JPH07136784A - レーザ露光描画装置 - Google Patents
レーザ露光描画装置Info
- Publication number
- JPH07136784A JPH07136784A JP5289504A JP28950493A JPH07136784A JP H07136784 A JPH07136784 A JP H07136784A JP 5289504 A JP5289504 A JP 5289504A JP 28950493 A JP28950493 A JP 28950493A JP H07136784 A JPH07136784 A JP H07136784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- exposure drawing
- optical system
- drawing apparatus
- laser exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 振動等の外乱又は経年変化によって精度が低
下することのないレーザ露光描画装置を提供すること。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、レーザ光束１２の光軸が略水平面内にあるよう
に光学系１１、１４Ａ、１４Ｂ、１５、１６が配置され
ている。
下することのないレーザ露光描画装置を提供すること。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、レーザ光束１２の光軸が略水平面内にあるよう
に光学系１１、１４Ａ、１４Ｂ、１５、１６が配置され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子、マスク、レ
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、マスク、レクチル等の製造
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系と被照射体と被照射体を光軸に対して直
交方向に移動させるための移動装置とを有する。
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系と被照射体と被照射体を光軸に対して直
交方向に移動させるための移動装置とを有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ露光描画
装置では、光学系の光軸が垂直になるように照明光学
系、投影光学系又は縮小光学系等の各機器が配置されて
いた。従って、従来のレーザ露光描画装置は、全体が縦
に長く且つその重心が高いため、振動等の外乱又は経年
変化によって精度が低下する欠点があった。
装置では、光学系の光軸が垂直になるように照明光学
系、投影光学系又は縮小光学系等の各機器が配置されて
いた。従って、従来のレーザ露光描画装置は、全体が縦
に長く且つその重心が高いため、振動等の外乱又は経年
変化によって精度が低下する欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によると、レーザ
光束１２を走査させて被照射体３１の表面に露光描画を
形成するためのレーザ露光描画装置において、レーザ光
束１２の光軸が略水平面内にあるように光学系が配置さ
れている。
光束１２を走査させて被照射体３１の表面に露光描画を
形成するためのレーザ露光描画装置において、レーザ光
束１２の光軸が略水平面内にあるように光学系が配置さ
れている。
【０００５】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、被照射体３１は光軸に垂直な面内にて支持される
ように構成されている。
いて、被照射体３１は光軸に垂直な面内にて支持される
ように構成されている。
【０００６】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、光学系はレーザ光源１１と照明光学系１４Ａ、１
４Ｂと投影光学系又は縮小光学系１６とを有する。
いて、光学系はレーザ光源１１と照明光学系１４Ａ、１
４Ｂと投影光学系又は縮小光学系１６とを有する。
【０００７】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎｍの
紫外線レーザを発生する。
いて、レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎｍの
紫外線レーザを発生する。
【０００８】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、レーザ光源１１は連続発振型レーザである。
いて、レーザ光源１１は連続発振型レーザである。
【０００９】
【作用】レーザ光束１２の光軸がベース４１に平行な面
（即ち水平面）上にあるように各機器が配置されている
から、装置の高さが低くなり、装置の重心がより低くな
る。
（即ち水平面）上にあるように各機器が配置されている
から、装置の高さが低くなり、装置の重心がより低くな
る。
【００１０】
【実施例】以下に図１を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明によるレーザ露光描画装置の
外観を示す。
て説明する。図１は本発明によるレーザ露光描画装置の
外観を示す。
【００１１】本例のレーザ露光描画装置はレーザ光源１
１と第１の偏向素子即ちミラー１３Ａと第１の照明光学
系１４Ａと第２の偏向素子即ちミラー１３Ｂと第２の照
明光学系１４Ｂとレクチル１５と投影光学系又は縮小光
学系１６とウエハ３１を移動可能に支持するウエハステ
ージ３２とウエハステージ３２を支持する支持台３４と
ウエハステージ３２の移動量を検出する測長器即ちレー
ザ干渉系３３とを有し、これらの機器はベース４１上に
配置されている。
１と第１の偏向素子即ちミラー１３Ａと第１の照明光学
系１４Ａと第２の偏向素子即ちミラー１３Ｂと第２の照
明光学系１４Ｂとレクチル１５と投影光学系又は縮小光
学系１６とウエハ３１を移動可能に支持するウエハステ
ージ３２とウエハステージ３２を支持する支持台３４と
ウエハステージ３２の移動量を検出する測長器即ちレー
ザ干渉系３３とを有し、これらの機器はベース４１上に
配置されている。
【００１２】ウエハステージ３２はウエハ３１をＸ軸方
向に移動させるためのＸウエハステージ３２Ｘとウエハ
３１をＹ軸方向に移動させるためのＹウエハステージ３
２Ｙとを有し、測長器３３はＸウエハステージ３２Ｘの
Ｘ軸方向の移動量を検出するためのＸ測長器３３ＸとＹ
ウエハステージ３２ＹのＹ軸方向の移動量を検出するた
めのＹ測長器３３Ｙとを有する。
向に移動させるためのＸウエハステージ３２Ｘとウエハ
３１をＹ軸方向に移動させるためのＹウエハステージ３
２Ｙとを有し、測長器３３はＸウエハステージ３２Ｘの
Ｘ軸方向の移動量を検出するためのＸ測長器３３ＸとＹ
ウエハステージ３２ＹのＹ軸方向の移動量を検出するた
めのＹ測長器３３Ｙとを有する。
【００１３】レーザ光源１１は、任意のレーザであって
よいが、好ましくは波長λ＝１００〜３００ｎｍの紫外
線レーザが使用される。
よいが、好ましくは波長λ＝１００〜３００ｎｍの紫外
線レーザが使用される。
【００１４】レーザ光源１１は任意の形式のものであっ
てよいが、好ましくは連続発振型が使用される。しかし
ながら、より好ましくは、ＹＡＧレーザの第２高調波
（波長λ＝２６６ｎｍ）が使用される。
てよいが、好ましくは連続発振型が使用される。しかし
ながら、より好ましくは、ＹＡＧレーザの第２高調波
（波長λ＝２６６ｎｍ）が使用される。
【００１５】レーザ光源１１より発生したレーザ光束１
２は２つの偏向素子１３Ａ、１３Ｂと２つの照明光学系
１４Ａ、１４Ｂを経由して導かれる。レーザ光束１２
は、斯かる２つの照明光学系１４Ａ、１４Ｂを経由する
ことによってレーザエネルギ強度分布が均一になるよう
に成形される。斯かるレーザ光束１２はレクチル１５及
び投影光学系１６を経由してウエハ３１上に導かれる。
レーザ光束１２は、斯かる投影光学系１６を経由するこ
とによってその球面収差及び非点収差が補正される。
２は２つの偏向素子１３Ａ、１３Ｂと２つの照明光学系
１４Ａ、１４Ｂを経由して導かれる。レーザ光束１２
は、斯かる２つの照明光学系１４Ａ、１４Ｂを経由する
ことによってレーザエネルギ強度分布が均一になるよう
に成形される。斯かるレーザ光束１２はレクチル１５及
び投影光学系１６を経由してウエハ３１上に導かれる。
レーザ光束１２は、斯かる投影光学系１６を経由するこ
とによってその球面収差及び非点収差が補正される。
【００１６】投影光学系１６によって形成されたレクチ
ルの焦点像がウエハ３１の被照射面上にあるように、ウ
エハ３１は投影光学系１６に対して配置される。
ルの焦点像がウエハ３１の被照射面上にあるように、ウ
エハ３１は投影光学系１６に対して配置される。
【００１７】ウエハ３１の表面に所定の露光描画パター
ンを形成する場合には、ウエハステージ３２を使用して
光軸に直交する方向のウエハ３１の相対的位置が変化さ
れる。レーザ光束１２の光軸に直交する方向のウエハ３
１の位置の検出は測長器即ちレーザ干渉系３３によって
なされ、こうして、レクチルの焦点像はウエハ３１の被
照射面の所定位置に照射される。
ンを形成する場合には、ウエハステージ３２を使用して
光軸に直交する方向のウエハ３１の相対的位置が変化さ
れる。レーザ光束１２の光軸に直交する方向のウエハ３
１の位置の検出は測長器即ちレーザ干渉系３３によって
なされ、こうして、レクチルの焦点像はウエハ３１の被
照射面の所定位置に照射される。
【００１８】本例によると、図示のように、各機器はレ
ーザ光束１２の光軸がベース４１に平行な平面上にある
ように、配列されている。即ち、ベース４１を水平に配
置するとレーザ光束１２の光軸は水平面内にあるよう
に、レーザ露光描画装置の各機器は配置されている。
ーザ光束１２の光軸がベース４１に平行な平面上にある
ように、配列されている。即ち、ベース４１を水平に配
置するとレーザ光束１２の光軸は水平面内にあるよう
に、レーザ露光描画装置の各機器は配置されている。
【００１９】ウエハ３１はウエハステージ３２上にて光
軸に垂直な面即ち鉛直面に沿って配置されている。ウエ
ハステージ３２を作動することによって、ウエハ３１は
光軸に垂直な平面即ち鉛直面に沿って移動される。
軸に垂直な面即ち鉛直面に沿って配置されている。ウエ
ハステージ３２を作動することによって、ウエハ３１は
光軸に垂直な平面即ち鉛直面に沿って移動される。
【００２０】こうして、本例のレーザ露光描画装置は縦
に低い構成となり、その重心位置はより低い。従って、
振動等の外乱の影響を少なくすることができる。
に低い構成となり、その重心位置はより低い。従って、
振動等の外乱の影響を少なくすることができる。
【００２１】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００２２】
【発明の効果】本発明によると、装置の重心位置が低い
ため、振動等の外乱の影響が少なく、より正確な加工精
度を維持することができる利点がある。
ため、振動等の外乱の影響が少なく、より正確な加工精
度を維持することができる利点がある。
【００２３】本発明によると、装置の重心位置が低いた
め、各機器が経年変化等による歪みを生ずることがな
く、常に高い加工精度を維持することができる利点があ
る。
め、各機器が経年変化等による歪みを生ずることがな
く、常に高い加工精度を維持することができる利点があ
る。
【図１】本発明によるレーザ露光描画装置の例を示す図
である。
である。
１１ 光源 １２ レーザ光束 １３Ａ、１３Ｂ 偏向素子又はミラー １４Ａ、１４Ｂ 照明光学系 １５ レクチル １６ 投影光学系又は縮小光学系 ３１ ウエハ ３２ ウエハステージ ３２Ｘ Ｘウエハステージ ３２Ｙ Ｙウエハステージ ３３ 測長器又はレーザ干渉系 ３３Ｘ Ｘ測長器又はレーザ干渉系 ３３Ｙ Ｙ測長器又はレーザ干渉系 ３４ 支持台 ４１ ベース
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 田中 宏明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光束を走査させて被照射体の表面に
露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置におい
て、上記レーザ光束の光軸が略水平面内にあるように光
学系が配置されていることを特徴とするレーザ露光描画
装置。 - 【請求項２】請求項１記載のレーザ露光描画装置におい
て、上記被照射体は上記光軸に垂直な面内にて支持され
るように構成されていることを特徴とするレーザ露光描
画装置。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のレーザ露光描画装置
において、上記光学系はレーザ光源と照明光学系と投影
光学系又は縮小光学系とを有することを特徴とするレー
ザ露光描画装置。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載のレーザ露光描画
装置において、上記レーザ光源は波長λ＝１００〜３０
０ｎｍの紫外線レーザを発生することを特徴とするレー
ザ露光描画装置。 - 【請求項５】請求項１、２、３又は４記載のレーザ露光
描画装置において、上記レーザ光源は連続発振型レーザ
であることを特徴とするレーザ露光描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289504A JPH07136784A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289504A JPH07136784A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07136784A true JPH07136784A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17744130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5289504A Pending JPH07136784A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07136784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655882B2 (en) | 1996-01-05 | 2010-02-02 | Lazare Kaplan International, Inc. | Microinscribed gemstone |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP5289504A patent/JPH07136784A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655882B2 (en) | 1996-01-05 | 2010-02-02 | Lazare Kaplan International, Inc. | Microinscribed gemstone |
| US7915564B2 (en) | 1996-01-05 | 2011-03-29 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
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