JPH07152007A

JPH07152007A - 直流電圧のドリフトが制御されている導波路型電気光学素子

Info

Publication number: JPH07152007A
Application number: JP30042093A
Authority: JP
Inventors: Hirotoshi Nagata; 裕俊永田; Kazumasa Kiuchi; 和昌木内; Shinichi Shimozu; 臣一下津; Junichi Ogiwara; 淳一荻原; Junichiro Minowa; 純一郎箕輪
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 1993-11-30
Filing date: 1993-11-30
Publication date: 1995-06-16
Anticipated expiration: 2013-09-17
Also published as: JP2798350B2

Abstract

(57)【要約】【目的】制御電圧の発散がないように印加直流電圧の
ドリフトが制御された導波路型電気光学素子、およびそ
の選別方法を提供する。【構成】室温以上の温度に保持されている導波路型電
気光学素子に、所定値の直流バイアス電圧を連続印加
し、この素子から出力する光の位相をモニターしたと
き、飽和電圧ドリフト量ＶＣと、印加電圧ＶＢとの比Ａ
＝ＶＣ／ＶＢが１未満である光素子、および、上記Ａ＝
ＶＣ／ＶＢが１未満（好ましくは０．５以下）のものを
選別する光素子の選別方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、印加直流電圧のドリフ
トが制御されている導波路型電気光学素子、およびその
選別方法に関するものである。更に詳しく述べるなら
ば、本発明は、Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ₃製の導波路型変調器
素子で代表されるような、電気光学素子において、その
出力光を制御するための直流制御電圧のドリフトが所定
値に制御されている素子、及びその簡単な選別方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ₃製の導波路型変調器
素子で代表されるような、電気光学素子からの出力光を
制御するための制御電圧のドリフト現象を評価する手段
として、一定値の直流バイアス電圧を素子に印加し、出
力光の動作点の経時変化をモニターする方法が既に報告
されている（例えば、H.Nagata and K.Kiuch, J.Appl.P
hys.73(1993)4162. およびK.Seino, T. Nakazawa, Y.Ku
bota, M.Doi, T.Yamaneand H.Hakogi, Proceedings of
the OFC'92, San Jose, February 8-11, 1992(Optical
Soc.of America)p.325)。

【０００３】しかし、前記素子の実際の使用では、出力
光の動作点をある初期値に直流バイアス電圧により調整
し、ここに交流（高周波）電圧を重ね合わせることによ
り、前記外部電圧信号に対応した出力光強度の変調状態
を得ている。このため、前記直流バイアス電圧は一定値
に固定されるものではなく、出力光の動作点を常に初期
値の状態に維持するために、刻々と調整変化されるもの
である。この、出力光の動作点を常に初期値の状態に維
持するために必要なバイアス電圧（制御電圧）の経時変
化が、真のＤＣドリフト現象である。そして、この動作
バイアス電圧（制御電圧）の変化が、システムの許容値
を超過してしまうと、素子は制御不能の状態になる。

【０００４】したがって、前述のような、固定直流バイ
アス電圧のみを印加した状態において、当該光素子のＤ
Ｃドリフトを評価してもそれは実際のシステムにおける
素子動作に対応したものではない。しかし、固定直流バ
イアス電圧印加方式の利点は、評価される素子性能の個
体差に関わりなく、ある規定された一定値のバイアス電
圧を連続印加すれば、サンプルが複数個であっても、出
力光の位相変化あるいは強度変化を時間経過にしたがっ
て順次モニターしていくだけで、動作点の経時変化を、
一つの測定系で、複数サンプルを非常に簡便に測定・評
価できることである。

【０００５】一方、実際のシステム回路あるいは類似の
回路によって、素子の実際の動作中に生ずるバイアス電
圧（制御電圧）のドリフトを直接測定・評価することも
可能である（例えば、H.Jumonji and T.Nozawa, IEICE
Transaction, J75-C-1(1992)17）。しかし、測定系が前
者に比べ複雑となり、それぞれドリフト特性が異なる複
数個のサンプルを評価する場合、サンプルと制御回路を
一対一対応させる必要が生じ、系はさらに複雑になる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記素子の制御電圧の
ドリフトの程度を簡便に測定し、かつ製造工程中の検査
項目として、大きなドリフト、特に制御電圧が発散して
しまうような不良特性をもつ素子（製品）を選別・ふる
い分けることのできる方法を提供する。上記目的のた
め、基本的な測定手段としては、従来の固定直流バイア
ス電圧印加方式を採用することが、測定の簡便さおよび
複数同時評価の能力の点で好ましい。またこの固定直流
バイアス電圧印加方式により測定されるドリフト特性値
と、実際のシステムにおける制御電圧のドリフト現象と
の対応を明確にすることにより、実際の動作時に生ずる
ＤＣドリフトを考慮した、光素子の判定基準を与える必
要がある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】ＤＣドリフト現象は、雰
囲気温度を高くすることにより加速される現象であるた
め（前出の文献参照）、雰囲気温度をできる限り高く保
つことで、測定時間を短縮することができる。

【０００８】したがって、導波路型の電気光学変調器素
子を、その出力変調光の動作点を規定位置に調整するた
めの直流バイアス電圧を印加した状態で動作させる際、
前記動作点を規定位置に維持するために必要となるバイ
アス電圧が経時変化する現象として定義される「制御電
圧のドリフト」の程度を推定し、前記制御電圧のドリフ
トが発散しない、つまり制御不能にならない素子を選別
する方法であって、室温（３０℃程度）よりも高い任意
の一定温度（望ましくは１００℃以下）環境下に保持し
た前記素子に、任意一定値の直流バイアス電圧を連続印
加した状態で前記素子を動作させ、その出力光の動作点
（例えば変調光強度のピーク位置）の経時変化もモニタ
ーし、前記出力光の動作点の経時変化、いわゆるＤＣド
リフト、から電圧量を単位として求めた見かけの飽和ド
リフト量（ＶＣ）と、定値印加した前記バイアス電圧
（ＶＢ）の比（Ａ＝ＶＣ／ＶＢ）が、少なくとも１より
小さい素子を選別することにより、製品のふるい分けを
容易に行うことができる。

【０００９】ドリフト現象を加速するための加熱温度を
高くすることにより、測定時間をより短くすることがで
きるが、素子の組立に使用されている、接着剤等の熱劣
化を抑えるために、加熱温度は１００℃以下であること
が望ましい。雰囲気温度８０℃で測定した場合、上記の
ドリフト特性値「Ａ」を導出するに要する測定時間は、
後述の実施例においては、数１０時間（およそ１日間）
で充分であった。

【００１０】本発明の印加直流電圧のドリフトが制御さ
れている導波路型電気光学素子は、室温以上の所定温度
を保持された導波路型電気光学素子に所望値の直流バイ
アス電圧を連続印加した状態で、前記素子に光を入力
し、この素子から出力する光の動作点の経時変化をモニ
ターしたとき、飽和電圧ドリフト量ＶＣと、前記印加さ
れた直流バイアス電圧（ＶＢ）の比、Ａ＝ＶＣ／ＶＢが
１未満であることを特徴とする、ものである。

【００１１】本発明の、印加直流電圧のドリフトが制御
されている導波路型電気光学素子の選別方法は、導波路
型電気光学素子を室温以上の所定温度に保持し、これら
の素子に所定値の直流バイアス電圧を印加し、この電圧
印加された素子に光を入力し、この素子の出力光の動作
点の経時変化をモニターし、電圧のドリフト量の飽和値
（ＶＣ）と、前記印加された直流バイアス電圧（ＶＢ）
との比：Ａ＝ＶＣ／ＶＢを算出し、この比Ａとして１未
満の値を示す素子を選別することを特徴とするものであ
る。

【００１２】上記素子およびその選別方法において、前
記比Ａの値が０．５以下であることが好ましく、このよ
うにすることにより素子に対する直流制御電圧のドリフ
ト量をより低く維持することができる。

【００１３】

【作用】図１に、Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ₃製の導波路型マッ
ハツェンダー強度変調器素子について、固定直流バイア
ス電圧連続印加方式で測定したＤＣドリフトと、動作時
間、（７０℃において）を示す。印加固定直流バイアス
電圧を−５，０，１，２，４，５Ｖの６水準にと変化さ
せて、それぞれ雰囲気温度７０℃で測定した。

【００１４】使用した素子の構造は、ｚ−カットＬｉＮ
ｂＯ₃基板の表面に、Ｔｉを熱拡散（９８０℃）させる
ことにより光導波路パタンを形成し、次にスパッタリン
グ法を用いてＳｉＯ₂バッファ層（高帯域用変調器で
は、通常、厚さ５００ｎｍ〜１μｍ）を堆積、６００℃
酸素気流中で熱処理した後、進行波型の電極パタン（Ａ
ｕ）を蒸着および電界メッキにより配設したものであ
る。導波路の両端の片方には薄膜型の偏光子を介して、
光ファイバが、紫外線硬化型の低屈折率エポキシ系接着
剤で固定されている。電極パタンの入出力部には、高周
波用の市販電極コネクタが、ボンディングされている。
これらの部品は、通常、金属筐体中にパッケージされる
が、本発明における一連の実験では、特に気密封止を施
さない筐体に実装したサンプルを用いた。

【００１５】図１の実験におけるＤＣ電圧ドリフトの測
定では、素子に上記固定ＤＣバイアス電圧と同時に、１
kHz の±２０Ｖ交流電圧を印加し、素子から出力される
強度変調された光（入力光の波長１．５５μｍ）強度を
オシロスコープ上でモニターし、ある特定のピーク位置
（便宜上、横軸の印加電圧値ＯＶの位置に最も近いピー
クをとった）の経時変化を追跡した（変化の単位は、電
圧値（Ｖ）である）。図１において初期状態からの、こ
の変化量（電圧単位）をＤＣ電圧ドリフト量として図示
した。同様なドリフト測定は、交流電圧を印加せずに、
固定直流バイアス電圧のみを印加した状態でも測定でき
る。その場合、ドリフトは出力光強度変化として測定さ
れるが、素子の初期動作点、半波長電圧がわかっていれ
ば、測定された強度変化を、電圧単位のドリフト量に換
算することは容易である。

【００１６】図２は、温度７０℃で、まず固定直流バイ
アス電圧（−５，１，４Ｖ：白ぬき記号で示してある）
を連続して印加した状態でＤＣ電圧ドリフトを測定し、
次に、ドリフト値がほぼ飽和した段階で、印加していた
バイアス電圧をゼロにして測定したドリフト値（黒記
号）を示してある。図２より、印加していたＤＣバイア
ス電圧を切ると、それまでのバイアス印加により生じた
ＤＣドリフト値が、ほぼ同じ時間かかって回復すること
が明らかに理解できる。

【００１７】図１，２に示されている結果は、誘電体に
電界（バイアス）を印加した場合の分極現象、特に比較
的長い緩和時間を有する配向分極、あるいはイオン分極
現象に類似している。観察されたＤＣドリフトが全て分
極の寄与によるものであるとは限らないが、素子を構成
する材料が酸化物誘電体および強誘電体であること、お
よび観察されるドリフトが数時間もの長時間を必要とす
る現象であることを考慮すると、素子中の電子の移動に
よる現象ではなく、少なくともイオンの変位・泳動によ
るものであることが推測できる。

【００１８】さらに、バイアスの方向にドリフトが依存
し、バイアス電圧を切るとドリフトが回復することよ
り、イオン伝導的なメカニズムよりも、イオンあるいは
イオン対の変位、つまり分極現象が大きく関与している
と考えられる。つまり、バイアス電圧を印加することに
より、時間的な遅れ（緩和時間）をもって、電界（バイ
アス）を打ち消す方向に分極が生じ、素子に実効的に印
加されているバイアス電圧が徐々に小さくなって、これ
がＤＣ電圧ドリフト現象として観察されるものと思われ
る。分極のメカニズムは、現段階では明らかでないが、
誘電体の構成イオン自身、酸化物材料中に不純物として
含まれる水素に基づく−ＯＨ基、および素子中に不純物
として含有される水分子等に生ずるものと考えられる。

【００１９】したがって、図１，２に示されているよう
な、単一の一定値ＤＣバイアス電圧を連続印加した場合
に観察される、時間遅れを有する電圧ドリフト現象は、
緩和現象に関する一般式、Ｖ（ｔ）＝Ｖ（∞）｛１−ｅｘｐ（−ｔ／τ）｝（０）で表すことができる。上記式においてｔは時間、τは緩
和時間を表す。

【００２０】このことを確認するために、図３に、図１
のデータを、動作時間とｌｏｇ（Ｖ（∞）−Ｖ（ｔ））
の関係に換算してプロットした。Ｖ（∞）は見かけの飽
和ドリフト電圧、Ｖ（ｔ）は時刻ｔにおけるドリフト電
圧である。図３より、固定ＤＣバイアス電圧方式で観察
されるＤＣ電圧ドリフト現象は、式（０）で表すことが
可能で、（雰囲気温度７０℃での）緩和時間は、図３中
において、括弧内に記したように、およそ４時間である
ことがわかった。

【００２１】次に、固定バイアス電圧方式で測定したＤ
Ｃドリフト現象に関する上記考察をもとに、固定バイア
ス電圧方式による測定データと実際のシステムにおける
制御電圧のドリフトとの関連づけを行った。実際の素子
動作では、まず素子の動作点を最適な電圧位置に調整す
るために、初期バイアス電圧を印加する。この初期バイ
アス電圧により、時間Δｔ後にドリフトＶ（Δｔ）が生
ずると、そこでドリフト分の電圧Ｖ（Δｔ）を初期バイ
アス電圧に追加する。このような操作を繰り返していく
ことにより、出力光の動作点（変調状態）を、常に、初
期状態と同一に維持することが可能になる。

【００２２】下記で、固定バイアス電圧方式で得られる
ドリフト特性値をもとに、実際の素子動作（ｆｏｌｌｏ
ｗｉｎｇｕｐ制御方式）で現れる制御電圧のドリフト
を推測するための関係式を導出することができる。

【００２３】時刻ｔ＝０で、素子に直流バイアス電圧Ｖ
_Bを印加した場合、時刻ｔにおけるＤＣドリフトＶ
（ｔ）は、周囲温度が一定であれば、下記式（１）：

【００２４】

【数１】〔但しＡ：係数（Ｖ（∞）＝ＡＶ_B） τ：緩和時間〕に従うものと仮定する。

【００２５】また印加するバイアス電圧Ｖ_Bが時間によ
り変化していく場合、総ドリフトＶ（ｔ）は、（１）式
に基づき、各追加バイアスに対するドリフトの和により
与えられる、と仮定する。上記の仮定より、素子に初期
バイアス電圧Ｖ₀を印加した場合、時刻ｔ＝ｎΔｔで、
素子からの出力光の動作点を初期動作点と同じ状態に維
持するために追加するバイアス電圧（ＢｎΔｔ）の値を
求める。

【００２６】図４に示されているように：０．時刻ｔ＝０で初期バイアス電圧Ｖ₀を印加する。１．時刻ｔ＝ΔｔでのドリフトＶ（Δｔ）は、下記式に
より求められる。

【００２７】

【数２】１′．時刻ｔ＝Δｔでバイアス電圧Ｂ（Δｔ）＝Ｖ（Δ
ｔ）を追印加する。２．時刻ｔ＝２Δｔでの電圧ドリフト値：Ｖ（２Δｔ）
は、図４に示されているように、Ｖ₁＋Ｖ₂となる。つ
まり下記式により求められる。

【００２８】

【数３】２′．時刻ｔ＝２Δｔで追印加するバイアス電圧Ｂ（２
Δｔ）は、図４に示されているように、下記式により求
められる。

【００２９】

【数４】同様にして、時刻ｔ＝３Δｔ，ｔ＝４Δｔにおけるバイ
アス電圧Ｂ（３Δｔ），Ｂ（４Δｔ）は下記式により求
められる。

【００３０】

【数５】

【００３１】従って時刻ｔ＝ｎΔｔにおけるバイアス電
圧Ｂ（ｎΔｔ）は、下記式（２）により求められる。

【００３２】

【数６】

【００３３】時刻ｔ＝ｎΔｔにおける制御電圧のドリフ
ト量Ｖ（ｎΔｔ）は、前記式（２）に基づき、下記式
（３）により求められる。

【００３４】

【数７】

【００３５】Ｖ（ｎΔｔ）が収束するためには下記関係
式（４）：Ｂ（ｎΔｔ）＜Ｂ（（ｎ−１）Δｔ）（４）が成立することが、必要である。よってこの関係を満た
すための条件を求めると、Ｂ（ｎΔｔ）とＢ（（ｎ−
１）Δｔ）との差は、下記式（５）から求められる。

【００３６】

【数８】

【００３７】（５）式よりＡ＜１であれば、（４）式の
関係が満たされ、Ｖ（ｎΔｔ）が収束することがわか
る。またＡ＝１の時は式（５）によりＢ（ｎΔｔ）＝Ｂ（（ｎ−１）Δｔ）となり、つまりＶ（ｎΔｔ）は線型に発散することがわ
かる。また、式（３）よりＶ（ｎΔｔ）の収束状況は、
パラメータＡ，Δｔ、およびτに依存することがわか
る。

【００３８】式（３）より、任意時間における制御電圧
のドリフト量は、制御間隔Δｔ、固定バイアス電圧方式
で測定した緩和時間τと、固定バイアス電圧方式で測定
した、見かけの飽和ドリフト量（電圧単位）の印加バイ
アス電圧に対する比Ａ、に依存することがわかった。そ
して、制御電圧のドリフトが発散せず、収束するための
条件は、式（５）より比Ａ＜１、つまり、固定バイアス
方式で得られる見かけの飽和ドリフト量（ＶＣ）が、印
加バイアス電圧（ＶＢ）よりも小さいことである。Δｔ
は、システムに依存するパラメータである。τは、温度
に依存するパラメータであり、温度加速係数が予めわか
っていれば、高温の加速環境下で測定したτの値に加速
係数を乗ずることにより、任意の温度でのドリフト量を
見積もることもできる。素子のドリフト特性を選別する
ための基準値として、少なくともＡ＜１を示したが、こ
れとは別に、τが大きい素子ほどドリフトが遅いことは
明かである。したがって、当然、τの値も素子の選別基
準に使うことは可能である。

【００３９】図５に、式（３）に実際に値を代入して計
算した結果を示す。図１，図３の測定例に従い、τの値
を４時間とした。初期バイアス電圧は、素子の半波長電
圧に相当する３．５Ｖとし、Δｔの値は、便宜上１時間
とし、Ａの値が１，０．８，０．５，０．２，０．１の
場合について計算した。Ａ＝１の場合は、式（５）から
もわかるように、動作時間の経過に従い、必要となる制
御電圧（ＶＢ）は線形に増大し、発散してしまう。

【００４０】図６は、図５の関係を、動作時間をｌｏｇ
スケールにとり直したものである。図５、および図６か
らわかるように、Ａ＜１であれば制御電圧は発散しない
が、より低い制御電圧の範囲、特に１０Ｖ（初期バイア
スを含む）以内で素子を動作させるためには、Ａ≦０．
５であることが好ましい。

【００４１】図７に、初期バイアス電圧：３．５Ｖ、緩
和時間：４時間、Ａ＝０．５の条件で、Δｔの値を５〜
２４０分間の範囲で変化させて計算したときの動作時間
−動作電圧の関係を示す。Δｔを大きくするほど、少な
くとも初期のドリフト電圧は小さくなる。したがって、
式（３）から制御電圧ドリフトの絶対量を見積もる場合
は、Δｔをできる限り小さくして計算するのが安全であ
る。Δｔ→０として、式（３）を積分して一般式、ある
いは近似式を導いてもよい。

【００４２】

【実施例】実際の測定例と、式（３）との対応を検討し
た。図１に示した素子サンプルは、Ａの値がほぼ１で、
発散型のドリフトを示すため、Ａ＜１の素子を作製し
た。この素子は、図１に示したものと形態は同一であっ
たが、ＳｉＯ₂バッファ層を、スパッタリング法ではな
く、真空蒸着法で作製した。

【００４３】図８は、雰囲気温度８０℃で、バイアス電
圧５Ｖの固定バイアス電圧方式で測定した、ＤＣドリフ
トである。ドリフトは最初負の方向に生じ、途中から図
８にみられるような正方向のドリフトに転じた。初期の
負方向のドリフト発生の原因は不明であるが、最終的に
は、分極現象等に基づくものと思われるドリフトが優勢
になるものと考えて、式（３）との対応を検討した。ド
リフトが一度負方向に起こるため、見かけの飽和ドリフ
ト量として、図８中に示したように、１．４Ｖ（Ａ＝
０．２８）と２．３Ｖ（Ａ＝０．４６）の二つが与えら
れた。

【００４４】図８のドリフトの緩和時間は、図９に示す
ように、８．４時間であった。（プロットの傾きの逆
数）。

【００４５】図１０は、実際のシステム動作に近い形、
つまりドリフトによる動作点変化を補償するためにバイ
アス電圧を随時制御（５分間隔）していく方式で測定し
た制御電圧のドリフト値と、式（３）により計算した結
果の対応を示している。直線は、緩和時間＝８．４時
間、Ａ＝０．４６の場合、破線はＡ＝０．２８の条件
で、Δｔ＝１時間として計算した結果である。初期バイ
アス電圧は、実測、計算いずれも３．５Ｖとした。式
（３）が多くの仮定をもとに導出した第一近似的なもの
であることを考慮すると、Ａ＝０．２８の場合の計算と
実測値は、比較的よい一致をみせている。

【００４６】本例のように、Ａの値の決め方に２通りあ
る場合は、仮に制御電圧上限値が決められた条件で、素
子選別のためのしきい値を判断するには、確認のため若
干の予備測定を行っておくことが好ましい。

【００４７】

【発明の効果】導波路型の電気光学変調器素子の好適な
ＤＣ電圧ドリフト特性を有するものおよびその選別を行
う方法が提供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はＴｉ：ＬｉＮｂＯ₃製の導波路型マッハ
ツェンダー強度変調器素子について、固定バイアス連続
印加方式で測定したＤＣドリフトの一例を示すグラフ。

【図２】図２は温度７０℃で、まず固定直流バイアス
（−５，１，４Ｖ：白ぬき記号で示してある）を連続し
て印加した状態におけるＤＣ電圧ドリフトの一例、およ
びドリフトがほぼ飽和した段階で、印加していたバイア
スをゼロにして測定したドリフト（黒記号）の一例を示
すグラフ。

【図３】図３は、図１のデータを、動作時間ｔとｌｏｇ
（Ｖ（∞）−Ｖ（ｔ））の関係に直してプロットして示
したグラフ。

【図４】図４は実際の素子の制御方法と、固定バイアス
電圧方式で観察されるドリフト現象と制御電圧のドリフ
ト現象との関連性を示すグラフ。

【図５】図５は動作時間と動作電圧との関係を式（３）
に実際に値を代入して計算した結果を示すグラフ。

【図６】図６は図５における動作時間−動作電圧の関係
において、動作時間をｌｏｇスケールにとり直したグラ
フ。

【図７】図７は初期バイアス３．５Ｖ、緩和時間４時
間、Ａ＝０．５の条件で、Δｔの値を５〜２４０分間ま
で変化させて計算したときの動作時間−動作電圧の関係
を示すグラフ。

【図８】図８は雰囲気温度８０℃で、バイアス電圧５Ｖ
の固定バイアス方式で測定したときの動作時間−ＤＣド
リフト関係を示すグラフ。

【図９】図９は図８に示され、ＤＣドリフトの緩和時間
を求めるための、動作時間−ｌｎ｛Ｖ（∞）−Ｖ
（０）｝関係を示すグラフ。

【図１０】図１０は実際のシステム動作に近い形、つま
りドリフトによる位相変化を補償するためにバイアス電
圧を随時制御（５分間隔）していく方式で測定した制御
電圧のドリフトと、式（３）により計算した結果の対応
を示すための動作時間−動作電圧関係を示すグラフ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者荻原淳一千葉県船橋市豊富町585番地住友セメント株式会社中央研究所内 (72)発明者箕輪純一郎千葉県船橋市豊富町585番地住友セメント株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】室温以上の所定温度に保持された導波路
型電気光学素子に、所望値の直流バイアス電圧を連続印
加した状態で、前記素子に光を入力し、この素子から出
力する光の動作点の経時変化をモニターしたとき、飽和
電圧ドリフト量ＶＣと、前記印加された直流バイアス電
圧（ＶＢ）との比：Ａ＝ＶＣ／ＶＢが１未満であること
を特徴とする、印加直流電圧のドリフトが制御されてい
る導波路型電気光学素子。
【請求項２】前記比Ａの値が、０．５以下である、請
求項１に記載の導波路型電気光学素子。
【請求項３】複数個の導波路型電気光学素子を室温以
上の所定温度に保持し、これらの素子に所定値の直流バ
イアス電圧を印加し、この電圧印加された素子に光を入
力し、この素子の出力光の動作点の経時変化をモニター
し、電圧ドリフト量の飽和値（ＶＣ）と、前記印加され
た直流バイアス電圧（ＶＢ）との比：Ａ＝ＶＣ／ＶＢを
算出し、この比Ａとして１未満の値を示す素子を選別す
ることを特徴とする、印加直流電圧のドリフトが制御さ
れている導波路型電気光学素子の選別方法。
【請求項４】前記比Ａの値が０．５以下である、請求
項３に記載の導波路型電気光学素子の選別方法。