JPH07153128A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07153128A JPH07153128A JP6130588A JP13058894A JPH07153128A JP H07153128 A JPH07153128 A JP H07153128A JP 6130588 A JP6130588 A JP 6130588A JP 13058894 A JP13058894 A JP 13058894A JP H07153128 A JPH07153128 A JP H07153128A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24027—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体の製造方法を提供することで
ある。 【構成】 基板上にスパッタリング法により第１誘電体
層を形成させ、次いで、前記第１誘電体層の上に光磁気
記録層、第２誘電体層および反射層を順次に積層させる
段階を含む光磁気記録媒体の製造方法において、前記第
１誘電体層を、高い圧縮応力を有する層と高い引張応力
を有する層との２重層から形成させることを特徴とす
る。 【効果】 本発明の方法により製造された光磁気記録媒
体は、磁界変調方式に必須的な磁界感度が向上されて、
小さい磁界下でも信号対雑音比を高めることができ、同
時に耐環境性も高く保持し得る。
ある。 【構成】 基板上にスパッタリング法により第１誘電体
層を形成させ、次いで、前記第１誘電体層の上に光磁気
記録層、第２誘電体層および反射層を順次に積層させる
段階を含む光磁気記録媒体の製造方法において、前記第
１誘電体層を、高い圧縮応力を有する層と高い引張応力
を有する層との２重層から形成させることを特徴とす
る。 【効果】 本発明の方法により製造された光磁気記録媒
体は、磁界変調方式に必須的な磁界感度が向上されて、
小さい磁界下でも信号対雑音比を高めることができ、同
時に耐環境性も高く保持し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法に関するもので、より詳しくは基板上に希土類−遷移
金属合金膜が記録層として積層される光磁気記録媒体の
誘電体層を形成する時、誘電体層の応力を調節すること
によって、磁界感度および耐環境性を向上させた光磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。
法に関するもので、より詳しくは基板上に希土類−遷移
金属合金膜が記録層として積層される光磁気記録媒体の
誘電体層を形成する時、誘電体層の応力を調節すること
によって、磁界感度および耐環境性を向上させた光磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および課題】光ビームを照射して情報の記
録および再生を行う光学式情報記録媒体は記録密度が非
常に高いので大容量化が可能であり、情報の記録および
再生が非接触式に行われるので媒体が摩耗されず、高速
アクセスが可能であるなどの長所を有していることから
実用化に対する研究が進められている。
録および再生を行う光学式情報記録媒体は記録密度が非
常に高いので大容量化が可能であり、情報の記録および
再生が非接触式に行われるので媒体が摩耗されず、高速
アクセスが可能であるなどの長所を有していることから
実用化に対する研究が進められている。
【０００３】情報を記録するのに用いられる光学記録媒
体は、通常、基板上に光ビームを照射することにより光
学的性質が変化される記録層を有することを基本構造と
し、基板を通して記録層へレーザビームを照射し、その
反射光を検出して情報を再生することが一般的である。
かかる光学記録媒体は記録層がどんな物質から形成され
ているかによって色々の種類に分類される。磁気光学型
媒体では、希土類−遷移金属非晶質磁気合金膜が一般的
に用いられる。
体は、通常、基板上に光ビームを照射することにより光
学的性質が変化される記録層を有することを基本構造と
し、基板を通して記録層へレーザビームを照射し、その
反射光を検出して情報を再生することが一般的である。
かかる光学記録媒体は記録層がどんな物質から形成され
ているかによって色々の種類に分類される。磁気光学型
媒体では、希土類−遷移金属非晶質磁気合金膜が一般的
に用いられる。
【０００４】鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）のような遷
移金属とテルビウム（Ｔｂ），ガドリニウム（Ｇｄ）の
ような希土類元素とを含む無定形磁気合金膜は、被膜に
対して垂直である磁化溶易軸を有しており、またその被
膜に対して平行でない磁化として小さい逆磁化領域（ｉ
ｎｖｅｒｓｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ）を形
成することができる。この逆磁化領域の存在または不在
を“１”または“０”に対応させることによって無定形
磁気合金膜の上にディジタル信号を記録することが可能
である。
移金属とテルビウム（Ｔｂ），ガドリニウム（Ｇｄ）の
ような希土類元素とを含む無定形磁気合金膜は、被膜に
対して垂直である磁化溶易軸を有しており、またその被
膜に対して平行でない磁化として小さい逆磁化領域（ｉ
ｎｖｅｒｓｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ）を形
成することができる。この逆磁化領域の存在または不在
を“１”または“０”に対応させることによって無定形
磁気合金膜の上にディジタル信号を記録することが可能
である。
【０００５】かかる磁気光学記録に用いられる光磁気記
録媒体においては、通常、レーザビームなどを記録層の
上に照射してケル効果（Ｋｅｒｒ ｅｆｆｅｃｔ）によ
って旋回される偏光平面の旋回角度θk を測定する。か
かるケル旋回角度θk は記録層を構成する磁気合金膜を
なすために用いられる材料の種類によって固有的に決定
される角度であって、ケル旋回角度が大きくなると、情
報の内容が互いに明確に区分され情報判読におけるエラ
ーが低減されることになる。
録媒体においては、通常、レーザビームなどを記録層の
上に照射してケル効果（Ｋｅｒｒ ｅｆｆｅｃｔ）によ
って旋回される偏光平面の旋回角度θk を測定する。か
かるケル旋回角度θk は記録層を構成する磁気合金膜を
なすために用いられる材料の種類によって固有的に決定
される角度であって、ケル旋回角度が大きくなると、情
報の内容が互いに明確に区分され情報判読におけるエラ
ーが低減されることになる。
【０００６】図１の（Ａ）に示すように、一般的な光磁
気記録媒体は透明基板１上に第１誘電体層２，光磁気記
録層３、第２誘電体層４および反射膜５を順番に積層し
て製造する。基板１はポリカルボネート、ポリメチルメ
タクリレート、エポキシ、ポリオレフィンなどの透明樹
脂材料からなる。基板１と記録層３との間に形成される
第１誘電体層２はケル効果を増加させ、基板から排出さ
れる水分およびガスによって記録層が酸化されないよう
に遮断する保護膜の役割をしている。このような第１誘
電体層２は、Ｓｉ2 Ｎ4 ，ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ
またはＢＮのような窒化物，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｂ−ＳｉＯ2 ，Ｍｇ−Ｓｉ
Ｏ2 ，Ｂａ−Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｅ−Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＣｅＯ2 ，ＳｎＯ2 またはＩｎ−Ｓｎ酸化物の
ような酸化物、ＺｎＳまたはＣｄＳのような硫化物、ま
たはＺｎＳｅ，ＳｉＣ，Ｓｉなどから構成されることが
できる。光磁気記録層３はレーザビームの照射によって
情報の記録および再生を行うことができる材料から形成
される金属薄膜であって、通常、鉄、コバルトのような
遷移金属と、テルビウム、ガドリニウムのような希土類
元素と、その他の元素とから構成される。第２誘電体層
４は第１誘電体層２と同じように、記録層３の酸化を防
止するための保護膜であって、第１誘電体層２を形成す
るのに用いられる材料などから構成される。反射層５は
透明基板１側から入射される光を反射するためのもの
で、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，ＡｕまたはＡｇなどの薄膜から
形成される。
気記録媒体は透明基板１上に第１誘電体層２，光磁気記
録層３、第２誘電体層４および反射膜５を順番に積層し
て製造する。基板１はポリカルボネート、ポリメチルメ
タクリレート、エポキシ、ポリオレフィンなどの透明樹
脂材料からなる。基板１と記録層３との間に形成される
第１誘電体層２はケル効果を増加させ、基板から排出さ
れる水分およびガスによって記録層が酸化されないよう
に遮断する保護膜の役割をしている。このような第１誘
電体層２は、Ｓｉ2 Ｎ4 ，ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ
またはＢＮのような窒化物，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｂ−ＳｉＯ2 ，Ｍｇ−Ｓｉ
Ｏ2 ，Ｂａ−Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｅ−Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ，ＺｎＯ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＣｅＯ2 ，ＳｎＯ2 またはＩｎ−Ｓｎ酸化物の
ような酸化物、ＺｎＳまたはＣｄＳのような硫化物、ま
たはＺｎＳｅ，ＳｉＣ，Ｓｉなどから構成されることが
できる。光磁気記録層３はレーザビームの照射によって
情報の記録および再生を行うことができる材料から形成
される金属薄膜であって、通常、鉄、コバルトのような
遷移金属と、テルビウム、ガドリニウムのような希土類
元素と、その他の元素とから構成される。第２誘電体層
４は第１誘電体層２と同じように、記録層３の酸化を防
止するための保護膜であって、第１誘電体層２を形成す
るのに用いられる材料などから構成される。反射層５は
透明基板１側から入射される光を反射するためのもの
で、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，ＡｕまたはＡｇなどの薄膜から
形成される。
【０００７】一般的に、光磁気記録媒体は、透明基板１
上に、前記第１誘電体層２，光磁気記録層３，第２誘電
体層４および反射層５を含む複数の層をスパッタリング
などの方法により形成させて製造することができる。
上に、前記第１誘電体層２，光磁気記録層３，第２誘電
体層４および反射層５を含む複数の層をスパッタリング
などの方法により形成させて製造することができる。
【０００８】前述したように、第１誘電体層はケル効果
を増加させ、基板から排出される水分およびガスを遮断
することによって記録層が酸化されることを防ぐ保護膜
の役割をしている。したがって、このような光磁気記録
媒体においては、第１誘電体層によってケル角度や熱的
流れが変わって記録感度、信号対雑音比などの記録およ
び再生特性が影響を受けることになり、膜の形成時の応
力によって磁界感度が変化するので、この設計は非常に
重要である。
を増加させ、基板から排出される水分およびガスを遮断
することによって記録層が酸化されることを防ぐ保護膜
の役割をしている。したがって、このような光磁気記録
媒体においては、第１誘電体層によってケル角度や熱的
流れが変わって記録感度、信号対雑音比などの記録およ
び再生特性が影響を受けることになり、膜の形成時の応
力によって磁界感度が変化するので、この設計は非常に
重要である。
【０００９】従来の光磁気記録媒体においては、比較的
高い磁界（即ち、約３００〜４００Ｏｅ）を加えながら
レーザのオンとオフによって磁化の方向を反転させて情
報を記録する光変調方式を用いたため、第１誘電体層の
膜の形成方法によって磁界感度が多少低下されても別に
問題はなかった。しかし、最近の光磁気記録媒体のよう
に、レーザのオンの状態で入力された信号によって磁界
を変化させて情報を記録する磁界変調方式のダイレクト
オーバライト方式では光変調方式に比べて非常に低い磁
界、即ち、約１００〜３００ Ｏｅを用いるため、従来
の方法を用いて第１誘電体層を形成する場合には低い磁
界下における信号対雑音比が低い値を表して記録特性が
不良になるという問題点が生じることになる。
高い磁界（即ち、約３００〜４００Ｏｅ）を加えながら
レーザのオンとオフによって磁化の方向を反転させて情
報を記録する光変調方式を用いたため、第１誘電体層の
膜の形成方法によって磁界感度が多少低下されても別に
問題はなかった。しかし、最近の光磁気記録媒体のよう
に、レーザのオンの状態で入力された信号によって磁界
を変化させて情報を記録する磁界変調方式のダイレクト
オーバライト方式では光変調方式に比べて非常に低い磁
界、即ち、約１００〜３００ Ｏｅを用いるため、従来
の方法を用いて第１誘電体層を形成する場合には低い磁
界下における信号対雑音比が低い値を表して記録特性が
不良になるという問題点が生じることになる。
【００１０】本発明は前記のような従来の問題点を解決
するために、光磁気記録媒体の第１誘電体層をスパッタ
リング法により形成する時、製造工程中の反応条件を調
節して第１誘電体層の応力を調整することによって磁界
感度および耐環境性を改善した光磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とする。
するために、光磁気記録媒体の第１誘電体層をスパッタ
リング法により形成する時、製造工程中の反応条件を調
節して第１誘電体層の応力を調整することによって磁界
感度および耐環境性を改善した光磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基板上に第１
誘電体層をスパッタリングにより形成させ、次いで前記
第１誘電体層の上に光磁気記録層、第２誘電体層および
反射層を積層させる段階を含む光磁気記録媒体の製造方
法において、前記第１誘電体層は高い圧縮応力を有する
層と高い引張応力を有する層から形成されることを特徴
とする。
の本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基板上に第１
誘電体層をスパッタリングにより形成させ、次いで前記
第１誘電体層の上に光磁気記録層、第２誘電体層および
反射層を積層させる段階を含む光磁気記録媒体の製造方
法において、前記第１誘電体層は高い圧縮応力を有する
層と高い引張応力を有する層から形成されることを特徴
とする。
【００１２】本発明の第１誘電体層において、高い圧縮
応力を有する層は圧縮応力が−５×１０9 〜−５×１０
10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範囲にあることが望ましく、ま
た、高い引張応力を有する層は引張応力が１×１０8 〜
１×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範囲にあることが望まし
い。前記範囲より低ければ磁界感度の向上および耐環境
性の保持という側面で望ましくない。
応力を有する層は圧縮応力が−５×１０9 〜−５×１０
10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範囲にあることが望ましく、ま
た、高い引張応力を有する層は引張応力が１×１０8 〜
１×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範囲にあることが望まし
い。前記範囲より低ければ磁界感度の向上および耐環境
性の保持という側面で望ましくない。
【００１３】本発明は、光磁気記録媒体において、第１
誘電体層の応力によって外部磁界に対する記録感度が変
化するということを用いたものである。即ち、磁界変調
のダイレクトオーバライト方式で要求される磁界感度
は、第１誘電体層が高い圧縮応力を有する時に向上され
た値を表すので、第１誘電体層を高い圧縮応力を有する
層から形成することによって、その磁界感度を向上させ
たものである。しかし、第１誘電体層が高い圧縮応力を
有する場合には、バックリング（ｂｕｃｋｌｉｎｇ）や
クラックを発生する可能性が大きくなって耐環境性が低
下される傾向がある。したがって、第１誘電体層の高い
圧縮応力を緩和させるためには、まず高い引張応力を有
する層を形成させ、その上に高い圧縮応力を有する層を
形成させると、優れる耐環境性を保持しながら磁界感度
を向上させ得るようになる。
誘電体層の応力によって外部磁界に対する記録感度が変
化するということを用いたものである。即ち、磁界変調
のダイレクトオーバライト方式で要求される磁界感度
は、第１誘電体層が高い圧縮応力を有する時に向上され
た値を表すので、第１誘電体層を高い圧縮応力を有する
層から形成することによって、その磁界感度を向上させ
たものである。しかし、第１誘電体層が高い圧縮応力を
有する場合には、バックリング（ｂｕｃｋｌｉｎｇ）や
クラックを発生する可能性が大きくなって耐環境性が低
下される傾向がある。したがって、第１誘電体層の高い
圧縮応力を緩和させるためには、まず高い引張応力を有
する層を形成させ、その上に高い圧縮応力を有する層を
形成させると、優れる耐環境性を保持しながら磁界感度
を向上させ得るようになる。
【００１４】光磁気記録媒体の第１誘電体層をスパッタ
リングにより形成する時、工程上の変数としては電力、
内部圧力、Ａｒガス流入量、窒素ガス流入量などがあ
る。本発明では同一な電力下で内部圧力を１×１０-3ｔ
ｏｒｒ〜１×１０-4ｔｏｒｒまで変化させ、Ａｒガスの
流入量を６０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ、窒素ガスの流
入量を１０ｓｓｃｍ〜４０ｓｓｃｍの範囲内で調節し
て、高い圧縮応力を有する層と高い引張応力を有する層
の二つの層からなる第１誘電体層を形成する。
リングにより形成する時、工程上の変数としては電力、
内部圧力、Ａｒガス流入量、窒素ガス流入量などがあ
る。本発明では同一な電力下で内部圧力を１×１０-3ｔ
ｏｒｒ〜１×１０-4ｔｏｒｒまで変化させ、Ａｒガスの
流入量を６０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ、窒素ガスの流
入量を１０ｓｓｃｍ〜４０ｓｓｃｍの範囲内で調節し
て、高い圧縮応力を有する層と高い引張応力を有する層
の二つの層からなる第１誘電体層を形成する。
【００１５】以下、本発明の実施例についてより詳しく
説明する。但し、下記の実施例は本発明の例示であるだ
け、本発明の範囲を限定することではない。
説明する。但し、下記の実施例は本発明の例示であるだ
け、本発明の範囲を限定することではない。
【００１６】比較例１ ポリカルボネート基板を準備して、この基板の上に、シ
リコン窒化物からなる厚さ１１００オングストロームの
第１誘電体層をスパッタリング法で形成する。この時、
Ａｒガスと窒素ガスを各々１００ｓｃｃｍ，２７ｓｃｃ
ｍと一定にして流入しながら、内部圧力を１×１０-3ｔ
ｏｒｒとなるようにし、外部交流電源から３ｋＷの電力
をシリコンターゲットへ供給して、前記第１誘電体層が
−５×１０9 〜−５×１０10範囲の高い圧縮応力を有す
るようにする。
リコン窒化物からなる厚さ１１００オングストロームの
第１誘電体層をスパッタリング法で形成する。この時、
Ａｒガスと窒素ガスを各々１００ｓｃｃｍ，２７ｓｃｃ
ｍと一定にして流入しながら、内部圧力を１×１０-3ｔ
ｏｒｒとなるようにし、外部交流電源から３ｋＷの電力
をシリコンターゲットへ供給して、前記第１誘電体層が
−５×１０9 〜−５×１０10範囲の高い圧縮応力を有す
るようにする。
【００１７】次に、前記第１誘電体層の上に、Ｔｂ24Ｆ
ｅ69Ｃｏ9 の組成からなる厚さ２００オングストローム
の記録層、シリコン窒化物からなる厚さ３５０オングス
トロームの第２誘電体層およびＡｌからなる厚さ３５０
オングストロームの反射層を順番に積層させることによ
って光磁気記録媒体を製造する。
ｅ69Ｃｏ9 の組成からなる厚さ２００オングストローム
の記録層、シリコン窒化物からなる厚さ３５０オングス
トロームの第２誘電体層およびＡｌからなる厚さ３５０
オングストロームの反射層を順番に積層させることによ
って光磁気記録媒体を製造する。
【００１８】比較例２ 前記比較例１と同一に製造するが、第１誘電体層を形成
させる時、ターゲットへ供給する電源を直流に変更して
光磁気記録媒体を製造する。
させる時、ターゲットへ供給する電源を直流に変更して
光磁気記録媒体を製造する。
【００１９】実施例１ 前記比較例１と同一に製造するが、第１誘電体層を次の
ような条件で形成させる。Ａｒガスと窒素ガスの流入量
を各々１００ｓｃｃｍと２４ｓｃｃｍに維持させながら
内部圧力を９×１０-3ｔｏｒｒとなるようにし、外部交
流電源から３ｋＷの電力をシリコンターゲットへ供給す
ることにより１×１０8 〜１×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2
範囲の高い引張応力を有し、かつ厚さが３００オングス
トロームである層を形成させた後、−５×１０9 〜−５
×１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 範囲の高い圧縮応力を有し、
かつ厚さが８００オングストロームである層を形成させ
ることによって、第１誘電体層が二つの層から形成され
た本発明の光磁気記録媒体を製造する。
ような条件で形成させる。Ａｒガスと窒素ガスの流入量
を各々１００ｓｃｃｍと２４ｓｃｃｍに維持させながら
内部圧力を９×１０-3ｔｏｒｒとなるようにし、外部交
流電源から３ｋＷの電力をシリコンターゲットへ供給す
ることにより１×１０8 〜１×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2
範囲の高い引張応力を有し、かつ厚さが３００オングス
トロームである層を形成させた後、−５×１０9 〜−５
×１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 範囲の高い圧縮応力を有し、
かつ厚さが８００オングストロームである層を形成させ
ることによって、第１誘電体層が二つの層から形成され
た本発明の光磁気記録媒体を製造する。
【００２０】実施例２ 前記実施例１と同一に製造するが、第１誘電体層を形成
させる時、ターゲットへ供給する電源を直流に変更して
本発明の光磁気記録媒体を製造する。
させる時、ターゲットへ供給する電源を直流に変更して
本発明の光磁気記録媒体を製造する。
【００２１】比較例３ ポリカルボネート基板を準備して、この基板の上にシリ
コン窒化物からなる厚さ１１００オングストロームの第
１誘電体層をスパッタリング法で形成する。この時、Ａ
ｒガスと窒素ガスを各々６５ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍと
一定にして流入しながら内部圧力を３×１０-3ｔｏｒｒ
になるようにして、前記第１誘電体層が低い圧縮応力を
有するようにする。
コン窒化物からなる厚さ１１００オングストロームの第
１誘電体層をスパッタリング法で形成する。この時、Ａ
ｒガスと窒素ガスを各々６５ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍと
一定にして流入しながら内部圧力を３×１０-3ｔｏｒｒ
になるようにして、前記第１誘電体層が低い圧縮応力を
有するようにする。
【００２２】次に、前記第１誘電体層の上に、Ｔｂ24Ｆ
ｅ69Ｃｏ9 の組成からなる厚さ２００オングストローム
の記録層、シリコン窒化物からなる厚さ３５０オングス
トロームの第２誘電体層、およびＡｌからなる厚さ３５
０オングストロームの反射層を順番に積層させることに
よって光磁気記録媒体を製造する。
ｅ69Ｃｏ9 の組成からなる厚さ２００オングストローム
の記録層、シリコン窒化物からなる厚さ３５０オングス
トロームの第２誘電体層、およびＡｌからなる厚さ３５
０オングストロームの反射層を順番に積層させることに
よって光磁気記録媒体を製造する。
【００２３】前記実施例および比較例で製造された光磁
気記録媒体を用い、磁界感度を測定して、その結果を図
２に示した。図２から、記録層と界面を形成している第
１誘電体層の圧縮応力が高い比較例１（特性線ａ）およ
び実施例１（特性線ｂ）の場合が、圧縮応力が低い比較
例３（特性線ｃ）の場合に比べて磁界感度が向上された
ことを確認し得る。
気記録媒体を用い、磁界感度を測定して、その結果を図
２に示した。図２から、記録層と界面を形成している第
１誘電体層の圧縮応力が高い比較例１（特性線ａ）およ
び実施例１（特性線ｂ）の場合が、圧縮応力が低い比較
例３（特性線ｃ）の場合に比べて磁界感度が向上された
ことを確認し得る。
【００２４】図３は、前記実施例および比較例から製造
された光磁気記録媒体の耐環境性を表したグラフであ
る。前記耐環境性は、光磁気記録媒体を高温高湿（８０
℃，８５％）の環境下で一定期間放置した後、バイトエ
ラー率（ＢＥＲ：Ｂｙｔｅ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）の
劣化程度によって良、不良を判断して耐久性を評価し
た。ここで、高温高湿下での維持時間が長くなるのに伴
ってＢＥＲが変化するが、その変化が少ない製品ほど常
温での耐久性が優れることと判断し得る。
された光磁気記録媒体の耐環境性を表したグラフであ
る。前記耐環境性は、光磁気記録媒体を高温高湿（８０
℃，８５％）の環境下で一定期間放置した後、バイトエ
ラー率（ＢＥＲ：Ｂｙｔｅ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）の
劣化程度によって良、不良を判断して耐久性を評価し
た。ここで、高温高湿下での維持時間が長くなるのに伴
ってＢＥＲが変化するが、その変化が少ない製品ほど常
温での耐久性が優れることと判断し得る。
【００２５】図３から、比較例１（特性線ａ）の場合に
おいては耐環境性が低いことがわかる。これに対し、第
１誘電体層が高い引張応力を有する層と高い圧縮応力を
有する層の２重層から製造された本発明の実施例１（特
性線ｂ）の光磁気記録媒体は、圧縮応力が低い比較例３
（特性線ｃ）の場合とほぼ類似に耐環境性が優れること
がわかる。
おいては耐環境性が低いことがわかる。これに対し、第
１誘電体層が高い引張応力を有する層と高い圧縮応力を
有する層の２重層から製造された本発明の実施例１（特
性線ｂ）の光磁気記録媒体は、圧縮応力が低い比較例３
（特性線ｃ）の場合とほぼ類似に耐環境性が優れること
がわかる。
【００２６】
【発明の効果】前記したように、本発明の光磁気記録媒
体の製造方法においては、第１誘電体層を、高い圧縮応
力を有する層と高い引張応力を有する層との２重層から
形成させることによって、磁界変調方式に必須的な磁界
感度を向上させて、小さい磁界下でも信号対雑音比を高
めることができるのみならず、同時に耐環境性も高く維
持し得た。
体の製造方法においては、第１誘電体層を、高い圧縮応
力を有する層と高い引張応力を有する層との２重層から
形成させることによって、磁界変調方式に必須的な磁界
感度を向上させて、小さい磁界下でも信号対雑音比を高
めることができるのみならず、同時に耐環境性も高く維
持し得た。
【図１】（Ａ）は通常的な光磁気記録媒体の断面を示
し、かつ（Ｂ）は本発明の方法によって製造された光磁
気記録媒体の断面を示す模式図。
し、かつ（Ｂ）は本発明の方法によって製造された光磁
気記録媒体の断面を示す模式図。
【図２】比較例１，実施例１および比較例３で製造した
光磁気記録媒体の外部磁界の変化に対する信号対雑音比
を示す特性図。
光磁気記録媒体の外部磁界の変化に対する信号対雑音比
を示す特性図。
【図３】比較例１，実施例１および比較例３で製造した
光磁気記録媒体の時間経過に対するバイトエラー率（Ｂ
ＥＲ）を示す特性図。
光磁気記録媒体の時間経過に対するバイトエラー率（Ｂ
ＥＲ）を示す特性図。
１…透明基板、２…第１誘電体層、３…光磁気記録層、
４…第２誘電体層、５…反射膜。
４…第２誘電体層、５…反射膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にスパッタリングにより第１誘電
体層を形成し、次いで、前記第１誘電体層の上に光磁気
記録層、第２誘電体層および反射層を積層する段階を含
む光磁気記録媒体の製造方法において、前記第１誘電体
層は高い圧縮応力を有する層と高い引張応力を有する層
から形成されることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】 前記高い圧縮応力を有する層を、圧縮応
力が−５×１０9 〜−５×１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範
囲にあるように形成させることを特徴とする請求項１記
載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記高い引張応力を有する層を、引張応
力が１×１０8 〜１×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の範囲に
あるように形成させることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930010626A KR950006415B1 (ko) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 광자기기록매체의 제조방법 |
| KR1993-10626 | 1993-06-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153128A true JPH07153128A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=19357234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130588A Pending JPH07153128A (ja) | 1993-06-11 | 1994-06-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153128A (ja) |
| KR (1) | KR950006415B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009253275A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Xi Max Co Ltd | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-11 KR KR1019930010626A patent/KR950006415B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-13 JP JP6130588A patent/JPH07153128A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009253275A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Xi Max Co Ltd | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950001643A (ko) | 1995-01-03 |
| KR950006415B1 (ko) | 1995-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |