置に入射光があった時、電極Ｘ２の出力電流Ｉｘ2 及び
電極Ｙ１の出力電流Ｉｙ1 を測定することによって、こ
の入射光の位置を特定することができるものである。上
述の例では、光源７の光量を制御するために、電極Ｘ
１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）を用いたが、電
極Ｙ１、Ｙ２の出力の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）を用いても
よい。
離、光源７からの入射光の入射角度等によって、位置検
出素子１２に入射する光のエネルギーは一定になるとは
限らないものである。その為に、加算回路１７によって
求められた電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉ
ｘ2 ）を、比較回路１８によって、設定値である基準電
圧と比較して、その差を光源７に供給することによっ
て、光源７の光量を制御して、位置検出素子１２に入射
する光のエネルギーを一定にしている。このことによっ
て、電極Ｘ１からの距離ｘ、電極Ｙ２からの距離ｙの位
置に入射光があった時、電極Ｘ２の出力電流Ｉｘ2 及び
電極Ｙ１の出力電流Ｉｙ1 を測定することによって、こ
の入射光の位置を特定することができるものである。上
述の例では、光源７の光量を制御するために、電極Ｘ
１、Ｘ２の出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）を用いたが、電
極Ｙ１、Ｙ２の出力の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）を用いても
よい。
【００１０】位置検出素子１２としては、受光面側から
アモルファスシリコンカ−バイドでなるｐ型層、アモル
ファスシリコンでなるｉ型層、アモルファスシリコンで
なるｎ型層を順次積層したものを利用しているが、単結
晶、多結晶、微結晶等のシリコン半導体を利用すること
も可能であることはいうまでもないことである。また、
形状も正方形に制限されることなく、長方形状に形成に
しても同様にして、位置検出を行うことができるもので
ある。
アモルファスシリコンカ−バイドでなるｐ型層、アモル
ファスシリコンでなるｉ型層、アモルファスシリコンで
なるｎ型層を順次積層したものを利用しているが、単結
晶、多結晶、微結晶等のシリコン半導体を利用すること
も可能であることはいうまでもないことである。また、
形状も正方形に制限されることなく、長方形状に形成に
しても同様にして、位置検出を行うことができるもので
ある。
【００１１】本発明に係る位置検出装置の第１実施例
は、上述のようにしてなり、相対する一対の電極Ｘ１、
Ｘ２から取り出された出力電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）
に基づいて、光源７の光量を制御し、位置検出素子１２
に入射する光のエネルギーを一定値に保ち、除算回路な
どの複雑な回路を必要としない２次元の位置検出装置を
得ることができるものであり、アモルファスシリコン系
の半導体でなる位置検出素子を利用した場合には、安価
で変換効率のよいものが得られることはいうまでもない
ことである。
は、上述のようにしてなり、相対する一対の電極Ｘ１、
Ｘ２から取り出された出力電流の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）
に基づいて、光源７の光量を制御し、位置検出素子１２
に入射する光のエネルギーを一定値に保ち、除算回路な
どの複雑な回路を必要としない２次元の位置検出装置を
得ることができるものであり、アモルファスシリコン系
の半導体でなる位置検出素子を利用した場合には、安価
で変換効率のよいものが得られることはいうまでもない
ことである。
【００１２】第２図は、本発明に係る位置検出装置の第
２実施例の説明用斜視図である。即ち、円盤状に形成さ
れた位置検出素子２０の受光面側に、電極Ｘ１、Ｘ２を
配置し、受光面に背設する面側には、電極Ｘ１、Ｘ２と
交差する位置に他の電極Ｙ１、Ｙ２を対設したものであ
る。この第２実施例においては、第１実施例と同様の回
路を用いて、電極Ｘ１、Ｘ２の出力Ｉｘ1 、Ｉｘ2 の和
に基づいて、光源の光量を制御するもので、このとき電
極Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ一点による電極
である為、位置検出素子２０に入射した光によって、生
成した電流は、受光面に背設する面に設けられた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射位置に向かって最短距離を選択して流
入し、半導体層を通過して、受光面に到達する。更に、
最短距離を選択して、電極Ｘ１、Ｘ２に到達して、ここ
から出力電流が取り出される。
２実施例の説明用斜視図である。即ち、円盤状に形成さ
れた位置検出素子２０の受光面側に、電極Ｘ１、Ｘ２を
配置し、受光面に背設する面側には、電極Ｘ１、Ｘ２と
交差する位置に他の電極Ｙ１、Ｙ２を対設したものであ
る。この第２実施例においては、第１実施例と同様の回
路を用いて、電極Ｘ１、Ｘ２の出力Ｉｘ1 、Ｉｘ2 の和
に基づいて、光源の光量を制御するもので、このとき電
極Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ一点による電極
である為、位置検出素子２０に入射した光によって、生
成した電流は、受光面に背設する面に設けられた電極Ｙ
１、Ｙ２から入射位置に向かって最短距離を選択して流
入し、半導体層を通過して、受光面に到達する。更に、
最短距離を選択して、電極Ｘ１、Ｘ２に到達して、ここ
から出力電流が取り出される。
【００１３】電極Ｘ１、Ｘ２から得られる出力電流Ｉｘ
1 、Ｉｘ2 は、電極Ｘ１、Ｘ２から光の入射位置までの
距離に逆比例するものであり、また電極Ｙ１、Ｙ２から
得られる出力電流Ｉｙ1 、Ｉｙ2 もまた、電極Ｙ１、Ｙ
２から光の入射位置までの距離に逆比例する為、これら
出力電流Ｉｘ1 、Ｉｘ2 、Ｉｙ1 、Ｉｙ2 は、入射位置
から電極Ｘ１までのＸ方向の距離ｘ及び入射位置から電
極Ｙ２までのＹ方向の距離ｙの関数で示すことができ
る。
1 、Ｉｘ2 は、電極Ｘ１、Ｘ２から光の入射位置までの
距離に逆比例するものであり、また電極Ｙ１、Ｙ２から
得られる出力電流Ｉｙ1 、Ｉｙ2 もまた、電極Ｙ１、Ｙ
２から光の入射位置までの距離に逆比例する為、これら
出力電流Ｉｘ1 、Ｉｘ2 、Ｉｙ1 、Ｉｙ2 は、入射位置
から電極Ｘ１までのＸ方向の距離ｘ及び入射位置から電
極Ｙ２までのＹ方向の距離ｙの関数で示すことができ
る。
【００１４】ここで、光源の光量は電極Ｘ１、Ｘ２から
得られる出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2）に基づいて、この
出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）が一定になるように制御さ
れるものであるので、Ｙ方向に距離ｙの位置にあって
も、これにかかわりなく、電極Ｘ２からの出力Ｉｘ2 を
測定すれば、Ｘ方向の距離ｘは簡単に求めることが可能
になるものである。
得られる出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2）に基づいて、この
出力の和（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）が一定になるように制御さ
れるものであるので、Ｙ方向に距離ｙの位置にあって
も、これにかかわりなく、電極Ｘ２からの出力Ｉｘ2 を
測定すれば、Ｘ方向の距離ｘは簡単に求めることが可能
になるものである。
【００１５】Ｙ方向についても、電極Ｙ１、Ｙ２の出力
の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）に等しい為、上述のことは同様であ
り、光の入射位置が、電極Ｙ２からＹ方向に距離ｙであ
れば、この距離ｙは、電極Ｙ１の出力Ｉｙ1 を測定する
ことによって、容易に求めることができる。これから、
本発明に係る位置検出装置の第２実施例においては、円
盤状に構成される点の集合に対して、光の入射位置を相
対する電極のうち、一方の電極の出力を測定し、位置を
特定することが可能である。ここで利用される位置検出
素子２０は、第１実施例に用いたと同様のアモルファス
シリコン系の半導体で形成された位置検出素子を利用す
るものとし、安価で変換効率の高いものを得ている。
の和（Ｉｙ1 ＋Ｉｙ2 ）は、電極Ｘ１、Ｘ２の出力の和
（Ｉｘ1 ＋Ｉｘ2 ）に等しい為、上述のことは同様であ
り、光の入射位置が、電極Ｙ２からＹ方向に距離ｙであ
れば、この距離ｙは、電極Ｙ１の出力Ｉｙ1 を測定する
ことによって、容易に求めることができる。これから、
本発明に係る位置検出装置の第２実施例においては、円
盤状に構成される点の集合に対して、光の入射位置を相
対する電極のうち、一方の電極の出力を測定し、位置を
特定することが可能である。ここで利用される位置検出
素子２０は、第１実施例に用いたと同様のアモルファス
シリコン系の半導体で形成された位置検出素子を利用す
るものとし、安価で変換効率の高いものを得ている。
【００１６】また、形状は図示したものに限定されるこ
となく、例えば半球状の位置検出素子を形成し、その受
光面側の側縁部に１８０度離間して電極Ｘ１、Ｘ２を対
設し、受光面に背設する面の側縁部に、電極Ｘ１、Ｘ２
と９０度離間させて、電極Ｙ１、Ｙ２を対設することも
可能であり、その他種々の形状のものが考慮されるもの
である。
となく、例えば半球状の位置検出素子を形成し、その受
光面側の側縁部に１８０度離間して電極Ｘ１、Ｘ２を対
設し、受光面に背設する面の側縁部に、電極Ｘ１、Ｘ２
と９０度離間させて、電極Ｙ１、Ｙ２を対設することも
可能であり、その他種々の形状のものが考慮されるもの
である。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る位置検出装置は上述のよう
な構成からなり、２次元の位置を検出する際に、除算回
路や減算回路等の複雑な回路を設けることなく、回路を
簡単化することが可能であり、対設する電極の一方の出
力だけを測定することによって、入射光の位置を特定す
ることができ、従来技術に比べ、極めて安価な位置検出
装置を提供することができる。
な構成からなり、２次元の位置を検出する際に、除算回
路や減算回路等の複雑な回路を設けることなく、回路を
簡単化することが可能であり、対設する電極の一方の出
力だけを測定することによって、入射光の位置を特定す
ることができ、従来技術に比べ、極めて安価な位置検出
装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る位置検出装置の第１実施例の説明
用模式図
用模式図
【図２】本発明に係る位置検出装置の第２実施例に用い
られる位置検出素子の説明用斜視図
られる位置検出素子の説明用斜視図
【図３】従来例の斜視図
７ 光源 １２、２０、３０ 位置検出素子 １３、１４、１５、１６ 増幅器、 １７ 加算回路 １８ 比較回路 ３１ ｐ型半導体層 ３２ ｉ型半導体層 ３３ ｎ型半導体層 Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２ 電極 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】受光面側に、相対して離間する２つの位置
に１対の電極を配置し、受光面に背設する面側に、前記
２つの位置と交差する方向に他の１対の電極を対向配置
してなる、２次元の位置検出素子と、 該位置検出素子の、受光面に設けた相対する電極と、受
光面に背設する面に設けた相対する電極とからそれぞれ
導出される生成電流出力によって位置を特定する検出回
路と、 前記位置検出素子の、受光面または受光面に背設する面
のいずれか一方の面の相対する電極からの生成電流出力
の和を求める加算回路と、 該加算回路の出力と設定値とが入力される比較回路と、 該比較回路により補正された出力が与えられてなる光源
と、 からなる位置検出装置。 - 【請求項２】位置検出素子が、結晶系またはアモルファ
スシリコン系の半導体でなる請求項１記載の位置検出装
置。 - 【請求項３】位置検出素子が、少なくとも受光面側がア
モルファスシリコンカーバイドでなるアモルファスシリ
コンのヘテロ接合素子からなることを特徴とする請求項
１または２記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232994A JP2814909B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232994A JP2814909B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 位置検出装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089254A Division JPS63253203A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131064A true JPH07131064A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2814909B2 JP2814909B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=12632977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4232994A Expired - Lifetime JP2814909B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814909B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092104U (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | ソニー株式会社 | 光学的位置検出器 |
| JPS63154904A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 光点位置検出装置 |
| JPS63154904U (ja) * | 1987-03-23 | 1988-10-12 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP4232994A patent/JP2814909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092104U (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | ソニー株式会社 | 光学的位置検出器 |
| JPS63154904A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 光点位置検出装置 |
| JPS63154904U (ja) * | 1987-03-23 | 1988-10-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814909B2 (ja) | 1998-10-27 |
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