JPH07147446A - 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 - Google Patents
光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路Info
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- JPH07147446A JPH07147446A JP5295274A JP29527493A JPH07147446A JP H07147446 A JPH07147446 A JP H07147446A JP 5295274 A JP5295274 A JP 5295274A JP 29527493 A JP29527493 A JP 29527493A JP H07147446 A JPH07147446 A JP H07147446A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光出力のレベルを一定に保持するために、バ
イアス電流とパルス電流をコントロールし、かつ、バイ
アス電流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイ
バーモジュールのＬＤ駆動回路を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子１Ａの光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子１Ａの光出力を検出する受光素子１Ｂと、
半導体レーザ素子１Ａにパルス電流Ｉｐを供給するパル
ス電流変調回路９と、パルス電流変調回路のパルス電流
値をコントロールするパルス電流制御回路１０と、受光
素子１Ｂの検出出力を検出するパワーモニター回路４
と、半導体レーザ素子１Ａを発光するバイアス電流Ｉｂ
をコントロールするバイアス電流制御回路７を有して、
半導体レーザ素子１Ａのバイアス電流値Ｉｂを２点以上
変化させる。
イアス電流とパルス電流をコントロールし、かつ、バイ
アス電流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイ
バーモジュールのＬＤ駆動回路を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子１Ａの光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子１Ａの光出力を検出する受光素子１Ｂと、
半導体レーザ素子１Ａにパルス電流Ｉｐを供給するパル
ス電流変調回路９と、パルス電流変調回路のパルス電流
値をコントロールするパルス電流制御回路１０と、受光
素子１Ｂの検出出力を検出するパワーモニター回路４
と、半導体レーザ素子１Ａを発光するバイアス電流Ｉｂ
をコントロールするバイアス電流制御回路７を有して、
半導体レーザ素子１Ａのバイアス電流値Ｉｂを２点以上
変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバー通信など
の分野で利用される光ファイバーモジュールの半導体レ
ーザ駆動回路に関する。
の分野で利用される光ファイバーモジュールの半導体レ
ーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子の電流−光出力特性は
図８に示すように、閾値流値Ｉｔｈ以下で半導体レーザ
素子は発光しない。このために、従来の半導体レーザ駆
動回路では通常、半導体レーザ素子に閾値電流値Ｉｔｈ
付近の値まで直流バイアス電流Ｉｂを流し、この直流バ
イアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパルス電流Ｉｐを流
すことにより、半導体レーザ素子を発光させるようにし
ている。
図８に示すように、閾値流値Ｉｔｈ以下で半導体レーザ
素子は発光しない。このために、従来の半導体レーザ駆
動回路では通常、半導体レーザ素子に閾値電流値Ｉｔｈ
付近の値まで直流バイアス電流Ｉｂを流し、この直流バ
イアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパルス電流Ｉｐを流
すことにより、半導体レーザ素子を発光させるようにし
ている。
【０００３】さらに、半導体レーザ素子の光出力を一定
化する手段として、自動出力調整手段（以下ＡＰＣ回路
と記す）が用いられている。従来のＡＰＣ回路を図７に
示す。図７において、１は半導体レーザ、１Ａは半導体
レーザ１の半導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導
体レーザ１の半導体レーザ素子１Ａの光出力のレベルを
検出する。２はＡＰＣ回路で、半導体レーザ素子１Ａの
光出力を一定にするために受光素子１Ｂの出力を用いて
フィードバックする。３はパルス電流変調手段で、半導
体レーザ素子１Ａをパルス駆動する回路である。即ち、
半導体レーザ素子１Ａの出力光を受光素子１Ｂの直流バ
イアス電流Ｉｂを可変し、一定の光出力を得るように構
成されていた。さらに、半導体レーザ素子１Ａと受光素
子１Ｂが個々にバラツキがあるために、個々の半導体レ
ーザ１に対して、初期に直流バイアス電流Ｉｂとパルス
電流Ｉｐを可変抵等で調整する必要があった。
化する手段として、自動出力調整手段（以下ＡＰＣ回路
と記す）が用いられている。従来のＡＰＣ回路を図７に
示す。図７において、１は半導体レーザ、１Ａは半導体
レーザ１の半導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導
体レーザ１の半導体レーザ素子１Ａの光出力のレベルを
検出する。２はＡＰＣ回路で、半導体レーザ素子１Ａの
光出力を一定にするために受光素子１Ｂの出力を用いて
フィードバックする。３はパルス電流変調手段で、半導
体レーザ素子１Ａをパルス駆動する回路である。即ち、
半導体レーザ素子１Ａの出力光を受光素子１Ｂの直流バ
イアス電流Ｉｂを可変し、一定の光出力を得るように構
成されていた。さらに、半導体レーザ素子１Ａと受光素
子１Ｂが個々にバラツキがあるために、個々の半導体レ
ーザ１に対して、初期に直流バイアス電流Ｉｂとパルス
電流Ｉｐを可変抵等で調整する必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように従来のＡＰＣ回路を備えた半導体レーザ駆動回
路では、温度や経年変化等により半導体レーザ素子の閾
値電流値Ｉｔｈが変化した場合には、その変化に応じて
直流バイアス電流Ｉｂが変化するように動作する。即
ち、半導体レーザ素子の変換効率が低下したときには直
流バイアス電流を増加させ、光出力のレベルを一定化さ
せるように動作する。従って図７に示すように、半導体
レーザ素子の入力されるパルス変調信号が論理０のレベ
ルにある時点においてもΔＰに相当する分だけ発光する
場合が生じ、消光比の劣化を招き信号の品質を低下させ
る問題点と、ピークパワーが増加することで半導体レー
ザ素子の寿命を低下する問題点とを有していた。また、
半導体レーザ素子と受光素子が個々にバラツキがあるた
めに、個々の半導体レーザ１に対して、初期に直流バイ
アス電流Ｉｂとパルス電流Ｉｐを可変抵抗等で調整する
必要があるために調整作業が必要となり、高価になると
いう問題点があった。
たように従来のＡＰＣ回路を備えた半導体レーザ駆動回
路では、温度や経年変化等により半導体レーザ素子の閾
値電流値Ｉｔｈが変化した場合には、その変化に応じて
直流バイアス電流Ｉｂが変化するように動作する。即
ち、半導体レーザ素子の変換効率が低下したときには直
流バイアス電流を増加させ、光出力のレベルを一定化さ
せるように動作する。従って図７に示すように、半導体
レーザ素子の入力されるパルス変調信号が論理０のレベ
ルにある時点においてもΔＰに相当する分だけ発光する
場合が生じ、消光比の劣化を招き信号の品質を低下させ
る問題点と、ピークパワーが増加することで半導体レー
ザ素子の寿命を低下する問題点とを有していた。また、
半導体レーザ素子と受光素子が個々にバラツキがあるた
めに、個々の半導体レーザ１に対して、初期に直流バイ
アス電流Ｉｂとパルス電流Ｉｐを可変抵抗等で調整する
必要があるために調整作業が必要となり、高価になると
いう問題点があった。
【０００５】本発明は上記のような問題点を解決するも
ので、光出力のレベルを一定に保持するために、バイア
ス電流とパルス電流をコントロールし、直流バイアス電
流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイバーモ
ジュールのＬＤ駆動回路を提供することを目的とする。
ので、光出力のレベルを一定に保持するために、バイア
ス電流とパルス電流をコントロールし、直流バイアス電
流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイバーモ
ジュールのＬＤ駆動回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１発明〜第４発明では、半導体レーザ素
子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ
駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出す
る受光素子と、半導体レーザ素子にパルス電流を供給す
るパルス電流変調手段と、パルス電流変調手段のパルス
電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、受光
素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、半導
体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールす
るバイアス電流制御手段を有して、半導体レーザ素子の
バイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レーザ素
子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、
半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等を検
出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流を
バイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の変化
等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定す
るようにした。
め、本発明の第１発明〜第４発明では、半導体レーザ素
子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ
駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出す
る受光素子と、半導体レーザ素子にパルス電流を供給す
るパルス電流変調手段と、パルス電流変調手段のパルス
電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、受光
素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、半導
体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールす
るバイアス電流制御手段を有して、半導体レーザ素子の
バイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レーザ素
子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、
半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等を検
出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流を
バイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の変化
等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定す
るようにした。
【０００７】
【作用】本発明は上記のように構成し、半導体レーザ素
子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レー
ザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出
し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等
を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電
流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の
変化等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設
定することで光出力のレベルを一定に保持することが可
能となる。
子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レー
ザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出
し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等
を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電
流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の
変化等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設
定することで光出力のレベルを一定に保持することが可
能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例の光ファイバーモ
ジュールのＬＤ駆動回路の構成図である。なお、図１に
おいて、１は半導体レーザ、１Ａは半導体レーザ１の半
導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導体レーザ素子
１Ａの光出力のレベルを検出する。４は受光パワー検出
手段としてのパワーモニター回路で、半導体レーザ素子
１Ａの光出力を検出する受光素子１Ｂの出力を検出す
る。５はＡ／Ｄ変換器で、パワーモニター回路４のアナ
ログ信号をデジタル信号に変換する。６はマイクロコン
ピュータ（以下マイコンと記す）で、全体の制御及び後
述する半導体レーザ素子１Ａの閾値電流を計算する。７
はバイアス電流制御手段で、半導体レーザ素子１Ａにバ
イアス電流Ｉｂを流す回路である。８はＤ／Ａ変換器Ａ
で、バイアス電流制御回路７のバイアス電流Ｉｂの電流
値をマイコン６の指令値のデジタル信号をアナログ信号
に変換する。９はパルス電流変調手段で、半導体レーザ
素子１Ａに直流バイアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパ
ルス変調Ｉｐを流すことにより半導体レーザ素子１Ａを
パルス駆動する回路である。１０はパルス電流制御手段
で、パルス電流変調回路９の動作のＯＮ，ＯＦＦとパル
ス電流を制御する回路である。１１は信号セレクト回路
で、マイコン６の指令であるＡＣＴＩＶＥ信号の指令に
応じて半導体レーザ素子１Ａを変調する入力信号を選択
する。
する。図１は、本発明の第１の実施例の光ファイバーモ
ジュールのＬＤ駆動回路の構成図である。なお、図１に
おいて、１は半導体レーザ、１Ａは半導体レーザ１の半
導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導体レーザ素子
１Ａの光出力のレベルを検出する。４は受光パワー検出
手段としてのパワーモニター回路で、半導体レーザ素子
１Ａの光出力を検出する受光素子１Ｂの出力を検出す
る。５はＡ／Ｄ変換器で、パワーモニター回路４のアナ
ログ信号をデジタル信号に変換する。６はマイクロコン
ピュータ（以下マイコンと記す）で、全体の制御及び後
述する半導体レーザ素子１Ａの閾値電流を計算する。７
はバイアス電流制御手段で、半導体レーザ素子１Ａにバ
イアス電流Ｉｂを流す回路である。８はＤ／Ａ変換器Ａ
で、バイアス電流制御回路７のバイアス電流Ｉｂの電流
値をマイコン６の指令値のデジタル信号をアナログ信号
に変換する。９はパルス電流変調手段で、半導体レーザ
素子１Ａに直流バイアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパ
ルス変調Ｉｐを流すことにより半導体レーザ素子１Ａを
パルス駆動する回路である。１０はパルス電流制御手段
で、パルス電流変調回路９の動作のＯＮ，ＯＦＦとパル
ス電流を制御する回路である。１１は信号セレクト回路
で、マイコン６の指令であるＡＣＴＩＶＥ信号の指令に
応じて半導体レーザ素子１Ａを変調する入力信号を選択
する。
【０００９】通常の半導体レーザ素子１Ａを変調する場
合の動作は、マイコン６はＡＣＴＩＶＥ信号をＯＮ、上
位のシステムに動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号を
ＯＦＦにし、パルス電流制御回路１０を動作モード、バ
イアス電流Ｉｂの値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定すること
で、入力信号に応じたパルス駆動を行うことで半導体レ
ーザ素子１Ａを変調する。
合の動作は、マイコン６はＡＣＴＩＶＥ信号をＯＮ、上
位のシステムに動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号を
ＯＦＦにし、パルス電流制御回路１０を動作モード、バ
イアス電流Ｉｂの値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定すること
で、入力信号に応じたパルス駆動を行うことで半導体レ
ーザ素子１Ａを変調する。
【００１０】次に、バイアス電流の設定方法について、
図１、図２を用いて説明する。図２は、半導体レーザ素
子１Ａに流すバイアス電流Ｉｂと受光素子１Ｂの検出す
る受光パワーの関係を示した図である。半導体レーザ素
子１Ａを駆動するバイアス電流Ｉと受光パワーの関係
は、閾値電流値Ｉｔｈ以上の領域においては比例関係に
にあり、式（１）の関係の一次式で表される。
図１、図２を用いて説明する。図２は、半導体レーザ素
子１Ａに流すバイアス電流Ｉｂと受光素子１Ｂの検出す
る受光パワーの関係を示した図である。半導体レーザ素
子１Ａを駆動するバイアス電流Ｉと受光パワーの関係
は、閾値電流値Ｉｔｈ以上の領域においては比例関係に
にあり、式（１）の関係の一次式で表される。
【００１１】 Ｐ＝ＡＩ＋Ｚ （Ｉ＞ｔｈ）……………式（１） また、閾値電流値Ｉｔｈは受光パワーＰ＝０の値から、
式（２）より求めることが可能である。 Ｉｔｈ＝−Ｚ／Ａ ……………式（２） そこで、電源ＯＮ時、一定周期、又は、システムエラー
等が発生した場合に、マイコン６は、信号セレクト回路
１１のＡＣＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに
非動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パ
ルス電流制御回路１０を非動作モードにすることで半導
体レーザ素子１Ａのパルス電流変調回路９を非動作モー
ドにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン６は、
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス
電流Ｉｂの値がＩ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に
設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させ
る。
式（２）より求めることが可能である。 Ｉｔｈ＝−Ｚ／Ａ ……………式（２） そこで、電源ＯＮ時、一定周期、又は、システムエラー
等が発生した場合に、マイコン６は、信号セレクト回路
１１のＡＣＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに
非動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パ
ルス電流制御回路１０を非動作モードにすることで半導
体レーザ素子１Ａのパルス電流変調回路９を非動作モー
ドにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン６は、
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス
電流Ｉｂの値がＩ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に
設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させ
る。
【００１２】その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワ
ーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、
Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１を
検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８
に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する
値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ
素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子
１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモ
ニター回路４、Ｄ／Ａ変換器５を介してマイコン６は受
光パワーＰ２を検出する。検出した受光パワーＰ１とＰ
２及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）
に代入し、演算することで、受光感度Ａ及びオフセット
Ｚを算出する。次に、算出したＡ及びＺの値を式（２）
に代入することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。
半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ以下を含めて
パルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出し
た閾値電流値Ｉｔｈより若干高めのバイアス電流Ｉｂを
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施す
る。
ーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、
Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１を
検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８
に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する
値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ
素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子
１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモ
ニター回路４、Ｄ／Ａ変換器５を介してマイコン６は受
光パワーＰ２を検出する。検出した受光パワーＰ１とＰ
２及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）
に代入し、演算することで、受光感度Ａ及びオフセット
Ｚを算出する。次に、算出したＡ及びＺの値を式（２）
に代入することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。
半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ以下を含めて
パルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出し
た閾値電流値Ｉｔｈより若干高めのバイアス電流Ｉｂを
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施す
る。
【００１３】次に、温度変化等により、半導体レーザ素
子１Ａの閾値電流値Ｉｔｈが変化した場合は、同様に、
マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信
号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤ
ＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パルス電流制御回路１０
を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパ
ルス電流変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を
停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、
閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に
相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導
体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レ
ーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、
パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコ
ン６は受光パワーＰ１’を検出する。さらに、マイコン
６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉ
ｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定す
ることで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。そ
の時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１
Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５
を介してマイコン６は受光パワーＰ２’を検出する。検
出した受光パワーＰ１’とＰ２’及びその時のバイアス
電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算すること
で、受光感度Ａ’及びオフセットＺ’を算出する。次
に、算出したＡ’及びＺ’の値を式（２）に代入するこ
とで閾値電流値Ｉｔｈ’が検出可能となる。半導体レー
ザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ’以下を含めてパルス駆
動した場合応答速度が遅くなるために、検出した閾値電
流値Ｉｔｈ’より若干高めのバイアス電流Ｉｂ’をＤ／
Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施するこ
とで、温度などの要因で、閾値電流値Ｉｔｈが変化した
場合にも自動的に最適バイアス電流の設定が可能とな
る。
子１Ａの閾値電流値Ｉｔｈが変化した場合は、同様に、
マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信
号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤ
ＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パルス電流制御回路１０
を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパ
ルス電流変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を
停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、
閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に
相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導
体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レ
ーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、
パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコ
ン６は受光パワーＰ１’を検出する。さらに、マイコン
６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉ
ｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定す
ることで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。そ
の時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１
Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５
を介してマイコン６は受光パワーＰ２’を検出する。検
出した受光パワーＰ１’とＰ２’及びその時のバイアス
電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算すること
で、受光感度Ａ’及びオフセットＺ’を算出する。次
に、算出したＡ’及びＺ’の値を式（２）に代入するこ
とで閾値電流値Ｉｔｈ’が検出可能となる。半導体レー
ザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ’以下を含めてパルス駆
動した場合応答速度が遅くなるために、検出した閾値電
流値Ｉｔｈ’より若干高めのバイアス電流Ｉｂ’をＤ／
Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施するこ
とで、温度などの要因で、閾値電流値Ｉｔｈが変化した
場合にも自動的に最適バイアス電流の設定が可能とな
る。
【００１４】次に、本発明の第２の実施例について、図
３を用いて説明する。図３は、本発明の第２の実施例の
光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路の構成図であ
る。図３において、図１と同一番号のものは同一機能の
ものを示す。図３において、１２は、パルス電流制御回
路１０のパルス電流Ｉｐの電流値をマイコン６の指令値
であるデジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変
換器Ｂであり、パルス電流制御回路１０を介して、半導
体レーザ素子１Ａに直流バイアス電流Ｉｂに重畳したか
たちでパルス変調しパルス電流変調回路９のパルス電流
Ｉｐを制御する。
３を用いて説明する。図３は、本発明の第２の実施例の
光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路の構成図であ
る。図３において、図１と同一番号のものは同一機能の
ものを示す。図３において、１２は、パルス電流制御回
路１０のパルス電流Ｉｐの電流値をマイコン６の指令値
であるデジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変
換器Ｂであり、パルス電流制御回路１０を介して、半導
体レーザ素子１Ａに直流バイアス電流Ｉｂに重畳したか
たちでパルス変調しパルス電流変調回路９のパルス電流
Ｉｐを制御する。
【００１５】通常の半導体レーザ素子１Ａを変調する場
合の動作は、マイコン６はＡＣＴＩＶＥ信号をＯＮ、上
位のシステムに動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号を
ＯＦＦにし、パルス電流Ｉｐの値をＤ／Ａ変換器Ｂ１２
に設定し、バイアス電流Ｉｂの値をＤ／Ａ変換器Ａ８に
設定することで、入力信号に応じたパルス駆動を行うこ
とで半導体レーザ素子１Ａを変調する。
合の動作は、マイコン６はＡＣＴＩＶＥ信号をＯＮ、上
位のシステムに動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号を
ＯＦＦにし、パルス電流Ｉｐの値をＤ／Ａ変換器Ｂ１２
に設定し、バイアス電流Ｉｂの値をＤ／Ａ変換器Ａ８に
設定することで、入力信号に応じたパルス駆動を行うこ
とで半導体レーザ素子１Ａを変調する。
【００１６】第１の実施例と同様に、電源ＯＮ時、一定
周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、マイ
コン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信号を
ＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤＩＳ
ＡＢＬＥ信号をＯＮにし、Ｄ／Ａ変換器Ｂ１２にゼロレ
ベルの信号を指令し、パルス電流制御回路１０を非動作
モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパルス電流
変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を停止す
る。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電
流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に相当す
る値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レー
ザ素子１ＡをＤＣ発光させる。
周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、マイ
コン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信号を
ＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤＩＳ
ＡＢＬＥ信号をＯＮにし、Ｄ／Ａ変換器Ｂ１２にゼロレ
ベルの信号を指令し、パルス電流制御回路１０を非動作
モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパルス電流
変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を停止す
る。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電
流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に相当す
る値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レー
ザ素子１ＡをＤＣ発光させる。
【００１７】その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワ
ーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、
Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１を
検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８
に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する
値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ
素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子
１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモ
ニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受
光パワーＰ２を検出する。検出した受光パワーＰ１とＰ
２及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）
に代入し、演算することで、受光感度Ａ及びオフセット
Ｚを算出する。次に、算出したＡ及びＺの値を式（２）
に代入することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。
半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ以下を含めて
パルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出し
た閾値電流値Ｉｔｈより若干高めのバイアス電流Ｉｂを
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施す
る。また、閾値電流値Ｉｔｈが温度等によって変化する
場合は、第１の実施例で説明した内容と同一の方法で実
現できるので説明を省略する。
ーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、
Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１を
検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８
に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する
値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ
素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子
１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモ
ニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受
光パワーＰ２を検出する。検出した受光パワーＰ１とＰ
２及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）
に代入し、演算することで、受光感度Ａ及びオフセット
Ｚを算出する。次に、算出したＡ及びＺの値を式（２）
に代入することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。
半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ以下を含めて
パルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出し
た閾値電流値Ｉｔｈより若干高めのバイアス電流Ｉｂを
Ｄ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施す
る。また、閾値電流値Ｉｔｈが温度等によって変化する
場合は、第１の実施例で説明した内容と同一の方法で実
現できるので説明を省略する。
【００１８】次に、半導体レーザ素子１Ａの変換効率が
変化したり、受光素子１Ｂの感度及び回路の特性、さら
には、供給電源等が変化することで、半導体レーザ素子
１Ａの駆動電流と受光パワーの感度が変化した場合につ
いて、図３、図４、図５及び図６を用いて説明する。電
源ＯＮ時、一定周期、又は、システムエラー等が発生し
た場合に、マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣ
ＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モー
ドであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、Ｄ／Ａ変換器
Ｂ１２にゼロレベルの信号を指令し、パルス電流制御回
路１０を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１
Ａのパルス電流変調回路９の非動作モードにし、パルス
駆動を停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ
８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値が
Ｉ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定すること
で、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の
半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて
受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介し
てマイコン６は受光パワーＰ１’を検出する。さらに、
マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイア
ス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８
に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光さ
せる。その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受
光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ
変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ２’を検出
する。検出した受光パワーＰ１’とＰ２’及びその時の
バイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算
することで、受光感度Ａ’及びオフセットＺ’を算出す
る。次に、算出したＡ’及びＺ’の値を式（２）に代入
することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。また、
前回算出した受光効率Ａと新たに検出した受光効率Ａ’
から半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを一定にするた
めには、式（３）の関係式が成り立つ。
変化したり、受光素子１Ｂの感度及び回路の特性、さら
には、供給電源等が変化することで、半導体レーザ素子
１Ａの駆動電流と受光パワーの感度が変化した場合につ
いて、図３、図４、図５及び図６を用いて説明する。電
源ＯＮ時、一定周期、又は、システムエラー等が発生し
た場合に、マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣ
ＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モー
ドであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、Ｄ／Ａ変換器
Ｂ１２にゼロレベルの信号を指令し、パルス電流制御回
路１０を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１
Ａのパルス電流変調回路９の非動作モードにし、パルス
駆動を停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ
８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値が
Ｉ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定すること
で、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の
半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて
受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介し
てマイコン６は受光パワーＰ１’を検出する。さらに、
マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイア
ス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８
に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光さ
せる。その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受
光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ
変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ２’を検出
する。検出した受光パワーＰ１’とＰ２’及びその時の
バイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算
することで、受光感度Ａ’及びオフセットＺ’を算出す
る。次に、算出したＡ’及びＺ’の値を式（２）に代入
することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。また、
前回算出した受光効率Ａと新たに検出した受光効率Ａ’
から半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを一定にするた
めには、式（３）の関係式が成り立つ。
【００１９】 Ｉｐ’＝Ａ’／Ａ＊Ｉｐ ……………式（３） そこで、式（３）に代入することで、パルス駆動電流Ｉ
ｐ’を設定可能となり、パルス駆動電流Ｉｐ’に相当す
るデジタル信号をＤ／Ａ変換器Ｂ１２に設定し、パルス
電流制御回路１０の制御を行い半導体レーザ素子１Ａを
Ｉｐ’でパルス駆動することで、一定の半導体レーザ素
子１Ａの発光パワーを得ることが可能となる。
ｐ’を設定可能となり、パルス駆動電流Ｉｐ’に相当す
るデジタル信号をＤ／Ａ変換器Ｂ１２に設定し、パルス
電流制御回路１０の制御を行い半導体レーザ素子１Ａを
Ｉｐ’でパルス駆動することで、一定の半導体レーザ素
子１Ａの発光パワーを得ることが可能となる。
【００２０】図５は、受光感度がＡの場合のパルス駆動
電流波形と半導体レーザ素子１Ａの発光パワーの関係を
示した図である。図５において、半導体レーザ素子１Ａ
のバイアス電流はＩｂ、パルス電流はＩｐであり、入力
信号がゼロの時の発光パワーはＰｍｉｎ、入力信号が１
の時の発光パワーＰｍａｘとなる。次に、図６は、受光
感度がＡ’の場合のパルス駆動電流波形と半導体レーザ
素子１Ａの発光パワーの関係を示した図である。図６に
おいて、上述した手順を実施して、半導体レーザ素子１
Ａのバイアス電流はＩｂ’、パルス電流はＩｐ’であ
り、入力信号がゼロの時の発光パワーはＰｍｉｎ、入力
信号が１の時の発光パワーＰｍａｘとなり、上述の動作
を行うことで、常に同様の発光出力を得ることが可能と
なる。すなわち、閾値電流値Ｉｔｈ及び受光感度が変化
した場合にも自動的に最適バイアス電流と最適なパルス
電流の設定が可能となる。
電流波形と半導体レーザ素子１Ａの発光パワーの関係を
示した図である。図５において、半導体レーザ素子１Ａ
のバイアス電流はＩｂ、パルス電流はＩｐであり、入力
信号がゼロの時の発光パワーはＰｍｉｎ、入力信号が１
の時の発光パワーＰｍａｘとなる。次に、図６は、受光
感度がＡ’の場合のパルス駆動電流波形と半導体レーザ
素子１Ａの発光パワーの関係を示した図である。図６に
おいて、上述した手順を実施して、半導体レーザ素子１
Ａのバイアス電流はＩｂ’、パルス電流はＩｐ’であ
り、入力信号がゼロの時の発光パワーはＰｍｉｎ、入力
信号が１の時の発光パワーＰｍａｘとなり、上述の動作
を行うことで、常に同様の発光出力を得ることが可能と
なる。すなわち、閾値電流値Ｉｔｈ及び受光感度が変化
した場合にも自動的に最適バイアス電流と最適なパルス
電流の設定が可能となる。
【００２１】尚、本実施例において、閾値電流値Ｉｔｈ
及び受光感度Ａを検出するために、バイアス電流Ｉｂを
２点変化させて検出しているが、バイアス電流Ｉｂを３
点以上変化させて、例えば、最小２乗法を用いて、閾値
電流値Ｉｔｈ及び受光感度Ａを検出可能なことは言うま
でもない。また、閾値電流値Ｉｔｈおよび受光感度Ａが
同時に変化した場合も上述の方法で検出可能である。さ
らに、本実施例において、マイコンを用いて実施してい
るが、ハードウェアで構成可能なことは言うまでもな
い。また、本発明において、閾値電流値Ｉｔｈ及び受光
感度Ａを検出するために、パルス駆動を停止して実施し
ているが、一定のパターン（例えばデューティーが一
定）でパルス駆動を行い、バイアス電流を変化させても
検出可能である。また、一定時間毎に、検出を行ってい
るが、通常の動作においては、検出した閾値電流値Ｉｔ
ｈによるバイアス電流Ｉｂの設定に基づいて、従来のＡ
ＰＣ回路に切り替える構成にしてもなんら問題はない。
及び受光感度Ａを検出するために、バイアス電流Ｉｂを
２点変化させて検出しているが、バイアス電流Ｉｂを３
点以上変化させて、例えば、最小２乗法を用いて、閾値
電流値Ｉｔｈ及び受光感度Ａを検出可能なことは言うま
でもない。また、閾値電流値Ｉｔｈおよび受光感度Ａが
同時に変化した場合も上述の方法で検出可能である。さ
らに、本実施例において、マイコンを用いて実施してい
るが、ハードウェアで構成可能なことは言うまでもな
い。また、本発明において、閾値電流値Ｉｔｈ及び受光
感度Ａを検出するために、パルス駆動を停止して実施し
ているが、一定のパターン（例えばデューティーが一
定）でパルス駆動を行い、バイアス電流を変化させても
検出可能である。また、一定時間毎に、検出を行ってい
るが、通常の動作においては、検出した閾値電流値Ｉｔ
ｈによるバイアス電流Ｉｂの設定に基づいて、従来のＡ
ＰＣ回路に切り替える構成にしてもなんら問題はない。
【００２２】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、半導体レ
ーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導
体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によっ
て検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率等
の変化を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイ
アス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子
効率等の変化に対応したパルス電流にパルス電流制御手
段に設定することで光出力のレベルを一定に保持するこ
とが可能となり、信頼性が向上し、更には、バイアス電
流とパルス電流をコントロールし、半導体レーザの駆動
電流の調整を不用にすることで安価な光ファイバーモジ
ュールが提供可能となる。
ーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導
体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によっ
て検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率等
の変化を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイ
アス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子
効率等の変化に対応したパルス電流にパルス電流制御手
段に設定することで光出力のレベルを一定に保持するこ
とが可能となり、信頼性が向上し、更には、バイアス電
流とパルス電流をコントロールし、半導体レーザの駆動
電流の調整を不用にすることで安価な光ファイバーモジ
ュールが提供可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図
【図２】本発明の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回
路の第１の実施例の動作説明図
路の第１の実施例の動作説明図
【図３】本発明の第２の実施例を示す構成図
【図４】本発明の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回
路の第２の実施例の動作説明図
路の第２の実施例の動作説明図
【図５】本発明の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回
路の第２の実施例のパルス電流の一動作説明図
路の第２の実施例のパルス電流の一動作説明図
【図６】本発明の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回
路の第２の実施例のパルス電流の他の動作説明図
路の第２の実施例のパルス電流の他の動作説明図
【図７】従来の半導体レーザ駆動回路を示す構成図
【図８】半導体レーザ素子の電流−光出力特性とその入
出力関係の一例を示す特性図
出力関係の一例を示す特性図
１ 半導体レーザ １Ａ 半導体レーザ素子 ４ 受光パワー検出手段 ５ Ａ／Ｄ変換器 ６ マイコン ７ バイアス電流制御手段 ８ Ｄ／Ａ変換器Ａ ９ パルス電流変調手段 １０ パルス電流制御手段 １１ 信号セレクト回路 １２ Ｄ／Ａ変換器Ｂ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レ
ーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段
と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出
手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流
をコントロールするバイアス電流制御手段を有して、前
記半導体レーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化さ
せて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パ
ワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の
閾値電流値を検出することで、前記半導体レーザ素子の
直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定す
ることを特徴とする光ファイバーモジュールのＬＤ駆動
回路。 - 【請求項２】 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レ
ーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段
と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロ
ールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出
力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ
素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイア
ス電流制御手段を有して、前記半導体レーザ素子のバイ
アス電流値を２点以上変化させて、前記半導体レーザ素
子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出
し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変
化等を検出することで、前記半導体レーザ素子の直流バ
イアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定し、ま
た、量子効率の変化等に対応したパルス電流を前記パル
ス電流制御手段に設定することを特徴とする光ファイバ
ーモジュールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レ
ーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段
と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出
手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流
をコントロールするバイアス電流制御手段と、設定され
たバイアス電流値と前記受光パワー検出手段と比較して
フィードバック制御を行う自動出力調整手段と、前記バ
イアス制御手段と前記自動出力調整手段を切り替える切
り替え手段を有して、前記半導体レーザ素子のバイアス
電流値を２点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の
発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、
前記半導体レーザ素子の閾値電流値を検出し、前記半導
体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制
御手段に設定し、前記切り替え手段を前記自動出力調整
手段に切り替えることを特徴とする光ファイバーモジュ
ールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項４】 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整
する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導
体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レ
ーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段
と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロ
ールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出
力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ
素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイア
ス電流制御手段と、設定されたバイアス電流値と前記受
光パワー検出手段と比較してフィードバック制御を行う
自動出力調整手段と、前記バイアス制御手段と前記自動
出力調整手段を切り替える切り替え手段を有して、前記
半導体レーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させ
て、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワ
ー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾
値電流値と量子効率の変化等を検出することで、前記半
導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流
制御手段に設定し、また、量子効率の変化等に対応した
パルス電流に前記パルス電流制御手段に設定し、前記切
り替え手段を前記自動出力調整手段に切り替えることを
特徴とする光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項５】 半導体レーザ素子の閾値流値Ｉｔｈまた
は量子効率等の変化を検出するために、前記半導体レー
ザ素子のパルス電流手段を停止して、前記半導体レーザ
素子のバイアス電流を変化させることを特徴とする請求
項１、２、３又は４記載の光ファイバーモジュールのＬ
Ｄ駆動回路。 - 【請求項６】 半導体レーザ素子の閾値流値Ｉｔｈまた
は量子効率の変化等を検出するために、前記半導体レー
ザ素子のパルス電流手段に一定パターンのパルス駆動を
行い前記半導体レーザ素子のバイアス電流を変化させる
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の光ファ
イバーモジュールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項７】 半導体レーザ素子の閾値流値Ｉｔｈまた
は量子効率の変化等を検出するために、前記半導体レー
ザ素子の最大閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流を変
化させることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載
の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項８】 半導体レーザ素子の閾値流値Ｉｔｈまた
は量子効率等を検出する場合に、上位のシステムに状態
を指令することを特徴とする請求項１、２、３又は４記
載の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路。 - 【請求項９】 電源ＯＮ、システム起動時、一定時間
毎、エラーが発生した場合の少なくともどれかの状態が
発生した場合に、半導体レーザ素子の閾値電流値Ｉｔｈ
または量子効率の変化等を検出することを特徴とする請
求項１、２、３又は４記載の光ファイバーモジュールの
ＬＤ駆動回路。 - 【請求項１０】 半導体レーザ素子のバイアス電流を検
出した半導体レーザ素子の閾値電流値Ｉｔｈ以上に設定
することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の光
ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29527493A JP3541407B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29527493A JP3541407B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147446A true JPH07147446A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3541407B2 JP3541407B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=17818479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29527493A Expired - Fee Related JP3541407B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光ファイバーモジュールのｌｄ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3541407B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139869A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Fuji Xerox Co Ltd | レーザ記録装置の光量制御装置 |
| US6683836B2 (en) | 2000-02-09 | 2004-01-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser control device |
| JP2004221587A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Agilent Technol Inc | レーザシステムを制御及び較正する方法及びシステム |
| US6895028B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current |
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