JPH07153659A

JPH07153659A - 縮小投影露光装置

Info

Publication number: JPH07153659A
Application number: JP29851193A
Authority: JP
Inventors: Tatsu Shimizu; 竜清水
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1993-11-29
Publication date: 1995-06-16

Abstract

(57)【要約】【目的】露光領域を大きくした上で様々な回路パターン
に対応して高い解像性能を得ることが可能な縮小投影露
光装置を提供する。【構成】光源５１からの露光光は光源整形用アパーチャ
１，２を介してフォトマスク５３へ入射される。各アパ
ーチャ１，２にはスリット状の光出射部３，４が形成さ
れている。アパーチャ１については光出射部３の位置が
異なるものが複数個設けられている。そのため、アパー
チャ１を選択交換することで、光源５１からの露光光を
フォトマスク５３に対して最適な入射角度で入射させる
ことができる。前記露光光は、マスク５３上の回路パタ
ーンによって回折され、０次回折光αと±１次回折光β
とが生成される。各回折光α，±βは投影レンズ５４の
瞳５４ａを通して収束され、マスク５３上の回路パター
ンはウェハ５５の表面に結像される。ここで、レンズス
キャン方式により、マスク５３およびウェハ５５を矢印
Ｙ方向に同期走査させている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は縮小投影露光装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、縮小投影露光装置の解像性能を向
上させるためには、露光光線を短波長化する試みや、投
影光学系の開口数（NA；Numerical Aperture）を高くす
る試みが有効であることが知られている。しかし、それ
らの試みを実施すると、面内歪みの少ない投影光学系を
構築することが極めて困難になる。近年、露光領域を大
面積化することが求められているが、投影光学系の面内
歪みが大きくなると、露光領域を大面積化した際に露光
領域の周縁部の結像の歪みも大きくなる。その結果、解
像性能が低下するという問題があった。

【０００３】そこで、露光領域を大面積化しても高い解
像性能が得られるスキャン方式の縮小投影露光装置が注
目されている。スキャン方式では、フォトマスクへ入射
させる露光光線の照明形状を、フォトマスク上の露光領
域の一辺に対応したスリット状にする。そして、当該ス
リット状の照明形状に対して垂直方向に、フォトマスク
およびウェハ上を縮小倍率に対応した相対的な同期走査
をなすことにより、フォトマスク上の１つの露光領域分
の露光を行わせる。

【０００４】スキャン方式によれば、投影光学系の有効
面積を小さくすることができるため、収差などに起因す
る結像の歪みが抑えられ高い解像性能が得られる。加え
て、フォトマスクおよびウェハの同期走査により、露光
領域を走査方向に拡大することができる。

【０００５】尚、スキャン方式には、投影レンズ方式を
利用したレンズスキャン方式と、反射ミラー方式を利用
したミラースキャン方式とがある。ところで、近年、半
導体集積回路のさらなる高集積化を実現することが求め
られている。それに伴い、回路を構成する素子や配線の
平面的な寸法を縮小するだけでなく、積層構造を利用す
ることで素子や配線を立体的な構成にして、基板上の単
位面積あたりの高密度化を図る試みが広く行われてい
る。

【０００６】しかし、積層構造を用いると基板表面に凹
凸（デバイス段差）が生じ、リソグラフィ工程における
プロセス裕度が著しく損ねられる。具体的には、デバイ
ス段差分だけ焦点裕度を露光光の光軸方向に広く規定し
なければならないため、ウェハのＬＴＶ（Local Thickn
ess Variation ）や露光装置のフォーカス精度、更には
レジスト性能などに求められる要求がより厳しいものと
なる。

【０００７】また、前記平面的な寸法の縮小化について
も、クオーターミクロンレベルの加工精度が要求される
ようになっている昨今では、露光光線の短波長化や開口
数を高くすることによる解像性能の向上は限界に近づき
つつある。

【０００８】そこで、近年、解像性能を飛躍的に向上さ
せる方法として、露光光線（照明光線）の斜入射を用い
る変形照明法が注目されている。以下、変形照明法によ
って解像性能が向上される原理について、図６〜図８に
従って説明する。

【０００９】図６は、従来の投影レンズ方式縮小投影露
光装置の構成を示す概略図である。光源５１からの露光
光は、垂直入射用のアパーチャ５２を介してフォトマス
ク５３へ入射される。垂直入射用のアパーチャ５２は露
光光を透過しない材質によって形成され、その中央部に
は円形の孔（光出射部）５２ａが形成されている。従っ
て、光源５１からの露光光は光出射部５２ａを介し、フ
ォトマスク５３に対して垂直に入射される。

【００１０】そして、フォトマスク５３へ入射した露光
光は、フォトマスク５３上に形成された回路パターン
（図示略）によって回折される。このときに発生する回
折光は、入射する露光光の進行方向と同じ方向の０次回
折光αと、入射する露光光の進行方向とそれぞれ±に所
定の角度θ１を成した±１次回折光βと、それ以上の高
次の回折光（図示略）とからなっている。

【００１１】そして、回折光の中で０次回折光αと±１
次回折光βとが投影レンズ５４へ入射され、その投影レ
ンズ５４の瞳５４ａを通して収束される。その結果、フ
ォトマスク５３上に形成された回路パターンは、ウェハ
５５の表面に結像される。

【００１２】ところで、０次回折光αと±１次回折光β
とが成す角度（図６では角度θ１）は、フォトマスク５
３上に形成された回路パターンが微細化するほど増大す
る。従って、フォトマスク５３上に形成された回路パタ
ーンがある程度以上に微細化すると、図７に示すよう
に、０次回折光αと±１次回折光βとが成す角度θ２が
大きくなり過ぎて、±１次回折光βが投影レンズ５４の
瞳５４ａへ入射しなくなる。

【００１３】ウェハ５５の表面に結像される回路パター
ンの解像性能に寄与するのは、０次回折光αではなく±
１次回折光βを含む高次の回折光である。通常の縮小投
影露光装置においては、±２次以上の高次の回折光を捕
捉するとなると投影レンズ５４の口径が非常に大きくな
る点や、±２次以上の高次の回折光の強度が低い点など
から、±１次回折光によって必要な解像性能を得てい
る。そのため、図７に示すように、±１次回折光βが投
影レンズ５４の瞳５４ａへ入射しなくなると、ウェハ５
５の表面に結像された回路パターンの解像性能が低くな
り、最終的には結像しなくなってしまう。

【００１４】そこで、露光光線の斜入射を用いる変形照
明法が提案された。図８は、変形照明法を用いた投影レ
ンズ方式縮小投影露光装置の構成を示す概略図である。

【００１５】図８において、図６および図７に示す従来
の縮小投影露光装置と構成上で異なるのは、垂直入射用
のアパーチャ５２に代えて斜入射用のアパーチャ６１を
用いている点である。斜入射用のアパーチャ６１は、露
光光を透過しない材質によって形成されている点では垂
直入射用のアパーチャ５２と同様であるが、その中央部
以外の部分に円形の孔（光出射部）６１ａが形成されて
いる点で垂直入射用のアパーチャ５２と異なっている。
光出射部６１ａが斜入射用のアパーチャ６１における中
央部以外の部分に形成されているために、光源５１から
の露光光は光出射部５２ａを介し、フォトマスク５３に
対して斜めに入射される。

【００１６】その結果、図７に示すのと同じ回折条件
（０次回折光αと±１次回折光βとが成す角度θ２）で
も、±１次回折光βのいずれか一方（図８では＋１次回
折光）と０次回折光αとが投影レンズ５４の瞳５４ａへ
入射する。そのため、解像性能を向上させることができ
る。

【００１７】このような変形照明法の原理は古くから知
られており決して新しいものではないが（例えば、「光
学II」，共立出版、1953年刊のP.80からのくだりに、位
相差顕微鏡への応用例を含めて詳説されている）、リソ
グラフィ技術の分野では1991年ごろから縮小投影露光装
置への適用が盛んに検討されだした。

【００１８】また、図６〜図８における投影レンズ５４
の瞳５４ａの位置（投影光学系のフーリエ変換面）に、
光学フィルタ（瞳フィルタ）を挿入することにより、１
回の露光で多重焦点結像を実現し、焦点裕度を向上する
試みが提案されている（JJAP,Vol.30,No.11B,November,
1991,pp.3037-3042.参照）。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、変形照
明法を用いた縮小投影露光装置では、解像性能の向上効
果を発揮するための回路パターンの寸法および配置に一
定の規則がある。そして、回路パターンの寸法および配
置に対して最適な光出射部６１ａを備えた斜入射用のア
パーチャ６１を用いる必要がある。

【００２０】また、投影レンズ５４の瞳５４ａの位置に
瞳フィルタを挿入する場合にも、回路パターンの寸法お
よび配置に対して最適な瞳フィルタを選択する必要があ
る。しかし、半導体集積回路の高機能化に伴い、密度や
形状が様々な回路パターンが混在するようになってきて
いる。従って、上記の変形照明法を用いた縮小投影露光
装置や瞳フィルタの使用方法では、密度や形状が様々な
実際の回路パターンに対応しきれないという問題があっ
た。

【００２１】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、露光領域を大面積化し
た上で、密度や形状が様々な回路パターンに対応して高
い解像性能を得ることができる縮小投影露光装置を提供
することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、フォトマスクへ入射させる露光光線の照明形状を、
フォトマスク上の露光領域の一辺に対応したスリット状
にし、当該スリット状の照明形状に対して垂直方向に、
フォトマスクおよびウェハ上を縮小倍率に対応した相対
的な同期走査をなすことにより、フォトマスク上の１つ
の露光領域分の露光を行わせるスキャン方式の縮小投影
露光装置において、密度および形状が似通った回路パタ
ーンから構成される複数の領域から全体の露光領域が構
成され、当該各領域が走査方向に沿って配置されている
フォトマスクと、フォトマスクおよびウェハ上を縮小倍
率に対応した相対的な同期走査をなす際に、走査を行っ
ている前記領域に対応して露光光の入射角を調整する露
光光入射角調整手段とを備えたことをその要旨とする。

【００２３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の縮小投影露光装置において、前記露光光入射角調整手
段は、それぞれスリット状の光出射部が設けられた２つ
の光源整形用アパーチャを備えたことを特徴とする縮小
投影露光装置。

【００２４】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の縮小投影露光装置において、投影光学
系のフーリエ変換面に挿入された光学フィルタと、フォ
トマスクおよびウェハ上を縮小倍率に対応した相対的な
同期走査をなす際に、走査を行っている前記領域に対応
して前記光学フィルタの光学特性を変化させる光学特性
調整手段とを備えたことをその要旨とする。

【００２５】

【作用】従って、請求項１に記載の発明よれば、スキャ
ン方式の採用により、露光領域を大面積化しても高い解
像性能を得ることができる。また、フォトマスクの各領
域は、密度および形状が似通った回路パターンから構成
されている。つまり、フォトマスクの各領域の露光にお
いては、高い解像性能を得るために最適な露光光の入射
角がある。そこで、露光光入射角調整手段によって、走
査を行っているフォトマスクの領域に対応して露光光の
入射角が最適になるように調整することにより、高い解
像性能を得ることができる。

【００２６】請求項２に記載の発明によれば、２つの光
源整形用アパーチャのスリット状の光出射部の相対的な
位置関係を適宜に設定することにより、露光光の入射角
を任意に調整することができる。

【００２７】請求項３に記載の発明によれば、投影光学
系のフーリエ変換面に挿入された光学フィルタの光学特
性を、走査を行っているフォトマスクの領域に対応して
最適に調整することにより、高い解像性能を得ることが
できる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明をレンズスキャン方式の縮小投
影露光装置に具体化した一実施例を図面に従って説明す
る。

【００２９】尚、本実施例において、図６〜図８に示し
た従来例と同じ構成部材については符号を等しくしてそ
の詳細な説明を省略する。図１は、本実施例のレンズス
キャン方式縮小投影露光装置の構成を示す概略図であ
る。

【００３０】光源５１からの露光光は、２つの光源整形
用アパーチャ１，２を介してフォトマスク５３へ入射さ
れる。各光源整形用アパーチャ１，２は露光光を透過し
ない材質によって形成され、それぞれスリット状の孔
（光出射部）３，４が形成されている。従って、光源５
１からの露光光は各光出射部３，４を介して、後記する
ように、各光出射部３，４の相対的な位置関係に対応す
る入射角でフォトマスク５３に入射される。

【００３１】そして、フォトマスク５３に入射した露光
光は、フォトマスク５３上に形成された回路パターン
（図示略）によって回折される。このときに発生する回
折光は、入射する露光光の進行方向と同じ方向の０次回
折光αと、入射する露光光の進行方向とそれぞれ±に所
定の角度θm を成した±１次回折光βと、それ以上の高
次の回折光（図示略）とからなっている。

【００３２】そして、回折光の中で０次回折光αと±１
次回折光βとが投影レンズ５４に入射され、その投影レ
ンズ５４の瞳５４ａを通して収束される。その結果、フ
ォトマスク５３上に形成された回路パターンは、ウェハ
５５の表面に結像される。

【００３３】ここで、ウェハ５５はウェハステージ５上
に載置固定されている。そして、フォトマスク５３およ
びウェハステージ５（ウェハ５５）は、同一方向（矢印
Ｙ方向）へ移動（走査）される。このとき、縮小投影露
光装置の縮小倍率をｎとし、フォトマスク５３上の１つ
の露光領域分の露光に対して距離ｘ分の走査を行うとす
ると、その間に、ウェハステージ５（ウェハ５５）はフ
ォトマスク５３の走査に同期して距離ｘ／ｎ分だけ走査
されることになる。

【００３４】図２は、光源整形用アパーチャ１，２の平
面図である。図２（ａ）〜（ｃ）に示す３つのアパーチ
ャの違いは、その光出射部３の位置にある。すなわち、
図２（ａ）に示すアパーチャでは、スリット状の光出射
部３が中央部に設けられている。それに対して、図２
（ｂ）に示すアパーチャでは、スリット状の光出射部３
が中央部から若干左寄りに設けられている。また、図２
（ｃ）に示すアパーチャでは、スリット状の光出射部３
が左端部に設けられている。

【００３５】本実施例では、光源整形用アパーチャ１と
して、図２（ａ）〜（ｃ）に示す３つのアパーチャが用
いられている（以下、図２（ａ）〜（ｃ）に示す３つの
アパーチャに対応する光源整形用アパーチャ１をそれぞ
れ、光源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃと表記する）。

【００３６】そして、３つの光源整形用アパーチャ１ａ
〜１ｃはリボルバー型装着ベース（図示略）上にセット
されている。そのため、当該リボルバー型装着ベースを
回転させることにより、３つの光源整形用アパーチャ１
ａ〜１ｃのうちの任意の１つだけを速やかに選択交換す
ることができる。例えば、図１は、光源整形用アパーチ
ャ１ａを選択した場合を示している。

【００３７】一方、光源整形用アパーチャ２としては、
図２（ａ）に示すアパーチャだけが用いられている。光
源整形用アパーチャ２は光源整形用アパーチャ１のよう
に選択交換する必要がないため、リボルバーを用いるこ
となく装置に固定されている。

【００３８】従って、光源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃ
を選択交換することにより、各光出射部３，４の相対的
な位置関係が変化し、光源５１からの露光光のフォトマ
スク５３に対する入射角を変化させることができる。例
えば、光源整形用アパーチャ１ａを選択した場合、光源
５１からの露光光はフォトマスク５３に対して垂直に入
射される。また、光源整形用アパーチャ１ｂを選択した
場合、光源５１からの露光光はフォトマスク５３に対し
て緩やかな入射角で斜めに入射される。そして、光源整
形用アパーチャ１ｃを選択した場合、光源５１からの露
光光はフォトマスク５３に対して急な入射角で斜めに入
射される。

【００３９】図３は、光源５１側から見たフォトマスク
５３の平面概略図である。フォトマスク５３上の露光領
域（走査範囲）は、走査される順に３つの領域Ａ〜Ｃに
分けられている（前記したように、走査は矢印Ｙ方向に
行われる）。

【００４０】本実施例では、各領域Ａ〜Ｃの回路パター
ンが、領域Ａ；孤立パターン、領域Ｂ；微細ルール
の繰り返しパターン、領域Ｃ；比較的ルールの緩やか
な繰り返しパターン、から構成されるように予めパター
ン設計を行っている。尚、各領域Ａ〜Ｃの回路パターン
が全て上記〜のようになっている必要はない。例え
ば、領域Ａ中に、微細ルールの繰り返しパターンや比較
的ルールの緩やかな繰り返しパターンが若干含まれてい
ても問題はない。つまり、各領域Ａ〜Ｃの回路パターン
は、おおよそ上記〜のようになっていればよい。

【００４１】次に、本実施例の作用を図１，図４，図５
に従って順次説明する。走査は矢印Ｙ方向に行われるた
め、まず、フォトマスク５３上の領域Ａに対しする露光
が行われる。領域Ａは、主に孤立パターンから構成され
ている。孤立パターンに対して高い解像性能を得るに
は、露光光を垂直に入射するのが最も適している。従っ
て、領域Ａに対する露光においては、図１に示すよう
に、光源整形用アパーチャ１ａを選択する。この場合、
光源５１からの露光光は、フォトマスク５３に対して垂
直に入射されるため、領域Ａに対して高い解像性能を得
ることができる。

【００４２】続いて、領域Ｂに対する露光が行われる。
領域Ｂは、主に微細ルールの繰り返しパターンから構成
されている。微細ルールの繰り返しパターンに対して高
い解像性能を得るには、露光光を急な入射角で斜めに入
射するのが最も適している。従って、領域Ｂに対する露
光においては、図４に示すように、光源整形用アパーチ
ャ１ｃを選択する。この場合、光源５１からの露光光
は、フォトマスク５３に対して急な入射角で斜めに入射
されるため、領域Ｂに対して高い解像性能を得ることが
できる。

【００４３】最後に、領域Ｃに対する露光が行われる。
領域Ｃは、主に比較的ルールの緩やかな繰り返しパター
ンから構成されている。比較的ルールの緩やかな繰り返
しパターンに対して高い解像性能を得るには、露光光を
緩やかな入射角で斜めに入射するのが最も適している。
従って、領域Ｃに対する露光においては、図５に示すよ
うに、光源整形用アパーチャ１ｂを選択する。この場
合、光源５１からの露光光は、フォトマスク５３に対し
て緩やかな入射角で斜めに入射されるため、領域Ｃに対
して高い解像性能を得ることができる。

【００４４】このように、本実施例においては、レンズ
スキャン方式を用いてフォトマスク５３およびウェハ５
５を同期走査させている。従って、フォトマスク５３上
の露光領域が走査方向（矢印Ｙ方向）に拡大され、露光
領域が大面積化しても高い解像性能を得ることができ
る。

【００４５】また、本実施例においては、フォトマスク
５３上の露光領域が、回路パターンの異なる各領域Ａ〜
Ｃに分けて配置されている。そして、各領域Ａ〜Ｃに対
して光源整形用アパーチャ１ａ，１ｃ，１ｂを適宜に選
択交換することにより、光源５１からの露光光を各領域
Ａ〜Ｃに対して最適な入射角度で入射させている。その
結果、密度や形状が様々な回路パターンに対して高い解
像性能を得ることができる。

【００４６】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、以下のように実施してもよい。１）図１，図４，図５における投影レンズ５４の瞳５４
ａの位置（投影光学系のフーリエ変換面）に、光学フィ
ルタ（瞳フィルタ）を挿入することにより、１回の露光
で多重焦点結像を実現する。その場合、光学特性の異な
る瞳フィルタを複数個用意しておき、光源整形用アパー
チャ１ａ〜１ｃと同様に、各瞳フィルタをリボルバー型
装着ベースにセットしておく。そして、上記実施例のよ
うに光源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃを選択交換するの
に加えて、各瞳フィルタもフォトマスク５３上の各領域
Ａ〜Ｃに対応した適宜なものに選択交換する。これによ
り、解像性能をさらに高めることができる。

【００４７】ちなみに、各瞳フィルタの光学特性を異な
ったものにする具体的な方法としては、以下のものが考
えられる（詳しくは、JJAP,Vol.30,No.11B,November,19
91,pp.3037-3042.参照）。

【００４８】1]各瞳フィルタの表面にシフタ（光透過率
を変化させるための薄膜）を形成し、そのシフタの形状
パターンを各領域Ａ〜Ｃの回路パターンに対応させるこ
とにより、瞳フィルタの光学特性を変化させる。

【００４９】2]各瞳フィルタの表面にシフタを形成し、
そのシフタの膜厚の面内分布を各領域Ａ〜Ｃの回路パタ
ーンに対応させることにより、瞳フィルタの透過光位相
の分布を変化させる。

【００５０】3]各瞳フィルタの表面にシフタを形成し、
そのシフタの光透過率の面内分布を各領域Ａ〜Ｃの回路
パターンに対応させることにより、瞳フィルタの光透過
率の分布を変化させる。

【００５１】4]上記1]〜3]を適宜に組み合わせて実施す
る。２）レンズスキャン方式ではなくミラースキャン方式の
縮小投影露光装置に適用する。ミラースキャン方式の縮
小投影露光装置では、投影光学系のフーリエ変換面に、
上記瞳フィルタに相当する光学フィルタを挿入すること
により、上記１）と同様の効果を得ることができる。

【００５２】４）各光源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃを
リボルバー型装着ベースにセットするのではなく、スラ
イド型装着ベースにセットする。５）光源整形用アパーチャ１を複数個設けるのではな
く、光源整形用アパーチャ１ａだけをスライド型装着ベ
ースにセットする。そして、各領域Ａ〜Ｃに対応してス
ライド型装着ベースをスライドさせることにより、各光
源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃを選択交換した場合と同
様に、フォトマスク５３に対する露光光の入射角を適宜
に変化させる。この場合は、１つの光源整形用アパーチ
ャ１ａだけを用意すればよい上に、露光光の入射角を連
続可変させることができる。

【００５３】６）各光源整形用アパーチャ１ａ〜１ｃを
３つ以上設けて実施する。７）フォトマスク５３およびウェハ５５を固定し、光源
整形用アパーチャ１，２および投影レンズ５４を矢印Ｙ
方向に移動（走査）させる。

【００５４】８）２つの光源整形用アパーチャ１，２を
用いて露光光の角度を変えるのではなく、他の適宜な方
法（例えば、光源５１の位置を変化させる、等）によっ
て露光光の角度を変える。

【００５５】９）上記１）〜８）を適宜に組み合わせて
実施する。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、露
光領域を大面積化した上で、密度や形状が様々な回路パ
ターンに対応して高い解像性能を得ることが可能な縮小
投影露光装置を提供することができるという優れた効果
がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施例の縮小投影露光装
置の構成を示す概略図である。

【図２】一実施例の光源整形用アパーチャ１（１ａ〜１
ｃ），２の平面図である。

【図３】一実施例のフォトマスク５３の平面概念図であ
る。

【図４】一実施例の作用を説明するための説明図であ
る。

【図５】一実施例の作用を説明するための説明図であ
る。

【図６】従来の縮小投影露光装置の構成を示す概略図で
ある。

【図７】従来の縮小投影露光装置の作用を説明するため
の説明図である。

【図８】従来の変形照明法を用いた縮小投影露光装置の
構成を示す概略図である。

【符号の説明】

１（１ａ〜１ｃ），２光源整形用アパーチャ３，４光出射部５３フォトマスク５５ウェハ５４ａ投影光学系のフーリエ変換面としての投影レン
ズの瞳Ａ〜Ｃ領域Ｙ走査方向

【手続補正書】

【提出日】平成６年１月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項４

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項５

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項６

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４８】1］各瞳フィルタの表面にシフタ（透過光
の位相を変化させるための薄膜）を形成し、そのシフタ
の形状パターンを各領域Ａ〜Ｃの回路パターンに対応さ
せることにより、瞳フィルタの光学特性を変化させる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フォトマスクへ入射させる露光光線の照
明形状を、フォトマスク上の露光領域の一辺に対応した
スリット状にし、当該スリット状の照明形状に対して垂
直方向に、フォトマスクおよびウェハ上を縮小倍率に対
応した相対的な同期走査をなすことにより、フォトマス
ク上の１つの露光領域分の露光を行わせるスキャン方式
の縮小投影露光装置において、密度および形状が似通った回路パターンから構成される
複数の領域（Ａ〜Ｃ）から全体の露光領域が構成され、
当該各領域（Ａ〜Ｃ）が走査方向（Ｙ）に沿って配置さ
れているフォトマスク（５３）と、フォトマスク（５３）およびウェハ（５５）上を縮小倍
率に対応した相対的な同期走査をなす際に、走査を行っ
ている前記領域（Ａ〜Ｃ）に対応して露光光の入射角を
調整する露光光入射角調整手段（１ａ〜１ｃ，２）とを
備えたことを特徴とする縮小投影露光装置。
【請求項２】請求項１に記載の縮小投影露光装置にお
いて、前記露光光入射角調整手段は、それぞれスリット
状の光出射部（３，４）が設けられた２つの光源整形用
アパーチャ（１ａ〜１ｃ，２）を備えたことを特徴とす
る縮小投影露光装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の縮小投
影露光装置において、投影光学系のフーリエ変換面（５４ａ）に挿入された光
学フィルタと、フォトマスク（５３）およびウェハ（５５）上を縮小倍
率に対応した相対的な同期走査をなす際に、走査を行っ
ている前記領域（Ａ〜Ｃ）に対応して前記光学フィルタ
の光学特性を変化させる光学特性調整手段とを備えたこ
とを特徴とする縮小投影露光装置。
【請求項４】請求項３に記載の縮小投影露光装置にお
いて、前記光学フィルタの表面に光透過率を変化させるための
薄膜であるシフタを形成し、そのシフタの形状パターン
を前記各領域（Ａ〜Ｃ）の回路パターンに対応させるこ
とにより、当該光学フィルタの光学特性を変化させるこ
とを特徴とする縮小投影露光装置。
【請求項５】請求項３または請求項４に記載の縮小投
影露光装置において、前記光学フィルタの表面に光透過率を変化させるための
薄膜であるシフタを形成し、そのシフタの膜厚の面内分
布を前記各領域（Ａ〜Ｃ）の回路パターンに対応させる
ことにより、当該光学フィルタの透過光位相の分布を変
化させることを特徴とする縮小投影露光装置。
【請求項６】請求項３〜５のいずれかに１項に記載の
縮小投影露光装置において、前記光学フィルタの表面に光透過率を変化させるための
薄膜であるシフタを形成し、そのシフタの光透過率の面
内分布を前記各領域（Ａ〜Ｃ）の回路パターンに対応さ
せることにより、当該光学フィルタの光透過率の分布を
変化させることを特徴とする縮小投影露光装置。