JPH0713945B2 - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPH0713945B2 JPH0713945B2 JP60070254A JP7025485A JPH0713945B2 JP H0713945 B2 JPH0713945 B2 JP H0713945B2 JP 60070254 A JP60070254 A JP 60070254A JP 7025485 A JP7025485 A JP 7025485A JP H0713945 B2 JPH0713945 B2 JP H0713945B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2909—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3418—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、所望の半導体結晶層を得ることができる気相
成長方法に関するものである。
成長方法に関するものである。
従来の技術 半導体装置を製作する上で必要な半導体結晶の成長技術
として、結晶成長用ガスのある種の反応を利用した気相
成長方がある。たとえばモノシラン（SiH4）を用いたシ
リコン（Si）の気相成長法や、金属の塩化物などを原料
に用いるハライド気相成長法，金属の水素化物を原料に
用いるハイドライド気相成長法、および有機金属（アル
キル化物）を用いた有機金属気相成長法（Metal−Organ
ic Chemical Vapor Deposition、略してMOCVD法）など
がある。これらの気相成長法では、基板を一定の温度に
まで加熱し、基板表面上で結晶成長用ガスを反応させ
て、基板表面上に所望の結晶を成長させる。例えばMOCV
D法によりInP基板上にInGaAsPを成長する場合を第４図
に示すガス系統概略図で説明する。反応炉２にInP基板
１を載置し、マスフロー３で流量制御された水素ガスを
メインガスライン４で供給し、反応炉２内を水素置換
し、かつロータリーポンプ９で減圧にする。その後基板
１の温度を上げ、200℃以上になると、InP基板表面のサ
ーマルダメージを防ぐため、ホスフィン（PH3）13をマ
スフロー11で流量制御しながら反応炉２へ供給する。基
板１が成長温度に達したとき、ホスフィン以外の結晶成
長用ガスであるアルシン（AsH3）17,トリエチルインジ
ウム（TEI）22,トリエチルガリウム（TEG）23をそれぞ
れマスフロー16,20,21,で流量制御しながら供給する。
として、結晶成長用ガスのある種の反応を利用した気相
成長方がある。たとえばモノシラン（SiH4）を用いたシ
リコン（Si）の気相成長法や、金属の塩化物などを原料
に用いるハライド気相成長法，金属の水素化物を原料に
用いるハイドライド気相成長法、および有機金属（アル
キル化物）を用いた有機金属気相成長法（Metal−Organ
ic Chemical Vapor Deposition、略してMOCVD法）など
がある。これらの気相成長法では、基板を一定の温度に
まで加熱し、基板表面上で結晶成長用ガスを反応させ
て、基板表面上に所望の結晶を成長させる。例えばMOCV
D法によりInP基板上にInGaAsPを成長する場合を第４図
に示すガス系統概略図で説明する。反応炉２にInP基板
１を載置し、マスフロー３で流量制御された水素ガスを
メインガスライン４で供給し、反応炉２内を水素置換
し、かつロータリーポンプ９で減圧にする。その後基板
１の温度を上げ、200℃以上になると、InP基板表面のサ
ーマルダメージを防ぐため、ホスフィン（PH3）13をマ
スフロー11で流量制御しながら反応炉２へ供給する。基
板１が成長温度に達したとき、ホスフィン以外の結晶成
長用ガスであるアルシン（AsH3）17,トリエチルインジ
ウム（TEI）22,トリエチルガリウム（TEG）23をそれぞ
れマスフロー16,20,21,で流量制御しながら供給する。
TEI22,TEG23は、揮発性の液体であるためキャリアガス
である水素をそれぞれの容器に流し、蒸気の形で供給す
る。それぞれの結晶成長用ガスは基板表面上で熱分解反
応をおこし、InGaAsPが成長する。
である水素をそれぞれの容器に流し、蒸気の形で供給す
る。それぞれの結晶成長用ガスは基板表面上で熱分解反
応をおこし、InGaAsPが成長する。
このような気相成長法では、それぞれの結晶成長用ガス
の流量により、成長した結晶の組成，成長速度が変わる
ので、精密に制御しなくてはならない。また、反応炉内
の圧力も結晶性、成長速度に大きく影響するため、正確
に制御する必要がある。
の流量により、成長した結晶の組成，成長速度が変わる
ので、精密に制御しなくてはならない。また、反応炉内
の圧力も結晶性、成長速度に大きく影響するため、正確
に制御する必要がある。
発明が解決しようとする問題点 ところが、従来の気相成長方法では、結晶成長用ガスを
供給し、結晶成長を始める以前に、反応炉内の圧力やガ
スの流量，流れ方，基板温度等を結晶成長に対し最適の
条件で設定しておいた。これは、成長開始後では遅すぎ
るためである。このため成長を始めるとき等、結晶成長
用ガスを反応炉に供給を始めた際、反応炉内を流れるガ
スの流量が増え、反応炉内の圧力が増すことになる。し
たがって、これまで供給していた他のガスの流量も変化
をうけてしまう。更に反応炉のガスの流れ方も影響を受
ける。故に、結晶成長に対し最適に設定しておいた条件
が変わってしまうことになった。そこで結晶成長用ガス
を供給してから最適になるように条件を設定しておくこ
とも考えられるが、それを予測することは難かしく、ま
た、結晶成長用ガスを供給し始めてから、ガスの流れ方
や流量、圧力が最適条件になるまでの過渡期が生じてし
まう。更に、組成の異なる結晶を連続成長する場合、結
晶成長用ガスの流量がそれぞれ異なるため、この方法を
とることは困難であった。
供給し、結晶成長を始める以前に、反応炉内の圧力やガ
スの流量，流れ方，基板温度等を結晶成長に対し最適の
条件で設定しておいた。これは、成長開始後では遅すぎ
るためである。このため成長を始めるとき等、結晶成長
用ガスを反応炉に供給を始めた際、反応炉内を流れるガ
スの流量が増え、反応炉内の圧力が増すことになる。し
たがって、これまで供給していた他のガスの流量も変化
をうけてしまう。更に反応炉のガスの流れ方も影響を受
ける。故に、結晶成長に対し最適に設定しておいた条件
が変わってしまうことになった。そこで結晶成長用ガス
を供給してから最適になるように条件を設定しておくこ
とも考えられるが、それを予測することは難かしく、ま
た、結晶成長用ガスを供給し始めてから、ガスの流れ方
や流量、圧力が最適条件になるまでの過渡期が生じてし
まう。更に、組成の異なる結晶を連続成長する場合、結
晶成長用ガスの流量がそれぞれ異なるため、この方法を
とることは困難であった。
本発明はかかる点を鑑みてなされたもので、簡易な方法
で、結晶成長用ガスを供給したり、供給を止めたりして
も、反応炉内のガスの流れ方や流量，圧力に変動を与え
ない気相成長方法を提供することを目的としている。
で、結晶成長用ガスを供給したり、供給を止めたりして
も、反応炉内のガスの流れ方や流量，圧力に変動を与え
ない気相成長方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、結晶成長
用ガスを反応炉に供給し、反応させ、前記反応炉に載置
された基板上に結晶を成長させる気相成長方法におい
て、第１のガスの前記反応炉への供給量を変化させる
時、前記反応炉内を流れるガスの全流量が変化しないよ
うに第２のガスの前記反応炉への供給量を変化させるこ
とである。
用ガスを反応炉に供給し、反応させ、前記反応炉に載置
された基板上に結晶を成長させる気相成長方法におい
て、第１のガスの前記反応炉への供給量を変化させる
時、前記反応炉内を流れるガスの全流量が変化しないよ
うに第２のガスの前記反応炉への供給量を変化させるこ
とである。
作用 この技術的手段による作用は次のとおりである。すなわ
ち、第１のガスの反応炉への供給量を変化させても、そ
の変化量の分だけ、第２のガスの反応炉への供給量を増
減することによって、反応炉内を流れるガスの全流量を
変化させないため、反応炉内のガスの流れ方や、他のガ
スの反応炉への供給量や、反応炉内の圧力に変動を与え
ずに済む。
ち、第１のガスの反応炉への供給量を変化させても、そ
の変化量の分だけ、第２のガスの反応炉への供給量を増
減することによって、反応炉内を流れるガスの全流量を
変化させないため、反応炉内のガスの流れ方や、他のガ
スの反応炉への供給量や、反応炉内の圧力に変動を与え
ずに済む。
実施例 以下、本発明の一実施例として、InP基板上にMOCVD方で
InGaAsPを結晶成長する場合について第１図〜第３図と
ともに説明する。IN,Ga,As,Pの結晶成長用ガスとして
は、それぞれトリエチルインジウネム（TEI），トリエ
チルガリウム（TEG），アルシン（AsH3），ホスフィン
（PH3）が用いられる。有機金属であるTEI,TEGは蒸気圧
の高い液体であるため、キャリアガス（水素ガス）を通
すことによって、蒸気の形で供給することになる。成長
に用いたMOCVD装置のガス系統概略図を第１図に示す。
成長方法は次の通りである。
InGaAsPを結晶成長する場合について第１図〜第３図と
ともに説明する。IN,Ga,As,Pの結晶成長用ガスとして
は、それぞれトリエチルインジウネム（TEI），トリエ
チルガリウム（TEG），アルシン（AsH3），ホスフィン
（PH3）が用いられる。有機金属であるTEI,TEGは蒸気圧
の高い液体であるため、キャリアガス（水素ガス）を通
すことによって、蒸気の形で供給することになる。成長
に用いたMOCVD装置のガス系統概略図を第１図に示す。
成長方法は次の通りである。
まず、InP基板１を反応炉２に載置したあと、マスフロ
ー３で4l/minに流量制御した水素ガスをメインガスライ
ン４で供給し、反応炉２内を水素ガス置換する。更に、
マスフロー５で１/minに流量制御した水素ガス101をI
II族元素供給ライン６から反応炉２に供給、またマスフ
ロー７で１/minに流量制御した水素ガス102をＶ族元
素供給ライン８から反応炉２に供給する。したがって反
応炉２内を流れるガスの全流量は6l/minである。
ー３で4l/minに流量制御した水素ガスをメインガスライ
ン４で供給し、反応炉２内を水素ガス置換する。更に、
マスフロー５で１/minに流量制御した水素ガス101をI
II族元素供給ライン６から反応炉２に供給、またマスフ
ロー７で１/minに流量制御した水素ガス102をＶ族元
素供給ライン８から反応炉２に供給する。したがって反
応炉２内を流れるガスの全流量は6l/minである。
次にロータリーポンプ９で反応炉２内を150Torrに減圧
にし、高周波加熱方式で基板１を加熱する。10は高周波
用コイルである。基板温度が200℃ぐらいになると、InP
基板１の表面のサーマルダメージを防ぐため、あらかじ
め水素ガスで５％に希釈され、マスフロー11で200C.C./
minに流量制御して、直接排気系12へ流していたPH213を
バルブ14を閉めバルブ15を開けることによりＶ族元素供
給ライン８を通して反応炉２へ供給する。この時、同時
にＶ族元素供給ライン８で供給していた水素ガス102をP
H3の供給量200C.C./min分、マスフロー７を調節して減
らし、800C.C./minに変えて供給する。したがってＶ族
元素供給ライン８から反応炉２へ供給されるガスは、水
素ガス102とPH313とであり、合計流量はPH3を流す前と
同じく１/minである。ゆえに反応炉２内のガスの流れ
方、流量、圧力に変動を与えない。
にし、高周波加熱方式で基板１を加熱する。10は高周波
用コイルである。基板温度が200℃ぐらいになると、InP
基板１の表面のサーマルダメージを防ぐため、あらかじ
め水素ガスで５％に希釈され、マスフロー11で200C.C./
minに流量制御して、直接排気系12へ流していたPH213を
バルブ14を閉めバルブ15を開けることによりＶ族元素供
給ライン８を通して反応炉２へ供給する。この時、同時
にＶ族元素供給ライン８で供給していた水素ガス102をP
H3の供給量200C.C./min分、マスフロー７を調節して減
らし、800C.C./minに変えて供給する。したがってＶ族
元素供給ライン８から反応炉２へ供給されるガスは、水
素ガス102とPH313とであり、合計流量はPH3を流す前と
同じく１/minである。ゆえに反応炉２内のガスの流れ
方、流量、圧力に変動を与えない。
基板温度が成長温度に達すると、あらかじめ水素ガスで
５％に希釈され、マスフロー16で100C.C./minに流量制
御して直接、排気系12へ流していたAsH317をバルブ18を
閉めバルブ19を開けることにより、Ｖ族供給ライン８を
通して供給する。また、マスフロー20および21でそれぞ
れ350C.C./min,140C.C./minにあらかじめ流量制御され
た水素ガスを、それぞれTEI22,TEG23,の中を通してその
蒸気を含ませて直線排気系12へ流していたガスを、バル
ブ24を閉め、バルブ25を開けてIII族元素供給ライン６
を通して供給する。それと同時にマスフロー７を調節し
てAsH3の供給量100C.C./min分減らし、700C.C./minとし
て水素ガス102をＶ族元素供給ライン８に流す。一方、
同様にしてマスフロー５を調節して、TEIおよびTEGの供
給量490C.C./min分減らし510C.C./minとして水素ガス10
1をIII族元素供給ライン６に流す。したがってＶ族元素
供給ライン８から反応炉２に供給されるガスは、水素70
0C.C./min,AsH3100C.C./min,PH3200C.C./minで合計１
/minであり、変化していない。一方、III族元素供給ラ
イン６から反応炉２に供給されるガスは、TEI,350C.C./
min,TEG140C.C./min,水素510C.C./minであり、合計１
/minで変化していない。したがって反応炉２内を流れる
ガスの流れ方，全流量，圧力に変動は与えない。以上の
ようにして結晶成長用ガスを供給してInGaAsP成長を行
なう。
５％に希釈され、マスフロー16で100C.C./minに流量制
御して直接、排気系12へ流していたAsH317をバルブ18を
閉めバルブ19を開けることにより、Ｖ族供給ライン８を
通して供給する。また、マスフロー20および21でそれぞ
れ350C.C./min,140C.C./minにあらかじめ流量制御され
た水素ガスを、それぞれTEI22,TEG23,の中を通してその
蒸気を含ませて直線排気系12へ流していたガスを、バル
ブ24を閉め、バルブ25を開けてIII族元素供給ライン６
を通して供給する。それと同時にマスフロー７を調節し
てAsH3の供給量100C.C./min分減らし、700C.C./minとし
て水素ガス102をＶ族元素供給ライン８に流す。一方、
同様にしてマスフロー５を調節して、TEIおよびTEGの供
給量490C.C./min分減らし510C.C./minとして水素ガス10
1をIII族元素供給ライン６に流す。したがってＶ族元素
供給ライン８から反応炉２に供給されるガスは、水素70
0C.C./min,AsH3100C.C./min,PH3200C.C./minで合計１
/minであり、変化していない。一方、III族元素供給ラ
イン６から反応炉２に供給されるガスは、TEI,350C.C./
min,TEG140C.C./min,水素510C.C./minであり、合計１
/minで変化していない。したがって反応炉２内を流れる
ガスの流れ方，全流量，圧力に変動は与えない。以上の
ようにして結晶成長用ガスを供給してInGaAsP成長を行
なう。
成長後、TEI,TEG,AsH3の供給を止める時、III族元素供
給ライン6,V族元素供給ライン８に流す水素ガス101,102
をそれぞれ490C.C./min,100C.C./min増やして反応炉２
への全供給量を変えないようにする。その後、基板を冷
却し、200℃以下でPH3を止める。この時も同時に、Ｖ族
元素供給ライン８への水素ガスを200C.C./min増加させ
て、全供給量を変化させないようにする。以上で成長プ
ロセスを終わる。なお、反応炉２へガスを供給するガス
ライン（メインガスライン4,III族元素供給ライン6,V族
元素供給ライン８）の流れるガスとその流量の変動を次
表に示す。
給ライン6,V族元素供給ライン８に流す水素ガス101,102
をそれぞれ490C.C./min,100C.C./min増やして反応炉２
への全供給量を変えないようにする。その後、基板を冷
却し、200℃以下でPH3を止める。この時も同時に、Ｖ族
元素供給ライン８への水素ガスを200C.C./min増加させ
て、全供給量を変化させないようにする。以上で成長プ
ロセスを終わる。なお、反応炉２へガスを供給するガス
ライン（メインガスライン4,III族元素供給ライン6,V族
元素供給ライン８）の流れるガスとその流量の変動を次
表に示す。
以上の実施例では、TEI22,TEG23,PH313,AsH317が結晶成
長用ガスであり、第１のガスである。そして水素ガス10
1,102が第２のガスである。
長用ガスであり、第１のガスである。そして水素ガス10
1,102が第２のガスである。
このように各ガスを操作することによって、反応炉内の
ガスの流れ方、全流量、圧力は最初に成長に対し最適に
設定したまま変動することなく、成長を行なうことがで
きる。
ガスの流れ方、全流量、圧力は最初に成長に対し最適に
設定したまま変動することなく、成長を行なうことがで
きる。
なお、この実施例では結晶成長用ガスの変化に対し、水
素ガスの流量を制御するマスフローを調節することによ
って、反応炉内への供給量が変動しないようにしたが、
他の方法でもかまわない。例えば、第２図に示すよう
に、マスフロー30を水素ガスを流量制御するマスフロー
５と並列に設け、結晶成長用ガスの供給量と同量に設定
して水素ガス201を流しておく。結晶成長用ガスを反応
炉２へ供給する時、マスフロー30で流しておいた水素ガ
ス201の供給を止めることにより、供給ライン６から反
応炉２へ供給するガスの流量を変化させないで結晶成長
用ガス202を反応炉２へ供給することができる。また、
結晶成長用ガス202の供給を止める時には、再びマスフ
ロー30を流れる水素ガス201を供給すれば良い。
素ガスの流量を制御するマスフローを調節することによ
って、反応炉内への供給量が変動しないようにしたが、
他の方法でもかまわない。例えば、第２図に示すよう
に、マスフロー30を水素ガスを流量制御するマスフロー
５と並列に設け、結晶成長用ガスの供給量と同量に設定
して水素ガス201を流しておく。結晶成長用ガスを反応
炉２へ供給する時、マスフロー30で流しておいた水素ガ
ス201の供給を止めることにより、供給ライン６から反
応炉２へ供給するガスの流量を変化させないで結晶成長
用ガス202を反応炉２へ供給することができる。また、
結晶成長用ガス202の供給を止める時には、再びマスフ
ロー30を流れる水素ガス201を供給すれば良い。
更に他の方法として、第３図のように、水素ガスを流量
制御するマスフロー５とその水素ガス301と結晶成長用
ガス302との合流部40との間に、直接排気系へ流れるガ
スライン41とバルブ42、マスフロー43を設け、結晶成長
用ガス301を供給する時、結晶成長用ガス301の供給量と
同量の水素ガス303をマスフロー43で流量制御しながら
ガスライン41を通して排気系へ直接流すことにより、反
応炉２へのガス供給量は変化しないようにする。
制御するマスフロー５とその水素ガス301と結晶成長用
ガス302との合流部40との間に、直接排気系へ流れるガ
スライン41とバルブ42、マスフロー43を設け、結晶成長
用ガス301を供給する時、結晶成長用ガス301の供給量と
同量の水素ガス303をマスフロー43で流量制御しながら
ガスライン41を通して排気系へ直接流すことにより、反
応炉２へのガス供給量は変化しないようにする。
要するに、本発明結晶成長用ガスを反応炉に供給すると
き、反応炉への供給するガスの全流量が変化しないよう
に、水素ガスで補償すればよいわけで、その方法、手段
はとわない。また、これまでの説明で第２のガスを水素
ガスで説明したが、他のガス、例えば窒素ガスでも良
い。更に、第１のガスが結晶成長用ガスで説明したが、
他のガス、例えば、窒素ガス置換工程を含む場合の窒素
ガス，気相エッチング工程を含む場合のエッチングガス
でも良い。
き、反応炉への供給するガスの全流量が変化しないよう
に、水素ガスで補償すればよいわけで、その方法、手段
はとわない。また、これまでの説明で第２のガスを水素
ガスで説明したが、他のガス、例えば窒素ガスでも良
い。更に、第１のガスが結晶成長用ガスで説明したが、
他のガス、例えば、窒素ガス置換工程を含む場合の窒素
ガス，気相エッチング工程を含む場合のエッチングガス
でも良い。
また、減圧成長で説明を行ったが、炉内の圧力は減圧、
常圧を問わない。ただ反応炉の圧力が低ければ低いほど
本発明の効果は大きい。
常圧を問わない。ただ反応炉の圧力が低ければ低いほど
本発明の効果は大きい。
更に、結晶組成の異なる結晶を連続成長行うときにも、
各々の結晶成長用ガスについて、前述と同様の操作を行
えば、反応炉内のガスの流れ方、全流量、圧力に変動を
与えないで、連続成長が可能である。
各々の結晶成長用ガスについて、前述と同様の操作を行
えば、反応炉内のガスの流れ方、全流量、圧力に変動を
与えないで、連続成長が可能である。
発明の効果 以上のように本発明によれば、反応炉内のガスの流れ
方、全流量、圧力を最初に結晶成長に最適な条件に設定
しておけば、その後変動させることなく結晶成長が行え
る。したがって、反応炉内のガスの流れ方や全流量、圧
力の変動から生じる成長層の結晶性の悪さ、組成のバラ
ツキ、基板面内の不均一性を防ぐことができる。
方、全流量、圧力を最初に結晶成長に最適な条件に設定
しておけば、その後変動させることなく結晶成長が行え
る。したがって、反応炉内のガスの流れ方や全流量、圧
力の変動から生じる成長層の結晶性の悪さ、組成のバラ
ツキ、基板面内の不均一性を防ぐことができる。
第１図は本発明の一実施例における気相成長方法を説明
するためのMOCVD装置のガス系統の概略図、第２図は本
発明の他の実施例方法を説明するためのガス系統の部分
的概略図、第３図は本発明のさらに他の実施例方法を説
明するためのガス系統の部分的概略図、第４図は従来の
気相成長方法を説明するためのガス系統の概略図であ
る。 １……基板、２……反応炉、13,17,22,23……第１のガ
ス（結晶成長用ガス）、101,102……第２のガス。
するためのMOCVD装置のガス系統の概略図、第２図は本
発明の他の実施例方法を説明するためのガス系統の部分
的概略図、第３図は本発明のさらに他の実施例方法を説
明するためのガス系統の部分的概略図、第４図は従来の
気相成長方法を説明するためのガス系統の概略図であ
る。 １……基板、２……反応炉、13,17,22,23……第１のガ
ス（結晶成長用ガス）、101,102……第２のガス。
Claims (3)
- 【請求項１】結晶成長用ガスを反応炉に供給し、反応さ
せ、前記反応炉内に載置された基板上に結晶を成長させ
る気相成長方法であって、 ３族元素ガス供給ラインとは別の、３族元素ガス流量制
御用ガスラインから前記反応炉に、流量がＸ（cc/min）
に制御された流量制御用ガスを供給する工程と、 前記３族元素ガス流量制御用ガスラインに接続された、
第１の３族元素ガス供給ラインと第２の３族元素ガス供
給ラインとから、それぞれ第１の３族元素ガスを含むガ
スをA1（cc/min）、第２の３族元素ガスを含むガスをA2
（cc/min）前記反応炉に供給するのと同時に、前記３族
元素ガス流量制御用ガスラインの前記流量制御用ガスの
流量が、Ｘ（cc/min）からA1＋A2（cc/min）分少なくさ
れる工程と、 を有することを特徴とする気相成長方法。 - 【請求項２】５族元素ガス供給ラインとは別の、５族元
素ガス流量制御用ガスラインから前記反応炉に、流量が
Ｙ（cc/min）に制御された流量制御用ガスを供給する工
程と、 前記５族元素ガス流量制御用ガスラインに接続された、
第１の５族元素ガス供給ラインと第２の５族元素ガス供
給ラインとから、それぞれ第１の５族元素ガスを含むガ
スをB1（cc/min）、第２の５族元素ガスを含むガスをB2
（cc/min）前記反応炉に供給するのと同時に、前記５族
元素ガス流量制御用ガスラインの前記流量制御用ガスの
流量が、Ｙ（cc/min）からB1＋B2（cc/min）分少なくさ
れる工程と、 を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の気相成長方法。 - 【請求項３】基板上に結晶を成長させる際、反応炉内が
減圧であることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070254A JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070254A JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106575A Division JPH07153705A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61229321A JPS61229321A (ja) | 1986-10-13 |
| JPH0713945B2 true JPH0713945B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13426235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070254A Expired - Lifetime JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713945B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH078758B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1995-02-01 | 古河電気工業株式会社 | 気相エピタキシャル成長装置の排気方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS5959877A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長方法 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP60070254A patent/JPH0713945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61229321A (ja) | 1986-10-13 |
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