JPH07153704A - 薄膜形成方法および薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法および薄膜形成装置Info
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- JPH07153704A JPH07153704A JP5323196A JP32319693A JPH07153704A JP H07153704 A JPH07153704 A JP H07153704A JP 5323196 A JP5323196 A JP 5323196A JP 32319693 A JP32319693 A JP 32319693A JP H07153704 A JPH07153704 A JP H07153704A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学的気相成長法による薄膜形成において、
生産性を高め、良好でかつ安定した成膜分布および膜抵
抗の再現性を得る。 【構成】 複数の基板３を少なくとも１枚ごと反応室１
に導入し、この基板に反応ガスを導入し、基板の上に化
学的気相成長法により薄膜を堆積させて基板処理を行
い、導入された基板ごとに基板処理を繰り返す薄膜形成
方法であり、繰り返される基板処理の間の非基板処理時
に、例えば基板固定具６に堆積した薄膜の表面を不働態
にする不働態化ガスを反応室１に導入する。不働態化ガ
スは、例えば吸着性ガスで、具体的に、不活性ガスと
０．１〜１０％のＮＨ3 からなる混合ガス、または不活
性ガスと０．１〜１０％のＳi Ｈ2 Ｃｌ2 からなる混合
ガスである。不働態化ガスとして酸化性ガスを用いるこ
ともできる。
生産性を高め、良好でかつ安定した成膜分布および膜抵
抗の再現性を得る。 【構成】 複数の基板３を少なくとも１枚ごと反応室１
に導入し、この基板に反応ガスを導入し、基板の上に化
学的気相成長法により薄膜を堆積させて基板処理を行
い、導入された基板ごとに基板処理を繰り返す薄膜形成
方法であり、繰り返される基板処理の間の非基板処理時
に、例えば基板固定具６に堆積した薄膜の表面を不働態
にする不働態化ガスを反応室１に導入する。不働態化ガ
スは、例えば吸着性ガスで、具体的に、不活性ガスと
０．１〜１０％のＮＨ3 からなる混合ガス、または不活
性ガスと０．１〜１０％のＳi Ｈ2 Ｃｌ2 からなる混合
ガスである。不働態化ガスとして酸化性ガスを用いるこ
ともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成方法および薄膜
形成装置に関し、特に、化学的気相成長法により基板に
タングステン、銅、窒化チタン、チタン等の薄膜を形成
する薄膜形成方法および薄膜形成装置に関する。
形成装置に関し、特に、化学的気相成長法により基板に
タングステン、銅、窒化チタン、チタン等の薄膜を形成
する薄膜形成方法および薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体の高集積化が進むにつれ、そ
の製造方法も変りつつある。特に、配線材料（Ａｌ等）
の薄膜形成は、これまでスパッタリング法によって行わ
れてきたが、スパッタリング法による微細ホール部分の
埋込みは、ホール径が縮小してホール径に対するホール
深さの比（アスペクト比）が１を超えた段階で、非常に
困難となってきた。その結果、ホール部分での断線が起
りやすく素子の信頼性を維持することが難しくなってい
る。
の製造方法も変りつつある。特に、配線材料（Ａｌ等）
の薄膜形成は、これまでスパッタリング法によって行わ
れてきたが、スパッタリング法による微細ホール部分の
埋込みは、ホール径が縮小してホール径に対するホール
深さの比（アスペクト比）が１を超えた段階で、非常に
困難となってきた。その結果、ホール部分での断線が起
りやすく素子の信頼性を維持することが難しくなってい
る。
【０００３】現在では、微細ホールの埋込みに関し、化
学的気相成長法による薄膜形成方法、とりわけタングス
テン（Ｗ）薄膜形成方法が注目されている。以下の説明
で、タングステンは記号的にＷで示される。この薄膜形
成方法によれば、集積度が１６メガ以降のデバイス中に
使用されるアスペクト比２以上のホールにおいても、良
好な段差被覆性で薄膜を形成することができ、素子の信
頼性を大幅に向上することできる。
学的気相成長法による薄膜形成方法、とりわけタングス
テン（Ｗ）薄膜形成方法が注目されている。以下の説明
で、タングステンは記号的にＷで示される。この薄膜形
成方法によれば、集積度が１６メガ以降のデバイス中に
使用されるアスペクト比２以上のホールにおいても、良
好な段差被覆性で薄膜を形成することができ、素子の信
頼性を大幅に向上することできる。
【０００４】図３は、従来用いられてきたタングステン
膜形成のための化学的気相成長装置の要部構成を示す。
真空ポンプ（図示せず）で排気され減圧状態になってい
る反応室１において、その中に設置された基板支持台２
の上に基板３が配置される。基板支持台２は、反応室１
の容器壁部に気密に取付けられた石英窓４を通して加熱
ランプ５からの光照射を受け、加熱される。また基板３
は、基板支持台２に対し固定具６によって押さえ付けら
れて固定され、基板支持台２から伝導される熱によって
加熱される。加熱の制御は、基板支持台２の温度が熱電
対７によって測定され、その信号がランプ制御部（図示
せず）にフィードバックされることで行われる。また固
定具６の一部および固定具６を支持する支持部８の各内
部には、固定具６への膜の付着をできるだけ少なくし成
膜が基板部分に制限されるように冷却媒体９を流すため
の通路１０が形成される。固定具６は、冷却媒体によっ
てＷ膜の付着が起らない程度の低い一定温度に保持され
る。
膜形成のための化学的気相成長装置の要部構成を示す。
真空ポンプ（図示せず）で排気され減圧状態になってい
る反応室１において、その中に設置された基板支持台２
の上に基板３が配置される。基板支持台２は、反応室１
の容器壁部に気密に取付けられた石英窓４を通して加熱
ランプ５からの光照射を受け、加熱される。また基板３
は、基板支持台２に対し固定具６によって押さえ付けら
れて固定され、基板支持台２から伝導される熱によって
加熱される。加熱の制御は、基板支持台２の温度が熱電
対７によって測定され、その信号がランプ制御部（図示
せず）にフィードバックされることで行われる。また固
定具６の一部および固定具６を支持する支持部８の各内
部には、固定具６への膜の付着をできるだけ少なくし成
膜が基板部分に制限されるように冷却媒体９を流すため
の通路１０が形成される。固定具６は、冷却媒体によっ
てＷ膜の付着が起らない程度の低い一定温度に保持され
る。
【０００５】一方、基板３に対向する位置に置かれたガ
ス供給部１１から反応ガスが反応室内部に導入され、基
板３の表面に所望の膜が形成される。未反応ガスおよび
副生成ガスは排気部用通路１２より排気される。
ス供給部１１から反応ガスが反応室内部に導入され、基
板３の表面に所望の膜が形成される。未反応ガスおよび
副生成ガスは排気部用通路１２より排気される。
【０００６】上記構成を有する従来装置で多数の基板を
成膜処理する場合、反応室に１枚ごと導入された各基板
は、成膜処理終了後に次の基板と交換され、１つの反応
室内で１枚ずつ次々と連続して成膜処理されていく。な
お複数枚の基板が、同時に処理される場合もある。毎回
の基板処理条件であるガス流量、圧力、温度等は常に一
定に保たれる。通常の成膜条件は、成膜ガス流量として
Ｈ2 は３００〜１０００sccm、ＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、成膜圧力として３０〜１００Torr、成膜温度として
４００〜５００℃であり、膜の用途によって成膜条件は
異なる。膜の用途として、例えば、ホール埋込み膜では
Ｈ2 ／ＷＦ6 の比を小さくし、温度は４００℃程度の低
い温度とする。また配線用膜では、逆にＨ2 ／ＷＦ6 の
比を大きくし、できるだけ高温で成膜することによって
膜応力を低下させる。通常、成膜の前に核形成のための
成膜ステップが設けられ、この成膜ステップでは通常の
条件として、成膜ガス流量は、ＷＦ6 が５〜１０sccm、
Ｓi Ｈ4 は１〜４sccm、成膜圧力は０．１〜５Torr、成
膜温度は４００〜５００℃である。
成膜処理する場合、反応室に１枚ごと導入された各基板
は、成膜処理終了後に次の基板と交換され、１つの反応
室内で１枚ずつ次々と連続して成膜処理されていく。な
お複数枚の基板が、同時に処理される場合もある。毎回
の基板処理条件であるガス流量、圧力、温度等は常に一
定に保たれる。通常の成膜条件は、成膜ガス流量として
Ｈ2 は３００〜１０００sccm、ＷＦ6 は５０〜２００sc
cm、成膜圧力として３０〜１００Torr、成膜温度として
４００〜５００℃であり、膜の用途によって成膜条件は
異なる。膜の用途として、例えば、ホール埋込み膜では
Ｈ2 ／ＷＦ6 の比を小さくし、温度は４００℃程度の低
い温度とする。また配線用膜では、逆にＨ2 ／ＷＦ6 の
比を大きくし、できるだけ高温で成膜することによって
膜応力を低下させる。通常、成膜の前に核形成のための
成膜ステップが設けられ、この成膜ステップでは通常の
条件として、成膜ガス流量は、ＷＦ6 が５〜１０sccm、
Ｓi Ｈ4 は１〜４sccm、成膜圧力は０．１〜５Torr、成
膜温度は４００〜５００℃である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来装置で行われた薄
膜形成方法では、繰り返して基板が搬入されて成膜処理
が行われる。各基板に対し成膜処理が繰り返し行われる
場合に、基板の処理枚数が増えるに従い基板内での膜抵
抗値分布が次第に悪化するという問題があった。図４
は、従来装置で複数の基板のそれぞれに対して連続的に
成膜を行った場合の成膜分布（面内膜抵抗値のばらつき
を［標準偏差／平均値］×100 で表わしたものである）
を示している。
膜形成方法では、繰り返して基板が搬入されて成膜処理
が行われる。各基板に対し成膜処理が繰り返し行われる
場合に、基板の処理枚数が増えるに従い基板内での膜抵
抗値分布が次第に悪化するという問題があった。図４
は、従来装置で複数の基板のそれぞれに対して連続的に
成膜を行った場合の成膜分布（面内膜抵抗値のばらつき
を［標準偏差／平均値］×100 で表わしたものである）
を示している。
【０００８】膜抵抗値の平均と膜抵抗値分布の悪化は、
基板外周部の膜抵抗値が上昇することが原因となってお
り、基板外周部における膜抵抗値の上昇は、基板外周部
における成膜速度が徐々に低下し、膜厚が減少するため
であることが判っている。
基板外周部の膜抵抗値が上昇することが原因となってお
り、基板外周部における膜抵抗値の上昇は、基板外周部
における成膜速度が徐々に低下し、膜厚が減少するため
であることが判っている。
【０００９】また本発明者らの調査・研究によれば、こ
の基板外周部における成膜速度の低下は、固定具に付着
したＷ膜（図３中の１３で示される）の影響であること
も判っている。すなわち、ブランケットタングステンは
或る温度以上の条件の下で膜が付着する特性を有するた
め、基板３に接近して存在しかつ基板に近い温度になっ
ていると思われる固定具６の基板近傍付近にＷ膜が次第
に付着し、その面積は基板処理枚数が増えるに従って広
がっていく。こうして固定具６に付着したＷ膜の付着面
積が増大するに伴って基板成膜分布も悪化する。
の基板外周部における成膜速度の低下は、固定具に付着
したＷ膜（図３中の１３で示される）の影響であること
も判っている。すなわち、ブランケットタングステンは
或る温度以上の条件の下で膜が付着する特性を有するた
め、基板３に接近して存在しかつ基板に近い温度になっ
ていると思われる固定具６の基板近傍付近にＷ膜が次第
に付着し、その面積は基板処理枚数が増えるに従って広
がっていく。こうして固定具６に付着したＷ膜の付着面
積が増大するに伴って基板成膜分布も悪化する。
【００１０】図４に示すごとく、従来の成膜実験による
と、標準的な成膜条件において初期の５０枚程度までは
成膜分布は２〜３％となり、値は良好なものである。し
かし、それであっても、処理枚数が増えるに従いその値
も徐々に悪化の傾向を示す。そのときの固定具へのＷ膜
の付着の領域は固定具上部表面であり、その内縁の基板
近傍から外周に向かって半径方向に１５mm程度である。
処理枚数が５０枚以上になると、成膜分布はさらに悪化
する。
と、標準的な成膜条件において初期の５０枚程度までは
成膜分布は２〜３％となり、値は良好なものである。し
かし、それであっても、処理枚数が増えるに従いその値
も徐々に悪化の傾向を示す。そのときの固定具へのＷ膜
の付着の領域は固定具上部表面であり、その内縁の基板
近傍から外周に向かって半径方向に１５mm程度である。
処理枚数が５０枚以上になると、成膜分布はさらに悪化
する。
【００１１】処理枚数が１００枚になると、付着領域は
固定具上部表面であって、その内縁の基板近傍から外周
に向かって半径方向に約３０mm程度であった。付着した
Ｗ膜の領域は固定具上の外周に向う半径方向と膜の厚さ
方向に拡大し、共に処理枚数の増加に伴って増大する。
しかし、半径方向については或る一定以下の温度では成
膜反応が起らないため、或る半径以上では付着範囲は拡
大しない。従って、成膜分布が基板処理枚数の増加に伴
って劣化することの直接的な原因は、付着領域の半径方
向への拡大だけでなく、同時に付着膜の厚さが増大する
ことが考えられる。通常、化学的気相成長法によるＷ膜
は、膜厚が厚くなると表面の微細な凹凸が激しくなり表
面積が増大するが、本装置における固定具上に付着した
Ｗ膜についても同様に基板処理数に伴って膜厚が厚くな
れば凹凸が激しくなり表面積が増大すると思われる。
固定具上部表面であって、その内縁の基板近傍から外周
に向かって半径方向に約３０mm程度であった。付着した
Ｗ膜の領域は固定具上の外周に向う半径方向と膜の厚さ
方向に拡大し、共に処理枚数の増加に伴って増大する。
しかし、半径方向については或る一定以下の温度では成
膜反応が起らないため、或る半径以上では付着範囲は拡
大しない。従って、成膜分布が基板処理枚数の増加に伴
って劣化することの直接的な原因は、付着領域の半径方
向への拡大だけでなく、同時に付着膜の厚さが増大する
ことが考えられる。通常、化学的気相成長法によるＷ膜
は、膜厚が厚くなると表面の微細な凹凸が激しくなり表
面積が増大するが、本装置における固定具上に付着した
Ｗ膜についても同様に基板処理数に伴って膜厚が厚くな
れば凹凸が激しくなり表面積が増大すると思われる。
【００１２】図５は、基板の累積処理枚数が約６００枚
である状態において、５０枚ロットの基板を連続で成膜
した場合に、途中の２５枚目の基板と２６枚目の基板の
各成膜処理の間で、大気を４０Torr，５min という条件
で反応室中に導入した結果、分布が回復した例を示す。
この分布回復の例は、本発明者らによって実験的に発見
されたものである。図５に示された結果は、大気を導入
したことにより、固定具に付着したＷ膜の活性な表面が
酸化され、露出している純粋なＷ膜の面積の割合が非常
に小さくなり、当該表面が不働態化されたため、一時的
に分布が良好な値に回復されたものと考えることができ
る。
である状態において、５０枚ロットの基板を連続で成膜
した場合に、途中の２５枚目の基板と２６枚目の基板の
各成膜処理の間で、大気を４０Torr，５min という条件
で反応室中に導入した結果、分布が回復した例を示す。
この分布回復の例は、本発明者らによって実験的に発見
されたものである。図５に示された結果は、大気を導入
したことにより、固定具に付着したＷ膜の活性な表面が
酸化され、露出している純粋なＷ膜の面積の割合が非常
に小さくなり、当該表面が不働態化されたため、一時的
に分布が良好な値に回復されたものと考えることができ
る。
【００１３】固定具に付着したＷ膜が、固定具近傍の基
板外周部における成膜速度を低下させ、基板上の成膜分
布を悪化させることの原因については、反応副生成物の
増加による成膜反応の抑制や、固定具上での反応ガス、
特にＷＦ6 ガスの消費によるガス供給不足などが考えら
れる。
板外周部における成膜速度を低下させ、基板上の成膜分
布を悪化させることの原因については、反応副生成物の
増加による成膜反応の抑制や、固定具上での反応ガス、
特にＷＦ6 ガスの消費によるガス供給不足などが考えら
れる。
【００１４】これまでは、このような固定具へのＷ膜付
着による分布劣化に対する対策として、基板１枚１枚の
処理ごとにプラズマによるＲＩＥクリーニングや、強反
応性ガスによるケミカルエッチングなど、その場のクリ
ニーングにより付着したＷ膜を除去することが試みられ
た。しかしこれらの方法では、処理時間が全体として非
常に長くなり、単位時間あたりの基板処理量が低下した
り、あるいは使用ガスによっては、排ガス処理設備に莫
大な投資を必要とするなどの生産性の観点から問題があ
った。
着による分布劣化に対する対策として、基板１枚１枚の
処理ごとにプラズマによるＲＩＥクリーニングや、強反
応性ガスによるケミカルエッチングなど、その場のクリ
ニーングにより付着したＷ膜を除去することが試みられ
た。しかしこれらの方法では、処理時間が全体として非
常に長くなり、単位時間あたりの基板処理量が低下した
り、あるいは使用ガスによっては、排ガス処理設備に莫
大な投資を必要とするなどの生産性の観点から問題があ
った。
【００１５】一方、構成上固定具をなくしてしまうとい
う方法も考えられたが、基板の外周を押さえ付けて固定
しなければ、基板の撓みにより基板支持台との間に隙間
が生じ、熱伝導が不十分になり、温度ムラが生じて成膜
分布が劣化するという不具合が生じる。従って、固定具
をなくすことは実際上不可能であった。また基板最外周
部にはＷ膜と密着性の悪い酸化膜が露出している場合に
多く、その場合には、最外周部に付着したＷ膜が剥がれ
を起し、半導体生産で歩留り低下の最大原因である微小
なゴミ、すなわちパーティクルを発生し、大きな問題と
なる。
う方法も考えられたが、基板の外周を押さえ付けて固定
しなければ、基板の撓みにより基板支持台との間に隙間
が生じ、熱伝導が不十分になり、温度ムラが生じて成膜
分布が劣化するという不具合が生じる。従って、固定具
をなくすことは実際上不可能であった。また基板最外周
部にはＷ膜と密着性の悪い酸化膜が露出している場合に
多く、その場合には、最外周部に付着したＷ膜が剥がれ
を起し、半導体生産で歩留り低下の最大原因である微小
なゴミ、すなわちパーティクルを発生し、大きな問題と
なる。
【００１６】さらに固定具が存在しなければ、基板の周
囲に存在する部品（周辺部材）、例えば基板支持台や反
応室壁などにＷ膜が付着する。この付着したＷ膜が、固
定具が存在する場合に固定具上に付着するＷ膜と同様な
作用を、基板への成膜に及ぼすことは容易に想像するこ
とができる。
囲に存在する部品（周辺部材）、例えば基板支持台や反
応室壁などにＷ膜が付着する。この付着したＷ膜が、固
定具が存在する場合に固定具上に付着するＷ膜と同様な
作用を、基板への成膜に及ぼすことは容易に想像するこ
とができる。
【００１７】固定具などに付着した膜が、成膜分布を劣
化させるなど、基板上への成膜に悪影響を与えること
は、タングステンの成膜に限らず、化学的気相成長法に
よる窒化チタン、チタン、タングステンシリサイド、チ
タンシリサイドおよび銅の成膜についても考えられる。
化させるなど、基板上への成膜に悪影響を与えること
は、タングステンの成膜に限らず、化学的気相成長法に
よる窒化チタン、チタン、タングステンシリサイド、チ
タンシリサイドおよび銅の成膜についても考えられる。
【００１８】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
生産性が高く、良好でかつ安定した成膜分布、膜抵抗の
再現性が得られる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提
供することにある。
生産性が高く、良好でかつ安定した成膜分布、膜抵抗の
再現性が得られる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提
供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜形成方
法は、複数の基板を単位枚数（ここで単位枚数とは１枚
または２枚以上の所定枚数）ごと反応室に導入し、導入
された単位枚数ごとの基板に対して反応室に反応ガスを
導入し、基板の上に化学的気相成長法により薄膜を堆積
させて基板処理を行い、導入された基板ごとに前記基板
処理を繰り返す薄膜形成方法であり、繰り返される基板
処理の間の非基板処理時に、基板の周辺部材に堆積した
薄膜の表面を不働態にする不働態化ガスを反応室に導入
することを特徴とする。ここで、「薄膜の表面を不働態
にする（または薄膜表面の不働態化）」とは、周辺部材
に堆積した薄膜の活性状態にある清浄（または純粋）な
表面を、何等かの方法で非活性状態にすることを意味す
る。以下に述べる通り、非活性状態にする方法として、
薄膜の表面に対し吸着を行う、または当該表面を酸化す
ることにより、表面の清浄性をなくし、非活性状態にし
ている。また基板の周辺部材としては、例えば、基板を
固定するための固定具、基板の縁近傍で基板の下方から
上方にガスを案内する案内部材などがある。
法は、複数の基板を単位枚数（ここで単位枚数とは１枚
または２枚以上の所定枚数）ごと反応室に導入し、導入
された単位枚数ごとの基板に対して反応室に反応ガスを
導入し、基板の上に化学的気相成長法により薄膜を堆積
させて基板処理を行い、導入された基板ごとに前記基板
処理を繰り返す薄膜形成方法であり、繰り返される基板
処理の間の非基板処理時に、基板の周辺部材に堆積した
薄膜の表面を不働態にする不働態化ガスを反応室に導入
することを特徴とする。ここで、「薄膜の表面を不働態
にする（または薄膜表面の不働態化）」とは、周辺部材
に堆積した薄膜の活性状態にある清浄（または純粋）な
表面を、何等かの方法で非活性状態にすることを意味す
る。以下に述べる通り、非活性状態にする方法として、
薄膜の表面に対し吸着を行う、または当該表面を酸化す
ることにより、表面の清浄性をなくし、非活性状態にし
ている。また基板の周辺部材としては、例えば、基板を
固定するための固定具、基板の縁近傍で基板の下方から
上方にガスを案内する案内部材などがある。
【００２０】前記不働態化ガスの導入タイミングとして
は、繰り返される複数回の基板処理のそれぞれの間で導
入されることがもっとも好ましい。また必要とされる成
膜分布の程度に応じて、繰り返される複数回の前記基板
処理において少なくとも２回以上の所定の単位回数を設
定し、この単位回数の間で不働態化ガスを導入すること
もできる。
は、繰り返される複数回の基板処理のそれぞれの間で導
入されることがもっとも好ましい。また必要とされる成
膜分布の程度に応じて、繰り返される複数回の前記基板
処理において少なくとも２回以上の所定の単位回数を設
定し、この単位回数の間で不働態化ガスを導入すること
もできる。
【００２１】前記不働態化ガスは、好ましくは、薄膜の
表面に吸着する吸着性ガスである。吸着性ガスとして
は、不活性ガスと０．１〜１０％のＮＨ3 （アンモニ
ア）からなる混合ガス、または不活性ガスと０．１〜１
０％のＳi Ｈ2 Ｃｌ2 （ジクロールシラン）からなる混
合ガスが好ましい。また不活性ガスとしてはＡｒ，Ｈ
ｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれかが使用される。
表面に吸着する吸着性ガスである。吸着性ガスとして
は、不活性ガスと０．１〜１０％のＮＨ3 （アンモニ
ア）からなる混合ガス、または不活性ガスと０．１〜１
０％のＳi Ｈ2 Ｃｌ2 （ジクロールシラン）からなる混
合ガスが好ましい。また不活性ガスとしてはＡｒ，Ｈ
ｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれかが使用される。
【００２２】また不働態化ガスは、好ましくは、薄膜の
表面を酸化する酸化性ガスである。酸化性ガスとして
は、不活性ガスと、大気、酸素、ＮＯ、ＮＯ2 のうちい
ずれか１つとからなる混合ガスが好ましい。
表面を酸化する酸化性ガスである。酸化性ガスとして
は、不活性ガスと、大気、酸素、ＮＯ、ＮＯ2 のうちい
ずれか１つとからなる混合ガスが好ましい。
【００２３】前記の各方法において不活性ガスの代わり
にＮ2 を使用することもできる。
にＮ2 を使用することもできる。
【００２４】混合ガスの導入条件として、０．１〜数百
Torrの範囲の導入圧力で導入することが好ましい。
Torrの範囲の導入圧力で導入することが好ましい。
【００２５】また前記の方法において、不働態化ガスを
導入した際、同時に反応室内において放電を発生させる
ことが好ましい。
導入した際、同時に反応室内において放電を発生させる
ことが好ましい。
【００２６】本発明に係る薄膜形成装置は、前記の各薄
膜形成方法を実施するための装置であり、好ましくは、
基板処理時に減圧状態に保たれる反応室と、反応室内に
設置される基板支持台と、反応室を形成する容器に気密
に取り付けられた石英窓と、石英窓を通して基板支持台
に熱を供給する加熱器と、反応ガスを供給するガス供給
部と、未反応ガスや生成ガスを排気する排気部を備え、
さらに、基板支持台上の基板の周辺部材に堆積した薄膜
の表面を不働態にする不働態化ガスを反応室に導入する
ガス導入部を備えることを特徴とする。ガス導入部で導
入される不働態化ガスは、前述の通り、各種のガスを使
用することができる。不働態化ガスが混合ガスである場
合には、各ガスを混合するための機構が設けられる。ま
た不働態化ガスのガス導入部から、不働態化ガスを導入
する時期は、薄膜の活性表面を不働態化するに最適なタ
イミングであり、目標とする成膜分布に応じて適宜に設
定される。各基板処理の間に導入されることがもっとも
望ましい。またガス導入部から不働態化ガスを導入する
にあたり、その導入動作、すなわちバルブの開閉動作
は、制御手段によって制御される。また不働態化ガスが
混合ガスである場合において、混合されるガスの割合、
および混合ガスの導入圧力等は、前述の通り設定される
ことが好ましく、またこの設定も、制御手段によって実
行される。
膜形成方法を実施するための装置であり、好ましくは、
基板処理時に減圧状態に保たれる反応室と、反応室内に
設置される基板支持台と、反応室を形成する容器に気密
に取り付けられた石英窓と、石英窓を通して基板支持台
に熱を供給する加熱器と、反応ガスを供給するガス供給
部と、未反応ガスや生成ガスを排気する排気部を備え、
さらに、基板支持台上の基板の周辺部材に堆積した薄膜
の表面を不働態にする不働態化ガスを反応室に導入する
ガス導入部を備えることを特徴とする。ガス導入部で導
入される不働態化ガスは、前述の通り、各種のガスを使
用することができる。不働態化ガスが混合ガスである場
合には、各ガスを混合するための機構が設けられる。ま
た不働態化ガスのガス導入部から、不働態化ガスを導入
する時期は、薄膜の活性表面を不働態化するに最適なタ
イミングであり、目標とする成膜分布に応じて適宜に設
定される。各基板処理の間に導入されることがもっとも
望ましい。またガス導入部から不働態化ガスを導入する
にあたり、その導入動作、すなわちバルブの開閉動作
は、制御手段によって制御される。また不働態化ガスが
混合ガスである場合において、混合されるガスの割合、
および混合ガスの導入圧力等は、前述の通り設定される
ことが好ましく、またこの設定も、制御手段によって実
行される。
【００２７】
【作用】本発明では、基本構成は従来装置と同じ薄膜形
成装置の反応室に、例えば１枚の基板を搬入して基板支
持台に例えば固定具で固定し、その基板に対して反応ガ
スを導入し、化学的気相成長法に基づいて基板上に例え
ばタングステン（Ｗ）膜を形成し、その基板処理後に、
処理済みの基板を搬出し、再度新しい基板に対して同じ
ステップを繰り返す薄膜形成プロセスにおいて、好まし
くは各基板処理の間において基板固定具などの周辺部材
（以下固定具について説明する）の表面に堆積したＷ膜
の表面を吸着または酸化によって不働態化するステップ
を設けるようにし、処理される複数の基板のそれぞれの
成膜分布を所望の良好なレベルに保持する。Ｗ膜を不働
態化するステップでは、不働態化ガス、好ましくは所定
の混合ガスが所定の条件下で反応室に導入される。混合
ガスを導入することにより、化学現象的に次のような作
用が発生する。
成装置の反応室に、例えば１枚の基板を搬入して基板支
持台に例えば固定具で固定し、その基板に対して反応ガ
スを導入し、化学的気相成長法に基づいて基板上に例え
ばタングステン（Ｗ）膜を形成し、その基板処理後に、
処理済みの基板を搬出し、再度新しい基板に対して同じ
ステップを繰り返す薄膜形成プロセスにおいて、好まし
くは各基板処理の間において基板固定具などの周辺部材
（以下固定具について説明する）の表面に堆積したＷ膜
の表面を吸着または酸化によって不働態化するステップ
を設けるようにし、処理される複数の基板のそれぞれの
成膜分布を所望の良好なレベルに保持する。Ｗ膜を不働
態化するステップでは、不働態化ガス、好ましくは所定
の混合ガスが所定の条件下で反応室に導入される。混合
ガスを導入することにより、化学現象的に次のような作
用が発生する。
【００２８】例えば、不活性ガスと、０．１〜１０％の
ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 とからなる混合ガスを導入
した場合には、ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が反応室内
において吸着し残留する結果、次に処理されるべき基板
が導入されかつ基板処理が行われるとき、ＮＨ3 または
Ｓi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着していない基板上には通常にＷ膜
が成膜されるのに対し、基板固定具へのＷ膜の堆積は従
来に比較して顕著に抑制される現象が生じる。この理由
は、次の通りである。
ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 とからなる混合ガスを導入
した場合には、ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が反応室内
において吸着し残留する結果、次に処理されるべき基板
が導入されかつ基板処理が行われるとき、ＮＨ3 または
Ｓi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着していない基板上には通常にＷ膜
が成膜されるのに対し、基板固定具へのＷ膜の堆積は従
来に比較して顕著に抑制される現象が生じる。この理由
は、次の通りである。
【００２９】例えばＨ2 とＷＦ6 を原料ガスとして用い
た化学的気相成長法によるＷ膜の成膜反応過程では、反
応の律速過程がＨ2 の吸着・解離過程であることが知ら
れている（文献：J.Electrochem.Soc.:SOLID-STATE SCI
ENCE AND TECHNOLOGY ，１５３４〜１５４３頁,Kinetic
s of Tungsten Deposition by the Reaction of WF6and
Hydrogen）。特に、一度Ｗ膜が付着すると、そのＷ膜
の表面は清浄表面となり、非常に活性である。そのた
め、飛来するガス分子の吸着が盛んに行われることが予
想され、その結果、その次からのＷ膜の堆積が促進され
る。これに対して、ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が導入
されると、これらは非常に吸着しやすいガスであるため
に、固定具に堆積したＷ膜の表面に吸着し、次の基板処
理における成膜段階で固定具におけるＨ2 やＷＦ6 の吸
着が阻害される。またこの成膜段階において抑制される
ものの固定具上にもＷ膜が付着するが、ＮＨ3またはＳi
Ｈ2Ｃｌ2 が吸着されたことによって抑制された固定具
のＷ膜の付着量は、ＮＨ3またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む
混合ガスの導入条件と成膜条件によって変化する。
た化学的気相成長法によるＷ膜の成膜反応過程では、反
応の律速過程がＨ2 の吸着・解離過程であることが知ら
れている（文献：J.Electrochem.Soc.:SOLID-STATE SCI
ENCE AND TECHNOLOGY ，１５３４〜１５４３頁,Kinetic
s of Tungsten Deposition by the Reaction of WF6and
Hydrogen）。特に、一度Ｗ膜が付着すると、そのＷ膜
の表面は清浄表面となり、非常に活性である。そのた
め、飛来するガス分子の吸着が盛んに行われることが予
想され、その結果、その次からのＷ膜の堆積が促進され
る。これに対して、ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が導入
されると、これらは非常に吸着しやすいガスであるため
に、固定具に堆積したＷ膜の表面に吸着し、次の基板処
理における成膜段階で固定具におけるＨ2 やＷＦ6 の吸
着が阻害される。またこの成膜段階において抑制される
ものの固定具上にもＷ膜が付着するが、ＮＨ3またはＳi
Ｈ2Ｃｌ2 が吸着されたことによって抑制された固定具
のＷ膜の付着量は、ＮＨ3またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む
混合ガスの導入条件と成膜条件によって変化する。
【００３０】基板上に成膜（基板処理）を行ったとき、
従来に比較して格段に抑制されるものの、固定具上にも
Ｗ膜は付着する。この基板処理の後に、反応室にＮＨ3
またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む混合ガスを導入する場合に
は、固定具上の清浄であるＷ膜表面の上には盛んにＮＨ
3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着される。そのために、次
の基板の成膜処理では、基板の表面には正常に成膜が行
われるが、固定具上に付着したＷ膜の上では、既にＮＨ
3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着されているため、Ｈ2 や
ＷＦ6 の吸着が困難となり、成膜が行われにくいという
状況が生じる。ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む混合
ガスの導入条件を調節することによって、基板固定具上
へのＷ膜の付着を完全に防ぐことができる。以上のよう
に、例えば各基板の成膜処理を行った後にその都度或る
条件の下で前記混合ガスを反応室に導入することによっ
て、次の基板の成膜処理を行っても、固定具上へのＷ膜
付着を抑えることができ、そのために、毎回ほぼ一定の
成膜分布を維持しながら各基板上への成膜を行うことが
できる。
従来に比較して格段に抑制されるものの、固定具上にも
Ｗ膜は付着する。この基板処理の後に、反応室にＮＨ3
またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む混合ガスを導入する場合に
は、固定具上の清浄であるＷ膜表面の上には盛んにＮＨ
3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着される。そのために、次
の基板の成膜処理では、基板の表面には正常に成膜が行
われるが、固定具上に付着したＷ膜の上では、既にＮＨ
3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 が吸着されているため、Ｈ2 や
ＷＦ6 の吸着が困難となり、成膜が行われにくいという
状況が生じる。ＮＨ3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 を含む混合
ガスの導入条件を調節することによって、基板固定具上
へのＷ膜の付着を完全に防ぐことができる。以上のよう
に、例えば各基板の成膜処理を行った後にその都度或る
条件の下で前記混合ガスを反応室に導入することによっ
て、次の基板の成膜処理を行っても、固定具上へのＷ膜
付着を抑えることができ、そのために、毎回ほぼ一定の
成膜分布を維持しながら各基板上への成膜を行うことが
できる。
【００３１】またＷ膜に対して酸化能力を有するガスが
含まれた混合ガスを使用する場合には、反応室内の各部
分も酸化されるが、反応室の容器壁等の大部分は既に大
気に触れており、酸化被膜に覆われているので、特別な
変化は起こらない。基板への成膜処理の開始前の状態で
は、固定具についても同じであるが、成膜処理が開始さ
れ基板への成膜が行われると、基板以外の固定具上にも
Ｗ膜が付着する。基板への成膜後、基板を反応室から搬
出した状態で混合ガスを導入すると、固定具に付着した
Ｗ膜も表面が酸化される。酸化が十分に行われると、次
の基板の成膜処理の段階で固定具上には清浄な表面を有
するＷ膜は存在しないことになり、常に初期の成膜開始
状態となり、成膜分布が固定具上に付着したＷ膜の影響
を受けて悪化するということはない。
含まれた混合ガスを使用する場合には、反応室内の各部
分も酸化されるが、反応室の容器壁等の大部分は既に大
気に触れており、酸化被膜に覆われているので、特別な
変化は起こらない。基板への成膜処理の開始前の状態で
は、固定具についても同じであるが、成膜処理が開始さ
れ基板への成膜が行われると、基板以外の固定具上にも
Ｗ膜が付着する。基板への成膜後、基板を反応室から搬
出した状態で混合ガスを導入すると、固定具に付着した
Ｗ膜も表面が酸化される。酸化が十分に行われると、次
の基板の成膜処理の段階で固定具上には清浄な表面を有
するＷ膜は存在しないことになり、常に初期の成膜開始
状態となり、成膜分布が固定具上に付着したＷ膜の影響
を受けて悪化するということはない。
【００３２】固定具に付着したＷ膜の酸化の度合いは、
一定の成膜反応条件に対して或る最適な酸化ガスを含ん
だ混合ガスの導入条件を選択することによって決めるこ
とができる。しかし、付着したＷ膜の表面が完全に酸化
されなくとも、毎回の成膜処理において常に一定のＷ膜
が露出しているならば、成膜分布は良好な一定状態に保
つことができる。
一定の成膜反応条件に対して或る最適な酸化ガスを含ん
だ混合ガスの導入条件を選択することによって決めるこ
とができる。しかし、付着したＷ膜の表面が完全に酸化
されなくとも、毎回の成膜処理において常に一定のＷ膜
が露出しているならば、成膜分布は良好な一定状態に保
つことができる。
【００３３】前述の作用は、Ｗ成膜に限らず、化学的気
相成長法が適用できるのであれば、他の薄膜形成、例え
ば、窒化チタン、チタン、タングステンシリサイド、チ
タンシリサイド、銅等においても、同様に生じる。何故
なら、化学的気相成長法においては、原料ガスの基板等
への吸着過程が成膜反応に強く関与しているからであ
り、上記例のＨ2 とＷＦ6 によるＷ成膜のように、反応
律速過程がガスの吸着過程である場合には、特に顕著な
効果をもたらす。また固定具上の薄膜の表面に対して吸
着作用を有するガスまたは酸化作用を有するガスであれ
ば任意のガスを使用することができる。
相成長法が適用できるのであれば、他の薄膜形成、例え
ば、窒化チタン、チタン、タングステンシリサイド、チ
タンシリサイド、銅等においても、同様に生じる。何故
なら、化学的気相成長法においては、原料ガスの基板等
への吸着過程が成膜反応に強く関与しているからであ
り、上記例のＨ2 とＷＦ6 によるＷ成膜のように、反応
律速過程がガスの吸着過程である場合には、特に顕著な
効果をもたらす。また固定具上の薄膜の表面に対して吸
着作用を有するガスまたは酸化作用を有するガスであれ
ば任意のガスを使用することができる。
【００３４】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００３５】図１は本発明に係る薄膜形成装置の構成を
示す。図１おいて、図３で説明した要素と同じものには
同一の符号を付している。図１において１は反応室であ
り、この反応室１は、真空ポンプを含む排気装置２１を
備え、この排気装置２１によって所要のレベルまで排気
され、反応室１内は減圧状態に保持される。基板３は基
板支持台２の上に配置され、例えばリング形状の固定具
６によって上方からその縁部を押え付けることにより基
板支持台２の上に固定される。図１中、基板支持台２の
下部の詳細な構造は、説明の便宜上省略されている。
示す。図１おいて、図３で説明した要素と同じものには
同一の符号を付している。図１において１は反応室であ
り、この反応室１は、真空ポンプを含む排気装置２１を
備え、この排気装置２１によって所要のレベルまで排気
され、反応室１内は減圧状態に保持される。基板３は基
板支持台２の上に配置され、例えばリング形状の固定具
６によって上方からその縁部を押え付けることにより基
板支持台２の上に固定される。図１中、基板支持台２の
下部の詳細な構造は、説明の便宜上省略されている。
【００３６】基板支持台２は、反応室１の容器壁部に気
密に設けられた石英窓４を透過して入射される、ランプ
５からの照射光によって加熱される。ランプ５は反応室
１の容器外部において、石英窓４の後方に取り付けら
れ、反射板２２をその背後に備えている。基板３は、基
板支持台２からの熱伝導によって加熱される。基板支持
台２の温度は熱電対７によって測定され、熱電対７での
測定信号はランプ制御部（図示せず）にフィードバック
される。ランプ制御部による加熱制御によって、基板支
持台２の温度は、予め設定された温度に維持される。
密に設けられた石英窓４を透過して入射される、ランプ
５からの照射光によって加熱される。ランプ５は反応室
１の容器外部において、石英窓４の後方に取り付けら
れ、反射板２２をその背後に備えている。基板３は、基
板支持台２からの熱伝導によって加熱される。基板支持
台２の温度は熱電対７によって測定され、熱電対７での
測定信号はランプ制御部（図示せず）にフィードバック
される。ランプ制御部による加熱制御によって、基板支
持台２の温度は、予め設定された温度に維持される。
【００３７】１１は、反応ガスを反応室１内に供給する
ためのガス供給部である。ガス供給部１１から供給され
る反応ガスは、本実施例の場合、基板３の表面上に例え
ばＷ膜を形成するための原料ガスと、還元ガスを含む。
原料ガスとしてはＷＦ6 、還元ガスとしてはＨ2 ，Ｓi
Ｈ4 である。基板３上に形成される膜の種類に応じて、
反応ガスの成分は異なる。Ｗ膜を基板３の上に堆積させ
る成膜処理（基板処理）で発生した未反応ガスや副生成
ガスは、排気用通路１２を通って排気される。反応ガス
の供給、および未反応ガス等の排気は、反応室１に搬入
され処理される基板ごとに行われる。
ためのガス供給部である。ガス供給部１１から供給され
る反応ガスは、本実施例の場合、基板３の表面上に例え
ばＷ膜を形成するための原料ガスと、還元ガスを含む。
原料ガスとしてはＷＦ6 、還元ガスとしてはＨ2 ，Ｓi
Ｈ4 である。基板３上に形成される膜の種類に応じて、
反応ガスの成分は異なる。Ｗ膜を基板３の上に堆積させ
る成膜処理（基板処理）で発生した未反応ガスや副生成
ガスは、排気用通路１２を通って排気される。反応ガス
の供給、および未反応ガス等の排気は、反応室１に搬入
され処理される基板ごとに行われる。
【００３８】固定具６およびその支持部８の内部には、
従来装置の構成と同様に、水等の冷却媒体９を流すため
の通路１０が形成され、この通路１０には冷却媒体を流
れている。この構成によって、固定具６の表面上でＷ膜
の堆積が生じるとき、その成膜範囲が基板に近い領域に
制限される。固定具６上での成膜範囲を制限する目的の
ため、固定具の温度は冷却媒体によって一定の温度に保
持される。本実施例のごとくＷ成膜の場合では、冷却媒
体の温度は５０〜８５℃である。
従来装置の構成と同様に、水等の冷却媒体９を流すため
の通路１０が形成され、この通路１０には冷却媒体を流
れている。この構成によって、固定具６の表面上でＷ膜
の堆積が生じるとき、その成膜範囲が基板に近い領域に
制限される。固定具６上での成膜範囲を制限する目的の
ため、固定具の温度は冷却媒体によって一定の温度に保
持される。本実施例のごとくＷ成膜の場合では、冷却媒
体の温度は５０〜８５℃である。
【００３９】上記構成を有する薄膜形成装置は一例とし
て枚様式であり、複数枚の基板が１枚ごと反応室１内に
搬入されて基板支持台２に配置され、成膜処理を受け
る。成膜処理が終了した基板３は、反応室１から搬出さ
れる。その後、次の基板が搬入されて同じ処理が繰り返
される。また他の構成として、基板処理を受ける基板の
枚数を２枚以上にすることも可能である。１回の基板処
理で処理される基板の枚数（単位枚数）は任意に設定す
ることができる。
て枚様式であり、複数枚の基板が１枚ごと反応室１内に
搬入されて基板支持台２に配置され、成膜処理を受け
る。成膜処理が終了した基板３は、反応室１から搬出さ
れる。その後、次の基板が搬入されて同じ処理が繰り返
される。また他の構成として、基板処理を受ける基板の
枚数を２枚以上にすることも可能である。１回の基板処
理で処理される基板の枚数（単位枚数）は任意に設定す
ることができる。
【００４０】上記の構成において、さらに、混合ガスを
反応室１に導入するためのガス供給系２３が設けられ
る。ガス供給系２３は、第１のガスを供給するための流
量調節器２４とバルブ２５、第２のガスを供給するため
の流量調節器２６とバルブ２７を有し、２つのガスが混
合された後、バルブ２８を通って反応室１の中に導入さ
れる。第１のガスとしては、不活性ガスまたはＮ2 が使
用される。不活性ガスは、前述のごとく、Ａｒ，Ｈｅ，
Ｘｅ，Ｋｒのいずれかが使用される。第２のガスとして
は、吸着作用を有するＮＨ3 またはＳi2 Ｃｌ2 等のガ
ス、あるいは成膜される膜成分に対して酸化性を有する
ガスである。ＮＨ3 またはＳi2 Ｃｌ2 は、第１のガス
に対して体積割合で０．１〜１０％の割合で混合され
る。またタングステン（Ｗ）に対して酸化性を有するガ
スとしては、大気、酸素、ＮＯ、ＮＯ2が使用される。
本実施例では、一例として、流量調節器２４で流量調節
してＡｒ（アルゴン）ガスを１９８sccm流し、流量調節
器２６で流量調節してＮＨ3 を２sccm流し、全流量２０
０sccmの混合ガスを反応室１に導入するようにした。混
合ガスは、１％のＮＨ3 を含むＡｒ−ＮＨ3 混合ガスで
ある。また混合ガスの導入圧力は、０．１Torrから数百
Torrが好ましい。
反応室１に導入するためのガス供給系２３が設けられ
る。ガス供給系２３は、第１のガスを供給するための流
量調節器２４とバルブ２５、第２のガスを供給するため
の流量調節器２６とバルブ２７を有し、２つのガスが混
合された後、バルブ２８を通って反応室１の中に導入さ
れる。第１のガスとしては、不活性ガスまたはＮ2 が使
用される。不活性ガスは、前述のごとく、Ａｒ，Ｈｅ，
Ｘｅ，Ｋｒのいずれかが使用される。第２のガスとして
は、吸着作用を有するＮＨ3 またはＳi2 Ｃｌ2 等のガ
ス、あるいは成膜される膜成分に対して酸化性を有する
ガスである。ＮＨ3 またはＳi2 Ｃｌ2 は、第１のガス
に対して体積割合で０．１〜１０％の割合で混合され
る。またタングステン（Ｗ）に対して酸化性を有するガ
スとしては、大気、酸素、ＮＯ、ＮＯ2が使用される。
本実施例では、一例として、流量調節器２４で流量調節
してＡｒ（アルゴン）ガスを１９８sccm流し、流量調節
器２６で流量調節してＮＨ3 を２sccm流し、全流量２０
０sccmの混合ガスを反応室１に導入するようにした。混
合ガスは、１％のＮＨ3 を含むＡｒ−ＮＨ3 混合ガスで
ある。また混合ガスの導入圧力は、０．１Torrから数百
Torrが好ましい。
【００４１】上記の混合ガスが導入されるタイミングや
混合割合はバルブ２５，２７，２８の開閉動作を制御す
ることによって決定される。
混合割合はバルブ２５，２７，２８の開閉動作を制御す
ることによって決定される。
【００４２】図２は、本発明による薄膜形成方法によっ
て得られた結果の一例を示す。この結果は、１００枚以
上の基板を１枚ごと連続でタングステン成膜した場合の
成膜分布と面内膜抵抗値の平均値を再現性を示してい
る。ここで「成膜分布」とは、面内膜抵抗値のばらつき
を［標準偏差／平均値］×１００で表したものである。
またＷ膜形成条件としては、 核形成ステップ：ＷＦ6 ／Ｓi Ｈ4 ＝１０／２sccm，
１．５Torr Ｈ2 ＝１０００sccm，１０sec 厚膜形成ステップ：ＷＦ6 ／Ｈ2 ＝１００／１０００sc
cm，４０Torr １２０sec であり、これによって基板上に膜厚約０．６μｍのＷ膜
が形成される。また、Ｗ膜を形成する基板処理と、他の
同様な基板処理との間に、前述の混合ガス導入が行われ
た。本実施例の混合ガスの導入は、Ａｒ−１％ＮＨ3 の
混合ガスを、２００sccm、２０sec 、６Torrの条件で反
応室に導入したものである。上記の薄膜形成方法によれ
ば、図２で明らかなように成膜分布が基板の処理枚数の
増加に従って悪化せず、１００枚以上の基板処理におい
ても成膜分布＜２．４％以下であり、膜抵抗値の再現性
も±１．９％と、格段に改善されているのが分かる。成
膜分布の改善は、直接的には基板外周部の膜抵抗の増大
（すなわち成膜速度の低下）がなくなったためである
が、その結果、膜抵抗値の再現性も改善された。また本
例における固定具６へのＷ膜付着量は、固定具内縁より
５mm程度であった。
て得られた結果の一例を示す。この結果は、１００枚以
上の基板を１枚ごと連続でタングステン成膜した場合の
成膜分布と面内膜抵抗値の平均値を再現性を示してい
る。ここで「成膜分布」とは、面内膜抵抗値のばらつき
を［標準偏差／平均値］×１００で表したものである。
またＷ膜形成条件としては、 核形成ステップ：ＷＦ6 ／Ｓi Ｈ4 ＝１０／２sccm，
１．５Torr Ｈ2 ＝１０００sccm，１０sec 厚膜形成ステップ：ＷＦ6 ／Ｈ2 ＝１００／１０００sc
cm，４０Torr １２０sec であり、これによって基板上に膜厚約０．６μｍのＷ膜
が形成される。また、Ｗ膜を形成する基板処理と、他の
同様な基板処理との間に、前述の混合ガス導入が行われ
た。本実施例の混合ガスの導入は、Ａｒ−１％ＮＨ3 の
混合ガスを、２００sccm、２０sec 、６Torrの条件で反
応室に導入したものである。上記の薄膜形成方法によれ
ば、図２で明らかなように成膜分布が基板の処理枚数の
増加に従って悪化せず、１００枚以上の基板処理におい
ても成膜分布＜２．４％以下であり、膜抵抗値の再現性
も±１．９％と、格段に改善されているのが分かる。成
膜分布の改善は、直接的には基板外周部の膜抵抗の増大
（すなわち成膜速度の低下）がなくなったためである
が、その結果、膜抵抗値の再現性も改善された。また本
例における固定具６へのＷ膜付着量は、固定具内縁より
５mm程度であった。
【００４３】他の実施例として、反応室内部で不働態化
を行うための混合ガス等を導入する際に、同時に放電を
発生させてもよく、これによって成膜分布の改善をいっ
そう達成することができる。放電を発生させるための手
段は、周知の任意の手段が用いられる。
を行うための混合ガス等を導入する際に、同時に放電を
発生させてもよく、これによって成膜分布の改善をいっ
そう達成することができる。放電を発生させるための手
段は、周知の任意の手段が用いられる。
【００４４】本発明による薄膜形成方法のその他の利点
としては、固定具へのＷ膜付着量が従来に比較して格段
に減少したたため、固定具交換のためのメンテナンスサ
イクルも従来の２倍以上に延長されることがある。従来
の薄膜形成方法では１０００枚ごとに固定具を交換して
いたのに対し、２０００枚の処理ごとに交換することが
できるようになった。
としては、固定具へのＷ膜付着量が従来に比較して格段
に減少したたため、固定具交換のためのメンテナンスサ
イクルも従来の２倍以上に延長されることがある。従来
の薄膜形成方法では１０００枚ごとに固定具を交換して
いたのに対し、２０００枚の処理ごとに交換することが
できるようになった。
【００４５】また前記実施例では、基板の周囲に配置さ
れた周辺部材としての例として基板固定具について説明
したが、周辺部材としてその他に、基板の縁近傍に配置
されるガス案内部材や、基板支持台の一部などがある。
れた周辺部材としての例として基板固定具について説明
したが、周辺部材としてその他に、基板の縁近傍に配置
されるガス案内部材や、基板支持台の一部などがある。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、化学的気相成長法による例えばＷ膜の薄膜形成
方法であってかつ例えば枚葉式の薄膜形成方法におい
て、各基板処理の間に固定具などに付着した薄膜の表面
を不働態化する例えば所定の混合ガスを導入するように
したため、基板を繰り返し成膜処理したとしても、固定
具などの上に薄膜が付着するのを抑制することができ、
そのために成膜分布が悪化せず、繰り返し基板処理を行
っても安定した成膜分布を得ることができ、膜抵抗の再
現性を得ることができる。従って、生産性が顕著に向上
する。
よれば、化学的気相成長法による例えばＷ膜の薄膜形成
方法であってかつ例えば枚葉式の薄膜形成方法におい
て、各基板処理の間に固定具などに付着した薄膜の表面
を不働態化する例えば所定の混合ガスを導入するように
したため、基板を繰り返し成膜処理したとしても、固定
具などの上に薄膜が付着するのを抑制することができ、
そのために成膜分布が悪化せず、繰り返し基板処理を行
っても安定した成膜分布を得ることができ、膜抵抗の再
現性を得ることができる。従って、生産性が顕著に向上
する。
【図１】本発明に係る薄膜形成装置の要部構造を示す断
面構成図である。
面構成図である。
【図２】本発明に係る薄膜形成方法による連続成膜処理
で得た成膜分布（膜抵抗値とその分布）の変化を示すグ
ラフである。
で得た成膜分布（膜抵抗値とその分布）の変化を示すグ
ラフである。
【図３】従来の薄膜形成装置の要部構造を示す断面構成
図である。
図である。
【図４】従来の薄膜形成方法による連続成膜処理で得た
成膜分布（膜抵抗値とその分布）の変化を示すグラフで
ある。
成膜分布（膜抵抗値とその分布）の変化を示すグラフで
ある。
【図５】従来の薄膜形成方法による連続成膜処理で途中
に大気導入を行い、成膜分布が回復した例を示すグラフ
である。
に大気導入を行い、成膜分布が回復した例を示すグラフ
である。
１ 反応室 ２ 基板支持台 ３ 基板 ４ 石英窓 ５ ランプ ６ 固定具 ７ 熱電対 ９ 冷却媒体 １１ 反応ガス用ガス供給部 ２３ 混合ガス用ガス供給系 ２４，２６ 流量調節器 ２５，２７，２８ バルブ
フロントページの続き (72)発明者 高橋 信行 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の基板を単位枚数ごと反応室に導入
し、導入された前記基板に対して前記反応室に反応ガス
を導入し、前記基板の上に化学的気相成長法により薄膜
を堆積させて基板処理を行い、導入された基板ごとに前
記基板処理を繰り返す薄膜形成方法であり、繰り返され
る前記基板処理の間の非基板処理時に、前記基板の周辺
部材に堆積した前記薄膜の表面を不働態にする不働態化
ガスを前記反応室に導入することを特徴とする薄膜形成
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜形成方法において、
前記不働態化ガスは、繰り返される複数回の前記基板処
理のそれぞれの間で導入されることを特徴とする薄膜形
成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の薄膜形成方法において、
前記不働態化ガスは、繰り返される複数回の前記基板処
理のうち少なくとも２回以上の単位回数の間で導入され
ることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄
膜形成方法において、前記不働態化ガスは、前記薄膜の
表面に吸着する吸着性ガスであることを特徴とする薄膜
形成方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の薄膜形成方法において、
前記吸着性ガスは、不活性ガスと０．１〜１０％のＮＨ
3 またはＳi Ｈ2 Ｃｌ2 とを含む混合ガスであることを
特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄
膜形成方法において、前記不働態化ガスは、前記薄膜の
表面を酸化する酸化性ガスであることを特徴とする薄膜
形成方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の薄膜形成方法において、
前記酸化性ガスは、不活性ガスと、大気、酸素、ＮＯ、
ＮＯ2 のうちいずれか１つとを含む混合ガスであること
を特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項８】 請求項５または７記載の薄膜形成方法に
おいて、前記不活性ガスの代わりにＮ2 を使用すること
を特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項９】 請求項５，７，８のいずれか１項に記載
の薄膜形成方法において、前記混合ガスの導入条件とし
て、０．１〜数百Torrの範囲の導入圧力で導入されるこ
とを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項記載の薄
膜形成方法において、前記不働態化ガスを導入した際、
同時に前記反応室内において放電を発生させることを特
徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項１１】 基板処理時に減圧状態に保たれる反応
室と、この反応室内に設置される基板支持台と、前記反
応室を形成する容器に気密に取り付けられた石英窓と、
この石英窓を通して前記基板支持台に熱を供給する加熱
器と、反応ガスを供給するガス供給部と、未反応ガスや
生成ガスを排気する排気部を備える薄膜形成装置におい
て、前記基板支持台の上に配置された基板の周囲に配置
される周辺部材に堆積した薄膜の表面を不働態にする不
働態化ガスを前記反応室に導入するガス導入部を備える
ことを特徴とする薄膜形成装置。
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|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197118B1 (en) | 1997-11-16 | 2001-03-06 | Anelva Corporation | Thin film deposition apparatus |
| JP2002129328A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2002146531A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-22 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2002313727A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| KR100491396B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 피이-테오스(ｐｅ－ｔｅｏｓ)막 형성 방법 |
| JPWO2004070079A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2006-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 |
| KR100630647B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2006-10-02 | 가부시키가이샤 아루박 | 박막형성장치, 및 질화텅스텐 박막 제조방법 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1064847A (ja) * | 1996-07-16 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | タングステン材料の成膜方法、サセプタ及び成膜装置 |
| US5970383A (en) * | 1997-12-17 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices | Method of manufacturing a semiconductor device with improved control of deposition layer thickness |
| US6635569B1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Method of passivating and stabilizing a Ti-PECVD process chamber and combined Ti-PECVD/TiN-CVD processing method and apparatus |
| US6165894A (en) * | 1998-07-09 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of reliably capping copper interconnects |
| US6291347B1 (en) | 1999-10-08 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for constructing semiconductor devices |
| US6342453B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method for CVD process control for enhancing device performance |
| JP4505915B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US6666924B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
| US6468903B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-10-22 | Asm International N.V. | Pre-treatment of reactor parts for chemical vapor deposition reactors |
| US6432822B1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-08-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of improving electromigration resistance of capped Cu |
| US6429128B1 (en) * | 2001-07-12 | 2002-08-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming nitride capped Cu lines with reduced electromigration along the Cu/nitride interface |
| US6579730B2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Monitoring process for oxide removal |
| US6720259B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-04-13 | Genus, Inc. | Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
| US6825051B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-11-30 | Asm America, Inc. | Plasma etch resistant coating and process |
| US6716753B1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming a self-passivated copper interconnect structure |
| US7344909B2 (en) | 2002-10-25 | 2008-03-18 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method |
| WO2004102648A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| US7914847B2 (en) * | 2003-05-09 | 2011-03-29 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| US6974781B2 (en) * | 2003-10-20 | 2005-12-13 | Asm International N.V. | Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD |
| US7767926B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Method and system for dry development of a multi-layer mask using sidewall passivation and mask passivation |
| US8791018B2 (en) * | 2006-12-19 | 2014-07-29 | Spansion Llc | Method of depositing copper using physical vapor deposition |
| US8293658B2 (en) * | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| US9223203B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-29 | Asm International N.V. | Microcontact printed films as an activation layer for selective atomic layer deposition |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4851295A (en) * | 1984-03-16 | 1989-07-25 | Genus, Inc. | Low resistivity tungsten silicon composite film |
| US4510172A (en) * | 1984-05-29 | 1985-04-09 | International Business Machines Corporation | Technique for thin insulator growth |
| US4737474A (en) * | 1986-11-17 | 1988-04-12 | Spectrum Cvd, Inc. | Silicide to silicon bonding process |
| US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US5207836A (en) * | 1989-08-25 | 1993-05-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus |
| JPH03130368A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| US5198298A (en) * | 1989-10-24 | 1993-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Etch stop layer using polymers |
| JPH04345024A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3326538B2 (ja) * | 1991-10-24 | 2002-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | コールドウォール形成膜処理装置 |
| US5326723A (en) * | 1992-09-09 | 1994-07-05 | Intel Corporation | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition |
| US5434109A (en) * | 1993-04-27 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Oxidation of silicon nitride in semiconductor devices |
| JPH07176484A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-07-14 | Applied Materials Inc | 窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法 |
| US5565382A (en) * | 1993-10-12 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Process for forming tungsten silicide on semiconductor wafer using dichlorosilane gas |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP32319693A patent/JP3590416B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-01 KR KR1019940019010A patent/KR0132375B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-23 US US08/311,681 patent/US5728629A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-30 TW TW083109033A patent/TW258821B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197118B1 (en) | 1997-11-16 | 2001-03-06 | Anelva Corporation | Thin film deposition apparatus |
| US6486076B1 (en) | 1997-11-16 | 2002-11-26 | Anelva Corporation | Thin film deposition apparatus |
| KR100630647B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2006-10-02 | 가부시키가이샤 아루박 | 박막형성장치, 및 질화텅스텐 박막 제조방법 |
| JP2002129328A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2002146531A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-22 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
| JP2002313727A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| KR100491396B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 피이-테오스(ｐｅ－ｔｅｏｓ)막 형성 방법 |
| JPWO2004070079A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2006-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 |
| JP4500258B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 |
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