JPH0714871A - Wire bonding method - Google Patents

Wire bonding method

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JPH0714871A
JPH0714871A JP5153301A JP15330193A JPH0714871A JP H0714871 A JPH0714871 A JP H0714871A JP 5153301 A JP5153301 A JP 5153301A JP 15330193 A JP15330193 A JP 15330193A JP H0714871 A JPH0714871 A JP H0714871A
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JP
Japan
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wire
ball
tip
temperature
torch
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5153301A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Yanagida
浩美 柳田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0714871A publication Critical patent/JPH0714871A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体装置等の製造工程において
行われるワイヤボンディング方法に関し、ワイヤー先端
に形成するボールの径、硬度等その状態をばらつくこと
なく安定にすることにより、小径のボールを確実にボン
ディングすることを目的とする。 【構成】 ワイヤー5の先端とトーチ電極との間に電圧
を印加することで、ワイヤー5の先端を溶融させボール
を形成し、該ボールを被接合部に圧着するワイヤボンデ
ィング方法において、ボールを形成する直前のワイヤー
5の先端の温度を検出する工程1と、該工程1にて検出
したワイヤー5先端の温度に対して適切なトーチ条件を
設定する工程2と、該工程2において設定した条件によ
りワイヤー5の先端にボールを形成する工程3とを含む
構成とする。
(57) [Summary] [Object] The present invention relates to a wire bonding method performed in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, and by stabilizing the state such as the diameter and hardness of the ball formed at the tip of the wire without variation, The purpose is to reliably bond small-diameter balls. A ball is formed by a wire bonding method in which a voltage is applied between the tip of the wire 5 and the torch electrode to melt the tip of the wire 5 to form a ball, and the ball is pressure-bonded to a bonded portion. Step 1 of detecting the temperature of the tip of the wire 5 immediately before, Step 2 of setting an appropriate torch condition for the temperature of the tip of the wire 5 detected in Step 1, and the condition set in Step 2 Step 3 of forming a ball on the tip of the wire 5 is included.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造工
程において行われるワイヤボンディング方法に関する。
ワイヤボンディングは、キャピラリーと呼ばれるワイヤ
ー送り出し部材にて金属ワイヤーを所定量送り出しなが
ら、キャピラリーを動作させることで半導体素子等のパ
ッドとリードとにワイヤーを圧着していく。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding method performed in a manufacturing process of semiconductor devices and the like.
In wire bonding, a wire feeding member called a capillary feeds a predetermined amount of a metal wire and operates the capillary to crimp the wire onto a pad and a lead of a semiconductor element or the like.

【0002】パッドにワイヤーを圧着する際には、ワイ
ヤー先端に所定径のボールを形成する方法を採用するこ
とで安定した接続を行うようにしている。近年、半導体
装置の高集積化によって、半導体素子上のパッドも小さ
くなってきており、これに応じて金属ワイヤー先端に形
成するボールも小径とする必要がある。
When crimping a wire to a pad, a method of forming a ball having a predetermined diameter at the tip of the wire is employed to ensure stable connection. In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, the pads on semiconductor elements have become smaller, and accordingly, the balls formed at the tip of the metal wire must also have a small diameter.

【0003】このように小径化しているワイヤー先端の
ボールを、大きさ及び硬度等の状態にばらつきのないよ
うに精度良く形成することが求められている。
It is required to accurately form the ball at the tip of the wire whose diameter is reduced in this way so that the size and hardness of the ball do not vary.

【0004】[0004]

【従来の技術】従来のワイヤボンディング方法を図7及
び図8を参照しながら説明する。図7は、ボール形成の
原理を説明するための図であり、図8は、ワイヤボンデ
ィングの基本的方法を説明するための図である。図7に
示すようにリール31に巻かれている金属製のワイヤー
32は、クランパー33及びキャピラリー34を介して
送り出される。キャピラリー34先端より所定長さだけ
ワイヤー32aを突出させた状態で、電源35に接続さ
れるトーチ電極36をワイヤー先端32aの近傍に位置
させて電源35より所定の電圧を印加する。
2. Description of the Related Art A conventional wire bonding method will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a diagram for explaining the principle of ball formation, and FIG. 8 is a diagram for explaining the basic method of wire bonding. As shown in FIG. 7, the metal wire 32 wound around the reel 31 is sent out via the clamper 33 and the capillary 34. With the wire 32a protruding from the tip of the capillary 34 by a predetermined length, the torch electrode 36 connected to the power supply 35 is positioned near the wire tip 32a, and a predetermined voltage is applied from the power supply 35.

【0005】電圧印加により、ワイヤー先端32aとト
ーチ電極36間にアーク放電が発生して、ワイヤー先端
32aが加熱溶融して、ボールが形成される。以上のよ
うにワイヤー先端32a先端にボールを形成した後、キ
ャピラリー34を動作させることで半導体素子上のパッ
ドにボールを接続する。図8は、パッドとリード端子間
のワイヤーボンディングを行った状態の断面図である。
前述した方法によりワイヤー先端32aにボールを形成
したワイヤーをキャピラリー34をパッド部に降下させ
ることでパッド37上に接続する。この時、ボールは熱
を有して軟らかい状態であるため、キャピラリー34先
端により押し潰され、ボール表面の酸化膜が破られ新生
面が露出することで所定の接合面積をもって接続され
る。
When voltage is applied, arc discharge is generated between the wire tip 32a and the torch electrode 36, the wire tip 32a is heated and melted, and a ball is formed. After the ball is formed at the tip of the wire tip 32a as described above, the ball is connected to the pad on the semiconductor element by operating the capillary 34. FIG. 8 is a sectional view showing a state in which wire bonding between the pad and the lead terminal is performed.
The wire having the ball formed at the wire tip 32a by the above-described method is connected to the pad 37 by lowering the capillary 34 to the pad portion. At this time, since the ball is heated and is in a soft state, it is crushed by the tip of the capillary 34, the oxide film on the ball surface is broken, and the new surface is exposed, so that the ball is connected with a predetermined bonding area.

【0006】尚、キャピラリー34先端からのワイヤー
の突出量はクランパー33にて制御されており、クラン
パー33はボール形成時の閉じた状態より、パッド接続
の際には開いた状態となる。そしてキャピラリー34を
下降させることでキャピラリー34の先端でボールを保
持する状態となり、ボールがパッドへ接続される。その
後、クランパー33を開いた状態のままキャピラリー3
4をリードフレームのリード端子38へと移動させるこ
とで、ワイヤーが所定量送り出され、キャピラリー34
先端をリード端子38に押圧することでワイヤー32を
リード端子38に接続する。ここでもキャピラリー34
先端によりワイヤー32を押し潰す状態にすることで接
続を行っている。
The amount of protrusion of the wire from the tip of the capillary 34 is controlled by the clamper 33. The clamper 33 is in an open state when the pad is connected rather than a closed state when the ball is formed. Then, by lowering the capillary 34, the ball is held by the tip of the capillary 34, and the ball is connected to the pad. After that, with the clamper 33 open, the capillary 3
4 is moved to the lead terminal 38 of the lead frame, the wire is fed by a predetermined amount, and the capillary 34
By pressing the tip against the lead terminal 38, the wire 32 is connected to the lead terminal 38. Again, the capillary 34
The connection is performed by crushing the wire 32 by the tip.

【0007】接続後、クランパー33は所定間隔開いた
状態を保持しており、キャピラリー34をこの状態で上
方へ移動する。この移動に伴いワイヤー32はキャピラ
リー34先端より送り出されている。所定量ワイヤー3
2が送り出された時点でクランパー33を閉じる。ワイ
ヤー32のリード端子38と接続された部分は潰されて
細くなっているため、クランパー33を閉じた状態でキ
ャピラリー34を更に上方に移動すると、この接続部分
よりワイヤー32は切断されることとなる。
After the connection, the clamper 33 is kept open at a predetermined interval, and the capillary 34 is moved upward in this state. Along with this movement, the wire 32 is sent out from the tip of the capillary 34. Predetermined amount of wire 3
When 2 is sent out, the clamper 33 is closed. Since the portion of the wire 32 connected to the lead terminal 38 is crushed and thinned, if the capillary 34 is moved further upward with the clamper 33 closed, the wire 32 will be cut from this connection portion. .

【0008】以上のような動作により、パッド37とリ
ード端子38間のボンディングが終了し、これを繰り返
し行うことで半導体素子39の複数のパッドとリード端
子とを接続していく。キャピラリー34の動作は、図示
していないがモーターを駆動源として行っている。
By the above operation, the bonding between the pad 37 and the lead terminal 38 is completed, and by repeating this, a plurality of pads of the semiconductor element 39 and the lead terminal are connected. Although not shown, the operation of the capillary 34 is performed by using a motor as a drive source.

【0009】一般的にリードフレームは、半導体素子を
搭載するステージが複数形成され、同時に複数の半導体
装置を製造するように構成されている。従って、ワイヤ
ボンディングにおいても、複数の半導体装置に対してリ
ードフレームを移送しながら連続的に行っていく。通
常、ワイヤー先端のボール形成は、ボンディング直後に
行っており、1個の半導体素子に対するボンディングが
終わった後、次の半導体素子のボンディングまでに待機
時間があるような場合には、形成したボールが冷却され
て硬くなる。
Generally, a lead frame is formed with a plurality of stages on which semiconductor elements are mounted and simultaneously manufactures a plurality of semiconductor devices. Therefore, also in wire bonding, the lead frame is transferred to a plurality of semiconductor devices continuously. Normally, the ball at the tip of the wire is formed immediately after bonding, and when there is a waiting time until the bonding of the next semiconductor element after the bonding of one semiconductor element is completed, the formed ball is Cools and becomes hard.

【0010】このような状態でパッド上にボンディング
した場合、ボールの変形量が少なくなり接合面積が小さ
くなることから、十分な接合力を得ることができなくな
る。そこで、形成したボールの冷却を防止して安定した
硬度となるように、ボンディングを行う直前、即ち所定
のパッド上にキャピラリーが移動してからボールを形成
する方法が考えられるようになってきた。
When the bonding is performed on the pad in such a state, the deformation amount of the ball is reduced and the bonding area is reduced, so that a sufficient bonding force cannot be obtained. Therefore, in order to prevent the formed ball from cooling and to have a stable hardness, a method has been considered in which the ball is formed immediately before bonding, that is, after the capillary moves to a predetermined pad.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ボンディングを行う直
前にワイヤー先端にボールを形成する方法においては、
次のボンディングまでに待機時間があるような場合で
も、待機後にボールを形成するため、ボール形成後のボ
ールの冷却による硬化は確かに防止できる。しかしなが
ら、この場合にはボール形成前にワイヤーが冷却した状
態になり、連続してボールを形成する場合とは温度の条
件が異なることになる。
In the method of forming a ball at the tip of a wire immediately before bonding,
Even if there is a waiting time before the next bonding, the balls are formed after the waiting, so that hardening of the balls after cooling can be surely prevented. However, in this case, the wire is cooled before the ball is formed, and the temperature condition is different from that in the case where the balls are continuously formed.

【0012】例えば、2400Vの電圧を印加してボールを
形成するような場合、ワイヤー先端の温度は1200度程度
まで上昇し、溶融してボールが形成されるが、連続して
ボールを形成すると、ワイヤーは完全に冷却されること
なく、400 度程度の温度を有したまま、次のボール形成
のために電圧が印加される。これに対して待機時間があ
る場合には、室温程度までワイヤーは冷却された状態と
なる。このような状態においては、同様なトーチ条件で
ボール形成を行うと温度条件の違いから形成されるボー
ルの径が異なることとなる。
For example, when a ball is formed by applying a voltage of 2400V, the temperature of the tip of the wire rises to about 1200 degrees and melts to form a ball. The wire is not completely cooled and a voltage is applied for the next ball formation while maintaining a temperature of about 400 degrees. On the other hand, when there is a waiting time, the wire is cooled to about room temperature. In such a state, if the balls are formed under the same torch conditions, the diameter of the formed ball will be different due to the difference in temperature conditions.

【0013】即ち、ワイヤーが完全に冷却した状態から
形成するボールは所定径より小さくなるため、パッド等
との接合面積も小さくなり十分な接合力を得ることがで
きず、剥離する可能性が大きくなる。逆に、ワイヤーが
冷却した状態より形成されるボール径を基準にすると、
それ以外、即ち大部分のボールが所定径より大きくな
り、ボールの小径化を図ることができない。
That is, since the ball formed from the state where the wire is completely cooled is smaller than a predetermined diameter, the bonding area with the pad or the like is also small, and a sufficient bonding force cannot be obtained and there is a high possibility of peeling. Become. On the contrary, based on the ball diameter formed by the wire being cooled,
Other than that, that is, most of the balls have a diameter larger than a predetermined diameter, and it is impossible to reduce the diameter of the balls.

【0014】以上のように、ボンディングする直前にボ
ールを形成する方法においては、ボール径のばらつきが
生じて、特に小径化するボール形成ではボール径及び接
合面積等におけるボンディング管理を行うことが困難と
なる。本発明は、ワイヤボンディングを行う場合におけ
るワイヤー先端に形成するボールの径、硬度等ボールの
状態をばらつくことなく安定にすることにより、管理を
容易にして小径のボールを確実にボンディングすること
を目的としている。
As described above, in the method of forming balls immediately before bonding, variations in ball diameter occur, and it is difficult to perform bonding management in terms of ball diameter, bonding area, etc., especially in ball formation where the diameter is reduced. Become. It is an object of the present invention to facilitate management and reliably bond a small-diameter ball by stabilizing the state of the ball such as the diameter and hardness of the ball formed at the tip of the wire when performing wire bonding without variation. I am trying.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、ワイヤー5の先端とトーチ電極6との間に電圧を
印加することで、前記ワイヤー先端を溶融させボールを
形成し、該ボールを被接合部に圧着する工程を有するワ
イヤボンディング方法において、ボールを形成する直前
のワイヤー5先端の温度を検出する工程1と、工程1に
て検出した温度に対して適切なトーチ条件を設定する工
程2と、工程2にて設定したトーチ条件によりワイヤー
先端にボールを形成する工程3とを含むことを特徴とす
る。
According to the present invention for solving the above-mentioned problems, a voltage is applied between the tip of the wire 5 and the torch electrode 6 to melt the tip of the wire to form a ball. In a wire bonding method including a step of crimping a wire to a bonded portion, a step 1 of detecting the temperature of the tip of the wire 5 immediately before forming the ball and an appropriate torch condition for the temperature detected in the step 1 are set. It is characterized by including Step 2 and Step 3 of forming a ball at the tip of the wire under the torch conditions set in Step 2.

【0016】[0016]

【作用】ワイヤー先端に形成するボールの径及び硬度等
の状態は、ボール形成直前のワイヤー先端部分の温度に
よって大きく左右される。従って、上記手段の如くボー
ル形成直前のワイヤー先端温度を検出して、この時の温
度に応じて適宜トーチ条件を設定した後、ボールを形成
すれば、ワイヤー温度の違いがあってもトーチ条件の補
正がなされるため、所定のボール径を得ることが可能と
なる。
The state of the diameter and hardness of the ball formed at the tip of the wire is greatly affected by the temperature of the wire tip immediately before the ball is formed. Therefore, if the ball is formed after detecting the wire tip temperature immediately before ball formation as described above and setting the torch condition appropriately according to the temperature at this time, even if there is a difference in wire temperature, torch condition Since the correction is performed, it is possible to obtain a predetermined ball diameter.

【0017】[0017]

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。図1は
本発明のワイヤボンディング方法の基本的工程を示す図
であり、図2は、図1の基本的工程を実施するための装
置構成図である。本発明のワイヤボンディング方法は図
1に示すように、ボール形成直前におけるワイヤー先端
の温度を検出する工程1と、検出した温度に対して適切
なトーチ条件を設定する工程2と、設定したトーチ条件
によりワイヤー先端にボールを形成する工程3とを有し
ており、この後ボールを被接合部である半導体素子のパ
ッド上に接続する。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. FIG. 1 is a diagram showing the basic steps of the wire bonding method of the present invention, and FIG. 2 is an apparatus configuration diagram for carrying out the basic steps of FIG. As shown in FIG. 1, the wire bonding method of the present invention includes a step 1 of detecting the temperature of the wire tip immediately before ball formation, a step 2 of setting an appropriate torch condition for the detected temperature, and a set torch condition. The step 3 of forming a ball at the tip of the wire is performed, and then the ball is connected to the pad of the semiconductor element which is the bonded portion.

【0018】この基本的工程を実施するためのボンディ
ング装置は、図2に示すように金等金属製のワイヤー5
を送り出すキャピラリー4と、キャピラリー4の先端か
ら突出するワイヤー5との間にアーク放電を発生させる
ためのトーチ電極6と、ボール形成の各種条件を制御す
るボール形成制御部7と、ボール形成のためのトリガー
信号を発生させるトリガー信号発生回路7、及びキャピ
ラリー4近傍にワイヤー5先端の温度を検出するための
温度センサー12とを少なくとも有する構成であり、ボ
ール形成制御部7内には電源9、トーチ条件設定回路1
0、温度検出回路11を備えている。
As shown in FIG. 2, the bonding apparatus for carrying out this basic process is a wire 5 made of metal such as gold.
For discharging the arc, a torch electrode 6 for generating an arc discharge between the wire 5 protruding from the tip of the capillary 4, a ball formation controller 7 for controlling various conditions for ball formation, and a ball formation controller 7 for ball formation. A trigger signal generating circuit 7 for generating a trigger signal of the above, and a temperature sensor 12 for detecting the temperature of the tip of the wire 5 in the vicinity of the capillary 4, and a power source 9 and a torch in the ball formation control unit 7. Condition setting circuit 1
0, the temperature detection circuit 11 is provided.

【0019】このようなボンディング装置において、キ
ャピラリー4からのワイヤー5の送り出しは、その上方
に設置されるクランパー13の開閉により制御されてお
り、まずキャピラリー4の先端部より所定量だけワイヤ
ー12を突出させる。この突出されるワイヤー5の温度
は、その近傍に設置されている温度センサー12により
検出されており、その結果は常時ボール形成制御部7内
の温度検出回路11へと送られている。
In such a bonding apparatus, the feeding of the wire 5 from the capillary 4 is controlled by opening and closing the clamper 13 installed above the capillary 4, and the wire 12 is first projected from the tip of the capillary 4 by a predetermined amount. Let The temperature of the projected wire 5 is detected by a temperature sensor 12 installed in the vicinity thereof, and the result is constantly sent to the temperature detection circuit 11 in the ball formation control unit 7.

【0020】キャピラリー4は、予め記憶されている座
標に従って図示せぬモーターを駆動源として動作してお
り、ボンディングを行うべき半導体素子のパッド上に位
置した時点で、ボール形成を開始するためのトリガー信
号がトリガー信号発生回路8から、ボール形成制御部7
内の温度検出回路11へと送られる。これらの信号より
温度検出回路11は、トリガー信号を受信した時点、即
ちボール形成直前のワイヤー5先端の温度を認識する。
その結果がトーチ条件設定回路へと送られ、その温度の
下で所定径のボールを形成するための電圧、電流、及び
印加時間等のトーチ条件が最適値に設定される。この値
は予め各条件にてボール形成を行うことで実験的に決定
している。
The capillary 4 operates with a motor (not shown) as a drive source according to the coordinates stored in advance, and when it is located on the pad of the semiconductor element to be bonded, it is a trigger for starting ball formation. A signal is sent from the trigger signal generation circuit 8 to the ball formation control unit 7
It is sent to the internal temperature detection circuit 11. From these signals, the temperature detection circuit 11 recognizes the temperature of the tip of the wire 5 at the time when the trigger signal is received, that is, immediately before ball formation.
The result is sent to the torch condition setting circuit, and the torch conditions such as voltage, current, and application time for forming a ball having a predetermined diameter under that temperature are set to optimum values. This value is experimentally determined by forming a ball under each condition in advance.

【0021】その後、設定されたトーチ条件のもと、電
源9よりワイヤー5の先端とトーチ電極6との間に電圧
が印加され、アーク放電を発生させることにより、ワイ
ヤー5先端を溶融してボールを形成する。以上のよう
に、所定径のボールを形成した直後、キャピラリー4を
下降させてボールをパッド上に接続する。
Then, under the set torch conditions, a voltage is applied from the power source 9 between the tip of the wire 5 and the torch electrode 6 to generate arc discharge, thereby melting the tip of the wire 5 and melting the ball. To form. As described above, immediately after forming a ball having a predetermined diameter, the capillary 4 is lowered to connect the ball to the pad.

【0022】この接続は、従来技術の項における図7の
説明と同様なメカニズムにて行われる。以上説明したワ
イヤボンディング方法においては、トーチ条件の設定を
ボール形成毎に行うような構成となっているが、ワイヤ
ーの温度が大きく異なる時のみトーチ条件を補正すれば
効率良くボール形成を行うことができる。
This connection is made by the same mechanism as described in FIG. 7 in the section of the prior art. In the wire bonding method described above, the torch condition is set for each ball formation. However, if the torch condition is corrected only when the wire temperature greatly differs, ball formation can be performed efficiently. it can.

【0023】即ち、連続的にワイヤボンディングを行っ
ている際には、ボール形成直前のワイヤー先端の温度は
ほぼ一定であるため、この温度に対して適切なトーチ条
件に固定しておき、素子間等でボンディングを行う間隔
が長くなり冷却による大きな温度変化が生じた時にのみ
トーチ条件を補正すればよい。図3は、本発明の一実施
例であり、上記方法を行うためのボンディング装置構成
図を示す。図3において、図2と異なるのはボール形成
制御部14であり、その他の図2と同一部には同一符号
を付してある。
That is, when wire bonding is continuously performed, the temperature of the wire tip immediately before ball formation is almost constant. For example, the torch condition may be corrected only when the bonding interval becomes longer and a large temperature change occurs due to cooling. FIG. 3 is an embodiment of the present invention and shows a configuration diagram of a bonding apparatus for performing the above method. 3 is different from FIG. 2 in the ball formation control unit 14, and the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

【0024】本実施例のボール形成制御部14は、温度
検出回路19、基準温度設定回路18、温度比較回路1
7、トーチ条件補正回路16及び電源15とを有してい
る。このようなボンディング装置において、図2の装置
同様キャピラリー4の先端部より所定量だけワイヤー5
を突出させ、この突出されたワイヤー5の温度を温度セ
ンサー12により検出し、その結果を常時ボール形成制
御部14内の温度検出回路19へと送っている。
The ball formation controller 14 of this embodiment comprises a temperature detection circuit 19, a reference temperature setting circuit 18, and a temperature comparison circuit 1.
7, a torch condition correction circuit 16 and a power supply 15. In such a bonding apparatus, as in the apparatus of FIG. 2, the wire 5 is moved from the tip of the capillary 4 by a predetermined amount.
The temperature of the wire 5 thus projected is detected by the temperature sensor 12, and the result is constantly sent to the temperature detection circuit 19 in the ball formation controller 14.

【0025】温度検出回路19は、トリガー信号発生回
路8からの信号により、ボール形成直前のワイヤー5先
端の温度を認識する。一方、基準温度設定回路18は、
連続的にワイヤボンディングを行った場合のワイヤー5
先端の温度から基準となる温度を設定する。このように
温度検出回路19と基準温度設定回路18で得られる実
際のワイヤー先端温度と基準温度とが温度比較回路17
により比較され、その大小が判断される。
The temperature detecting circuit 19 recognizes the temperature of the tip of the wire 5 immediately before the ball is formed, based on the signal from the trigger signal generating circuit 8. On the other hand, the reference temperature setting circuit 18
Wire 5 when wire bonding is performed continuously
Set the reference temperature from the tip temperature. Thus, the actual wire tip temperature and the reference temperature obtained by the temperature detection circuit 19 and the reference temperature setting circuit 18 are compared with each other by the temperature comparison circuit 17.
And the size is judged.

【0026】この比較の結果、実際のワイヤー先端温度
が基準温度より高い場合にはトーチ条件を補正すること
なく、実際のワイヤー先端温度が基準温度より低い場合
にのみ、トーチ条件補正回路16によりトーチ条件の補
正が行われる。その後、設定されたトーチ条件のもと、
電源15よりワイヤー5の先端とトーチ電極6との間に
電圧が印加され、アーク放電を発生させることにより、
ワイヤー5先端を溶融してボールを形成する。このよう
に所定径のボールを形成した直後、キャピラリー4を下
降させてボールをパッド上に接続する。
As a result of this comparison, when the actual wire tip temperature is higher than the reference temperature, the torch condition is not corrected, and only when the actual wire tip temperature is lower than the reference temperature, the torch condition correction circuit 16 is used. The condition is corrected. After that, under the set torch conditions,
By applying a voltage between the tip of the wire 5 and the torch electrode 6 from the power source 15 to generate arc discharge,
The tip of the wire 5 is melted to form a ball. Immediately after forming a ball having a predetermined diameter in this way, the capillary 4 is lowered to connect the ball to the pad.

【0027】尚、トーチ条件を補正して1度ボールを形
成した後には、トーチ条件は補正前と同様通常の条件へ
ともどる構成としている。次に、本発明の他の実施例を
図4及び図5により説明する。図4は、本実施例のボン
ディング方法を示すフローチャートであり、図5は、本
実施例の方法を実現するためのボンディング装置の構成
図である。
After the torch condition is corrected and the ball is formed once, the torch condition is returned to the normal condition as before correction. Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flow chart showing the bonding method of this embodiment, and FIG. 5 is a configuration diagram of a bonding apparatus for realizing the method of this embodiment.

【0028】前実施例ではワイヤー5の先端の温度を直
接検出して、その結果をもとにトーチ条件を設定した
が、ワイヤー5の温度は時間の経過に比例して低下して
いくため、本実施例ではボール形成の間隔を計測して、
その時間に応じたトーチ条件を設定するものである。即
ち、温度検出をボール形成間隔の計測に置き換えるもの
で、間接的に温度検出を行うものである。
In the previous embodiment, the temperature of the tip of the wire 5 was directly detected and the torch condition was set based on the result. However, since the temperature of the wire 5 decreases in proportion to the passage of time, In this embodiment, the ball formation interval is measured,
The torch condition is set according to the time. That is, the temperature detection is replaced with the measurement of the ball formation interval, and the temperature detection is indirectly performed.

【0029】ワイヤー先端にボールを形成するにあたっ
ては、まずボール形成を開始するためのトリガー信号が
発生されるが、図4に示すように、このトリガー信号の
発生時間t1 から、前回のボール形成前に発生され記憶
していた前回トリガー信号発生時間t0 を差し引くこと
で、トリガー間隔Tを検出する。次に、検出したトリガ
ー間隔Tと、予め設定した基準間隔T0 とを比較する。
When a ball is formed at the tip of the wire, a trigger signal for starting the ball formation is first generated. As shown in FIG. 4, from the time t1 when the trigger signal is generated, before the previous ball formation. The trigger interval T is detected by subtracting the previously generated trigger signal generation time t0 generated and stored at. Next, the detected trigger interval T is compared with the preset reference interval T0.

【0030】この比較の結果、トリガー間隔T≦基準間
隔T0 の場合には予め設定してある通常のトーチ条件で
そのままボール形成を開始する。一方、比較した結果
が、トリガー間隔T>基準間隔T0 となった場合には、
トーチ条件の補正を行った上、ボール形成を開始する。
本実施例におけるワイヤボンディング方法は、図5に示
すボンディング装置により実現することができる。図5
において前実施例と同一部には同一符号を付している。
As a result of this comparison, if trigger interval T ≦ reference interval T0, ball formation is started as it is under the preset normal torch condition. On the other hand, when the comparison result is that the trigger interval T> the reference interval T0,
After the torch conditions are corrected, ball formation is started.
The wire bonding method in this embodiment can be realized by the bonding apparatus shown in FIG. Figure 5
In the above, the same parts as those in the previous embodiment are designated by the same reference numerals.

【0031】本実施例のボンディング装置におけるボー
ル形成制御部20は、トリガー間隔補正回路25、基準
間隔設定回路24、間隔比較回路23、トーチ条件補正
回路22及び電源21とを備えている。前実施例と同様
で本装置では、キャピラリー4からのワイヤー5の送り
出しをクランパー13の開閉で制御することにより行
い、キャピラリー4の先端部より所定量だけ突出させ
る。
The ball formation controller 20 in the bonding apparatus of this embodiment comprises a trigger interval correction circuit 25, a reference interval setting circuit 24, an interval comparison circuit 23, a torch condition correction circuit 22 and a power supply 21. Similar to the previous embodiment, in this apparatus, the wire 5 is fed out from the capillary 4 by controlling the opening and closing of the clamper 13 to project the wire 5 from the tip of the capillary 4 by a predetermined amount.

【0032】その後、キャピラリー4を被接合部である
パッド上方に位置させるために、モーター26により移
動する。モーター26は予め記憶する座標に従ってキャ
ピラリー4を移動させるものである。トリガー信号発生
回路8は、キャピラリー4が所定のパッド上に位置して
モーター26の動作が停止したことを認識して、ボール
形成用のトリガー信号を制御部20のトリガー間隔測定
回路25へと送信する。
After that, the capillary 4 is moved by the motor 26 so as to be positioned above the pad which is the bonded portion. The motor 26 moves the capillary 4 according to the coordinates stored in advance. The trigger signal generation circuit 8 recognizes that the capillary 4 is located on a predetermined pad and the operation of the motor 26 is stopped, and sends a trigger signal for ball formation to the trigger interval measurement circuit 25 of the control unit 20. To do.

【0033】トリガー信号を受信したトリガー間隔測定
回路25では、このトリガー信号発生時間t1 と記憶し
てある前回のトリガー信号発生の時間t0 との演算t0
−t1 を行うことによって、トリガー信号発生の間隔T
を求める。一方、基準間隔設定回路24では、ワイヤー
先端がボール径に影響を及ぼす温度まで冷却されない時
間を基準間隔T0 として設定する。
In the trigger interval measuring circuit 25 which has received the trigger signal, the calculation t0 of this trigger signal generation time t1 and the stored time t0 of the previous trigger signal generation.
By executing -t1, the interval T of the trigger signal generation is
Ask for. On the other hand, in the reference interval setting circuit 24, the time during which the tip of the wire is not cooled to a temperature that affects the ball diameter is set as the reference interval T0.

【0034】これらトリガー間隔Tと基準間隔T0 と
は、間隔比較回路23にて比較され、その大小が認識さ
れる。この比較の結果、T≦T0 であった場合には、ト
ーチ条件補正回路22は動作することなく、電源21よ
り予め設定された通常のトーチ条件となる電圧印加を行
って、ワイヤー5の先端にボールを形成する。即ち、ト
リガー間隔が短くワイヤー5の先端がボール径に影響を
与えるほど冷えることがないため、通常のトーチ条件で
のボール形成を行うものである。
The trigger interval T and the reference interval T0 are compared by the interval comparison circuit 23, and the magnitude thereof is recognized. As a result of this comparison, if T ≦ T0, the torch condition correction circuit 22 does not operate, and a voltage is applied from the power supply 21 so that the preset torch condition is applied to the tip of the wire 5. Forming a ball. That is, since the trigger interval is short and the tip of the wire 5 does not cool enough to affect the ball diameter, the ball is formed under normal torch conditions.

【0035】これに対して、間隔比較回路23での比較
の結果、T>T0 であった場合には、トーチ条件補正回
路22によってトーチ条件を適宜補正した後、その補正
したトーチ条件となるよう電源21より電圧印加を行っ
て、ワイヤー5の先端にボールを形成する。(t1,t0
,T,T0は図4 を参照)トーチ条件としては、電圧
そのもの、或いは電圧印加時間、または電流等があり、
これらの値を補正することで最適値を設定する。この値
は予め各条件にてボール形成を行うことで実験的に決定
している。
On the other hand, when T> T0 as a result of the comparison in the interval comparison circuit 23, the torch condition correction circuit 22 appropriately corrects the torch condition, and then the corrected torch condition is obtained. A voltage is applied from the power source 21 to form a ball at the tip of the wire 5. (T1, t0
, T, T0 refer to Fig. 4) Torch conditions include voltage itself, voltage application time, current, etc.
The optimum value is set by correcting these values. This value is experimentally determined by forming a ball under each condition in advance.

【0036】以上のように、所定径のボールを形成した
直後、キャピラリー4を下降させてボールをパッド上に
接続する。本実施例ではトーチ条件として、電圧、電圧
印加時間、電流をあげたが、この他にも、図6に示すよ
うに放電部分へのイオン照射によって形成されるボール
径を変化させることができる。
As described above, immediately after forming a ball having a predetermined diameter, the capillary 4 is lowered to connect the ball to the pad. In this embodiment, as the torch conditions, the voltage, the voltage application time, and the current were raised, but in addition to this, as shown in FIG. 6, the diameter of the ball formed by ion irradiation to the discharge portion can be changed.

【0037】図6は、ボンディング装置の一部を示すも
のであり、間隔比較回路23における比較の結果、T>
T0 (図4参照)となった場合、トーチ条件補正回路2
2によってこれに接続されるイオン発生器27に信号が
送られ、イオンが発生しワイヤー5とトーチ電極6との
間に照射される。イオンはアーク放電の発生を助長する
作用があるため、放電部分への照射によりワイヤー先端
のボールは形成され易くなる。
FIG. 6 shows a part of the bonding apparatus. As a result of comparison in the interval comparison circuit 23, T>
When T0 (see FIG. 4) is reached, the torch condition correction circuit 2
A signal is sent to the ion generator 27 connected thereto by 2 and ions are generated and irradiated between the wire 5 and the torch electrode 6. Since the ions have a function of promoting the generation of arc discharge, irradiation of the discharge portion facilitates the formation of balls at the tip of the wire.

【0038】更に、アーク放電の発生を助長する手段と
しては、放電部分へのホットガスの照射、或いはトーチ
電極の加熱等が考えられるため、ワイヤー先端が冷却さ
れた場合のトーチ条件補正として、このような方法を採
用しても所定のボール径を得ることは可能である。
Further, as means for promoting the generation of arc discharge, irradiation of hot gas to the discharge part, heating of the torch electrode, etc. can be considered. Therefore, as a torch condition correction when the tip of the wire is cooled, this Even if such a method is adopted, it is possible to obtain a predetermined ball diameter.

【0039】[0039]

【効果】本発明によれば、ボール形成直前のワイヤー先
端温度を検出して、この時の温度に応じて適宜トーチ条
件を設定した後、ボールを形成するため、ボール形成時
のワイヤー温度にばらつきがあっても、その温度のばら
つきに応じたトーチ条件を適宜設定するため、ボール径
にはばらつきが生ずることがなく、安定して所望のボー
ル径を得ることが可能となる。
According to the present invention, the temperature of the wire tip immediately before the ball is formed is detected, and the torch condition is appropriately set according to the temperature at that time, and then the ball is formed. However, since the torch condition is appropriately set according to the variation in the temperature, the variation in the ball diameter does not occur and the desired ball diameter can be stably obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のワイヤボンディング方法の基本的工程
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing basic steps of a wire bonding method of the present invention.

【図2】本発明の基本的工程を実施するための装置構成
図である。
FIG. 2 is a device configuration diagram for carrying out the basic steps of the present invention.

【図3】本発明の一実施例を説明するためのボンディン
グ装置構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a bonding apparatus for explaining an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例を説明するためのフローチ
ャートである。
FIG. 4 is a flow chart for explaining another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施例を説明するためのボンディ
ング装置構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a bonding apparatus for explaining another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のイオン照射を行う実施例を説明するた
めのボンディング装置構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a bonding apparatus for explaining an example of performing ion irradiation of the present invention.

【図7】従来より使用されているボール形成の原理を説
明するための図である。
FIG. 7 is a view for explaining the principle of ball formation that has been conventionally used.

【図8】従来より使用されているワイヤボンディングの
基本的方法を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a basic method of wire bonding that has been conventionally used.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワイヤー(5)の先端とトーチ電極
(6)との間に電圧を印加することで、前記ワイヤー
(5)の先端を溶融させボールを形成し、該ボールを被
接合部に圧着するワイヤボンディング方法において、 前記ボールを形成する直前のワイヤー(5)の先端の温
度を検出する工程(1)と、 前記工程(1)にて検出したワイヤー(5)先端の温度
に対して適切なトーチ条件を設定する工程(2)と、 前記工程(2)において設定したトーチ条件によりワイ
ヤー(5)の先端にボールを形成する工程(3)とを含
むことを特徴とするワイヤボンディング方法。
1. A voltage is applied between the tip of the wire (5) and the torch electrode (6) to melt the tip of the wire (5) to form a ball, and the ball is attached to a portion to be joined. In the wire bonding method of crimping, the step (1) of detecting the temperature of the tip of the wire (5) immediately before forming the ball and the temperature of the tip of the wire (5) detected in the step (1) A wire bonding method comprising: a step (2) of setting an appropriate torch condition; and a step (3) of forming a ball at the tip of the wire (5) according to the torch condition set in the step (2). .
【請求項2】 予め基準となる温度を設定しておき、該
基準温度と実際に検出したワイヤー(5)先端温度とを
比較して、実際の温度が基準温度を下回っている場合に
のみトーチ条件を補正することを特徴とする請求項1記
載のワイヤボンディング方法。
2. A reference temperature is set in advance, the reference temperature is compared with the actually detected tip temperature of the wire (5), and the torch is provided only when the actual temperature is lower than the reference temperature. The wire bonding method according to claim 1, wherein the condition is corrected.
【請求項3】 ワイヤー(5)の先端とトーチ電極
(6)との間に電圧を印加することで、前記ワイヤー
(5)の先端を溶融させボールを形成し、該ボールを被
接合部に圧着するワイヤボンディング方法において、 ボール形成用トリガー信号の発生間隔(T)を計測する
工程と、 該発生間隔(T)に対して適切なトーチ条件を設定する
工程と、 設定したトーチ条件によりワイヤー(5)の先端にボー
ルを形成する工程とを含むことを特徴とするワイヤボン
ディング方法。
3. A voltage is applied between the tip of the wire (5) and the torch electrode (6) so that the tip of the wire (5) is melted to form a ball, and the ball is attached to a bonded portion. In the wire bonding method of crimping, a step of measuring a generation interval (T) of a ball forming trigger signal, a step of setting an appropriate torch condition for the generation interval (T), and a wire ( 5) A step of forming a ball at the tip of the wire bonding method.
【請求項4】 予め基準となるトリガー信号発生間隔
(T0 )を設定しておき、該基準値(T0 )と、実際に
計測して得たトリガー信号発生間隔(T)とを比較し
て、実際のトリガー信号発生間隔(T)が基準値
(T0 )を超過している場合にのみトーチ条件を補正す
ることを特徴とする請求項3記載のワイヤボンディング
方法。
4. A reference trigger signal generation interval (T 0 ) is set in advance, and the reference value (T 0 ) is compared with the trigger signal generation interval (T) actually obtained. 4. The wire bonding method according to claim 3, wherein the torch condition is corrected only when the actual trigger signal generation interval (T) exceeds the reference value (T 0 ).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961945A (en) * 1987-07-06 1990-10-09 Pearson Bill C Food preservative

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