JPH0714864Y2 - 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 - Google Patents
半導体耐久試験用の液槽式前処理装置Info
- Publication number
- JPH0714864Y2 JPH0714864Y2 JP1990103033U JP10303390U JPH0714864Y2 JP H0714864 Y2 JPH0714864 Y2 JP H0714864Y2 JP 1990103033 U JP1990103033 U JP 1990103033U JP 10303390 U JP10303390 U JP 10303390U JP H0714864 Y2 JPH0714864 Y2 JP H0714864Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- storage tank
- test
- chamber
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 本考案は、半導体パッケージを実装前に検査する耐久試
験用前処理装置に関する。
験用前処理装置に関する。
《従来技術》 半導体パッケージはその脚部をプリント基板等にハンダ
付けにより固定して使用されることが多いが、ケース内
に収容されているチツプがマイクロクラックやブリッジ
等の欠陥を有する場合がある。この欠陥を内蔵したパッ
ケージをプリント基板に実装すると、多数装着されてい
るパッケージのうちどのパッケージが欠陥品であるか判
別しにくいことから、このような場合には基板全体を廃
棄することになる。このため、パッケージの実装前にパ
ッケージの導通試験をすることが望ましいが、このよう
な欠陥はハンダ付け作業時の加熱により発生することが
多いことから、従来、このような導通試験は個々のパッ
ケージをピンセットで挟み、ハンダ浴槽に浸漬させてパ
ッケージをハンダ付け用試験温度に加熱した後に行って
いた。
付けにより固定して使用されることが多いが、ケース内
に収容されているチツプがマイクロクラックやブリッジ
等の欠陥を有する場合がある。この欠陥を内蔵したパッ
ケージをプリント基板に実装すると、多数装着されてい
るパッケージのうちどのパッケージが欠陥品であるか判
別しにくいことから、このような場合には基板全体を廃
棄することになる。このため、パッケージの実装前にパ
ッケージの導通試験をすることが望ましいが、このよう
な欠陥はハンダ付け作業時の加熱により発生することが
多いことから、従来、このような導通試験は個々のパッ
ケージをピンセットで挟み、ハンダ浴槽に浸漬させてパ
ッケージをハンダ付け用試験温度に加熱した後に行って
いた。
《解決しようとする課題》 ところが、従来の方式では、個々のパッケージをピンセ
ットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるものであること
が、手間がかかるという問題があった。
ットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるものであること
が、手間がかかるという問題があった。
本考案は、このような点に着目してなされたもので、パ
ッケージの全数を簡単、かつ確実にハンダ付け試験温度
まで上昇させることのできる耐久試験用前処理装置を提
供することを目的とする。
ッケージの全数を簡単、かつ確実にハンダ付け試験温度
まで上昇させることのできる耐久試験用前処理装置を提
供することを目的とする。
《課題を解決するための手段》 上記目的を達するために本考案は、ケーシング内に試料
搬出入室と試料加熱室とを上下に区画して形成し、試料
加熱室にフッ素系不活性液からなる試験液を貯溜する試
験液貯溜槽を配置するとともに、この試験液貯溜槽に加
熱手段を配置して貯溜槽内の試験液を加熱可能に構成
し、試料搬出入室内における試験液貯溜槽の上側に対す
る個所に試料かごの昇降手段を配置し、試料搬出入室と
試験液貯溜槽との接続通路部分に冷却手段を配置したこ
とを特徴としている。
搬出入室と試料加熱室とを上下に区画して形成し、試料
加熱室にフッ素系不活性液からなる試験液を貯溜する試
験液貯溜槽を配置するとともに、この試験液貯溜槽に加
熱手段を配置して貯溜槽内の試験液を加熱可能に構成
し、試料搬出入室内における試験液貯溜槽の上側に対す
る個所に試料かごの昇降手段を配置し、試料搬出入室と
試験液貯溜槽との接続通路部分に冷却手段を配置したこ
とを特徴としている。
《作用》 本考案は、例えば第１図及び第２図に示すように、次の
ように作用する。
ように作用する。
試料搬出入室２で試料かご８に試料（半導体パッケー
ジ）を収納した後、昇降手段９によって試料かご８を試
験液貯溜槽５に下降させて、処理液貯溜槽５内の試験液
（フッ素系不活性液）に浸漬させる。
ジ）を収納した後、昇降手段９によって試料かご８を試
験液貯溜槽５に下降させて、処理液貯溜槽５内の試験液
（フッ素系不活性液）に浸漬させる。
上記処理液貯溜槽５内の試験液は加熱手段10によって加
熱されており、試料かご８内の試料は上記処理液貯溜槽
５内の試験液によって昇温する。この後、昇降手段９に
よって試料かご８を試験液貯溜槽５から上昇させて、試
料搬出入室２で試料かご８から試料を搬出する。
熱されており、試料かご８内の試料は上記処理液貯溜槽
５内の試験液によって昇温する。この後、昇降手段９に
よって試料かご８を試験液貯溜槽５から上昇させて、試
料搬出入室２で試料かご８から試料を搬出する。
一方、試験液貯溜槽５と試料搬出入室２とを連通する接
続通路13は、冷却手段９によって冷却されており、処理
液貯溜槽５での加熱によって蒸発した試験液は、接続通
路13で冷却されて凝縮し、処理液貯溜槽５内に回収され
る。また、試料かご８は試験液貯溜槽５から上昇する際
に、接続通路13で冷却されて試料かご８内の試料の温度
が低下する。
続通路13は、冷却手段９によって冷却されており、処理
液貯溜槽５での加熱によって蒸発した試験液は、接続通
路13で冷却されて凝縮し、処理液貯溜槽５内に回収され
る。また、試料かご８は試験液貯溜槽５から上昇する際
に、接続通路13で冷却されて試料かご８内の試料の温度
が低下する。
《実施例》 図面は本考案の実施例を示し、第１図は縦断正面図、第
２図は第１図のII−II線断面図である。
２図は第１図のII−II線断面図である。
この前処理装置は、ケーシング（１）に試料搬出入室
（２）と試料加熱室（３）、及び冷凍ユニット収容室
（４）とを上下に区画して形成し、試料加熱室（３）に
処理液貯溜槽（５）を収容するとともに、冷凍ユニット
収容室（４）には冷凍ユニット（７）が収納してある。
また、試料搬出入室（２）には試料となる半導体パッケ
ージを収納する試料かご（８）の昇降手段（９）が配置
してある。この昇降手段（９）はエアシリンダやボール
ネジ式搬送装置で構成されており、試料かご（８）を試
料搬出入室（２）と試料加熱室（３）内の試験液貯溜槽
（５）との間で昇降移動せるように構成してある。
（２）と試料加熱室（３）、及び冷凍ユニット収容室
（４）とを上下に区画して形成し、試料加熱室（３）に
処理液貯溜槽（５）を収容するとともに、冷凍ユニット
収容室（４）には冷凍ユニット（７）が収納してある。
また、試料搬出入室（２）には試料となる半導体パッケ
ージを収納する試料かご（８）の昇降手段（９）が配置
してある。この昇降手段（９）はエアシリンダやボール
ネジ式搬送装置で構成されており、試料かご（８）を試
料搬出入室（２）と試料加熱室（３）内の試験液貯溜槽
（５）との間で昇降移動せるように構成してある。
処理液貯溜槽（５）内には、ガルデン（登録商標）液や
デムナム（登録商標）液等のフッ素系不活性液が試験液
として貯溜してあり、貯溜槽（５）の外周に配置したヒ
ータ（10）で試験液を245〜260℃のハンダ付け用試験温
度に維持するようにしてある。そして、貯溜槽（５）に
は攪拌手段（11）と温度センサー（12）とがそぞれ配置
してある。
デムナム（登録商標）液等のフッ素系不活性液が試験液
として貯溜してあり、貯溜槽（５）の外周に配置したヒ
ータ（10）で試験液を245〜260℃のハンダ付け用試験温
度に維持するようにしてある。そして、貯溜槽（５）に
は攪拌手段（11）と温度センサー（12）とがそぞれ配置
してある。
また、試料液貯溜槽（５）と試料搬出入室（２）とを連
通する接続通路（13）の外部に冷却コイル（14）を巻回
し、この冷却コイル（14）を前述の冷却ユニット（７）
に連通接続することにより、接続通路（13）部分を冷却
して、試験液貯溜槽（５）からの蒸気を凝縮するととも
に、試験液貯溜槽（５）で加熱された試料かご（８）が
この接続通路（13）部分を通過する間に、試料かご
（８）に収容されている半導体パッケージを冷却するよ
うに構成してある。さらに、試験液貯溜槽（５）の上部
から圧力抜き路（15）が導出してあり、この圧力抜き路
（15）中に排出ファン（16）と試験液回収用クーラ（1
7）とが配置してあり、試験液回収用クーラ（17）を前
述の冷凍機ユニット（７）に連通接続させることによ
り、試験液回収クーラ（17）で排気を冷却して、排気中
に含まれている試験液成分を凝縮して回収するととも
に、この冷却した気体を循環させて、ケース内の雰囲気
を低下させるようにしてある。
通する接続通路（13）の外部に冷却コイル（14）を巻回
し、この冷却コイル（14）を前述の冷却ユニット（７）
に連通接続することにより、接続通路（13）部分を冷却
して、試験液貯溜槽（５）からの蒸気を凝縮するととも
に、試験液貯溜槽（５）で加熱された試料かご（８）が
この接続通路（13）部分を通過する間に、試料かご
（８）に収容されている半導体パッケージを冷却するよ
うに構成してある。さらに、試験液貯溜槽（５）の上部
から圧力抜き路（15）が導出してあり、この圧力抜き路
（15）中に排出ファン（16）と試験液回収用クーラ（1
7）とが配置してあり、試験液回収用クーラ（17）を前
述の冷凍機ユニット（７）に連通接続させることによ
り、試験液回収クーラ（17）で排気を冷却して、排気中
に含まれている試験液成分を凝縮して回収するととも
に、この冷却した気体を循環させて、ケース内の雰囲気
を低下させるようにしてある。
また図中符号（18）は試料搬出入室（２）の側部に配置
した制御ボックスである。
した制御ボックスである。
《効果》 本考案は、蒸気のように構成され作用することから次の
効果を奏する。
効果を奏する。
ａ）半導体パッケージを試料かごに収容し、この試料か
ご試験液貯溜槽に貯溜する試験液に浸漬させて、試料か
ご内の半導体パッケージの全数を同時にハンダ付け試験
温度等まで昇温させるので、従来の個々の半導体パッケ
ージをピンセットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるもの
に比して、半導体パッケージを容易、且つ、効率よくハ
ンダ付け試験温度等まで昇温させることができる。
ご試験液貯溜槽に貯溜する試験液に浸漬させて、試料か
ご内の半導体パッケージの全数を同時にハンダ付け試験
温度等まで昇温させるので、従来の個々の半導体パッケ
ージをピンセットで挟んでハンダ浴槽に浸漬させるもの
に比して、半導体パッケージを容易、且つ、効率よくハ
ンダ付け試験温度等まで昇温させることができる。
ｂ）しかも、試験液貯溜槽に貯溜する試験液を熱伝導性
に優れ、表面張力の小さいフッ素系不活性液としている
ので、加熱効果が良いうえ、液切れが良く、早い処理速
度で処理することができる。
に優れ、表面張力の小さいフッ素系不活性液としている
ので、加熱効果が良いうえ、液切れが良く、早い処理速
度で処理することができる。
ｃ）冷却手段によって接続通路部分が冷却されることに
より、試験液貯溜槽内の試験液の蒸気が接続通路部分で
凝縮して試験液貯溜槽に回収されるので、試料搬出入室
へ試験液の蒸気が拡散することが低減され、試験液の消
費量が低減されるとともに、上記蒸気によって装置周辺
が汚染されることが低減される。
より、試験液貯溜槽内の試験液の蒸気が接続通路部分で
凝縮して試験液貯溜槽に回収されるので、試料搬出入室
へ試験液の蒸気が拡散することが低減され、試験液の消
費量が低減されるとともに、上記蒸気によって装置周辺
が汚染されることが低減される。
ｄ）また、試験液貯溜槽で加熱された試料かごが接続通
路部分を通過する間に、試料かごに収容されている半導
体パッケージが冷却されるので、試料かごから半導体パ
ッケージを取り出す際に作業者が試料かごや半導体パッ
ケージに触れてもやけどするおそれがない。
路部分を通過する間に、試料かごに収容されている半導
体パッケージが冷却されるので、試料かごから半導体パ
ッケージを取り出す際に作業者が試料かごや半導体パッ
ケージに触れてもやけどするおそれがない。
図面は本考案の実施例を示し、第１図は縦断正面図、第
２図は第１図のII−II線断面図である。 １…ケーシング、２…試料搬出入室、３…試料加熱室、
５…試料液貯溜槽、８…試料かご、９…昇降手段、10…
加熱手段、13…接続通路、14…冷却手段。
２図は第１図のII−II線断面図である。 １…ケーシング、２…試料搬出入室、３…試料加熱室、
５…試料液貯溜槽、８…試料かご、９…昇降手段、10…
加熱手段、13…接続通路、14…冷却手段。
Claims (1)
- 【請求項１】ケーシング（１）内に試料搬出入室（２）
と試料加熱室（３）とを上下に区画して形成し、試料加
熱室（３）にフッ素系不活性液からなる試験液を貯溜す
る試験液貯溜槽（５）を配置するとともに、この試験液
貯溜槽（５）に加熱手段（10）を配置して貯溜槽（５）
内の試験液を加熱可能に構成し、試料搬出入室（２）内
における試験液貯溜槽（５）の上側に対応する個所に試
料かご（８）の昇降手段（９）を配置し、試料搬出入室
（２）と試験液貯溜槽（５）との接続通路（13）部分に
冷却手段（14）を配置した半導体耐久試験用液槽式前処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103033U JPH0714864Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103033U JPH0714864Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459451U JPH0459451U (ja) | 1992-05-21 |
| JPH0714864Y2 true JPH0714864Y2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=31847759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990103033U Expired - Lifetime JPH0714864Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体耐久試験用の液槽式前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714864Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5769653B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2015-08-26 | 三菱電機株式会社 | 熱処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263836A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-27 | Nippon Saamic:Kk | 液槽式熱衝撃試験装置 |
| JP2690970B2 (ja) * | 1988-10-03 | 1997-12-17 | タバイエスペック株式会社 | 液槽式環境試験装置 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP1990103033U patent/JPH0714864Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459451U (ja) | 1992-05-21 |
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