JPH07135328A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH07135328A JPH07135328A JP5279792A JP27979293A JPH07135328A JP H07135328 A JPH07135328 A JP H07135328A JP 5279792 A JP5279792 A JP 5279792A JP 27979293 A JP27979293 A JP 27979293A JP H07135328 A JPH07135328 A JP H07135328A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板表面に凹凸形状が形成されたテクスチャ
ー構造を有する光起電力装置において、光電変換層にお
ける電界の弱い部分に光が集中するのを防止し、光生成
キャリアを有効に収集して、光電変換効率を向上させ
る。 【構成】 透明導電膜４より大きい光屈折率を有する透
光性材料から形成される光誘導層５を、透明導電膜４の
表面の少なくとも凹部の表面上に形成することを特徴と
している。
ー構造を有する光起電力装置において、光電変換層にお
ける電界の弱い部分に光が集中するのを防止し、光生成
キャリアを有効に収集して、光電変換効率を向上させ
る。 【構成】 透明導電膜４より大きい光屈折率を有する透
光性材料から形成される光誘導層５を、透明導電膜４の
表面の少なくとも凹部の表面上に形成することを特徴と
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置に関する
ものであり、特に凹凸形状を有する基板上に光電変換層
及び透明導電膜を順次積層し、透明導電膜側から光が入
射するタイプの光起電力装置に関するものである。
ものであり、特に凹凸形状を有する基板上に光電変換層
及び透明導電膜を順次積層し、透明導電膜側から光が入
射するタイプの光起電力装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より光起電力装置においては、入射
光を閉じ込め光電変換効率を有効に高めるため、基板や
光電変換層に凹凸形状を形成する、いわゆるテクスチャ
ー構造が採用されている。図４は、このようなテクスチ
ャー構造を有する従来の光起電力装置を示す断面図であ
る。図４を参照して、基板１の表面１ａには凹凸形状が
形成されており、該基板１の表面１ａ上には、裏面電極
となる金属膜２が形成されている。金属膜２上には、ｐ
ｎ接合またはｐｉｎ接合を有するシリコン半導体等から
なる光電変換層３が形成されている。この光電変換層３
上にはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明導
電膜４が形成されている。
光を閉じ込め光電変換効率を有効に高めるため、基板や
光電変換層に凹凸形状を形成する、いわゆるテクスチャ
ー構造が採用されている。図４は、このようなテクスチ
ャー構造を有する従来の光起電力装置を示す断面図であ
る。図４を参照して、基板１の表面１ａには凹凸形状が
形成されており、該基板１の表面１ａ上には、裏面電極
となる金属膜２が形成されている。金属膜２上には、ｐ
ｎ接合またはｐｉｎ接合を有するシリコン半導体等から
なる光電変換層３が形成されている。この光電変換層３
上にはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明導
電膜４が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の光
起電力装置において、透明導電膜４の凹部の底部付近で
入射する光、例えば図４に示す入射光Ａは、透明導電膜
４に対しほぼ垂直に入射するので、ほぼまっすぐ光電変
換層３中に入る。これに対して、透明導電膜４の傾斜部
分に入射する光、例えば図４に示す入射光Ｂは、空気と
透明導電膜４間の屈折率の違いにより、界面から遠くな
るように屈折して入射するため、図４に示すような電界
強度の弱い部分６に入射光が集中する傾向にある。この
ような電界強度の弱い部分６が存在することについて
は、コンピュータシュミレーション等によって確認され
ており、また特開平５−２２６６７９号公報等において
もその存在が開示されている。
起電力装置において、透明導電膜４の凹部の底部付近で
入射する光、例えば図４に示す入射光Ａは、透明導電膜
４に対しほぼ垂直に入射するので、ほぼまっすぐ光電変
換層３中に入る。これに対して、透明導電膜４の傾斜部
分に入射する光、例えば図４に示す入射光Ｂは、空気と
透明導電膜４間の屈折率の違いにより、界面から遠くな
るように屈折して入射するため、図４に示すような電界
強度の弱い部分６に入射光が集中する傾向にある。この
ような電界強度の弱い部分６が存在することについて
は、コンピュータシュミレーション等によって確認され
ており、また特開平５−２２６６７９号公報等において
もその存在が開示されている。
【０００４】このように比較的電界強度の弱い部分に吸
収された光より発生した電荷は、効率良く取り出すこと
が困難であり、従って電界強度の弱い部分に光が集中す
ると、光電変換率を高めることができないという問題が
あった。
収された光より発生した電荷は、効率良く取り出すこと
が困難であり、従って電界強度の弱い部分に光が集中す
ると、光電変換率を高めることができないという問題が
あった。
【０００５】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、光電変換層における電界強度の弱い部分に入
射光が集中するのを防止することのできる構造を有する
光起電力装置を提供することにある。
を解消し、光電変換層における電界強度の弱い部分に入
射光が集中するのを防止することのできる構造を有する
光起電力装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置
は、表面が凹凸形状を有し、かつ少なくとも表面に導電
層が形成された基板と、基板表面の凹凸形状に沿い基板
上に形成される、半導体接合を有した光電変換層と、光
電変換層表面の凹凸形状に沿い光電変換層上に形成され
る透明導電膜と、透明導電膜より大きい光屈折率を有す
る透光性材料から形成され、透明導電膜表面の少なくと
も凹部の表面上に形成される光誘導層とを備えることを
特徴としている。
は、表面が凹凸形状を有し、かつ少なくとも表面に導電
層が形成された基板と、基板表面の凹凸形状に沿い基板
上に形成される、半導体接合を有した光電変換層と、光
電変換層表面の凹凸形状に沿い光電変換層上に形成され
る透明導電膜と、透明導電膜より大きい光屈折率を有す
る透光性材料から形成され、透明導電膜表面の少なくと
も凹部の表面上に形成される光誘導層とを備えることを
特徴としている。
【０００７】本発明において用いられる基板は、少なく
とも表面に導電層が形成されている。このような基板と
しては、基板全体が金属から形成されたものであっても
よく、この場合導電層は金属基板自体によって構成され
る。また、導電性を有しない基板を用いる場合には、そ
の表面に蒸着法等により金属膜を形成し、これを導電層
としてもよい。
とも表面に導電層が形成されている。このような基板と
しては、基板全体が金属から形成されたものであっても
よく、この場合導電層は金属基板自体によって構成され
る。また、導電性を有しない基板を用いる場合には、そ
の表面に蒸着法等により金属膜を形成し、これを導電層
としてもよい。
【０００８】本発明において基板の表面の凹凸形状は特
に限定されるものではないが、通常凹凸形状のピッチす
なわち、水平方向の山と山及び谷と谷の距離は、使用す
る薄膜半導体層の膜厚と同程度のものが用いられる。例
えば、アモルファスシリコン半導体層の場合は、通常１
μｍ程度の膜厚を有するので、凹凸の山と山及び谷と谷
の距離は１μｍ程度である。また凹凸形状の高さ、すな
わち垂直方向の山と谷の間の距離についても同様であ
る。
に限定されるものではないが、通常凹凸形状のピッチす
なわち、水平方向の山と山及び谷と谷の距離は、使用す
る薄膜半導体層の膜厚と同程度のものが用いられる。例
えば、アモルファスシリコン半導体層の場合は、通常１
μｍ程度の膜厚を有するので、凹凸の山と山及び谷と谷
の距離は１μｍ程度である。また凹凸形状の高さ、すな
わち垂直方向の山と谷の間の距離についても同様であ
る。
【０００９】また、本発明において光電変換層を形成す
る半導体の種類は、特に限定されるものではく、シリコ
ン、ゲルマニウム、シリコンカーボン、シリコンゲルマ
ニウム等の半導体から形成される。また、これらの半導
体の複数種類を組み合わせて積層させてもよい。また、
光電変換層における光活性層は非晶質半導体膜であって
もよいし、多結晶、または単結晶半導体であってもよ
い。
る半導体の種類は、特に限定されるものではく、シリコ
ン、ゲルマニウム、シリコンカーボン、シリコンゲルマ
ニウム等の半導体から形成される。また、これらの半導
体の複数種類を組み合わせて積層させてもよい。また、
光電変換層における光活性層は非晶質半導体膜であって
もよいし、多結晶、または単結晶半導体であってもよ
い。
【００１０】
【作用】本発明に従えば、透明導電膜より大きい光屈折
率を有する透光性材料から形成された光誘導層が、透明
導電膜表面の少なくとも凹部の表面上に形成される。図
３は、この透明導電膜４の凹部の部分を埋めるように光
誘導層５が形成された実施例を示す断面図である。透明
導電膜４の凹部の底付近を入射する光Ａは、図４に示す
従来の場合と同様に、ほぼ垂直に入射し、ほぼまっすぐ
光電変換層３中に入る。これに対し、凹部の斜面に入手
する光Ｂは、透明導電膜４に入射する際、光誘導層５の
屈折率が透明導電膜４の屈折率よりも大きいため、より
界面に近づくように屈折する。このため、図３に示され
るように、電界強度の弱い部分６から離れる方向に入射
する。本発明では、このように透明導電膜４の凹部の表
面上に屈折率の大きい光誘導層５が形成されているの
で、電界強度の弱い部分６に光が集中することがなく、
比較的電界強度の強い部分に光を分布させ、光生成キャ
リアを有効に収集することが可能となる。
率を有する透光性材料から形成された光誘導層が、透明
導電膜表面の少なくとも凹部の表面上に形成される。図
３は、この透明導電膜４の凹部の部分を埋めるように光
誘導層５が形成された実施例を示す断面図である。透明
導電膜４の凹部の底付近を入射する光Ａは、図４に示す
従来の場合と同様に、ほぼ垂直に入射し、ほぼまっすぐ
光電変換層３中に入る。これに対し、凹部の斜面に入手
する光Ｂは、透明導電膜４に入射する際、光誘導層５の
屈折率が透明導電膜４の屈折率よりも大きいため、より
界面に近づくように屈折する。このため、図３に示され
るように、電界強度の弱い部分６から離れる方向に入射
する。本発明では、このように透明導電膜４の凹部の表
面上に屈折率の大きい光誘導層５が形成されているの
で、電界強度の弱い部分６に光が集中することがなく、
比較的電界強度の強い部分に光を分布させ、光生成キャ
リアを有効に収集することが可能となる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に従う一実施例の光起電力装
置を示す断面図である。図１を参照して、アルミナ等か
らなる絶縁性基板１の表面１ａには、凹凸形状が付与さ
れている。水平方向の凹凸の間隔、すなわち山と山及び
谷と谷との間隔は約１μｍのピッチで形成されており、
垂直方向の山と谷の高さは１μｍとなるように形成され
ている。基板１の表面１ａ上には、真空蒸着法等によ
り、Ａｇからなる金属膜２（膜厚３０００Å）が基板１
の表面１ａの凹凸に沿うように形成されている。金属膜
２上には光電変換層３が形成されている。光電変換層３
は、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型水素化非晶質シリコ
ン膜３１（膜厚２００Å）、ｉ型水素化非晶質シリコン
膜３２（膜厚１μｍ）、及びｐ型水素化非晶質シリコン
カーボン膜３３（膜厚２００Å）を順次積層することに
より形成されている。光電変換層３上には、スパッタ蒸
着法により透明導電膜４として酸化インジウム錫膜（膜
厚５０００Å）が形成されている。酸化インジウム錫膜
は、光の波長領域３００ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて屈
折率約２．０を示す物質である。透明導電膜４の凹部を
埋めるように酸化チタニウム（ＴｉＯ2 ）からなる光誘
導層５が形成されている。この酸化チタニウムは光の波
長領域３００ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて屈折率２．５
〜２．８を示す物質である。このような光誘導層５は酸
化チタニウムを含む溶液を透明導電膜４上に塗布するこ
とにより形成することができる。塗布は、例えば酸化チ
タニウムを含む溶液中に上記各層を積層形成した基板を
浸漬するか、あるいは透明導電膜４上に酸化チタニウム
を含む溶液を付着させ後、過剰の溶液をスピナー等によ
り除去することによって行うことができる。このような
塗布後、１５０℃以下の温度、例えば１２０℃で酸化チ
タニウムが固化するまで焼成し、光誘導層５を形成させ
る。
置を示す断面図である。図１を参照して、アルミナ等か
らなる絶縁性基板１の表面１ａには、凹凸形状が付与さ
れている。水平方向の凹凸の間隔、すなわち山と山及び
谷と谷との間隔は約１μｍのピッチで形成されており、
垂直方向の山と谷の高さは１μｍとなるように形成され
ている。基板１の表面１ａ上には、真空蒸着法等によ
り、Ａｇからなる金属膜２（膜厚３０００Å）が基板１
の表面１ａの凹凸に沿うように形成されている。金属膜
２上には光電変換層３が形成されている。光電変換層３
は、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型水素化非晶質シリコ
ン膜３１（膜厚２００Å）、ｉ型水素化非晶質シリコン
膜３２（膜厚１μｍ）、及びｐ型水素化非晶質シリコン
カーボン膜３３（膜厚２００Å）を順次積層することに
より形成されている。光電変換層３上には、スパッタ蒸
着法により透明導電膜４として酸化インジウム錫膜（膜
厚５０００Å）が形成されている。酸化インジウム錫膜
は、光の波長領域３００ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて屈
折率約２．０を示す物質である。透明導電膜４の凹部を
埋めるように酸化チタニウム（ＴｉＯ2 ）からなる光誘
導層５が形成されている。この酸化チタニウムは光の波
長領域３００ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて屈折率２．５
〜２．８を示す物質である。このような光誘導層５は酸
化チタニウムを含む溶液を透明導電膜４上に塗布するこ
とにより形成することができる。塗布は、例えば酸化チ
タニウムを含む溶液中に上記各層を積層形成した基板を
浸漬するか、あるいは透明導電膜４上に酸化チタニウム
を含む溶液を付着させ後、過剰の溶液をスピナー等によ
り除去することによって行うことができる。このような
塗布後、１５０℃以下の温度、例えば１２０℃で酸化チ
タニウムが固化するまで焼成し、光誘導層５を形成させ
る。
【００１２】図１に示すような構造の光起電力素子の特
性を測定し、その結果を表１に示した。また、比較とし
て、光誘導層５を有しない以外は図１に示す実施例と同
様の光起電力装置を作製し、この光起電力装置について
もその特性を測定し、その結果を表１に示した。
性を測定し、その結果を表１に示した。また、比較とし
て、光誘導層５を有しない以外は図１に示す実施例と同
様の光起電力装置を作製し、この光起電力装置について
もその特性を測定し、その結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、本発明に従う実
施例の光起電力装置は、比較例の光起電力装置に比べ、
短絡電流及びフィルファクターにおいて改善されてお
り、良好な特性を示している。
施例の光起電力装置は、比較例の光起電力装置に比べ、
短絡電流及びフィルファクターにおいて改善されてお
り、良好な特性を示している。
【００１５】図２は、本発明に従う他の実施例の光起電
力装置を示す断面図である。図２を参照して、本実施例
において基板１は、表面に凹凸形状が加工されたタング
ステン金属基板を用いている。基板１の表面１ａに形成
された凹凸形状の水平方向の間隔、すなわち山と山及び
谷と谷の間隔は約１０μｍであり、垂直方向の高さ、す
なわち山と谷の間の距離は約１０μｍである。基板１の
上に、Ｐドープ（ドープ量１０20ｃｍ-3）非晶質シリコ
ン層（膜厚５０００Å）及びノンドープ非晶質シリコン
層（膜厚１０μｍ）を順に形成させた。非晶質シリコン
層形成後、温度６５０℃で真空中にて１０時間アニール
を行い非晶質シリコン層を多結晶化させて、ｎ+ 型多結
晶シリコン膜６１及びｎ- 型多結晶シリコン膜６２を形
成した。さらにこの上に、非晶質シリコンからなるｉ型
非晶質シリコン膜６３（膜厚５０Å）及びｐ型非晶質シ
リコン膜６４（膜厚１００Å）を順次積層して形成し
た。以上のようにｎ+ 型多結晶シリコン膜６１、ｎ- 型
多結晶シリコン膜６２、ｉ型非晶質シリコン膜６３、及
びｐ型非晶質シリコン膜６４を順次積層して形成するこ
とにより、光電変換層６を基板１の表面１ａ上に設け
た。
力装置を示す断面図である。図２を参照して、本実施例
において基板１は、表面に凹凸形状が加工されたタング
ステン金属基板を用いている。基板１の表面１ａに形成
された凹凸形状の水平方向の間隔、すなわち山と山及び
谷と谷の間隔は約１０μｍであり、垂直方向の高さ、す
なわち山と谷の間の距離は約１０μｍである。基板１の
上に、Ｐドープ（ドープ量１０20ｃｍ-3）非晶質シリコ
ン層（膜厚５０００Å）及びノンドープ非晶質シリコン
層（膜厚１０μｍ）を順に形成させた。非晶質シリコン
層形成後、温度６５０℃で真空中にて１０時間アニール
を行い非晶質シリコン層を多結晶化させて、ｎ+ 型多結
晶シリコン膜６１及びｎ- 型多結晶シリコン膜６２を形
成した。さらにこの上に、非晶質シリコンからなるｉ型
非晶質シリコン膜６３（膜厚５０Å）及びｐ型非晶質シ
リコン膜６４（膜厚１００Å）を順次積層して形成し
た。以上のようにｎ+ 型多結晶シリコン膜６１、ｎ- 型
多結晶シリコン膜６２、ｉ型非晶質シリコン膜６３、及
びｐ型非晶質シリコン膜６４を順次積層して形成するこ
とにより、光電変換層６を基板１の表面１ａ上に設け
た。
【００１６】次に、光電変換層６の上に酸化インジウム
錫からなる透明導電膜４（膜厚３０００Å）を形成し
た。次に、上記実施例と同様にして酸化チタニウム（Ｔ
ｉＯ2）を含む溶液を透明導電膜４上に塗布することに
より、透明導電膜４の凹部を埋めるように光誘導層５を
形成した。
錫からなる透明導電膜４（膜厚３０００Å）を形成し
た。次に、上記実施例と同様にして酸化チタニウム（Ｔ
ｉＯ2）を含む溶液を透明導電膜４上に塗布することに
より、透明導電膜４の凹部を埋めるように光誘導層５を
形成した。
【００１７】図２に示す実施例の光起電力装置は、非晶
質ｐ型シリコン／多結晶ｎ- 型シリコン／多結晶ｎ+ 型
シリコンの構造を有した非晶質／多結晶ヘテロ接合の光
起電力装置であり、この実施例の光起電力装置の特性を
評価し表２に示した。
質ｐ型シリコン／多結晶ｎ- 型シリコン／多結晶ｎ+ 型
シリコンの構造を有した非晶質／多結晶ヘテロ接合の光
起電力装置であり、この実施例の光起電力装置の特性を
評価し表２に示した。
【００１８】また、比較として、透明導電膜４の凹部を
埋める光誘導層５が形成されていないこと以外は図２に
示す実施例と同様の比較例の光起電力装置を作製し、同
様にして評価し、表２にその結果を示した。
埋める光誘導層５が形成されていないこと以外は図２に
示す実施例と同様の比較例の光起電力装置を作製し、同
様にして評価し、表２にその結果を示した。
【００１９】
【表２】
【００２０】表２から明らかなように、本発明に従う実
施例の光起電力装置では、短絡電流及びフィルファクタ
ーにおいて改善されており、良好な特性を示している。
上記各実施例では、基板の凹凸形状の山と山及び谷と谷
との間隔及び山と谷との高さを約１０μｍ程度としてい
るが、凹凸形状の山と山及び谷と谷との間隔及び山と谷
との高さは、１００μｍ以下であることが好ましい。す
なわち、これらの寸法が１００μｍを超えてあまりに大
き過ぎると、テクスチャー構造による光の有効な散乱の
効果が得られない場合があるからである。
施例の光起電力装置では、短絡電流及びフィルファクタ
ーにおいて改善されており、良好な特性を示している。
上記各実施例では、基板の凹凸形状の山と山及び谷と谷
との間隔及び山と谷との高さを約１０μｍ程度としてい
るが、凹凸形状の山と山及び谷と谷との間隔及び山と谷
との高さは、１００μｍ以下であることが好ましい。す
なわち、これらの寸法が１００μｍを超えてあまりに大
き過ぎると、テクスチャー構造による光の有効な散乱の
効果が得られない場合があるからである。
【００２１】また、上記各実施例においては光電変換層
の膜厚を約１０μｍ程度としているが、光電変換層の膜
厚は、上述のように、基板の凹凸形状の寸法、すなわち
山と山及び谷と谷の距離並びに山と谷の間の高さに対し
ほぼ同程度の厚みであることが好ましい。
の膜厚を約１０μｍ程度としているが、光電変換層の膜
厚は、上述のように、基板の凹凸形状の寸法、すなわち
山と山及び谷と谷の距離並びに山と谷の間の高さに対し
ほぼ同程度の厚みであることが好ましい。
【００２２】上記各実施例では、光誘導層の形成方法と
して、透光性材料を含む溶液を塗布し、これを乾燥固化
して形成させているが、従来から知られている化学的気
相成長法、スパッタ蒸着法等の薄膜形成法により形成
し、過剰に付着した膜の上層部等をエッチング等により
除去し、形成させてもよい。
して、透光性材料を含む溶液を塗布し、これを乾燥固化
して形成させているが、従来から知られている化学的気
相成長法、スパッタ蒸着法等の薄膜形成法により形成
し、過剰に付着した膜の上層部等をエッチング等により
除去し、形成させてもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明に従えば、透明導電膜より大きい
光屈折率を有する透光性材料から形成される光誘導層
が、透明導電膜表面の少なくとも凹部の表面上に設けら
れる。このため、入射光は光誘導層と透明導電膜との界
面において界面に近づくように屈折する。このため、従
来電界強度の弱い部分に集中していた光をそれ以外の領
域に分散させることができ、光生成キャリアを有効に収
集することが可能になる。従って、従来よりも光電変換
効率を著しく向上させることができる。
光屈折率を有する透光性材料から形成される光誘導層
が、透明導電膜表面の少なくとも凹部の表面上に設けら
れる。このため、入射光は光誘導層と透明導電膜との界
面において界面に近づくように屈折する。このため、従
来電界強度の弱い部分に集中していた光をそれ以外の領
域に分散させることができ、光生成キャリアを有効に収
集することが可能になる。従って、従来よりも光電変換
効率を著しく向上させることができる。
【図１】本発明に従う一実施例の光起電力装置を示す断
面図。
面図。
【図２】本発明に従う他の実施例の光起電力装置を示す
断面図。
断面図。
【図３】本発明の作用を説明するための断面図。
【図４】従来の光起電力装置を示す断面図。
１…基板 １ａ…基板の表面 ２…金属膜 ３，６…光電変換層 ４…透明導電膜 ５…光誘導層
Claims (2)
- 【請求項１】 表面が凹凸形状を有し、かつ少なくとも
表面に導電層が形成された基板と、 前記基板表面の凹凸形状に沿い前記基板上に形成され
る、半導体接合を有した光電変換層と、 前記光電変換層表面の凹凸形状に沿い前記光電変換層上
に形成される透明導電膜と、 前記透明導電膜より大きい光屈折率を有する透光性材料
から形成され、前記透明導電膜表面の少なくとも凹部の
表面上に形成される光誘導層とを備える、光起電力装
置。 - 【請求項２】 前記基板全体が金属から形成されてお
り、前記導電層が前記金属基板自体によって構成されて
いる、請求項１の記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5279792A JP2892921B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5279792A JP2892921B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135328A true JPH07135328A (ja) | 1995-05-23 |
| JP2892921B2 JP2892921B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17615980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5279792A Expired - Fee Related JP2892921B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892921B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008114685A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Omron Corporation | 太陽電池の製造方法および該太陽電池 |
| CN109817731A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光电二极管及其制作方法、电子设备 |
-
1993
- 1993-11-09 JP JP5279792A patent/JP2892921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008114685A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Omron Corporation | 太陽電池の製造方法および該太陽電池 |
| JPWO2008114685A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-07-01 | オムロン株式会社 | 太陽電池の製造方法および該太陽電池 |
| CN109817731A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光电二极管及其制作方法、电子设备 |
| US11469336B2 (en) | 2019-02-02 | 2022-10-11 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Photodiode, method for preparing the same, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892921B2 (ja) | 1999-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |