JPH0713516U - 日射検出センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検出感度のばらつきがなく、信頼性が高く、
高精度に日射状態を検出し得る「日射検出センサ」を提
供すること。 【構成】 日射検出センサ３０の受光手段３２は、半導
体チップからなる光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌと、光電
変換素子３５Ｒ、３５Ｌが分離帯３９を介して取り付け
られた平坦な基板３４と、分離帯３９に配置され斜め日
射を遮る遮光手段４４とを有する。そして、遮光手段４
４は、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌと基板３４とを樹脂
モールドして保護体３８を形成する際に、当該遮光手段
４４の中心線と分離帯３９の中心線４０とが一致するよ
うに、保護体３８と一体的に形成されている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、自動車用空気調和装置の温度制御装置に用いられる日射検出センサ に係り、特に、車両の二方位からの斜め日射を検出する日射検出センサの改良に 関する。

【０００２】

【従来の技術】

最近の自動車用空気調和装置は、外気温度や内気温度の他に車両が受ける日射 量を感知して車室内の気温を所望の温度に自動調整する温度制御部を有している 。車室内にいる乗員の体感温度は、単に自動車用空気調和装置からの吹出し温度 のみでなく、日射量によっても変化するので、車両が受ける日射量を日射検出セ ンサにより検知し、室温を微調整している。

【０００３】 しかし、太陽光の最も強い真上日射の場合、斜め日射に比べて車室内に入る日 射量は少なく、体感温度にあまり影響しないので、日射検出センサの検出出力の ピークを真上日射のときには減衰させ、斜め日射に合わせる必要がある。

【０００４】 さらに、車室内の左右方向の温度調整を個々に行う左右独立温調タイプの自動 車用空気調和装置にあっては、左右二方位からの斜め日射を個別に検出する必要 がある。また、前後二方位からの斜め日射のうちフロントガラスを通して車室内 に照射される日射が体感温度に大きな影響を与えることから、前方からの斜め日 射も正確に検出する必要がある。

【０００５】 そこで、例えば左右二方位の斜め日射を確実に検出すべく、図８および図９に 示すような二方位からの日射を検出する日射検出センサが提案されている。

【０００６】 図８に示す日射検出センサ１０は、透明または半透明のカバー部１１内に、２ 個の受光手段１２Ｒ、１２Ｌをベース１３上に水平方向に配置し、これら受光手 段１２Ｒ、１２Ｌの間の隙間１９の中央に遮光板１４を立設して各受光手段１２ Ｒ、１２Ｌを左右に分け、一方を左側斜め日射を検出する左方検出受光手段１２ Ｌとし、他方を右側斜め日射を検出する右方検出受光手段１２Ｒとしている。

【０００７】 図９に示す日射検出センサ１０ａは、透明または半透明のカバー部内１１に、 断面山形形状を有するベース１５の各斜面１５Ｒ、１５Ｌのそれぞれに受光手段 １２Ｒ、１２Ｌを配置し、一方の斜面１５Ｌに設けた受光手段を左側斜め日射を 検出する左方検出受光手段１２Ｌとし、他方の斜面１５Ｒに設けた受光手段を右 側斜め日射を検出する右方検出受光手段１２Ｒとしている。

【０００８】 これらの日射検出センサ１０、１０ａは、車のダッシュボード等に載置されて おり、左方検出受光手段１２Ｌ及び右方検出受光手段１２Ｒが受光した光量に基 づいて、日射強度の他、日射光の入射方向、入射角度等の日射状態を算出し、こ の日射状態に基づいて車室内に吹き出す空気温度の調整が行われるようになって いる。

【０００９】 図示した受光手段１２Ｒ、１２Ｌのそれぞれは、半導体チップからなる光電変 換素子１６Ｒ（１６Ｌ）を一素子だけ導電性基板１７上に取り付け、さらに光電 変換素子１６Ｒ（１６Ｌ）と導電性基板１７とを透明樹脂により封止したつまり 樹脂モールドした構造を有している。この透明樹脂により、保護体１８が形成さ れている。このような受光手段１２Ｒ、１２Ｌは、その外周の保護体１８が樹脂 からなることから、ベース１３、１５が金属製であっても半田を用いて固定する ことができないため、接着剤を用いてベース１３、１５上に固着するようになっ ている。

【００１０】

【考案が解決しようとする課題】

上述した左右二方位からの日射を検出する従来の日射検出センサ１０、１０ａ にあっては、光電変換素子１６Ｒ（１６Ｌ）が一素子だけ封止された受光手段１ ２Ｒ（１２Ｌ）を２個配置しなければならないため、ベース１３、１５やカバー 部１１が必然的に大きくなってしまい、日射検出センサ１０、１０ａの小型化を 図ることができなかった。

【００１１】 また、複数の受光手段１２Ｒ、１２Ｌを配置した日射検出センサ１０、１０ａ では、以下に詳述するように、測定精度の向上にも一定の限界があった。

【００１２】 つまり、図８に示した日射検出センサ１０では、２つの受光手段１２Ｒ、１２ Ｌをベース１３の水平な上端面１３ａに接着剤で固着し、さらに隙間１９の中心 に遮光板１４を接着剤で固着しなければならず、遮光板１４の中心線を隙間１９ の中心線に一致させることが困難であった。このため、遮光板１４と右方の光電 変換素子１６Ｒの距離と、遮光板１４と左方の光電変換素子１６Ｌの距離とが等 しくなるとは限らない。このため、遮光板１４が日射光を遮光する光量が右方検 出受光手段１２Ｒと左方検出受光手段１２Ｌとで異なり、左右の検出感度が非対 称となってしまうことがあった。さらに、個々の受光手段１２Ｒ、１２Ｌを固着 する際の接着剤の量の不均一等によって、個々の受光手段１２Ｒ、１２Ｌがベー ス１３の同一平面１３ａ上に取り付けられたとしても、各光電変換素子１６Ｒ、 １６Ｌの受光面２０Ｒ、２０Ｌが同一平面上に位置するとは限らず、この点にお いても遮光板１４の遮光量が光電変換素子１６Ｒと１６Ｌとで相違することにな り、左右の検出感度が非対称となると共に、個々の日射検出センサごとに検出感 度のばらつきが生じていた。

【００１３】 図９に示した日射検出センサ１０ａでは、受光手段１２Ｒ、１２Ｌが、断面山 形形状の基板１５の２つの斜面１５Ｒ、１５Ｌ上に接着剤で固着されているため 、右方の光電変換素子１６Ｒの位置と、左方の光電変換素子１６Ｌの位置とが斜 面方向に沿って多少ずれたとしても、検出感度が左右方向で非対称になる虞は少 ない。しかしながら、個々の受光手段１２Ｒ、１２Ｌを斜面１５Ｒ、１５Ｌに接 着剤を介して取り付ける構造である以上、右方の光電変換素子１６Ｒの受光面２ ０Ｒがベース１５の底面１５ａとの間でなす傾斜角度と、左方の光電変換素子１ ６Ｌの受光面２０Ｌが前記底面１５ａとの間でなす傾斜角度とが等しいとは限ら ず、この傾斜角度の相違に起因して、左右の検出感度が非対称となると共に、個 々の日射検出センサごとに検出感度のばらつきが生じていた。

【００１４】 このように、従来技術の受光手段を用いた場合には、個々の日射検出センサ１ ０、１０ａごとに検出感度のばらつきがあるので、精度良く日射状態を検出する ことができなかった。

【００１５】 図８に示した日射検出センサ１０において左右の検出感度のばらつきをなくす ためには、上述したように、右方の光電変換素子１６Ｒと左方の光電変換素子１ ６Ｌとの間の中間位置に遮光板１４を精度良く取り付けなければならず、ベース １３に固定する作業が著しく煩雑となり、また、接着剤による固定であるので固 定強度も十分なものではなかった。しかも、遮光板１４を２個の受光手段１２Ｒ 、１２Ｌの間に設ける構造では、部品点数そのものが増えるため、日射検出セン サ１０のコストアップも招来する問題があった。

【００１６】 本考案は、上記従来技術に伴う課題を解決するためになされたものであり、個 々の日射検出センサごとに検出感度のばらつきがなく、信頼性が高く、高精度に 日射状態を検出し得る日射検出センサを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成する請求項１に記載の本考案は、光電変換素子が樹脂封止され た受光手段をベース上に固定してなる日射検出センサにおいて、 前記受光手段は、 日射光を受光して受光光量に応じた光量信号を出力する半導体チップからなる 少なくとも２個の光電変換素子と、 これら少なくとも２個の光電変換素子が分離帯を介して取り付けられた平坦な 基板と、 前記分離帯に配置され斜め日射を遮る遮光手段と、を有し、 前記遮光手段は、前記光電変換素子と前記基板とを日射光透過材料で封止して 当該日射光透過材料により保護体を形成する際に、当該遮光手段の中心線と前記 分離帯の中心線とが一致するように、前記保護体と一体的に形成されてなる日射 検出センサである。

【００１８】 また、請求項２に記載の本考案は、光電変換素子が樹脂封止された受光手段を ベース上に固定してなる日射検出センサにおいて、 前記受光手段は、 日射光を受光して受光光量に応じた光量信号を出力する半導体チップからなる 少なくとも２個の光電変換素子と、 基準面に対して等しい角度で傾斜する少なくとも２つの斜面部が設けられ、こ れら斜面部のそれぞれに前記光電変換素子のそれぞれが取り付けられた基板と、 を有し、 前記光電変換素子と前記基板とを日射光透過材料で封止して当該日射光透過材 料により保護体を形成してなる日射検出センサである。

【００１９】

【作用】

半導体チップからなる光電変換素子は平坦性が優れているため、光電変換素子 を平坦な基板に取り付けるだけで、各光電変換素子の受光面は、同一平面上に位 置する。さらに、受光手段の遮光手段は、光電変換素子を樹脂封止して保護体を 形成する際に、この保護体と一体的に、当該遮光手段の中心線と分離帯の中心線 とが一致して形成される。このため、受光手段は、遮光手段により遮られる日射 量が各光電変換素子ごとに等しいため、光電変換素子ごとに検出感度がばらつく ことがない。したがって、この受光手段を備えた日射検出センサによれば、少な くとも二方位からの斜め日射が対称的にかつ正確に検出される。また、１個の受 光手段をベース上に固定するだけで、少なくとも二方位からの斜め日射を検出し 得る日射検出センサとなるため、センサの組み立ても容易になる。さらに、遮光 手段が保護体と一体的に形成されるため、衝撃等に対して遮光手段がずれたりす ることがない。

【００２０】 また、半導体チップからなる光電変換素子は平坦性が優れているため、光電変 換素子を基準面に対して等しい角度で傾斜する斜面部が設けられた基板に取り付 けるだけで、各光電変換素子の受光面は、基準面に対して等しい角度で傾斜する ことになる。このため、受光手段は光電変換素子ごとに検出感度がばらつくこと がなく、この受光手段を備えた日射検出センサによれば、少なくとも二方位から の斜め日射が対称的にかつ正確に検出される。また、１個の受光手段をベース上 に固定するだけで、少なくとも二方位からの斜め日射を検出し得る日射検出セン サとなるため、センサの組み立ても容易になる。

【００２１】

【実施例】

以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。 図１は、本考案の一実施例に係る日射検出センサを示す概略構成図、図２は、 図１に示される受光手段の平面図である。

【００２２】 図１に示す日射検出センサ３０は左右二方位の斜め日射を検出するためのもで あり、この日射検出センサ３０は、透明または半透明のカバー部３１内に、１個 の受光手段３２がベース３３上に水平方向に配置されている。

【００２３】 本実施例の受光手段３２は、基板３４上に取り付けられた複数個の光電変換素 子３５Ｒ、３５Ｌが一体的に樹脂モールドされた構造となっている。詳述すれば 、この受光手段３２は、図２に示すように、２個の光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ と、これら２個の光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌが分離帯３９を介して配置され導 電ペースト等の導電材料を介して固着される基板３４と、該基板３４と一体的に 構成された第１リード部３６ａ、３６ｂと、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌとボン ディングワイヤーを介して接続される第２リード部３７ａ、３７ｂとを有する。 基板３４には、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌをリード部３６ａ、３６ｂ、３７ａ 、３７ｂと電気的に接続する回路がパターン印刷されている。そして、これら光 電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ、基板３４、リード部３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ ｂは、透明樹脂又は半透明樹脂等の封止材料を加熱成形した保護体３８により封 止され、一体となって固定されている。

【００２４】 前記保護体３８を構成する透明樹脂又は半透明樹脂は光を透過するので、光電 変換素子３５Ｒ、３５Ｌは日射光を受光し、受光光量に応じた光量信号を出力す る。これら光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌのそれぞれは半導体チップからなる電子 部品であるため、厚みが等しくかつ平坦性が極めて良好である。また、光電変換 素子３５Ｒ、３５Ｌが取り付けられる基板３４も、平坦面が精度良く形成された 部品である。このため、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌを基板３４上に取り付ける だけで、各々の光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの受光面４７Ｒ、４７Ｌ（図３参照 ）は基板３４と平行をなす同一平面上に位置することになる。また、光電変換素 子３５Ｒ、３５Ｌを取り付けるにあたっては、その取り付け位置を容易に調整で きるため、各光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌを分離帯３９の中心線４０と平行に、 かつ、中心線４０から等距離の位置に容易に配置することができる。

【００２５】 前記リード部３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂによって、光電変換素子３５Ｒ 、３５Ｌから出力される光量信号を伝達する信号伝達部材が構成されている。こ れらリード部３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂは保護体３８から導出され、光量 信号は、保護体３８の外部に設けられた温度制御部（図示せず）に入力される。 そして、温度制御部では、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌから出力される光量信号 に基づいて所定の日射補正を行い、乗員が快適に感じる温度に車室内の温度を制 御する。

【００２６】 本実施例の受光手段３２にあってはさらに、保護体３８を成形する樹脂成形型 に突部を設けることにより、あるいは、インサート成形することにより、斜め日 射を遮る遮光手段４４が分離帯３９の中心線４０に沿って保護体３８と一体的に 形成されるようになっている。

【００２７】 つまり、図３（ａ）に示す遮光手段４４は、突部が設けられ樹脂成形型を使用 して保護体３８と一体的に形成されるものであり、型の突部に対応した形状を有 する深溝４５が中心線４０に沿って、かつ、基板３４に対して直交するように形 成されている。深溝４５により受光手段３２が左右に分けられ、図中右側の光電 変換素子３５Ｒは左側の斜め日射が遮光されて右側斜め日射を検出する右方日射 検出素子として機能し、図中左側の光電変換素子３５Ｌは右側の斜め日射が遮光 されて左側斜め日射を検出する左方日射検出素子として機能する。なお、深溝４ ５中に、保護体３８よりも屈折率の小さい材料や、光を透過しない材料等で充填 すれば、遮光効果はより高まり左右の分離感度が増して好ましい。

【００２８】 一方、図３（ｂ）に示す遮光手段４４は、深溝４５に代えて、樹脂モールドの 際に中心線４０に沿ってインサート成形された遮光板４６により構成されている 。この場合にも、遮光板４６により受光手段３２が左右に分けられ、図中右側の 光電変換素子３５Ｒは右方日射検出素子として機能し、図中左側の光電変換素子 ３５Ｌは左方日射検出素子として機能する。遮光板４６は保護体３８や光電変換 素子３５Ｒ、３５Ｌ等と一緒に封止され一体的に固定されているため、遮光板１ ４をベース１３上に立設した従来の日射検出センサ１０と比較すると、衝撃や振 動等に対して著しく強度が向上する。

【００２９】 保護体３８の上端面および下端面は、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの受光面４ ７Ｒ、４７Ｌと平行をなすように成形されている。そして、受光手段３２は、そ の保護体３８の下端面を接着剤等を介してベース３３上に固定してある。

【００３０】 上記構成の受光手段３２によれば、まず、寸法精度の高い半導体チップからな る光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌを精度良く加工可能な基板３４上に直接配置する ことができるため、分離帯３９の中心線４０に対する各光電変換素子３５Ｒ、３ ５Ｌの取り付け位置の精度が著しく高まり、各光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの受 光面４７Ｒ、４７Ｌも同一平面上に配置されることになる。このような光電変換 素子３５Ｒ、３５Ｌの取り付け位置精度の向上に加えて、さらに、精度良く形成 できる樹脂成形型を用いた樹脂モールドの際に遮光手段４４（４５、４６）が前 記中心線４０に沿って保護体３８と一体的に形成されるため、遮光板１４を２個 の光電変換素子１２Ｒ、１２Ｌの中間位置でベース１３上に取り付ける従来例に 比べると、遮光手段４４の中心線と分離帯３９の中心線４０とを精度良く一致さ せることが容易であり、また、受光面４７Ｒ、４７Ｌに対して垂直をなすように 設けることができる。

【００３１】 したがって、右側の光量変換素子３５Ｒと遮光手段４４との距離ＶR と、左側 の光量変換素子３５Ｌと遮光手段４４との距離ＶL を容易に等しくすることがで き、遮光手段４４の遮光量が左右の光電変換素子３５Ｒと３５Ｌとで相違せず、 図４に示される特性線図から明らかなように、左右の検出感度が対称となる。し かも、個々の受光手段３２ごとの検出特性（例えば検出ピーク等）のばらつきが 極めて小さくなり、これを組み付けた日射検出センサ３０によれば、日射状態を 精度良くかつ均一に検出することが可能となる。

【００３２】 また、日射検出センサ３０の組み立ては、２個の光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ が組み込まれると共に遮光手段４４が一体的に形成された１個の受光手段３２を ベース３３上に固着するだけでよい。このため、１個の受光手段３２をベース３ ３に取り付ける際の精度を管理するだけで一定の検出精度を確保することができ 、さらに、部品点数の削減をも通して組立作業が容易になり、コスト的にも優れ たものとなる。

【００３３】 なお、３個以上の光電変換素子を分離帯３９を介して配置し、各々の分離帯３ ９に上述した構成の遮光手段４４を設けることにより、３方向以上の複数の方向 からの日射状態を精度良く検出することも可能である。

【００３４】 図５は、他の実施例に係る日射検出センサの受光手段を示す斜視図であり、図 ６は、図５に示す受光手段の断面図である。 この実施例の日射検出センサ３０ａも左右二方位の斜め日射を検出するための もであり、上述した日射検出センサ３０と同様に、透明または半透明のカバー部 ３１内に、１個の受光手段５０がベース３３上に水平方向に配置されている。こ の受光手段５０の基板５１は、図５に示すように、長手方向の中央部分で折り曲 げられて２つの斜面部５１Ｒ、５１Ｌが形成され、凸部を上面に向けて配置され ている。２つの斜面部５１Ｒ、５１Ｌの斜距離は、光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ の長さよりも大きい寸法を有する。斜面部５１Ｒ、５１Ｌの下端には、第１リー ド部３６ａ、３６ｂが基板５１と一体的に構成されており、これら第１リード部 ３６ａ、３６ｂは同一平面上に位置する様に配置されている。また、光電変換素 子３５Ｒ、３５Ｌとボンディングワイヤーを介して接続される第２リード部３７ ａ、３７ｂは、斜面部５１Ｒ、５１Ｌの側方近傍に当該斜面部５１Ｒ、５１Ｌの 位置する傾斜面と同一平面上に傾斜して配置された傾斜部５２と、前記第１リー ド部３６ａ、３６ｂの位置する平面と同一平面上に配置された平坦部５３とから 構成される。ボンディングワイヤーは、第２リード部３７ａ、３７ｂの傾斜部５ ２に接続される。そして、これら光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ、斜面部５１Ｒ、 ５１Ｌを有する基板５１、リード部３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂは、透明樹 脂又は半透明樹脂等の封止材料を加熱成形した保護体５４により封止され、一体 となって固定されている。

【００３５】 日射検出センサ３０ａの断面を示す図６において、符号「５５」は一の基準平 面を示している。基板５１は、一方の斜面部５１Ｒと基準平面５５とのなす角度 αR と、他方の斜面部５１Ｌと基準平面５５とのなす角度αL とが等しくなるよ うに形成されている。ところで、半導体チップである光電変換素子３５Ｒ、３５ Ｌの受光面４７Ｒ、４７Ｌと底面は平行であるので、斜面部５１Ｒ、５１Ｌに受 光手段５０を固着させれば、一方の光電変換素子３５Ｒの受光面４７Ｒが位置す る平面が基準平面５５となす角度は前記αR と等しくなり、他方の光電変換素子 ３５Ｌの受光面４７Ｌが位置する平面と基準平面５５とのなす角度は前記αL と 等しくなり、結果的に、各光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの基準平面５５に対する 傾斜角度は、等しくなる。

【００３６】 保護体５４の上端面および下端面は、基準平面５５と平行をなすように成形さ れている。そして、受光手段５０は、その保護体５４の下端面を接着剤等を介し てベース３３上に固定してある。

【００３７】 このような受光手段５０によっても、寸法精度の高い半導体チップからなる光 電変換素子３５Ｒ、３５Ｌを精度良く加工可能な基板５１上に直接配置すること ができることから、基板５１に対する光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの取り付け位 置の精度が著しく高まり、各光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌの受光面４７Ｒ、４７ Ｌの基準平面５５に対する傾斜角度も等しくなる。光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌ の取り付け位置の精度向上に加えて、さらに、精度良く形成できる樹脂成形型を 用いた樹脂モールドの際に各光電変換素子３５Ｒ、３５Ｌが保護体５４により一 体的に封止されるため、図９の従来例のごとく２個の受光手段１２Ｒ、１２Ｌの それぞれを斜面部１５Ｒ、１５Ｌ上に取り付ける場合に比べると、受光面４７Ｒ 、４７Ｌの基準平面５５に対する傾斜角度は均一なものとなる。したがって、保 護体５４の底面及びベースの上面を基準平面５５と平行になるように水平に形成 し、一方の光電変換素子３５Ｒを右側に向け、他方の光電変換素子３５Ｌを左側 に向けて受光手段５０をベース３３上に取り付けるだけで、図７に示される特性 線図から明らかなように、左右の検出感度が対称となり、車両左側からの日射と 右側からの日射とを対称的に精度良く検出することができる。しかも、個々の受 光手段５０ごとの検出特性（例えば検出ピーク等）のばらつきが極めて小さく、 日射状態を精度良くかつ均一に検出することが可能となる。

【００３８】 また、日射検出センサ３０ａの組み立ては、２個の光電変換素子３５Ｒ、３５ Ｌが傾斜して組み込まれた１個の受光手段５０をベース３３上に配置するだけで よいため、１個の受光手段５０をベース３３に取り付ける際の精度を管理するだ けで一定の検出精度を確保することができ、さらに、部品点数の削減をも通して 組立作業が容易になり、コスト的にも優れたものとなる。

【００３９】 なお、基準平面５５に対して等しい角度で傾斜する３面以上の傾斜部を基板５ １に形成し、各傾斜部に光電変換素子を設けることにより、３方向以上の複数の 方向からの日射状態を精度良く検出することも可能である。

【００４０】

【考案の効果】

以上説明した様に、本考案によれば、１個の受光手段だけをベース上に固定す るだけで、少なくとも二方位からの斜め日射を検出し得る日射検出センサとなる ため、センサの組み立てが容易になる。

【００４１】 更に、受光手段はその光電変換素子ごとに検出感度がばらつくことがなく、こ の受光手段を備えた日射検出センサによれば、少なくとも二方位からの斜め日射 を対称的にかつ高精度に検出することが可能となる。

【００４２】 また、遮光手段を保護体と一体的に形成することにより、衝撃等によって遮光 手段がずれたりすることがなく、信頼度の高い日射検出センサとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本考案の一実施例に係る日射検出センサを示
す概略構成図である。

【図２】 図１に示される受光手段の平面図である。

【図３】 図３（ａ）（ｂ）は遮光手段の例を示す断面
図である。

【図４】 図１〜図３に示される受光手段の特性線図で
ある。

【図５】 他の実施例に係る日射検出センサの受光手段
を示す斜視図である。

【図６】 図５に示す受光手段の断面図である。

【図７】 図５、図６に示される受光手段の特性線図で
ある。

【図８】 従来の日射検出センサの一例を示す概略構成
図である。

【図９】 従来の日射検出センサの他の例を示す概略構
成図である。

【符号の説明】

３２、５０…受光手段、 ３３…ベー
ス、３４、５１…基板、 ３８、
５４…保護体、３５（３５Ｒ、３５Ｌ）…光電変換素
子、 ３９…分離帯、４０…分離帯の中心線、
４４（４５、４６）…遮光手段、５１Ｒ、５
１Ｌ…斜面部、 ５５…基準面。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 光電変換素子が樹脂封止された受光手段
   (32)をベース(33)上に固定してなる日射検出センサにお
   いて、 前記受光手段(32)は、 日射光を受光して受光光量に応じた光量信号を出力する
   半導体チップからなる少なくとも２個の光電変換素子(3
   5R,35L) と、 これら少なくとも２個の光電変換素子(35R,35L) が分離
   帯(39)を介して取り付けられた平坦な基板(34)と、 前記分離帯(39)に配置され斜め日射を遮る遮光手段(44)
   と、を有し、 前記遮光手段(44)は、前記光電変換素子(35R,35L) と前
   記基板(34)とを日射光透過材料で封止して当該日射光透
   過材料により保護体(38)を形成する際に、当該遮光手段
   (44)の中心線と前記分離帯(39)の中心線(40)とが一致す
   るように、前記保護体(38)と一体的に形成されてなる日
   射検出センサ。
2. 【請求項２】 光電変換素子が樹脂封止された受光手段
   (50)をベース(33)上に固定してなる日射検出センサにお
   いて、 前記受光手段(50)は、 日射光を受光して受光光量に応じた光量信号を出力する
   半導体チップからなる少なくとも２個の光電変換素子(3
   5R,35L) と、 基準面(55)に対して等しい角度で傾斜する少なくとも２
   つの斜面部(51R,51L)が設けられ、これら斜面部(51R,51
   L) のそれぞれに前記光電変換素子(35R,35L)のそれぞれ
   が取り付けられた基板(51)と、を有し、 前記光電変換素子(35R,35L) と前記基板(51)とを日射光
   透過材料で封止して当該日射光透過材料により保護体(5
   4)を形成してなる日射検出センサ。