JPH07135196A - 半導体基板アッシング装置 - Google Patents
半導体基板アッシング装置Info
- Publication number
- JPH07135196A JPH07135196A JP5158279A JP15827993A JPH07135196A JP H07135196 A JPH07135196 A JP H07135196A JP 5158279 A JP5158279 A JP 5158279A JP 15827993 A JP15827993 A JP 15827993A JP H07135196 A JPH07135196 A JP H07135196A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- microwaves
- semiconductor substrate
- waveguide
- ashing
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波を利用する半導体基板アッシング装
置において、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保す
る。 【構成】マイクロ波発生部３及び導波菅２の連結部の外
周部にマイクロ波を検出する検出器６を設け、インター
ロック回路７にて設定した量以上の漏洩量があった場
合、マイクロ波発生部３を制御する電源制御部４に対し
てマイクロ波発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波
の発生を中断する。
置において、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保す
る。 【構成】マイクロ波発生部３及び導波菅２の連結部の外
周部にマイクロ波を検出する検出器６を設け、インター
ロック回路７にて設定した量以上の漏洩量があった場
合、マイクロ波発生部３を制御する電源制御部４に対し
てマイクロ波発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波
の発生を中断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板アッシング装
置に関し、特にマイクロ波を利用したアッシング装置に
関する。
置に関し、特にマイクロ波を利用したアッシング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波を利用した半
導体基板アッシング装置は、プラズマを励起させる為に
マイクロ波を使用している。また、このマイクロ波をア
ッシングを行う処理室に導入するために導波菅を使用し
ていた。この導波菅は１本の導波菅ではなく、直菅やベ
ンド菅など形状の異なるいくつかの導波菅を組合せ接続
し、マイクロ波発生部と処理室とを接続していた。ま
た、これら導波菅を互いに接続する場合、それぞれの導
波菅の端部であるフランジを相互に突き合わせてビス止
めして行っていた。
導体基板アッシング装置は、プラズマを励起させる為に
マイクロ波を使用している。また、このマイクロ波をア
ッシングを行う処理室に導入するために導波菅を使用し
ていた。この導波菅は１本の導波菅ではなく、直菅やベ
ンド菅など形状の異なるいくつかの導波菅を組合せ接続
し、マイクロ波発生部と処理室とを接続していた。ま
た、これら導波菅を互いに接続する場合、それぞれの導
波菅の端部であるフランジを相互に突き合わせてビス止
めして行っていた。
【０００３】また、この導波菅の接続を完全に行った
後、導波菅の末端部は金属物で完全に遮へいする。例え
ば網状の金属物で覆う等の処理を行ってマイクロ波が外
部に漏れることを防止していた。
後、導波菅の末端部は金属物で完全に遮へいする。例え
ば網状の金属物で覆う等の処理を行ってマイクロ波が外
部に漏れることを防止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体基板
アッシング装置では、導波菅の接続部においては、導波
菅のフランジの突き合わせのビス止めによってマイクロ
波の外部への漏洩を防止しているものの、運転時にマイ
クロ波の漏洩を検知する手段をもっていなかった。した
がって、人体に有害であるマイクロ波の漏洩が発生して
も、マイクロ波の漏洩の測定を行うまで発見できずに、
マイクロ波によって人体に悪影響を及ぼす危険性がある
という問題点があった。
アッシング装置では、導波菅の接続部においては、導波
菅のフランジの突き合わせのビス止めによってマイクロ
波の外部への漏洩を防止しているものの、運転時にマイ
クロ波の漏洩を検知する手段をもっていなかった。した
がって、人体に有害であるマイクロ波の漏洩が発生して
も、マイクロ波の漏洩の測定を行うまで発見できずに、
マイクロ波によって人体に悪影響を及ぼす危険性がある
という問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、漏洩するマイクロ波を常
に監視し、安全に運転できるアッシング装置を提供する
ことである。
に監視し、安全に運転できるアッシング装置を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板アッ
シング装置は、マイクロ波を用いてプラズマを励起さ
せ、半導体基板状のレジストや有機膜の剥離を行うマイ
クロ波利用のアッシング装置において、マイクロ波の伝
送する複数の導波菅の連結部の外周部にマイクロ波検出
器を備え、このマイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量
を一定の値以上を検知すると、マイクロ波発生部を制御
する電源制御部に対してマイクロ波発生停止信号を出
し、アッシング処理を中断するインターロック回路を有
することを特徴としている。
シング装置は、マイクロ波を用いてプラズマを励起さ
せ、半導体基板状のレジストや有機膜の剥離を行うマイ
クロ波利用のアッシング装置において、マイクロ波の伝
送する複数の導波菅の連結部の外周部にマイクロ波検出
器を備え、このマイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量
を一定の値以上を検知すると、マイクロ波発生部を制御
する電源制御部に対してマイクロ波発生停止信号を出
し、アッシング処理を中断するインターロック回路を有
することを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例における半導体基板アッシ
ング装置の主要部の構成を示す図である。
る。図１は本発明の一実施例における半導体基板アッシ
ング装置の主要部の構成を示す図である。
【０００８】この半導体基板アッシング装置は、図１に
示すように、半導体基板を収納し、アッシング処理を行
う処理室１と、この処理室１にマイクロ波を導入する導
波菅２と、導波菅２に接続されるマイクロ波発生部３
と、マイクロ波発生部３の電源供給及び制御する電源制
御部４と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理
制御部５と、導波菅２の連結部及び処理室１と導波菅２
との接続部、マイクロ波発生部３と導波菅２との接続部
に配置され漏洩マイクロ波を検出する検出器６と、この
検出器６の検出信号により処理制御部５を介して電源制
御部４にマイクロ波発生停止信号を送るインターロック
回路７を備えている。
示すように、半導体基板を収納し、アッシング処理を行
う処理室１と、この処理室１にマイクロ波を導入する導
波菅２と、導波菅２に接続されるマイクロ波発生部３
と、マイクロ波発生部３の電源供給及び制御する電源制
御部４と、この電源制御部４と処理室１を制御する処理
制御部５と、導波菅２の連結部及び処理室１と導波菅２
との接続部、マイクロ波発生部３と導波菅２との接続部
に配置され漏洩マイクロ波を検出する検出器６と、この
検出器６の検出信号により処理制御部５を介して電源制
御部４にマイクロ波発生停止信号を送るインターロック
回路７を備えている。
【０００９】次に、この半導体基板アッシング装置の動
作を説明する。まず処理室１に半導体基板を収納し、真
空排気してガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次にマイクロ波発生部３よりマイクロ波を発生し、処理
室１内でプラズマを励起させる。このプラズマ中のイオ
ンや活性基により半導体基板上のレジストや有機膜の剥
離を行う。
作を説明する。まず処理室１に半導体基板を収納し、真
空排気してガスを導入しながら所定の圧力に維持する。
次にマイクロ波発生部３よりマイクロ波を発生し、処理
室１内でプラズマを励起させる。このプラズマ中のイオ
ンや活性基により半導体基板上のレジストや有機膜の剥
離を行う。
【００１０】ここで、この半導体基板アッシング装置
は、前述した様に、マイクロ波発生部３，導波菅２，処
理室１のそれぞれの接続部の近くにマイクロ波検出基６
を設けてあるので、いずれかの検出基６がマイクロ波を
検知すると、インターロック回路７にて設定した許容値
と比較する。もし、検出されたマイクロ波の漏洩量が許
容値を超えると、インターロック回路７は処理制御部５
を介して電源制御部４に対してマイクロ波発生停止信号
を出力し、ただちにマイクロ波の発生を中断する。
は、前述した様に、マイクロ波発生部３，導波菅２，処
理室１のそれぞれの接続部の近くにマイクロ波検出基６
を設けてあるので、いずれかの検出基６がマイクロ波を
検知すると、インターロック回路７にて設定した許容値
と比較する。もし、検出されたマイクロ波の漏洩量が許
容値を超えると、インターロック回路７は処理制御部５
を介して電源制御部４に対してマイクロ波発生停止信号
を出力し、ただちにマイクロ波の発生を中断する。
【００１１】なお、マイクロ波の漏洩量のインターロッ
ク回路７の設定値は、半導体基板アッシング装置の場
合、工業用加熱利用に関する安全法令基準の定めがない
ので、電子レンジの電気用品取締法の安全基準値に準じ
て漏洩量を規定し、例えば１ｍＷ／ｃｍ2 とする。
ク回路７の設定値は、半導体基板アッシング装置の場
合、工業用加熱利用に関する安全法令基準の定めがない
ので、電子レンジの電気用品取締法の安全基準値に準じ
て漏洩量を規定し、例えば１ｍＷ／ｃｍ2 とする。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マイクロ
波の伝送に使用する導波菅の連結部の外周部にマイクロ
波検出基を設け、マイクロ波漏洩を検出する機能をもた
せることにより、早期にマイクロ波の漏洩を発見するこ
とができ、万一、マイクロ波の漏洩が発生してもただち
にアッシング処理を中断して、人体に悪影響を及ぼす危
険性を回避できるという効果を有する。
波の伝送に使用する導波菅の連結部の外周部にマイクロ
波検出基を設け、マイクロ波漏洩を検出する機能をもた
せることにより、早期にマイクロ波の漏洩を発見するこ
とができ、万一、マイクロ波の漏洩が発生してもただち
にアッシング処理を中断して、人体に悪影響を及ぼす危
険性を回避できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例におけるドライエッチング装
置の主要部の構成を示す図である。
置の主要部の構成を示す図である。
１ 処理室 ２ 導波菅 ３ マイクロ波発生部 ４ 電源制御部 ５ 処理制御部 ６ 検出器 ７ インターロック回路
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波を用いてプラズマを励起さ
せ、半導体基板上のレジストや有機膜の剥離を行うマイ
クロ波利用のアッシング装置において、マイクロ波の伝
送する複数の導波菅の連結部の外周部にマイクロ波検出
器を備え、このマイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量
を一定の値以上を検知すると、マイクロ波発生部を制御
する電源制御部に対してマイクロ波発生停止信号を出
し、アッシング処理を中断するインターロック回路を有
することを特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158279A JPH07135196A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体基板アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158279A JPH07135196A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体基板アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135196A true JPH07135196A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=15668134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158279A Pending JPH07135196A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体基板アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135196A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220586A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| JP2007227123A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| WO2016136091A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | コネクタ装置、通信装置、及び、通信システム |
| WO2020039562A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| US12354887B2 (en) | 2018-09-05 | 2025-07-08 | Kokusai Electric Corporation | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158279A patent/JPH07135196A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| JP2007220586A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| JP2007227123A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置及びワーク処理装置 |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| WO2016136091A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | コネクタ装置、通信装置、及び、通信システム |
| US10374273B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-08-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Connector device, communication device, and communication system |
| WO2020039562A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| JPWO2020039562A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2021-08-26 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| US12255069B2 (en) | 2018-08-23 | 2025-03-18 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
| US12354887B2 (en) | 2018-09-05 | 2025-07-08 | Kokusai Electric Corporation | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |