JPH07142418A - 半導体製造装置の縦型炉 - Google Patents
半導体製造装置の縦型炉Info
- Publication number
- JPH07142418A JPH07142418A JP30727293A JP30727293A JPH07142418A JP H07142418 A JPH07142418 A JP H07142418A JP 30727293 A JP30727293 A JP 30727293A JP 30727293 A JP30727293 A JP 30727293A JP H07142418 A JPH07142418 A JP H07142418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- flange
- furnace
- boat
- seal ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体製造装置の縦型炉に於いて、被処理物に
対する金属汚染を防止し、縦型炉の耐久性の向上を図
る。 【構成】ボートエレベータに設けられる炉口蓋４５にボ
ートキャップ４４を載設し、ボートキャップのフランジ
を反応管フランジの下面に当接可能とし、炉口蓋の周縁
に沿って土手部を設けると共に該土手部の上面にシール
リング４８を設け、ボートキャップのフランジ上面に前
記シールリングと同心に他のシールリング５０を設け、
反応管フランジに前記シールリング及び他のシールリン
グとの間に開口する連通孔を穿設し、反応管固定リング
に前記連通孔５９に連通する吸入ポート５８を設け、吸
入ポートを介して吸引可能とし、反応管内部に露出する
面は全て石英面となり、金属汚染が防止されると共に、
反応管フランジ５２のシールは２重シールとなり、更に
シールリング間を吸引することでシール性能が向上す
る。
対する金属汚染を防止し、縦型炉の耐久性の向上を図
る。 【構成】ボートエレベータに設けられる炉口蓋４５にボ
ートキャップ４４を載設し、ボートキャップのフランジ
を反応管フランジの下面に当接可能とし、炉口蓋の周縁
に沿って土手部を設けると共に該土手部の上面にシール
リング４８を設け、ボートキャップのフランジ上面に前
記シールリングと同心に他のシールリング５０を設け、
反応管フランジに前記シールリング及び他のシールリン
グとの間に開口する連通孔を穿設し、反応管固定リング
に前記連通孔５９に連通する吸入ポート５８を設け、吸
入ポートを介して吸引可能とし、反応管内部に露出する
面は全て石英面となり、金属汚染が防止されると共に、
反応管フランジ５２のシールは２重シールとなり、更に
シールリング間を吸引することでシール性能が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程の前処
理工程に属する拡散、化学気相成長を行なう為の半導体
製造装置の縦型炉、特に高温縦型炉の炉口部に関するも
のである。
理工程に属する拡散、化学気相成長を行なう為の半導体
製造装置の縦型炉、特に高温縦型炉の炉口部に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の前処理工程の１つに拡
散、化学気相成長工程があり、斯かる前処理工程を行な
う装置として縦型炉があり、縦型炉の中で特に被処理物
を高温に加熱して処理する縦型拡散炉、アニール炉等の
高温縦型炉がある。
散、化学気相成長工程があり、斯かる前処理工程を行な
う装置として縦型炉があり、縦型炉の中で特に被処理物
を高温に加熱して処理する縦型拡散炉、アニール炉等の
高温縦型炉がある。
【０００３】高温縦型炉は、イオン注入装置による被処
理物の損傷、劣化の回復や、リン拡散膜のリフロー、水
素アニール等の処理を行なう。
理物の損傷、劣化の回復や、リン拡散膜のリフロー、水
素アニール等の処理を行なう。
【０００４】図３により高温縦型炉を具備した縦型半導
体製造装置の概略を説明する。
体製造装置の概略を説明する。
【０００５】筐体１内部の上方に高温縦型炉２が設けら
れ、該高温縦型炉２の下方にボートエレベータ３が設け
られている。該ボートエレベータ３の昇降スライダ４に
は前記高温縦型炉２の一部をなす炉口下部５が設けら
れ、該炉口下部５には石英製のボートキャップ３２を介
して石英製のボート６が載置される。該ボート６には被
処理物であるウェーハ７が水平姿勢で多段に挿入され保
持されている。
れ、該高温縦型炉２の下方にボートエレベータ３が設け
られている。該ボートエレベータ３の昇降スライダ４に
は前記高温縦型炉２の一部をなす炉口下部５が設けら
れ、該炉口下部５には石英製のボートキャップ３２を介
して石英製のボート６が載置される。該ボート６には被
処理物であるウェーハ７が水平姿勢で多段に挿入され保
持されている。
【０００６】前記ボートエレベータ３の側方にウェーハ
移載機８が設けられ、該ウェーハ移載機８の更に側方に
遮熱シャッタ９を介在してカセット棚１０が設けられて
いる。
移載機８が設けられ、該ウェーハ移載機８の更に側方に
遮熱シャッタ９を介在してカセット棚１０が設けられて
いる。
【０００７】該カセット棚１０はウェーハカセット１１
を所要数収納し、ウェーハ７の半導体製造装置への搬
入、搬出はウェーハカセット１１に装填した状態で行わ
れる。
を所要数収納し、ウェーハ７の半導体製造装置への搬
入、搬出はウェーハカセット１１に装填した状態で行わ
れる。
【０００８】前記ボートエレベータ３はウェーハ７が挿
入されたボート６を前記高温縦型炉２に装入し、又ボー
ト６を装入することで前記炉口下部５が高温縦型炉２の
炉口部を閉塞する。高温縦型炉２内でウェーハ７に所要
の処理がなされ、処理が完了すると前記ボートエレベー
タ３によりボート６が引出される。
入されたボート６を前記高温縦型炉２に装入し、又ボー
ト６を装入することで前記炉口下部５が高温縦型炉２の
炉口部を閉塞する。高温縦型炉２内でウェーハ７に所要
の処理がなされ、処理が完了すると前記ボートエレベー
タ３によりボート６が引出される。
【０００９】ボート６引出し直後は、ボート６、ウェー
ハ７は高温となっており、前記遮熱シャッタ９は前記カ
セット棚１０のウェーハ７への熱影響を防止する。又、
前記ウェーハ移載機８は未処理ウェーハをカセット棚１
０からボート６へ移載し、処理ウェーハをボート６から
カセット棚１０へ移載する。
ハ７は高温となっており、前記遮熱シャッタ９は前記カ
セット棚１０のウェーハ７への熱影響を防止する。又、
前記ウェーハ移載機８は未処理ウェーハをカセット棚１
０からボート６へ移載し、処理ウェーハをボート６から
カセット棚１０へ移載する。
【００１０】次に、従来の高温縦型炉の炉口部について
図４により説明する。
図４により説明する。
【００１１】高温縦型炉２はヒートユニット１２、石英
製の均熱管１３、石英製の反応管１４が同心多重に配設
されている。
製の均熱管１３、石英製の反応管１４が同心多重に配設
されている。
【００１２】前記ヒートユニット１２は炉体ベース１５
に立設され、前記均熱管１３はリング座１６を介して前
記炉体ベース１５に固着されている。前記反応管１４の
下端にはフランジ１７が形成され、該フランジ１７はフ
ランジ押え１８と金属製の炉口アダプタ１９によって挾
持され、該炉口アダプタ１９は図示しない保持手段によ
り前記炉体ベース１５側に固定されている。
に立設され、前記均熱管１３はリング座１６を介して前
記炉体ベース１５に固着されている。前記反応管１４の
下端にはフランジ１７が形成され、該フランジ１７はフ
ランジ押え１８と金属製の炉口アダプタ１９によって挾
持され、該炉口アダプタ１９は図示しない保持手段によ
り前記炉体ベース１５側に固定されている。
【００１３】前記フランジ押え１８の上面にはシール２
０が設けられ、該シール２０は前記リング座１６に気密
に当接している。又、前記炉口アダプタ１９の上端、下
端にはそれぞれフランジ２１、フランジ２２が形成さ
れ、該フランジ２１が前記フランジ１７に当接し、又該
フランジ１７と前記フランジ２２との間にはＯリング２
３、Ｏリング２４が同心に挾設されている。
０が設けられ、該シール２０は前記リング座１６に気密
に当接している。又、前記炉口アダプタ１９の上端、下
端にはそれぞれフランジ２１、フランジ２２が形成さ
れ、該フランジ２１が前記フランジ１７に当接し、又該
フランジ１７と前記フランジ２２との間にはＯリング２
３、Ｏリング２４が同心に挾設されている。
【００１４】前記フランジ２２には炉口蓋２５が当接
し、該炉口蓋２５の上面に２重のＯリング２６、Ｏリン
グ２７が埋設され、前記炉口蓋２５が前記フランジ２２
に当接することで前記反応管１４内を気密に閉塞する様
になっている。
し、該炉口蓋２５の上面に２重のＯリング２６、Ｏリン
グ２７が埋設され、前記炉口蓋２５が前記フランジ２２
に当接することで前記反応管１４内を気密に閉塞する様
になっている。
【００１５】前記フランジ２１と前記フランジ２２との
間に掛渡って排気管３３が設けられ、該排気管３３の上
端は前記Ｏリング２３とＯリング２４間の間隙に連通
し、前記排気管３３の下端はＯリング２６とＯリング２
７の間隙に連通し、更に排気管３３の途中には排気ポー
ト３４が設けられ、該排気ポート３４は図示しない給気
ポンプに接続されている。
間に掛渡って排気管３３が設けられ、該排気管３３の上
端は前記Ｏリング２３とＯリング２４間の間隙に連通
し、前記排気管３３の下端はＯリング２６とＯリング２
７の間隙に連通し、更に排気管３３の途中には排気ポー
ト３４が設けられ、該排気ポート３４は図示しない給気
ポンプに接続されている。
【００１６】又、前記炉口蓋２５はスプリング２８を介
してボート受台２９に取付けられ、該ボート受台２９は
前記ボートエレベータ３の昇降スライダ４より延出する
図示しない昇降アームに固着されている。前記ボート受
台２９の中心には脚柱３０が立設され、該脚柱３０は前
記炉口蓋２５を貫通して上方に突出し、前記脚柱３０の
炉口蓋２５貫通箇所にはベローズ３１が設けられて気密
シールされている。前記脚柱３０には金属製のキャップ
受け３５を介して前記ボートキャップ３２が載置され、
更に該ボートキャップ３２上に前記ボート６が立設され
る。
してボート受台２９に取付けられ、該ボート受台２９は
前記ボートエレベータ３の昇降スライダ４より延出する
図示しない昇降アームに固着されている。前記ボート受
台２９の中心には脚柱３０が立設され、該脚柱３０は前
記炉口蓋２５を貫通して上方に突出し、前記脚柱３０の
炉口蓋２５貫通箇所にはベローズ３１が設けられて気密
シールされている。前記脚柱３０には金属製のキャップ
受け３５を介して前記ボートキャップ３２が載置され、
更に該ボートキャップ３２上に前記ボート６が立設され
る。
【００１７】前記ボートエレベータ３により昇降スライ
ダ４が昇降することで、ボート６の反応管１４への装
入、引出しが行われ、前記炉口蓋２５による炉口閉塞時
には前記スプリング２８の反発力により前記炉口蓋２５
と前記フランジ２２との密着力が得られる。
ダ４が昇降することで、ボート６の反応管１４への装
入、引出しが行われ、前記炉口蓋２５による炉口閉塞時
には前記スプリング２８の反発力により前記炉口蓋２５
と前記フランジ２２との密着力が得られる。
【００１８】ウェーハ７の水素アニール処理を行なう場
合は図示しない導入管より水素を反応管１４内に導入
し、前記ヒートユニット１２により反応管１４内を高温
に加熱し、前記ウェーハ７の処理を行なう。水素が炉口
部より漏出すると危険であるので、前記した様にフラン
ジ１７とフランジ２１との間がＯリング２３、Ｏリング
２４により２重にシールされていると共に前記フランジ
２２と炉口蓋２５との間にもＯリング２６、Ｏリング２
７が２重に設けられ、シールされている。
合は図示しない導入管より水素を反応管１４内に導入
し、前記ヒートユニット１２により反応管１４内を高温
に加熱し、前記ウェーハ７の処理を行なう。水素が炉口
部より漏出すると危険であるので、前記した様にフラン
ジ１７とフランジ２１との間がＯリング２３、Ｏリング
２４により２重にシールされていると共に前記フランジ
２２と炉口蓋２５との間にもＯリング２６、Ｏリング２
７が２重に設けられ、シールされている。
【００１９】更に前記排気ポート３４より排気管３３を
介してＯリング２３、Ｏリング２４間、Ｏリング２６、
Ｏリング２７間が吸引され、水素ガスが漏出しない様に
なっている。
介してＯリング２３、Ｏリング２４間、Ｏリング２６、
Ｏリング２７間が吸引され、水素ガスが漏出しない様に
なっている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来例の炉口
部構造では、金属製の炉口アダプタ１９、炉口蓋２５、
キャップ受け３５の内面が反応室内に露出する構造とな
っており、ウェーハの金属拡散、金属汚染の原因とな
り、又熱耐久性の点からも問題があり、処理温度を高く
できなかった。
部構造では、金属製の炉口アダプタ１９、炉口蓋２５、
キャップ受け３５の内面が反応室内に露出する構造とな
っており、ウェーハの金属拡散、金属汚染の原因とな
り、又熱耐久性の点からも問題があり、処理温度を高く
できなかった。
【００２１】本発明は斯かる実情に鑑み、金属汚染がな
く耐久性が低下することのない半導体製造装置の縦型炉
を提供しようとするものである。
く耐久性が低下することのない半導体製造装置の縦型炉
を提供しようとするものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管を反応
管フランジの周縁部に於いて支持し、ボートエレベータ
に設けられる炉口蓋にボートキャップを載設し、該ボー
トキャップのフランジを前記反応管フランジの下面に当
接可能としたことを特徴とし、或は反応管を反応管フラ
ンジの周縁部に於いてベースプレートに立設すると共に
該反応管フランジを反応管フランジの上面側から反応管
固定リングにより前記ベースプレートに固定し、昇降可
能な炉口蓋にボートキャップを載設し、該ボートキャッ
プのフランジを前記反応管フランジの下面に当接可能と
し、前記炉口蓋の周縁に沿って前記反応管の下面に当接
可能な土手部を設けると共に該土手部の上面にシールリ
ングを設け、前記ボートキャップのフランジ上面に前記
シールリングと同心に他のシールリングを設け、前記反
応管フランジに前記シールリング及び他のシールリング
との間に開口する連通孔を穿設し、前記反応管固定リン
グに前記連通孔に連通する吸入ポートを設け、該吸入ポ
ートを介して吸引可能としたことを特徴とするものであ
る。
管フランジの周縁部に於いて支持し、ボートエレベータ
に設けられる炉口蓋にボートキャップを載設し、該ボー
トキャップのフランジを前記反応管フランジの下面に当
接可能としたことを特徴とし、或は反応管を反応管フラ
ンジの周縁部に於いてベースプレートに立設すると共に
該反応管フランジを反応管フランジの上面側から反応管
固定リングにより前記ベースプレートに固定し、昇降可
能な炉口蓋にボートキャップを載設し、該ボートキャッ
プのフランジを前記反応管フランジの下面に当接可能と
し、前記炉口蓋の周縁に沿って前記反応管の下面に当接
可能な土手部を設けると共に該土手部の上面にシールリ
ングを設け、前記ボートキャップのフランジ上面に前記
シールリングと同心に他のシールリングを設け、前記反
応管フランジに前記シールリング及び他のシールリング
との間に開口する連通孔を穿設し、前記反応管固定リン
グに前記連通孔に連通する吸入ポートを設け、該吸入ポ
ートを介して吸引可能としたことを特徴とするものであ
る。
【００２３】
【作用】反応管内部に露出する面は全て石英面となり、
金属汚染が防止されると共に、反応管フランジのシール
は２重シールとなり、更にシールリング間を吸引するこ
とで、シール性能が向上する。
金属汚染が防止されると共に、反応管フランジのシール
は２重シールとなり、更にシールリング間を吸引するこ
とで、シール性能が向上する。
【００２４】
【実施例】以下、図１、図２を参照しつつ本発明の一実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００２５】炉体ベース４３に均熱管４１を立設し、該
均熱管４１内部に同心に反応管４２を設け、該反応管４
２内部にボートキャップ４４を介してボート（図示せ
ず）を収納させる。炉口蓋４５はボート受台４６を介し
てボートエレベータ（図示せず）に設けられ、前記炉口
蓋４５にはボートキャップ４４が載設される。又、前記
炉口蓋４５と前記ボートキャップ４４との間にはシール
６２が介設され、炉口蓋４５内部の前記シール６２の近
傍に冷却水路６３が冷却水ポート６４を介して冷却水源
に接続されている。
均熱管４１内部に同心に反応管４２を設け、該反応管４
２内部にボートキャップ４４を介してボート（図示せ
ず）を収納させる。炉口蓋４５はボート受台４６を介し
てボートエレベータ（図示せず）に設けられ、前記炉口
蓋４５にはボートキャップ４４が載設される。又、前記
炉口蓋４５と前記ボートキャップ４４との間にはシール
６２が介設され、炉口蓋４５内部の前記シール６２の近
傍に冷却水路６３が冷却水ポート６４を介して冷却水源
に接続されている。
【００２６】前記炉口蓋４５は円周に沿ってリング状の
土手部４７が形成された断面が偏平な凹字状をしてお
り、該土手部４７の上面にはシールリング４８が嵌設さ
れている。前記炉口蓋４５と同心に前記ボートキャップ
４４のフランジ４９が乗置し、該フランジ４９の周端は
２段の断差が形成され、上段にはシールリング５０が嵌
設される。
土手部４７が形成された断面が偏平な凹字状をしてお
り、該土手部４７の上面にはシールリング４８が嵌設さ
れている。前記炉口蓋４５と同心に前記ボートキャップ
４４のフランジ４９が乗置し、該フランジ４９の周端は
２段の断差が形成され、上段にはシールリング５０が嵌
設される。
【００２７】前記フランジ４９の下段に嵌合し、又フラ
ンジ４９と前記土手部４７との間に嵌合するフランジ押
えリング５１を設け、該フランジ押えリング５１により
ボートキャップ４４を炉口蓋４５に固定する。該フラン
ジ押えリング５１の内面上端縁は中心側に向かって傾斜
した庇状であり、該フランジ押えリング５１をフランジ
４９に嵌合した状態ではフランジ押えリング５１の上端
縁が前記シールリング５０を押込む様になっている。
又、前記フランジ押えリング５１の上面の該縁側に段差
が形成され、該段差は後述する反応管フランジ５２との
間でリング状のシール溝６０を形成する。
ンジ４９と前記土手部４７との間に嵌合するフランジ押
えリング５１を設け、該フランジ押えリング５１により
ボートキャップ４４を炉口蓋４５に固定する。該フラン
ジ押えリング５１の内面上端縁は中心側に向かって傾斜
した庇状であり、該フランジ押えリング５１をフランジ
４９に嵌合した状態ではフランジ押えリング５１の上端
縁が前記シールリング５０を押込む様になっている。
又、前記フランジ押えリング５１の上面の該縁側に段差
が形成され、該段差は後述する反応管フランジ５２との
間でリング状のシール溝６０を形成する。
【００２８】前記反応管４２の下端は前記炉体ベース４
３より更に下方に延出し、前記反応管４２の下端に設け
られた反応管フランジ５２をその周縁部に於いてベース
プレート５３に乗置する。前記反応管４２の前記均熱管
４１から突出する部分は断熱材５４により囲繞する。
３より更に下方に延出し、前記反応管４２の下端に設け
られた反応管フランジ５２をその周縁部に於いてベース
プレート５３に乗置する。前記反応管４２の前記均熱管
４１から突出する部分は断熱材５４により囲繞する。
【００２９】前記反応管フランジ５２は反応管固定リン
グ５５により前記ベースプレート５３に固定する。該反
応管固定リング５５の反応管フランジ押え部の内部には
冷却水路５６が２列設けられ、図示しない冷却水源と接
続されている。又、反応管固定リング５５の反応管固定
リング５５当接面の前記冷却水路５６と対向する位置に
前記吸入孔５７を挾みシール６１を介設する。
グ５５により前記ベースプレート５３に固定する。該反
応管固定リング５５の反応管フランジ押え部の内部には
冷却水路５６が２列設けられ、図示しない冷却水源と接
続されている。又、反応管固定リング５５の反応管固定
リング５５当接面の前記冷却水路５６と対向する位置に
前記吸入孔５７を挾みシール６１を介設する。
【００３０】前記冷却水路５６と冷却水路５６との間に
吸入孔５７が所要数穿設され、該吸入孔５７にはそれぞ
れ吸入ポート５８を設け、該吸入ポート５８を真空ポン
プ（図示せず）に接続する。又、前記反応管フランジ５
２の前記吸入孔５７に対峙する位置に連通孔５９を穿設
し、該連通孔５９は前記シール溝６０に連通する。
吸入孔５７が所要数穿設され、該吸入孔５７にはそれぞ
れ吸入ポート５８を設け、該吸入ポート５８を真空ポン
プ（図示せず）に接続する。又、前記反応管フランジ５
２の前記吸入孔５７に対峙する位置に連通孔５９を穿設
し、該連通孔５９は前記シール溝６０に連通する。
【００３１】尚、図中６５，６６は前記反応管フランジ
５２に過度の荷重が掛かるのを防止する為の耐熱ゴム、
耐熱樹脂等の弾性材である。
５２に過度の荷重が掛かるのを防止する為の耐熱ゴム、
耐熱樹脂等の弾性材である。
【００３２】以下、作用を説明する。
【００３３】図示しないボートエレベータにより前記炉
口蓋４５を昇降させることで、反応管４２内へのボート
（図示せず）の装入、引出しを行い得る。
口蓋４５を昇降させることで、反応管４２内へのボート
（図示せず）の装入、引出しを行い得る。
【００３４】反応管内へボートを完全に装入した状態で
は、前記ボートキャップ４４のフランジ４９及び前記土
手部４７が前記反応管フランジ５２に当接し、前記シー
ルリング４８、シールリング５０が前記反応管フランジ
５２に密着する。而して、前記シールリング４８、シー
ルリング５０、シール６２、更にシール６１により反応
管４２の内外がシールされる。又、前記吸入ポート５８
より真空引きすることにより連通孔５９、シール溝６
０、及び前記シールリング４８、シールリング５０、シ
ール６２、更にシール６１を境界とする領域が負圧とな
り、反応管４２内のガスが外部に漏出するのが防止さ
れ、更にシール性が向上する。
は、前記ボートキャップ４４のフランジ４９及び前記土
手部４７が前記反応管フランジ５２に当接し、前記シー
ルリング４８、シールリング５０が前記反応管フランジ
５２に密着する。而して、前記シールリング４８、シー
ルリング５０、シール６２、更にシール６１により反応
管４２の内外がシールされる。又、前記吸入ポート５８
より真空引きすることにより連通孔５９、シール溝６
０、及び前記シールリング４８、シールリング５０、シ
ール６２、更にシール６１を境界とする領域が負圧とな
り、反応管４２内のガスが外部に漏出するのが防止さ
れ、更にシール性が向上する。
【００３５】又、反応管４２内には金属面が露出しない
構造となっているので、金属汚染の虞れはなく、耐熱性
も向上する。
構造となっているので、金属汚染の虞れはなく、耐熱性
も向上する。
【００３６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉内に
露出する金属面がなくなるので、金属拡散、金属汚染が
防止され、耐熱性が向上し、又炉内ガス漏出に対する安
全性が向上し、更に炉口アダプタ等の機械加工部品を省
略でき、処理品質の向上、製品の歩留まり向上、装置の
製造コストの低減、装置の信頼性の向上等、種々の効果
を発揮する。
露出する金属面がなくなるので、金属拡散、金属汚染が
防止され、耐熱性が向上し、又炉内ガス漏出に対する安
全性が向上し、更に炉口アダプタ等の機械加工部品を省
略でき、処理品質の向上、製品の歩留まり向上、装置の
製造コストの低減、装置の信頼性の向上等、種々の効果
を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】同前実施例の要部を示す断面図である。
【図３】縦型炉を有する半導体製造装置の概略を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
４２ 反応管 ４４ ボートキャップ ４５ 炉口蓋 ４８ シールリング ４９ フランジ ５０ シールリング ５２ 反応管フランジ ５５ 反応管固定リング ５８ 吸入ポート ５９ 連通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 石英製反応管を反応管フランジの周縁部
に於いて支持し、ボートエレベータに設けられる炉口蓋
に石英製ボートキャップを載設し、該ボートキャップの
フランジを前記反応管フランジの下面に当接可能とした
ことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項２】 石英製反応管を反応管フランジの周縁部
に於いてベースプレートに立設すると共に該反応管フラ
ンジを反応管フランジの上面側から反応管固定リングに
より前記ベースプレートに固定し、昇降可能な炉口蓋に
石英製ボートキャップを載設し、該ボートキャップのフ
ランジを前記反応管フランジの下面に当接可能とし、前
記炉口蓋の周縁に沿って前記反応管の下面に当接可能な
土手部を設けると共に該土手部の上面にシールリングを
設け、前記ボートキャップのフランジ上面に前記シール
リングと同心に他のシールリングを設け、前記反応管フ
ランジに前記シールリング及び他のシールリングとの間
に開口する連通孔を穿設し、前記反応管固定リングに前
記連通孔に連通する吸入ポートを設け、該吸入ポートを
介して吸引可能としたことを特徴とする半導体製造装置
の縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30727293A JP3449636B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30727293A JP3449636B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142418A true JPH07142418A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3449636B2 JP3449636B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17967129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30727293A Expired - Lifetime JP3449636B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449636B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009265265A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | チャンバ装置及びこれを用いたアライメント貼合装置 |
| US8246749B2 (en) | 2005-07-26 | 2012-08-21 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| EP2916326A1 (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-09 | Comecer S.p.A. | A system to hermetically seal an access opening allowing access to a chamber suited to contain toxic and/or radioactive fluids |
| CN110747513A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-04 | 天津市维之丰科技有限公司 | 质子交换炉 |
| CN115573035A (zh) * | 2021-07-06 | 2023-01-06 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种碳化硅高温氧化炉装置 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP30727293A patent/JP3449636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8246749B2 (en) | 2005-07-26 | 2012-08-21 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| JP2009265265A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | チャンバ装置及びこれを用いたアライメント貼合装置 |
| EP2916326A1 (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-09 | Comecer S.p.A. | A system to hermetically seal an access opening allowing access to a chamber suited to contain toxic and/or radioactive fluids |
| CN110747513A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-04 | 天津市维之丰科技有限公司 | 质子交换炉 |
| CN115573035A (zh) * | 2021-07-06 | 2023-01-06 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种碳化硅高温氧化炉装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3449636B2 (ja) | 2003-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3982844B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
| KR100330130B1 (ko) | 열처리 방법 및 그 장치 | |
| JP3556804B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
| KR20010087350A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 전자 장치의 제조 방법 | |
| US5884917A (en) | Thermal processing apparatus | |
| GB2154793A (en) | Apparatus for holding and method of treating a semi-conductor wafer in a vacuum environment | |
| WO1999038206A1 (fr) | Procede et appareil de traitement de plaquettes | |
| JP2001291669A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JP3323797B2 (ja) | 疎水化処理装置 | |
| JP3644880B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| CN113053785B (zh) | 半导体加工设备 | |
| JPH07142418A (ja) | 半導体製造装置の縦型炉 | |
| JP2011040636A (ja) | ガスポート構造及び処理装置 | |
| JPH0758048A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4361668B2 (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| JPH076965A (ja) | 半導体製造装置の高温縦型炉 | |
| KR20030016188A (ko) | 처리 챔버 내의 밀봉부의 단열을 위한 장치 및 단열 방법 | |
| JP2009016532A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH03249936A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3055797B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP4483040B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4167280B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
| JP3785247B2 (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140711 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |