JPH0715040A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードの製造方法Info
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- JPH0715040A JPH0715040A JP15746393A JP15746393A JPH0715040A JP H0715040 A JPH0715040 A JP H0715040A JP 15746393 A JP15746393 A JP 15746393A JP 15746393 A JP15746393 A JP 15746393A JP H0715040 A JPH0715040 A JP H0715040A
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- diffusion
- silicon nitride
- nitride film
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Links
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Landscapes
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光出力経時劣化の小さい発光ダイオードを
得る。 【構成】 ｎ型半導体基板上に成長させたエピタキシャ
ル層１１の表面に窒化ケイ素膜を形成する。窒化ケイ素
膜は、シランガス及び窒素ガスを原料ガスとし、流量比
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ≧０．０１５の条件でプラズマＣＶＤに
より合成する。窒化ケイ素膜に拡散窓１３を開けて拡散
マスク１４とし、拡散窓１３を介してｐ型不純物をエピ
タキシャル層１１に選択拡散させることにより発光部と
なるｐ型拡散層１５を形成する。 【効果】 シランガス及び窒素ガスからプラズマＣＶＤ
で合成された窒化ケイ素膜を拡散マスクとして使用する
とき、横方向及び深さ方向の双方に関しキャリア濃度分
布が同等になり、通電に伴った発光出力の劣化が抑制さ
れた発光ダイオードが得られる。
得る。 【構成】 ｎ型半導体基板上に成長させたエピタキシャ
ル層１１の表面に窒化ケイ素膜を形成する。窒化ケイ素
膜は、シランガス及び窒素ガスを原料ガスとし、流量比
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ≧０．０１５の条件でプラズマＣＶＤに
より合成する。窒化ケイ素膜に拡散窓１３を開けて拡散
マスク１４とし、拡散窓１３を介してｐ型不純物をエピ
タキシャル層１１に選択拡散させることにより発光部と
なるｐ型拡散層１５を形成する。 【効果】 シランガス及び窒素ガスからプラズマＣＶＤ
で合成された窒化ケイ素膜を拡散マスクとして使用する
とき、横方向及び深さ方向の双方に関しキャリア濃度分
布が同等になり、通電に伴った発光出力の劣化が抑制さ
れた発光ダイオードが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤプリンター等に
使用される高解像度発光ダイオードアレイチップ等の発
光ダイオードを製造する方法に関する。
使用される高解像度発光ダイオードアレイチップ等の発
光ダイオードを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真式のプリンターには、基板に一
定のピッチで複数の発光素子を形成した発光ダイオード
アレイを光源とするものが使用されている。一つのチッ
プに通常６４〜２５６個の発光ダイオードが集積されて
おり、長尺高密度アレイの形成の容易性，発光出力と感
光体感度との波長整合性等を考慮してＧａＡｓx Ｐ1-x
／ＧａＡｓが発光ダイオード材料として広く使用されて
いる。発光ダイオードアレイチップは、図１に示す工程
で製造される。ウエハとしては、基板１０の表面にエピ
タキシャル層１１を成長させたエピタキシャルウエハが
使用される。たとえば、ｎ型半導体基板の上にｎ型エピ
タキシャル層を成長させたエピタキシャルウエハがあ
る。
定のピッチで複数の発光素子を形成した発光ダイオード
アレイを光源とするものが使用されている。一つのチッ
プに通常６４〜２５６個の発光ダイオードが集積されて
おり、長尺高密度アレイの形成の容易性，発光出力と感
光体感度との波長整合性等を考慮してＧａＡｓx Ｐ1-x
／ＧａＡｓが発光ダイオード材料として広く使用されて
いる。発光ダイオードアレイチップは、図１に示す工程
で製造される。ウエハとしては、基板１０の表面にエピ
タキシャル層１１を成長させたエピタキシャルウエハが
使用される。たとえば、ｎ型半導体基板の上にｎ型エピ
タキシャル層を成長させたエピタキシャルウエハがあ
る。
【０００３】先ず、ＧａＡｓ基板１０の表面に成長した
ＧａＡｓＰエピタキシャル層１１に、プラズマＣＶＤ
法，熱ＣＶＤ法等によってシランガス及びアンモニアガ
スから合成した窒化ケイ素膜１２を堆積させる（図１
ａ）。窒化ケイ素膜１２を所定パターンに従ってエッチ
ングすることにより拡散窓１３を形成し、拡散マスク１
４とする（図１ｂ）。エッチングには、フッ酸水溶液等
が使用される。
ＧａＡｓＰエピタキシャル層１１に、プラズマＣＶＤ
法，熱ＣＶＤ法等によってシランガス及びアンモニアガ
スから合成した窒化ケイ素膜１２を堆積させる（図１
ａ）。窒化ケイ素膜１２を所定パターンに従ってエッチ
ングすることにより拡散窓１３を形成し、拡散マスク１
４とする（図１ｂ）。エッチングには、フッ酸水溶液等
が使用される。
【０００４】拡散窓１３を介して亜鉛等のｐ型不純物を
エピタキシャル層１１に拡散させ、発光部として働くｐ
型拡散層１５を形成する（図１ｃ）。たとえば、ウエハ
１０をＺｎ又はＺｎＡｓ化合物と共に石英アンプルに封
入し、炉内に挿入して７００℃に１時間放置する。加熱
によって蒸気になったＺｎは、拡散窓１３からエピタキ
シャル層１１に拡散する。次いで、金属電極膜１６をｐ
型拡散層１５に接合し、外部に引出す（図１ｄ）。金属
電極膜１６は、絶縁層として働く拡散マスク１４の上に
形成されているので、ｎ型のエピタキシャル層１１に導
通することはない。
エピタキシャル層１１に拡散させ、発光部として働くｐ
型拡散層１５を形成する（図１ｃ）。たとえば、ウエハ
１０をＺｎ又はＺｎＡｓ化合物と共に石英アンプルに封
入し、炉内に挿入して７００℃に１時間放置する。加熱
によって蒸気になったＺｎは、拡散窓１３からエピタキ
シャル層１１に拡散する。次いで、金属電極膜１６をｐ
型拡散層１５に接合し、外部に引出す（図１ｄ）。金属
電極膜１６は、絶縁層として働く拡散マスク１４の上に
形成されているので、ｎ型のエピタキシャル層１１に導
通することはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】拡散マスク１４として
は、通常、プラズマＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法等でシランガ
ス及びアンモニアガスから合成した窒化ケイ素膜が使用
されている。なかでも、熱ＣＶＤ法で作製した窒化ケイ
素膜は、７００℃以上にウエハ１０を加熱することによ
って、金属電極膜１６の形成に先立つ前処理等の後続工
程における酸処理に耐える耐酸性を呈する。ところが、
エピタキシャル層１１を構成する成分のうち、Ａｓ及び
Ｐは解離圧が高く、ウエハ１０を７００℃以上の高温に
加熱したとき部分的に解離する。この解離に起因して、
形成された窒化ケイ素膜と接するエピタキシャル層１１
の表層部に欠陥が発生する。他方、ｐ型不純物であるＺ
ｎは、エピタキシャル層１１と窒化ケイ素膜との間の界
面に広がり易い傾向を示す。界面方向に関するＺｎの広
がりは、エピタキシャル層１１の表層部にある欠陥によ
って一層促進される。その結果、図２に示すように、拡
散窓１３に臨む拡散マスク１４の縁部下側でｐ型拡散層
１５が異常に広がった現象が発生し易くなる。
は、通常、プラズマＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法等でシランガ
ス及びアンモニアガスから合成した窒化ケイ素膜が使用
されている。なかでも、熱ＣＶＤ法で作製した窒化ケイ
素膜は、７００℃以上にウエハ１０を加熱することによ
って、金属電極膜１６の形成に先立つ前処理等の後続工
程における酸処理に耐える耐酸性を呈する。ところが、
エピタキシャル層１１を構成する成分のうち、Ａｓ及び
Ｐは解離圧が高く、ウエハ１０を７００℃以上の高温に
加熱したとき部分的に解離する。この解離に起因して、
形成された窒化ケイ素膜と接するエピタキシャル層１１
の表層部に欠陥が発生する。他方、ｐ型不純物であるＺ
ｎは、エピタキシャル層１１と窒化ケイ素膜との間の界
面に広がり易い傾向を示す。界面方向に関するＺｎの広
がりは、エピタキシャル層１１の表層部にある欠陥によ
って一層促進される。その結果、図２に示すように、拡
散窓１３に臨む拡散マスク１４の縁部下側でｐ型拡散層
１５が異常に広がった現象が発生し易くなる。
【０００６】他方、プラズマＣＶＤ法では、プラズマ反
応を利用して３００℃程度の低温で窒化ケイ素膜が合成
される。そのため、図２に示すような拡散マスク１４の
縁部下側でｐ型拡散層１５が異常に広がった現象は発生
しない。しかし、従来から採用されているプラズマＣＶ
Ｄの製膜条件では、形成された発光ダイオードの耐電圧
特性が低い。また、ライフテストを行うと、通電時の発
光強度は、熱ＣＶＤによる場合に比較して著しく悪い劣
化特性を示す現象がみられる。この種の問題は、発光ダ
イオードアレイチップに限らず、発光ダイオードにおい
ても同様に生じる。本発明は、このような問題を解消す
べく案出されたものであり、シランガス及び窒素ガスを
原料ガスとして使用し、制御された流量比で供給しなが
らプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素膜を合成することによ
り、発光出力の経時変化が小さい発光ダイオードアレイ
チップを製造することを目的とする。
応を利用して３００℃程度の低温で窒化ケイ素膜が合成
される。そのため、図２に示すような拡散マスク１４の
縁部下側でｐ型拡散層１５が異常に広がった現象は発生
しない。しかし、従来から採用されているプラズマＣＶ
Ｄの製膜条件では、形成された発光ダイオードの耐電圧
特性が低い。また、ライフテストを行うと、通電時の発
光強度は、熱ＣＶＤによる場合に比較して著しく悪い劣
化特性を示す現象がみられる。この種の問題は、発光ダ
イオードアレイチップに限らず、発光ダイオードにおい
ても同様に生じる。本発明は、このような問題を解消す
べく案出されたものであり、シランガス及び窒素ガスを
原料ガスとして使用し、制御された流量比で供給しなが
らプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素膜を合成することによ
り、発光出力の経時変化が小さい発光ダイオードアレイ
チップを製造することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、その目的を達
成するため、ｎ型半導体基板上に成長させたエピタキシ
ャル層に堆積した拡散マスクに拡散窓を形成し、該拡散
窓を介してｐ型不純物を前記エピタキシャル層に選択的
に拡散させ、発光部となるｐ型拡散層を設けた発光ダイ
オードを製造する際、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ０．０１５
以上でシランガス及び窒素ガスを供給しながらプラズマ
ＣＶＤによって拡散マスクとなる窒化ケイ素膜を前記エ
ピタキシャル層の表面に形成することを特徴とする。
成するため、ｎ型半導体基板上に成長させたエピタキシ
ャル層に堆積した拡散マスクに拡散窓を形成し、該拡散
窓を介してｐ型不純物を前記エピタキシャル層に選択的
に拡散させ、発光部となるｐ型拡散層を設けた発光ダイ
オードを製造する際、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ０．０１５
以上でシランガス及び窒素ガスを供給しながらプラズマ
ＣＶＤによって拡散マスクとなる窒化ケイ素膜を前記エ
ピタキシャル層の表面に形成することを特徴とする。
【０００８】
【作用】シランガス及びアンモニアガスを原料ガスとす
る従来のプラズマＣＶＤで製膜された拡散マスク１４
は、図３に示す断面構造をもっている。この場合、深さ
方向に関するキャリア濃度分布は図４のようになる。同
様なキャリア濃度分布は、酸化膜を介して拡散させたと
きにも生じる。図４のキャリア濃度分布を示すｐ型拡散
層は、ステンエッチ法によって断面を観察すると図３に
示すように二重線がみられる。この二重線は、図４にお
いてキャリア濃度に急激な変化が２か所あることに対応
する。また、二重線は、窒化ケイ素膜との界面で一点に
集束する。これは、横方向に関してキャリア濃度がこの
点で急激に低下していることによるものと推察される。
る従来のプラズマＣＶＤで製膜された拡散マスク１４
は、図３に示す断面構造をもっている。この場合、深さ
方向に関するキャリア濃度分布は図４のようになる。同
様なキャリア濃度分布は、酸化膜を介して拡散させたと
きにも生じる。図４のキャリア濃度分布を示すｐ型拡散
層は、ステンエッチ法によって断面を観察すると図３に
示すように二重線がみられる。この二重線は、図４にお
いてキャリア濃度に急激な変化が２か所あることに対応
する。また、二重線は、窒化ケイ素膜との界面で一点に
集束する。これは、横方向に関してキャリア濃度がこの
点で急激に低下していることによるものと推察される。
【０００９】この断面構造をもつ発光ダイオードは、図
５に示すように通電に伴って発光出力を経時変化させ
る。たとえば、通電を５００時間継続した後では、発光
出力変化率が−１７％と大きく劣化している。発光出力
の劣化は、窒化ケイ素膜との界面において二重線の集束
する点でキャリア濃度が急激に低下していることに起因
するものと推察される。横方向に関するキャリア濃度の
急激な低下を抑制するとき、発光出力の劣化が少ない発
光ダイオードが得られることが予想される。本発明にお
いては、窒化ケイ素膜の改良によりキャリア濃度を制御
した。また、原料ガスとして使用されるシランガスと窒
素ガスとの流量比が合成された窒化ケイ素膜に与える影
響を調査した。シランガス及び窒素ガスの流量比を変え
て窒化ケイ素膜を製膜した発光ダイオードについて、５
００時間通電後の発光出力変化率を調査した。
５に示すように通電に伴って発光出力を経時変化させ
る。たとえば、通電を５００時間継続した後では、発光
出力変化率が−１７％と大きく劣化している。発光出力
の劣化は、窒化ケイ素膜との界面において二重線の集束
する点でキャリア濃度が急激に低下していることに起因
するものと推察される。横方向に関するキャリア濃度の
急激な低下を抑制するとき、発光出力の劣化が少ない発
光ダイオードが得られることが予想される。本発明にお
いては、窒化ケイ素膜の改良によりキャリア濃度を制御
した。また、原料ガスとして使用されるシランガスと窒
素ガスとの流量比が合成された窒化ケイ素膜に与える影
響を調査した。シランガス及び窒素ガスの流量比を変え
て窒化ケイ素膜を製膜した発光ダイオードについて、５
００時間通電後の発光出力変化率を調査した。
【００１０】調査結果を示す図６から明らかなように、
アンモニアガスを使用することなく、シランガス及び窒
素ガスのみを原料ガスとして使用するとき、流量比Ｓｉ
Ｈ4／Ｎ2 の増加に応じて発光出力変化率が減少する傾
向を示した。そして、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 が０．０１
５以上になると、発光出力変化率が−１〜０％と最も良
好な結果が得られた。また、発光ダイオードの断面構造
を観察すると、図７に示すように界面における二重線の
集束はみられなかった。このことから、横方向において
も、深さ方向と同一のキャリア濃度分布になっているこ
とが判る。拡散時に酸化膜を介した方法によらず、たと
えばＺｎＡｓ2 を拡散源として使用するとき、二重線は
明確に現れない。しかし、発光出力の経時変化に対して
は同様な効果があった。このようにプラズマＣＶＤ法で
窒化ケイ素膜を成長させるとき、原料ガスであるシラン
ガスと窒素ガスとの流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１５
以上にすることによって、深さ方向及び横方向の双方に
関してｐ型拡散層のキャリア濃度分布が同等になる。そ
の結果、通電に伴った発光出力の劣化が抑制された発光
ダイオードが得られる。
アンモニアガスを使用することなく、シランガス及び窒
素ガスのみを原料ガスとして使用するとき、流量比Ｓｉ
Ｈ4／Ｎ2 の増加に応じて発光出力変化率が減少する傾
向を示した。そして、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 が０．０１
５以上になると、発光出力変化率が−１〜０％と最も良
好な結果が得られた。また、発光ダイオードの断面構造
を観察すると、図７に示すように界面における二重線の
集束はみられなかった。このことから、横方向において
も、深さ方向と同一のキャリア濃度分布になっているこ
とが判る。拡散時に酸化膜を介した方法によらず、たと
えばＺｎＡｓ2 を拡散源として使用するとき、二重線は
明確に現れない。しかし、発光出力の経時変化に対して
は同様な効果があった。このようにプラズマＣＶＤ法で
窒化ケイ素膜を成長させるとき、原料ガスであるシラン
ガスと窒素ガスとの流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１５
以上にすることによって、深さ方向及び横方向の双方に
関してｐ型拡散層のキャリア濃度分布が同等になる。そ
の結果、通電に伴った発光出力の劣化が抑制された発光
ダイオードが得られる。
【００１１】
【実施例】平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を使用し
て、ＧａＡｓ0.6 Ｐ0.4 の組成をもつエピタキシャル層
１１を成長させたＧａＡｓウエハ１０に窒化ケイ素膜１
２を形成した。このとき、シランガス及び窒素ガスを原
料ガスとして使用し、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を種々変化
させた。形成された窒化ケイ素膜１２から発光部形成部
分をエッチング除去し、拡散マスク１４とした。次い
で、ウエハ１０をＺｎと共に石英アンプル中に真空封止
し、７００℃に１時間加熱保持する拡散処理を施した。
比較例として、同じプラズマＣＶＤ装置においてシラン
ガス及び窒素ガスの流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１０
以下に設定した条件下で窒化ケイ素膜を形成し、同様な
条件下でＺｎの拡散処理を行った。
て、ＧａＡｓ0.6 Ｐ0.4 の組成をもつエピタキシャル層
１１を成長させたＧａＡｓウエハ１０に窒化ケイ素膜１
２を形成した。このとき、シランガス及び窒素ガスを原
料ガスとして使用し、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を種々変化
させた。形成された窒化ケイ素膜１２から発光部形成部
分をエッチング除去し、拡散マスク１４とした。次い
で、ウエハ１０をＺｎと共に石英アンプル中に真空封止
し、７００℃に１時間加熱保持する拡散処理を施した。
比較例として、同じプラズマＣＶＤ装置においてシラン
ガス及び窒素ガスの流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１０
以下に設定した条件下で窒化ケイ素膜を形成し、同様な
条件下でＺｎの拡散処理を行った。
【００１２】拡散処理された各ウエハに同一工程で電極
を付け、発光ダイオードアレイチップを製造した。得ら
れた発光ダイオードアレイチップは、通電前の状態で発
光出力１０μＷを示した。この発光ダイオードアレイチ
ップに負荷電流５ｍＡ（矩形波），周波数２ｋＨｚ，負
荷率５０％及び点灯率１００％の条件で通電し、各通電
時間における発光出力の変化を測定した。通電が５００
時間経過した後の調査結果を表１に示す。なお、表１に
おいて、発光出力変化率は初期値と通電時間５００時間
後の発光出力から導いたものであり、測定電流は５ｍＡ
とした。
を付け、発光ダイオードアレイチップを製造した。得ら
れた発光ダイオードアレイチップは、通電前の状態で発
光出力１０μＷを示した。この発光ダイオードアレイチ
ップに負荷電流５ｍＡ（矩形波），周波数２ｋＨｚ，負
荷率５０％及び点灯率１００％の条件で通電し、各通電
時間における発光出力の変化を測定した。通電が５００
時間経過した後の調査結果を表１に示す。なお、表１に
おいて、発光出力変化率は初期値と通電時間５００時間
後の発光出力から導いたものであり、測定電流は５ｍＡ
とした。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、５００時間通電
後、実施例１〜４では発光出力変化率が何れも−１〜０
％と小さいのに対し、比較例１及び２では−７〜−２２
％と大きく劣化している。このことから、シランガス及
び窒素ガスの流量比ＳｉＨ4／Ｎ2 を０．０１５以上と
したプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素膜を製膜するとき、
発光出力の経時変化が抑制され、長時間にわたり高い発
光出力を示す発光ダイオードが得られることが判る。
後、実施例１〜４では発光出力変化率が何れも−１〜０
％と小さいのに対し、比較例１及び２では−７〜−２２
％と大きく劣化している。このことから、シランガス及
び窒素ガスの流量比ＳｉＨ4／Ｎ2 を０．０１５以上と
したプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素膜を製膜するとき、
発光出力の経時変化が抑制され、長時間にわたり高い発
光出力を示す発光ダイオードが得られることが判る。
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、シランガス及び窒素ガスを原料ガスとして使用する
プラズマＣＶＤ法で流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１５
以上に維持し、拡散マスクとなる窒化ケイ素膜をエピタ
キシャルウエハの表面に形成している。この拡散マスク
を介したＺｎの拡散によりｐ型拡散層を形成するとき、
横方向及び深さ方向の双方に関してキャリア濃度分布が
同等になり、通電に伴った発光出力の劣化が抑制された
発光ダイオードが得られる。
は、シランガス及び窒素ガスを原料ガスとして使用する
プラズマＣＶＤ法で流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 を０．０１５
以上に維持し、拡散マスクとなる窒化ケイ素膜をエピタ
キシャルウエハの表面に形成している。この拡散マスク
を介したＺｎの拡散によりｐ型拡散層を形成するとき、
横方向及び深さ方向の双方に関してキャリア濃度分布が
同等になり、通電に伴った発光出力の劣化が抑制された
発光ダイオードが得られる。
【図１】 発光ダイオードの製造工程
【図２】 熱ＣＶＤ法で形成した窒化ケイ素膜を拡散マ
スクとして使用した場合のｐ型拡散層
スクとして使用した場合のｐ型拡散層
【図３】 プラズマＣＶＤ法でシランガス及びアンモニ
アガスから合成した窒化ケイ素膜を拡散マスクとして使
用した場合のｐ型拡散層
アガスから合成した窒化ケイ素膜を拡散マスクとして使
用した場合のｐ型拡散層
【図４】 同拡散層の深さ方向に関するＺｎキャリア濃
度分布
度分布
【図５】 同拡散層をもつ発光ダイオードの通電に伴う
発光出力の経時変化
発光出力の経時変化
【図６】 シランガス及び窒素ガスの流量比が５００時
間通電後の発光出力変化率に与える影響
間通電後の発光出力変化率に与える影響
【図７】 本発明に従った発光ダイオードにおける拡散
層の断面構造
層の断面構造
１０：ウエハ １１：エピタキシャル層 １２：窒
化ケイ素膜 １３：拡散窓 １４：拡散マスク
１５：ｐ型拡散層 １６：金属電極膜
化ケイ素膜 １３：拡散窓 １４：拡散マスク
１５：ｐ型拡散層 １６：金属電極膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ｎ型半導体基板上に成長させたエピタキ
シャル層に堆積した拡散マスクに拡散窓を形成し、該拡
散窓を介してｐ型不純物を前記エピタキシャル層に選択
的に拡散させ、発光部となるｐ型拡散層を設けた発光ダ
イオードを製造する際、流量比ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ０．０１
５以上でシランガス及び窒素ガスを供給しながらプラズ
マＣＶＤによって拡散マスクとなる窒化ケイ素膜を前記
エピタキシャル層の表面に形成することを特徴とする発
光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15746393A JPH0715040A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15746393A JPH0715040A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715040A true JPH0715040A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15650220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15746393A Withdrawn JPH0715040A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997016709A1 (en) * | 1995-11-02 | 1997-05-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Temperature measurement method, temperature control method and temperature measurement apparatus for high-temperature melt |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15746393A patent/JPH0715040A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997016709A1 (en) * | 1995-11-02 | 1997-05-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Temperature measurement method, temperature control method and temperature measurement apparatus for high-temperature melt |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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