JPH07142689A

JPH07142689A - 固体撮像装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07142689A
Application number: JP5156455A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamashita; 浩史山下; Ryohei Miyagawa; 良平宮川; Michio Sasaki; 道夫佐々木; Shinji Osawa; 慎治大澤; Masayuki Matsunaga; 誠之松長; Ikuko Inoue; 郁子井上
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-06-28
Filing date: 1993-06-28
Publication date: 1995-06-02

Abstract

(57)【要約】【目的】Ａｌ配線形成時に受光領域上で発生するＳｉ
粒残渣を完全に除去することができ、画像欠陥のない積
層型固体撮像装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板１１に蓄積ダイオード，信号電
荷読出し部及び信号電荷転送部を形成し、かつ最上層に
蓄積ダイオードと電気的に接続された画素電極を形成し
た固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に
形成された光導電膜と、この光導電膜上に形成された透
明電極とを備えた光導電膜積層型固体撮像装置の製造方
法において、固体撮像素子チップの画素電極形成の前
に、シリコン酸化膜からなる平坦化層１８の上にシリコ
ン窒化膜２５を形成し、次いでシリコン窒化膜２５の上
に周辺配線領域のＡｌ配線形成のためにＡｌ膜２６を形
成し、これをパターニングしてＡｌ配線を形成し、次い
で受光領域のシリコン窒化膜２５を除去し、しかるのち
受光領域に画素電極を形成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に係わ
り、特に固体撮像素子チップ上に光導電膜を積層した光
導電膜積層型の固体撮像装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像素子チップ上に光導電膜を積層
した光導電膜積層型（２階建て構造）の固体撮像装置
は、受光部の開口率が高く素子の感度が高い、またスミ
ア偽信号が発生しない等の優れた特徴を持つ。そのため
特に、高精細な再生画像が要求されるカメラ用撮像素子
として最も期待されている。

【０００３】積層型固体撮像装置の製造上最も重要なこ
とのうちの一つとして、画素を規定する電極（画素電
極）形成直前の下地平坦化膜表面から、導電性のパーテ
ィクルを完全に除去する必要がある。この要請は、次の
ような事情からくる。即ち、隣接する画素電極間の距離
は約１μｍ程度であるが、画素電極間ギャップが位置す
る箇所の下地平坦化膜表面に導電性のパーティクルがあ
ると、隣接する画素電極間が電気的に導通してしまう。
そのため再生画面上で、この導通している複数画素があ
る箇所において、画像欠陥が発生するという不具合が生
じるのである。

【０００４】従来の積層型固体撮像装置の概略構成を図
６に示す。図６の（ａ）は全体構成を示す平面図、
（ｂ）は１画素構成を示す断面図である。図６（ｂ）に
おいて、６１はＳｉ基板、６２はＣＣＤの埋め込み転送
チャンネルを形成するｎ型領域、６３はｐ型の素子分離
領域、６４は信号電荷を蓄積するための蓄積ダイオード
を構成するｎ型領域、６５はＣＣＤ転送電極、６６は層
間絶縁膜、６７は引出し電極、６８は平坦化絶縁膜、６
９は画素電極、７１は光導電膜であるアモルファス・シ
リコン膜、７２は光導電膜に電界をかけるための透明電
極、７６は周辺Ａｌ配線、７７はパッシベーション膜と
してのシリコン窒化膜，７９は導電性パーティクルであ
る。

【０００５】図７にこの装置の製造工程、特に下地平坦
化膜形成以降の製造工程を示す。まず、図７（ａ）に示
すように、Ｓｉ基板６１にｐ型及びｎ型領域６２，６
３，６４を形成し、さらに基板６１上に転送電極６５，
層間絶縁膜６６及び引出し電極６７を形成した後、ボロ
ン・リン・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）等の絶縁膜
６８を成膜し、高温のメルト工程でそれを平坦化する。

【０００６】次いで、図７（ｂ）に示すように、コンタ
クト孔を形成した後にＡｌ膜７６を成膜する。次いで、
図７（ｃ）に示すように、通常のホトリソグラフィ工程
によりホトレジストに配線パターンを形成し、Ａｌ膜７
６をＲＩＥ等の異方性エッチングによりエッチングす
る。その際、後工程で画素電極が形成される受光領域に
Ｓｉ粒７９が多数発生する。これは、Ａｌ配線と基板間
の接合特性を向上させるためにＡｌ膜中に配合されてい
るＳｉが、Ａｌ膜エッチング工程中に析出し、径０．５
μｍから数μｍ程度の粒になるためである。

【０００７】前記図６（ａ）に素子の平面構成を示した
ように、固体撮像装置は入力信号である入射光を受ける
受光領域Ａと、素子を駆動するための配線が配置されて
いる周辺配線領域Ｂに分れている。特に積層型固体撮像
素子では、素子全体の７０％程にもなる受光領域上のＡ
ｌ膜を全て除去する必要があるため、より一層Ｓｉ粒が
残りやすくなるのである。そのため積層型固体撮像素子
では、Ａｌエッチング時に発生するＳｉ粒残渣により画
像欠陥が多数発生するという問題が生じる。

【０００８】次に、積層型固体撮像装置の製造工程で重
要な問題は、素子の保護膜であるパッシベーション膜を
形成することが困難であることである。これは、次のよ
うな事情による。

【０００９】図７（ｄ）〜（ｇ）は図７（ｃ）以降の製
造工程を示したものである。Ａｌ膜７６による配線を終
えた後に、Ａｌ配線と光導電膜との絶縁性を確保するた
めにＡｌ膜７６と光導電膜との層間絶縁膜として、図７
（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤによりシリコン窒
化膜７７を形成する。次いで、図７（ｅ）に示すよう
に、受光領域のシリコン窒化膜７７を除去した後、画素
電極６９を形成する。次いで、図７（ｆ）に示すよう
に、光導電膜であるａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）
膜７１を堆積し、その上部に光導電膜に電界を印加する
ための透明電極７２を形成する。透明電極７２は通常Ｉ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を用い、その厚さは素子の
分光感度特性から決まり、４０ｎｍ程度の厚さである。

【００１０】その後、図７（ｇ）に示すように、ホトリ
ソグラフィ工程によりＩＴＯ膜７２をエッチングし、さ
らにａ−Ｓｉ膜７１をＣＤＥ（Chemical Dry Etching）
によりエッチングし、光電変換部を形成する。このとき
問題になるのは、ａ−Ｓｉ膜７１のＣＤＥ工程によりＡ
ｌ配線のパッシベーション膜であるシリコン窒化膜７７
がａ−Ｓｉ膜７１と共にエッチングされてしまうことで
ある。それは、ＣＤＥによるａ−Ｓｉ膜７１のエッチン
グ速度とシリコン窒化膜７７のエッチング速度がほぼ同
じであり、エッチング選択性が全く無いことにより起こ
る。特にａ−Ｓｉ膜７１は素子特性上その厚さが２．０
μｍ程度もあるため、必然的にエッチング時間が長くな
り、シリコン窒化膜７７の消失を防ぐことは困難であ
る。

【００１１】また、パッシベーション膜としてａ−Ｓｉ
膜に対してエッチング選択性のある材料を選ぶことは、
次の理由により困難である。例えばＣＶＤによるＰＳＧ
膜をパッシベーション膜として用いると、受光領域上の
パッシベーション膜をエッチングする時に、下層膜であ
るＢＰＳＧ膜とのエッチング速度とＰＳＧのエッチング
速度がほぼ同じであるため、これらのエッチング選択性
が殆ど無く、下地平坦化膜であるＢＰＳＧ膜がエッチン
グされてしまうという問題が生じる。平坦化膜６８にエ
ッチングにより凹凸が形成されると、感度むらや暗時む
らが増加し画像特性が劣化する。

【００１２】以上のような事情により、素子の最終工程
である光電変換部の形成が終了すると、Ａｌ配線の保護
膜であるシリコン窒化膜が除去されてしまい、Ａｌ配線
がむき出しの状態になってしまうのである。本来素子の
パッシベーション膜は素子の最終工程で形成すべきもの
であるが、積層型固体撮像素子の場合は素子最上層の透
明電極の厚さが約４０ｎｍと極めて薄いこと、またａ−
Ｓｉ膜の特性上高温でのパッシベーション膜形成ができ
ないことにより、最終工程での形成ができないのであ
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の積
層型固体撮像装置においては、Ａｌ配線形成時に受光領
域上に発生するＳｉ残渣が画像欠陥の原因になるという
問題があった。また、Ａｌ配線上に形成したシリコン窒
化膜からなるパッシベーション膜が光導電膜であるａ−
Ｓｉ膜のエッチングにより消失し、素子形成工程終了後
にＡｌ配線がむき出しになり素子の信頼性が低下すると
いう問題があった。

【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、Ａｌ配線形成時に受光
領域上で発生するＳｉ粒残渣を完全に除去することがで
き、画像欠陥のない積層型固体撮像装置を提供すること
にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、半導体基板に信号電荷蓄積部，信号電荷読み出し
部及び信号電荷転送部を形成し、かつ最上層に信号電荷
蓄積部と電気的に接続された画素電極を形成した固体撮
像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に形成され
た光導電膜と、この光導電膜上に形成された透明電極と
を備えた光導電膜積層型の固体撮像装置において、固体
撮像素子チップの受光領域を除く周辺配線領域で、画素
電極の下層のシリコン酸化膜からなる平坦化層の上にシ
リコン酸化膜以外のバッファ絶縁膜が形成され、このバ
ッファ絶縁膜上にＡｌ配線層が形成されてなることを特
徴とする。

【００１６】また本発明は、上記構成の固体撮像装置の
製造方法において、固体撮像素子チップの画素電極形成
の前に、シリコン酸化膜からなる平坦化層の上にシリコ
ン酸化膜以外のバッファ絶縁膜を形成し、次いでバッフ
ァ絶縁膜の上に周辺配線領域のＡｌ配線形成のためにＡ
ｌ膜を形成し、このＡｌ膜をパターニングしてＡｌ配線
を形成し、次いで受光領域のバッファ絶縁膜を除去した
のち、受光領域に画素電極を形成するようにした方法で
ある。

【００１７】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) バッファ絶縁膜はシリコン窒化膜であること。 (2) Ａｌ配線の上に、シリコン酸化膜をパッシベーショ
ン膜として設けること。 (3) Ａｌ配線の上に、ＣＶＤによるＰＳＧをパッシベー
ション膜として設けること。 (4) Ａｌ膜のパターニングによりＡｌ配線を形成した後
にＰＳＧ等のパッシベーション膜を形成し、このパッシ
ベーション膜の不要部分を除去した後に、受光領域のバ
ッファ絶縁膜を除去すること。

【００１８】

【作用】本発明によれば、平坦化層の上にバッファ絶縁
膜を形成していることから、Ａｌのエッチングに起因す
る受光領域上のＳｉ残渣はバッファ絶縁膜の上に形成さ
れ、このバッファ絶縁膜をエッチングするときに同時に
除去される。さらに、シリコン酸化膜からなる平坦化層
とシリコン酸化膜以外からなるバッファ絶縁膜とはエッ
チング選択比が大きく取れることから、バッファ絶縁膜
をエッチングする際に平坦化層がエッチングされる等の
不都合もない。従って、画素電極形成前にはＳｉ残渣が
残らず、画像欠陥の原因となる画素電極間の導通は起こ
らない。

【００１９】また、パッシベーション膜として設けたプ
ラズマＣＶＤによるＰＳＧ膜を画素領域上でエッチング
する際には、シリコン窒化膜がその下層にある。シリコ
ン窒化膜とプラズマＣＶＤによりＰＳＧ膜は十分にエッ
チング選択性があるため、下地平坦化膜であるＢＰＳＧ
等のシリコン酸化膜がエッチングされてしまうという問
題が生ずることも無く、Ａｌ配線のパッシベーション膜
を形成することができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。（実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係わる光導
電膜積層型固体撮像装置の概略構成を示す断面図であ
る。図１において、１１はｐ型のシリコン基板であり、
この基板１１の表面層にはＣＣＤ埋め込み転送チャンネ
ルを形成するｎ型層１２，ｐ型の素子分離領域１３，信
号を蓄積するための蓄積ダイオードを構成するｎ型領域
１４が形成されている。

【００２１】基板１１の上には、ゲート絶縁膜を介して
ＣＣＤ転送電極１５が形成され、その上には層間絶縁膜
１６が堆積されている。ここで、転送電極１５の一部は
ｎ型領域１４まで延長されており、この部分で信号電荷
読出しゲートが形成されている。層間絶縁膜１６の一部
にはンタクトホールが形成され、層間絶縁膜１６の上に
ｎ型層１４と接するように引出し電極１７が形成されて
いる。さらに、これらの上にはＢＰＳＧからなる平坦化
膜１８が堆積されている。平坦化膜１８の一部にはコン
タクトホールが形成され、平坦化膜１８上に引出し電極
１７と接するように画素電極１９が形成されている。

【００２２】また、周辺領域において、平坦化膜１８上
にはバッファ絶縁膜としてのシリコン窒化膜２５が形成
されている。平坦化膜１８及び層間絶縁膜１６を貫通し
てコンタクトホールが形成され、シリコン窒化膜２５上
にＡｌ配線２６が形成されている。さらに、Ａｌ配線２
６を覆うようにパッシベーション膜であるＰＳＧ膜２７
が形成されている。

【００２３】そして、これらを形成した固体撮像素子チ
ップ上には光導電膜であるａ−Ｓｉ膜２１が堆積され、
その上には透明電極であるところのＩＴＯ膜２２が形成
されている。

【００２４】次に、本実施例の固体撮像装置の製造方法
を図２，図３を参照して説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、ｐ型シリコン基板１１にイオン注入等によ
りｎ型のＣＣＤ埋め込み転送チャネル１２，ｐ型の素子
分離領域１３、及びｎ型の蓄積ダイオード１４を形成す
る。その後、基板１１上にゲート絶縁膜を介して多結晶
シリコンからなるＣＣＤ転送電極１５を形成する。そし
て、層間絶縁膜１６を形成した後に画素電極と蓄積ダイ
オード１４を接続するための引出し電極１７を形成す
る。続いて、ＢＰＳＧからなる平坦化膜１８を形成す
る。

【００２５】次いで、図２（ｂ）に示すように、全面に
シリコン窒化膜２５を堆積する。次いで、図２（ｃ）に
示すように、絶縁膜２５，１８，１６にコンタクト孔を
形成した後にＡｌ膜２６を堆積し、それをホトリソグラ
フィ等により選択的にエッチングする。その際、Ａｌが
全て除去される受光領域上にはＳｉ粒の残渣２９が発生
する。

【００２６】次いで、図２（ｄ）に示すように、Ａｌ膜
２６の上層にパッシベーション膜としてのＰＳＧ膜２７
を堆積し、受光領域上のＰＳＧ膜２７をＮＨ₄ Ｆ等のエ
ッチング液でエッチングする。その際、シリコン窒化膜
２５はＮＨ₄ Ｆ液ではエッチングされないため、シリコ
ン窒化膜２５の下層にあるＢＰＳＧ膜１８は、このエッ
チング工程では保護される。

【００２７】次いで、図３（ａ）に示すように、受光領
域上のシリコン窒化膜２５をエッチングする。この際、
シリコン窒化膜２５上のＳｉ残渣２９はシリコン窒化膜
２５と共に除去されるため、受光領域の平坦化膜１８上
にはＳｉ残渣２９は全く残らない。

【００２８】次いで、図３（ｂ）に示すように、受光領
域上に画素電極１９を形成した後にａ−Ｓｉ膜２１を堆
積し、その上層に透明電極となるＩＴＯ膜２２を堆積す
る。続いて、図３（ｃ）に示すように、ホトリソグラフ
ィ等の手段により受光領域以外の透明電極２２をエッチ
ングし、続いてａ−Ｓｉ膜２１をＣＤＥ（Chemical Dry
Etching）によりエッチングする。その際、ＰＳＧ膜２
７はＣＤＥではエッチングされないためＰＳＧ膜２７は
残り、Ａｌ配線２６のパッシベーション膜となる。

【００２９】このように本実施例では、Ａｌのエッチン
グ時に受光領域上に発生するＳｉ残渣２９は、Ａｌの下
層に形成されたシリコン窒化膜２５の上に残るため、受
光領域上のシリコン窒化膜２５をエッチングする工程に
より除去される。このため、受光領域上にはＳｉ残渣２
９は残らない。また、Ａｌ配線２６上には、受光領域の
ＢＰＳＧからなる平坦化膜１８を損なうことなく、パッ
シベーション膜としてＰＳＧ膜２７を形成することがで
きる。従って、Ｓｉ残渣に起因する画像欠陥をなくすこ
とができ、しかもＡｌ配線のむき出しをなくして信頼性
の向上をはかることができる。

【００３０】なお、この実施例ではＡｌ配線２６の下層
に設ける膜としてシリコン窒化膜２５を用いたが、ＰＳ
ＧやＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜系の膜に対して十分な
エッチング選択性を持つ膜であれば、その他の膜を用い
てもよい。また、この実施例ではＡｌ配線２６のパッシ
ベーション膜としてＰＳＧ膜を用いたが、ＣＤＥに対し
て十分にエッチング速度が遅い膜であれば、それを用い
てもよい。（実施例２）図４は第２の実施例に係わる固体撮像装置
を示すもので、（ａ）は受光領域構成を示す断面図、
（ｂ）は周辺配線領域構成を示す断面図である。基本的
な構成は図１の装置と同様であり、図４の４１〜５７は
図１の１１〜２７に対応している。

【００３１】本実施例の特徴とするところは引出し電極
４７上の平坦化膜４８上にバッファ絶縁膜５５及びＡｌ
等の配線５６を形成し、図４（ａ）に示すように受光領
域上では配線５６及び配線５６の残留物及びバッファ絶
縁膜５５を除去し、また図４（ｂ）に示すように周辺配
線領域上では配線５６をパターニングした後、配線５６
と同一のマスクでバッファ絶縁膜５５を除去している。

【００３２】平坦化膜４８にはシリコン酸化膜を用い、
バッファ絶縁膜５５としては平坦化膜４８とエッチング
選択性のあるリン濃度の高いシリコン酸化膜を用いた。
このバッファ絶縁膜５５上にはＡｌ等の配線材料５６が
スパッタされている。そして、図４（ｂ）に示したよう
に配線５６を所望のマスクを使ってパターニングし、絶
縁膜５５も同一のマスクを使ってパターニングを行う。
図４（ａ）に示したように受光領域では絶縁膜５５がエ
ッチングされると同時に配線材料中に含まれている例え
ばシリコン，銅などの残留物もオーバーハングされ除去
される。

【００３３】この工程により、従来の製造工程で問題に
なっていた残留物は完全に除去することができるため、
残留物が原因で発生する画像欠陥を低減することが可能
となった。また、残留物を除去する際、絶縁膜５５に凹
凸が発生し、暗時むら及び感度むらの原因となることが
あるが、絶縁膜５５も除去されるため、むら及び欠陥の
ない良好な画像を得ることができる。

【００３４】本実施例では、絶縁膜５５のみのエッチン
グを行い残留物を除去しているが、残留物を除去するた
めのエッチングを絶縁膜５５のエッチング工程前に行う
ことも可能である。

【００３５】このように本実施例によれば、配線の残留
物を除去することが可能となった。しかも、素子領域内
の残留物の除去或いは配線上の絶縁膜を除去する際に、
配線下の絶縁膜がダメージを受け凹凸になることがある
が、このダメージを受けた絶縁膜も除去してしまうた
め、画素電極を均一で平坦な良好な絶縁膜の上に形成で
きるようになった。これにより、これらが原因で発生す
る暗時むら，感度むら及び画像欠陥を低減が可能とな
り、良好な画像を得ることができるようになる。（実施例３）図５は第３の実施例に係わる固体撮像装置
を示すもので、（ａ）は受光領域を示す断面図、（ｂ）
は周辺配線領域を示す断面図である。なお、図４と同一
部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。

【００３６】図５（ａ）（ｂ）では、配線５６をパター
ニングした後、配線５６上に透明度の高い絶縁膜５８、
例えばオプティカル・シリコン・ナイトライドを積層す
る。次いで、所望のマスクを用いて受光領域の絶縁膜５
８を除去する。さらに、前記マスクと同一マスクを使っ
て受光領域上の配線の残留物を絶縁膜５５と選択性のあ
るエッチング方法例えばＣＤＥ法を用いて除去する。次
いで、絶縁膜５５を前記マスクと同一マスクを使って受
光領域上の絶縁膜５５を絶縁膜４８と選択性のあるエッ
チング方法で除去する。

【００３７】この工程により、従来の製造工程で問題に
なっていた残留物は完全に除去することができるため、
残留物が原因で発生する画像欠陥を低減することが可能
となった。また、絶縁膜５８及び残留膜を除去する際、
絶縁膜５５に凹凸が発生し、暗時むら及び感度むらの原
因となることがあるが、絶縁膜５５も除去されるため、
むら及び欠陥のない良好な画像を得ることができる。

【００３８】本実施例では絶縁膜５８と残留物を同時に
除去することもできる。また、絶縁膜５５を除去する際
に残留物もオーバーハングされるので、残留物を除去す
る工程を省略することもできる。これらの実施例にあっ
ても、前述した実施例と同様の効果を得ることができ
る。

【００３９】また、図４（ａ）の絶縁膜４８を形成する
際に、平坦化してからこの絶縁膜４８の表面をエッチン
グするが、このエッチング工程を省略し、配線の残留物
を除去してから絶縁膜４８の表面をエッチングすること
も可能である。この工程により、前記と同じ効果を得る
ことができる。また、絶縁膜４８の表面をエッチングす
る工程は配線のパターニング後に行い、オーバーハング
により配線の残留物を除去する方法や絶縁膜５７をパタ
ーニングした後に絶縁膜４８の表面をエッチングするこ
とも可能である。これらの工程により、前記と同様の効
果を得ることができる。なお、本発明は上述した各実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、固
体撮像素子チップの受光領域を除く周辺配線領域におい
て、画素電極の下層のシリコン酸化膜からなる平坦化層
の上にシリコン酸化膜以外のバッファ絶縁膜を形成し、
このバッファ絶縁膜上にＡｌ配線層を形成することによ
り、Ａｌ配線形成時に受光領域上で発生するＳｉ粒残渣
を完全に除去することができ、画像欠陥のない積層型固
体撮像装置を実現することが可能となる。また、Ａｌ配
線上に保護膜を確実に形成することができるため、信頼
性の高い固体撮像装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係わる積層型固体撮像装置の概
略構成を示す断面図。

【図２】第１の実施例における固体撮像装置の製造工程
の前半を示す断面図。

【図３】第１の実施例における固体撮像装置の製造工程
の後半を示す断面図。

【図４】第２の実施例に係わる固体撮像装置の受光領域
及び配線領域を示す断面図。

【図５】第３の実施例に係わる固体撮像装置の受光領域
及び配線領域を示す断面図。

【図６】従来の積層型固体撮像装置の概略構成を示す断
面図。

【図７】従来の積層型固体撮像装置の製造工程を示す断
面図。

【符号の説明】

１１…ｐ型シリコン基板１２…ｎ型ＣＣＤ埋込み転送チャネル１３…ｐ型素子分離領域１４…ｎ型蓄積ダイオード１５…ＣＣＤ転送電極１６…層間絶縁膜１７…引出し電極１８…ＢＰＳＧ膜（平坦化膜）１９…画素電極２１…ａ−Ｓｉ膜（光導電膜）２２…ＩＴＯ膜（透明電極）２５…シリコン窒化膜（バッファ絶縁膜）２６…Ａｌ膜（Ａｌ配線）２７…ＰＳＧ膜（パッシベーション膜）２９…Ｓｉ残渣

フロントページの続き (72)発明者大澤慎治神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者松長誠之神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者井上郁子神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板に信号電荷蓄積部，信号電荷読
み出し部及び信号電荷転送部を形成し、かつ最上層に信
号電荷蓄積部と電気的に接続された画素電極を形成した
固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に形
成された光導電膜と、この光導電膜上に形成された透明
電極とを備えた光導電膜積層型の固体撮像装置におい
て、前記固体撮像素子チップの受光領域を除く周辺配線領域
で、前記画素電極の下層のシリコン酸化膜からなる平坦
化層の上にシリコン酸化膜以外のバッファ絶縁膜が形成
され、このバッファ絶縁膜上にＡｌ配線層が形成されて
なることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】半導体基板に信号電荷蓄積部，信号電荷読
み出し部及び信号電荷転送部を形成し、かつ最上層に信
号電荷蓄積部と電気的に接続された画素電極を形成した
固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に形
成された光導電膜と、この光導電膜上に形成された透明
電極とを備えた光導電膜積層型の固体撮像装置の製造方
法において、前記固体撮像素子チップの画素電極形成の前に、シリコ
ン酸化膜からなる平坦化層の上にシリコン酸化膜以外の
バッファ絶縁膜を形成する工程と、バッファ絶縁膜の上
に周辺配線領域のＡｌ配線形成のためにＡｌ膜を形成
し、このＡｌ膜をパターニングしてＡｌ配線を形成する
工程と、受光領域のバッファ絶縁膜を除去したのち、受
光領域に画素電極を形成する工程とを含むことを特徴と
する固体撮像装置の製造方法。