JPH07153992A - 炭化ケイ素発光ダイオード素子 - Google Patents
炭化ケイ素発光ダイオード素子Info
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- JPH07153992A JPH07153992A JP29670093A JP29670093A JPH07153992A JP H07153992 A JPH07153992 A JP H07153992A JP 29670093 A JP29670093 A JP 29670093A JP 29670093 A JP29670093 A JP 29670093A JP H07153992 A JPH07153992 A JP H07153992A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出しを十分に
行え、且つ電気的短絡の防止が可能で製造が容易な炭化
ケイ素発光ダイオード素子を提供することを目的とす
る。 【構成】 ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１と、この基板１上に
形成された発光層としてのｎ型ＳｉＣ単結晶層２と、こ
の層２上に形成されこの層２へホールを注入するための
ｐ型ＳｉＣ単結晶層４と、この層４上に形成された低不
純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５と、この層５上に形成
されたコンタクト層としてのｐ型ＳｉＣ単結晶層６と、
を備え、低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５はホール
を注入するためのｐ型ＳｉＣ単結晶層４及びコンタクト
層としてのｐ型ＳｉＣ単結晶層６に比べて層厚が大き
く、且つホールを注入するためのｐ型ＳｉＣ単結晶層４
及びコンタクト層としてのｐ型ｐ型ＳｉＣ単結晶層６は
低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５に比べてキャリア
濃度が大きい構成とした。
行え、且つ電気的短絡の防止が可能で製造が容易な炭化
ケイ素発光ダイオード素子を提供することを目的とす
る。 【構成】 ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１と、この基板１上に
形成された発光層としてのｎ型ＳｉＣ単結晶層２と、こ
の層２上に形成されこの層２へホールを注入するための
ｐ型ＳｉＣ単結晶層４と、この層４上に形成された低不
純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５と、この層５上に形成
されたコンタクト層としてのｐ型ＳｉＣ単結晶層６と、
を備え、低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５はホール
を注入するためのｐ型ＳｉＣ単結晶層４及びコンタクト
層としてのｐ型ＳｉＣ単結晶層６に比べて層厚が大き
く、且つホールを注入するためのｐ型ＳｉＣ単結晶層４
及びコンタクト層としてのｐ型ｐ型ＳｉＣ単結晶層６は
低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層５に比べてキャリア
濃度が大きい構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭化ケイ素発光ダイオー
ド素子に関する。
ド素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素（ＳｉＣ）結晶は、耐熱性、
機械的強度、及び耐放射線等の物理的、化学的性質が優
れ、耐環境性半導体材料として注目されている。
機械的強度、及び耐放射線等の物理的、化学的性質が優
れ、耐環境性半導体材料として注目されている。
【０００３】しかも、ＳｉＣ単結晶には３Ｃ型、４Ｈ
型、６Ｈ型、１５Ｒ型等各種の結晶構造が存在し、その
禁制帯幅が２．４ｅＶ〜３．３ｅＶと広範囲に亘ると共
にｐｎ接合形成が可能であることから、赤色から青紫色
までの波長領域の可視光を発する発光ダイオード材料と
して有望視されている。
型、６Ｈ型、１５Ｒ型等各種の結晶構造が存在し、その
禁制帯幅が２．４ｅＶ〜３．３ｅＶと広範囲に亘ると共
にｐｎ接合形成が可能であることから、赤色から青紫色
までの波長領域の可視光を発する発光ダイオード材料と
して有望視されている。
【０００４】上記結晶構造のうち３Ｃ型ＳｉＣは高温あ
るいは放射線の照射される環境下で作動する能動素子に
用途が考えられている。６Ｈ型ＳｉＣは室温での禁制帯
幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用いられ
ている。また、４Ｈ型ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ型
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶型のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
るいは放射線の照射される環境下で作動する能動素子に
用途が考えられている。６Ｈ型ＳｉＣは室温での禁制帯
幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用いられ
ている。また、４Ｈ型ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ型
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶型のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
【０００５】ＳｉＣ発光ダイオード装置とその製造方法
は、例えば特開平２−２９００８４号（Ｈ０１Ｌ ３３
／００）公報に開示されている。図５は従来の発光ダイ
オード装置の模式断面構造図である。
は、例えば特開平２−２９００８４号（Ｈ０１Ｌ ３３
／００）公報に開示されている。図５は従来の発光ダイ
オード装置の模式断面構造図である。
【０００６】図中、５０は発光ダイオード素子を示し、
斯る素子５０の構成として、５１はｎ型ＳｉＣ基板、５
２及び５３はこの基板５１の一主面上にこの順序でエピ
タキシャル成長されたｎ型ＳｉＣ層及びｐ型ＳｉＣ層で
あり、５４はｐ型ＳｉＣ層５３表面の中心に設けられた
ｐ型側電極、５５はｎ型ＳｉＣ基板５１の他の一主面上
の端部に設けられたｎ型側電極である。
斯る素子５０の構成として、５１はｎ型ＳｉＣ基板、５
２及び５３はこの基板５１の一主面上にこの順序でエピ
タキシャル成長されたｎ型ＳｉＣ層及びｐ型ＳｉＣ層で
あり、５４はｐ型ＳｉＣ層５３表面の中心に設けられた
ｐ型側電極、５５はｎ型ＳｉＣ基板５１の他の一主面上
の端部に設けられたｎ型側電極である。
【０００７】この発光ダイオード素子５０は、ｎ型Ｓｉ
Ｃ基板５１の他の一主面及び側面、ｎ型ＳｉＣ層５２の
側面、及びｐ型ＳｉＣ層５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜又はＳ
ｉＯ 2膜からなる絶縁層５８が被着されており、前記ｐ
型側電極５４側で反射部６０をもつステム６１に銀ペー
スト等の導電性接着材６２を介して固着されている。そ
して、図示しない他のステムと前記ｎ型側電極５５とは
金ワイヤ６３でボンディング接合されている。
Ｃ基板５１の他の一主面及び側面、ｎ型ＳｉＣ層５２の
側面、及びｐ型ＳｉＣ層５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜又はＳ
ｉＯ 2膜からなる絶縁層５８が被着されており、前記ｐ
型側電極５４側で反射部６０をもつステム６１に銀ペー
スト等の導電性接着材６２を介して固着されている。そ
して、図示しない他のステムと前記ｎ型側電極５５とは
金ワイヤ６３でボンディング接合されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記発光ダイオード装
置では、該装置からの光取り出しを多くするため、ｐ型
ＳｉＣに比べて光透過性がよいｎ型ＳｉＣ基板５１側か
ら光取り出しを行っている。この構成では、発光層とな
るｎ型ＳｉＣ層５２から発せられた光は、直接基板５１
側から出射される他、ｐ型ＳｉＣ層５３を通った後にそ
の表面等で反射された後、基板５１から出射されるなど
して装置外に放出される。
置では、該装置からの光取り出しを多くするため、ｐ型
ＳｉＣに比べて光透過性がよいｎ型ＳｉＣ基板５１側か
ら光取り出しを行っている。この構成では、発光層とな
るｎ型ＳｉＣ層５２から発せられた光は、直接基板５１
側から出射される他、ｐ型ＳｉＣ層５３を通った後にそ
の表面等で反射された後、基板５１から出射されるなど
して装置外に放出される。
【０００９】このような構成において、上記絶縁層５８
を設けない場合、ｐ型ＳｉＣ層５３での光吸収を少なく
し且つ導電性接着材６２がｎ型ＳｉＣ層５２やｎ型Ｓｉ
Ｃ基板５１に付着して電気的に短絡するのを防止するた
めに、このｐ型ＳｉＣ層５３の層の厚みとして５〜１０
μｍ程度の値が選択される。しかし、この程度の厚みで
は上記電気的短絡を防止するには十分でなかった。
を設けない場合、ｐ型ＳｉＣ層５３での光吸収を少なく
し且つ導電性接着材６２がｎ型ＳｉＣ層５２やｎ型Ｓｉ
Ｃ基板５１に付着して電気的に短絡するのを防止するた
めに、このｐ型ＳｉＣ層５３の層の厚みとして５〜１０
μｍ程度の値が選択される。しかし、この程度の厚みで
は上記電気的短絡を防止するには十分でなかった。
【００１０】従って、この電気的短絡を防止するため
に、上述のように絶縁層５８を被着形成することが提案
されたが、素子５０の周囲に絶縁層５８を形成すること
は容易ではなかった。
に、上述のように絶縁層５８を被着形成することが提案
されたが、素子５０の周囲に絶縁層５８を形成すること
は容易ではなかった。
【００１１】本発明は上述の問題に鑑み成されたもので
あり、ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出しを十分に行
え、且つ電気的短絡の防止が可能で製造が容易な炭化ケ
イ素発光ダイオード素子を提供することを目的とする。
あり、ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出しを十分に行
え、且つ電気的短絡の防止が可能で製造が容易な炭化ケ
イ素発光ダイオード素子を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の炭化ケイ素発光
ダイオード素子は、ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化
ケイ素基板上に形成された発光層としてのｎ型炭化ケイ
素層と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成された該ｎ型炭化
ケイ素層へホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層
と、該ｐ型炭化ケイ素層上に形成された低不純物濃度の
ｐ型炭化ケイ素層と、該低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素
層上に形成されたコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素
層と、を備え、前記低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層は
前記ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層及び前記
コンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層に比べて層厚が
大きく、且つ該ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素
層及び該コンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層は前記
低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層に比べてキャリア濃度
が大きいことを特徴とする。
ダイオード素子は、ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化
ケイ素基板上に形成された発光層としてのｎ型炭化ケイ
素層と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成された該ｎ型炭化
ケイ素層へホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層
と、該ｐ型炭化ケイ素層上に形成された低不純物濃度の
ｐ型炭化ケイ素層と、該低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素
層上に形成されたコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素
層と、を備え、前記低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層は
前記ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層及び前記
コンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層に比べて層厚が
大きく、且つ該ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素
層及び該コンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層は前記
低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層に比べてキャリア濃度
が大きいことを特徴とする。
【００１３】特に、前記ホールを注入するためのｐ型炭
化ケイ素層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭化ケイ
素層は、略無補償で且つ１×１０18ｃｍ-3以下の濃度の
Ａｌを有することを特徴とする。
化ケイ素層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭化ケイ
素層は、略無補償で且つ１×１０18ｃｍ-3以下の濃度の
Ａｌを有することを特徴とする。
【００１４】更に、前記ｎ型炭化ケイ素層と前記ホール
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚及び該ホールを注入するためのｐ型炭化
ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度を有し結
晶性の低下を防止するためのｐ型炭化ケイ素層を設けた
ことを特徴とする。
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚及び該ホールを注入するためのｐ型炭化
ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度を有し結
晶性の低下を防止するためのｐ型炭化ケイ素層を設けた
ことを特徴とする。
【００１５】特に、前記結晶性の低下を防止するための
ｐ型炭化ケイ素層は、略無補償で且つ２×１０20ｃｍ-3
以下の濃度のＡｌを有することを特徴とする。
ｐ型炭化ケイ素層は、略無補償で且つ２×１０20ｃｍ-3
以下の濃度のＡｌを有することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明の構成によれば、低不純物濃度のｐ型炭
化ケイ素層よりキャリア濃度が大きく（即ち不純物濃度
が大きく）、従って光吸収の大きいホールを注入するた
めのｐ型炭化ケイ素層及びコンタクト層としてのｐ型炭
化ケイ素層の層厚を小さく、光吸収の小さい低不純物濃
度のｐ型炭化ケイ素層の層厚を大きくしたので、ｐ型炭
化ケイ素層での光吸収の増大を抑制すると共にｐ型炭化
ケイ素層の全層厚を大きくすることが可能である。この
ようにｐ型炭化ケイ素層の層厚を大きくすることによっ
て、ステム等とｐ型オーミック電極側とを導電性接着材
を介して固着する際に、この導電性接着材がｎ型炭化ケ
イ素層やｎ型炭化ケイ素基板に付着するのが防止でき
る。また、斯る構成では、コンタクト層としてのｐ型炭
化ケイ素層はキャリア濃度を高くできるので、このｐ型
炭化炭化ケイ素層で電流が面内方向に電流が広がって発
光層での発光領域が大きくなると共に、このｐ型炭化ケ
イ素層とｐ型側オーミック電極のオーミック接触がより
良好に出来る。また、発光層となるｎ型炭化ケイ素層へ
キャリア濃度の大きいホール注入のためのｐ型炭化ケイ
素層から多くのホールが注入されるので、十分な発光強
度が得られる。
化ケイ素層よりキャリア濃度が大きく（即ち不純物濃度
が大きく）、従って光吸収の大きいホールを注入するた
めのｐ型炭化ケイ素層及びコンタクト層としてのｐ型炭
化ケイ素層の層厚を小さく、光吸収の小さい低不純物濃
度のｐ型炭化ケイ素層の層厚を大きくしたので、ｐ型炭
化ケイ素層での光吸収の増大を抑制すると共にｐ型炭化
ケイ素層の全層厚を大きくすることが可能である。この
ようにｐ型炭化ケイ素層の層厚を大きくすることによっ
て、ステム等とｐ型オーミック電極側とを導電性接着材
を介して固着する際に、この導電性接着材がｎ型炭化ケ
イ素層やｎ型炭化ケイ素基板に付着するのが防止でき
る。また、斯る構成では、コンタクト層としてのｐ型炭
化ケイ素層はキャリア濃度を高くできるので、このｐ型
炭化炭化ケイ素層で電流が面内方向に電流が広がって発
光層での発光領域が大きくなると共に、このｐ型炭化ケ
イ素層とｐ型側オーミック電極のオーミック接触がより
良好に出来る。また、発光層となるｎ型炭化ケイ素層へ
キャリア濃度の大きいホール注入のためのｐ型炭化ケイ
素層から多くのホールが注入されるので、十分な発光強
度が得られる。
【００１７】特に、前記ｎ型炭化ケイ素層と前記ホール
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し前記ホールを注入するためのｐ型
炭化ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度の結
晶性の低下を防止するｐ型炭化ケイ素層を設けた場合に
は、このｐ型炭化ケイ素層はホール拡散距離以下の層厚
であるので、ホール注入のためのｐ型炭化ケイ素層から
発光層へ多くのホールが注入されると共に、ｐｎ接合付
近の不純物濃度が低く、接合付近の結晶性が良くなる。
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し前記ホールを注入するためのｐ型
炭化ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度の結
晶性の低下を防止するｐ型炭化ケイ素層を設けた場合に
は、このｐ型炭化ケイ素層はホール拡散距離以下の層厚
であるので、ホール注入のためのｐ型炭化ケイ素層から
発光層へ多くのホールが注入されると共に、ｐｎ接合付
近の不純物濃度が低く、接合付近の結晶性が良くなる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例に係る６Ｈ型ＳｉＣ青色発
光ダイオード素子をその模式断面構造図である図１を用
いて説明する。
光ダイオード素子をその模式断面構造図である図１を用
いて説明する。
【００１９】図中、１は厚みが１０〜２６０μｍ、キャ
リア濃度が５×１０16ｃｍ-3以上のｎ型ＳｉＣ単結晶基
板である。２はこの基板１上にエピタキシャル成長され
た層厚が２〜１５μｍ、好ましくは５〜１０μｍで、キ
ャリア濃度が１×１０16ｃｍ -3以上、好ましくは１×１
０17〜５×１０18ｃｍ-3を有する補償ｎ型ＳｉＣ単結晶
層であって、該層２はドナー不純物としての窒素と発光
センターとなるｐ型に反転しない程度のアクセプター不
純物としてのＡｌが含有されて、所謂発光層として機能
する。ここで、補償とは、アクセプター不純物とドナー
不純物の両方が存在することを意味し、作成時に故意に
両不純物を添加したものを示す。尚、補償は後述する略
無補償に比べて反対導電型不純物量が多い。
リア濃度が５×１０16ｃｍ-3以上のｎ型ＳｉＣ単結晶基
板である。２はこの基板１上にエピタキシャル成長され
た層厚が２〜１５μｍ、好ましくは５〜１０μｍで、キ
ャリア濃度が１×１０16ｃｍ -3以上、好ましくは１×１
０17〜５×１０18ｃｍ-3を有する補償ｎ型ＳｉＣ単結晶
層であって、該層２はドナー不純物としての窒素と発光
センターとなるｐ型に反転しない程度のアクセプター不
純物としてのＡｌが含有されて、所謂発光層として機能
する。ここで、補償とは、アクセプター不純物とドナー
不純物の両方が存在することを意味し、作成時に故意に
両不純物を添加したものを示す。尚、補償は後述する略
無補償に比べて反対導電型不純物量が多い。
【００２０】３はｎ型ＳｉＣ単結晶層２上にエピタキシ
ャル成長された層厚がホール拡散距離（略１μｍ）以下
の低不純物濃度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層である。
この低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３は、ホールを
通し且つ前記ｎ型ＳｉＣ単結晶層２とでなすｐｎ接合付
近の不純物濃度を低減することによってこのｐｎ接合付
近の結晶性の低下を抑制するためのものである。アクセ
プター不純物がアルミニウム（Ａｌ）である本実施例の
場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０20ｃｍ-3（キャリア濃
度：４×１０17ｃｍ-3）以下であればよいが、キャリア
濃度が極端に小さいと素子抵抗が大きくなるので、Ａｌ
不純物濃度は２×１０15ｃｍ-3（キャリア濃度：１×１
０15ｃｍ-3）以上が望ましい。ここで、略無補償とは、
反対導電型不純物が存在し得る場合においてもごく少量
であることを意味し、好ましくはＳｉＣ層を作成する際
に故意に反対導電型不純物を添加しないことを意味す
る。
ャル成長された層厚がホール拡散距離（略１μｍ）以下
の低不純物濃度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層である。
この低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３は、ホールを
通し且つ前記ｎ型ＳｉＣ単結晶層２とでなすｐｎ接合付
近の不純物濃度を低減することによってこのｐｎ接合付
近の結晶性の低下を抑制するためのものである。アクセ
プター不純物がアルミニウム（Ａｌ）である本実施例の
場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０20ｃｍ-3（キャリア濃
度：４×１０17ｃｍ-3）以下であればよいが、キャリア
濃度が極端に小さいと素子抵抗が大きくなるので、Ａｌ
不純物濃度は２×１０15ｃｍ-3（キャリア濃度：１×１
０15ｃｍ-3）以上が望ましい。ここで、略無補償とは、
反対導電型不純物が存在し得る場合においてもごく少量
であることを意味し、好ましくはＳｉＣ層を作成する際
に故意に反対導電型不純物を添加しないことを意味す
る。
【００２１】４はｐ型ＳｉＣ単結晶層３上にエピタキシ
ャル成長された層厚が１〜３μｍ厚程度で該ｐ型ＳｉＣ
単結晶層３よりキャリア濃度が大きい高キャリア濃度、
略無補償のｎ型ＳｉＣ単結晶層２へホールを注入のため
のｐ型ＳｉＣ単結晶層である。アクセプター不純物がＡ
ｌである本実施例の場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０ 20
ｃｍ-3（キャリア濃度：４×１０17ｃｍ-3）より大き
く、好ましくは８×１０ 20〜８×１０22ｃｍ-3（キャリ
ア濃度：１×１０18〜１×１０19ｃｍ-3）である。
ャル成長された層厚が１〜３μｍ厚程度で該ｐ型ＳｉＣ
単結晶層３よりキャリア濃度が大きい高キャリア濃度、
略無補償のｎ型ＳｉＣ単結晶層２へホールを注入のため
のｐ型ＳｉＣ単結晶層である。アクセプター不純物がＡ
ｌである本実施例の場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０ 20
ｃｍ-3（キャリア濃度：４×１０17ｃｍ-3）より大き
く、好ましくは８×１０ 20〜８×１０22ｃｍ-3（キャリ
ア濃度：１×１０18〜１×１０19ｃｍ-3）である。
【００２２】５はｐ型ＳｉＣ単結晶層４上にエピタキシ
ャル成長された層厚が大きい、例えば３０〜１００μｍ
厚を有する低不純物濃度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層
である。アクセプター不純物がＡｌである本実施例の場
合、Ａｌ不純物濃度は１×１０18ｃｍ-3（キャリア濃
度：３．５×１０16ｃｍ-3）以下であればよいが、キャ
リア濃度が極端に小さいと素子抵抗が大きくなるので、
Ａｌ不純物濃度は１×１０17ｃｍ-3（キャリア濃度：１
×１０16ｃｍ-3）以上が望ましい。
ャル成長された層厚が大きい、例えば３０〜１００μｍ
厚を有する低不純物濃度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層
である。アクセプター不純物がＡｌである本実施例の場
合、Ａｌ不純物濃度は１×１０18ｃｍ-3（キャリア濃
度：３．５×１０16ｃｍ-3）以下であればよいが、キャ
リア濃度が極端に小さいと素子抵抗が大きくなるので、
Ａｌ不純物濃度は１×１０17ｃｍ-3（キャリア濃度：１
×１０16ｃｍ-3）以上が望ましい。
【００２３】６は層厚が大きい低不純物濃度のｐ型Ｓｉ
Ｃ単結晶層５上にエピタキシャル成長された層厚が１〜
３μｍ厚程度で以下で述べるｐ型側電極とのオーミック
接触をとるためのコンタクト層としての略無補償ｐ型Ｓ
ｉＣ単結晶層である。アクセプター不純物がアルミニウ
ムである本実施例の場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０ 18
ｃｍ-3（キャリア濃度：５×１０16ｃｍ-3）以上、好ま
しくは２×１０20〜８×１０22ｃｍ-3（キャリア濃度：
５×１０17〜１×１０19ｃｍ-3）である。
Ｃ単結晶層５上にエピタキシャル成長された層厚が１〜
３μｍ厚程度で以下で述べるｐ型側電極とのオーミック
接触をとるためのコンタクト層としての略無補償ｐ型Ｓ
ｉＣ単結晶層である。アクセプター不純物がアルミニウ
ムである本実施例の場合、Ａｌ不純物濃度は２×１０ 18
ｃｍ-3（キャリア濃度：５×１０16ｃｍ-3）以上、好ま
しくは２×１０20〜８×１０22ｃｍ-3（キャリア濃度：
５×１０17〜１×１０19ｃｍ-3）である。
【００２４】７は前記ｐ型ＳｉＣ単結晶層６上に形成さ
れたＡｌ／Ｓｉ構造等のｐ型側オーミック電極であり、
８は前記ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１の下面の端部の一部に
形成されたＡｕ／Ｎｉ構造等のｎ型側オーミック電極で
ある。
れたＡｌ／Ｓｉ構造等のｐ型側オーミック電極であり、
８は前記ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１の下面の端部の一部に
形成されたＡｕ／Ｎｉ構造等のｎ型側オーミック電極で
ある。
【００２５】図２は、略無補償のｐ型ＳｉＣ単結晶層の
キャリア濃度［ｃｍ-3］と波長４２０〜５４０ｎｍの光
に対する光吸収係数［ｃｍ-1］の関係を示す図である。
尚、不純物はＡｌである。
キャリア濃度［ｃｍ-3］と波長４２０〜５４０ｎｍの光
に対する光吸収係数［ｃｍ-1］の関係を示す図である。
尚、不純物はＡｌである。
【００２６】この図２から、キャリア濃度が３．５×１
０16ｃｍ-3以下、Ａｌ不純物濃度に換算して１×１０18
ｃｍ-3以下であれば、青色を含む上記波長領域において
光吸収が十分小さいこと、即ち光吸収係数にして３０％
未満であることが判る。従って、上述のように低Ａｌ不
純物濃度を選択したｐ型ＳｉＣ単結晶層５は青色光の吸
収が小さいので、層厚を大きくできるのである。
０16ｃｍ-3以下、Ａｌ不純物濃度に換算して１×１０18
ｃｍ-3以下であれば、青色を含む上記波長領域において
光吸収が十分小さいこと、即ち光吸収係数にして３０％
未満であることが判る。従って、上述のように低Ａｌ不
純物濃度を選択したｐ型ＳｉＣ単結晶層５は青色光の吸
収が小さいので、層厚を大きくできるのである。
【００２７】図３は、ｎ型ＳｉＣ単結晶基板上に発光層
としてのｎ型ＳｉＣ単結晶層及び不純物がＡｌの略無補
償ｐ型ＳｉＣ単結晶層がこの順序に形成されてなる発光
ダイオード素子におけるこのｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャ
リア濃度［ｃｍ-3］と発光強度の関係を示す図である。
としてのｎ型ＳｉＣ単結晶層及び不純物がＡｌの略無補
償ｐ型ＳｉＣ単結晶層がこの順序に形成されてなる発光
ダイオード素子におけるこのｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャ
リア濃度［ｃｍ-3］と発光強度の関係を示す図である。
【００２８】このｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャリア濃度が
大きくなる程、ホールが発光層に多く注入されて発光強
度が大きくなることが予測されるが、図３から判るよう
に、ｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャリア濃度が４×１０17ｃ
ｍ-3、即ちＡｌ不純物濃度に換算して２×１０20ｃｍ-3
以下の低不純物濃度までであれば、不純物濃度が大きく
なる程、発光強度が大きくなるが、不純物濃度が２×１
０20ｃｍ-3より大きくなると、発光強度が小さくなる。
これは不純物濃度が２×１０20ｃｍ-3より大きくなる場
合に、ｐｎ接合付近の不純物濃度が大きくなり過ぎて、
この付近の結晶性が低下するためと考えられる。従っ
て、上述のように、２×１０20ｃｍ-3以下のＡｌ不純物
濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３を設けることにより、ｐｎ
接合付近の不純物濃度を低減してこの付近の結晶性の低
下を防止できるのである。
大きくなる程、ホールが発光層に多く注入されて発光強
度が大きくなることが予測されるが、図３から判るよう
に、ｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャリア濃度が４×１０17ｃ
ｍ-3、即ちＡｌ不純物濃度に換算して２×１０20ｃｍ-3
以下の低不純物濃度までであれば、不純物濃度が大きく
なる程、発光強度が大きくなるが、不純物濃度が２×１
０20ｃｍ-3より大きくなると、発光強度が小さくなる。
これは不純物濃度が２×１０20ｃｍ-3より大きくなる場
合に、ｐｎ接合付近の不純物濃度が大きくなり過ぎて、
この付近の結晶性が低下するためと考えられる。従っ
て、上述のように、２×１０20ｃｍ-3以下のＡｌ不純物
濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３を設けることにより、ｐｎ
接合付近の不純物濃度を低減してこの付近の結晶性の低
下を防止できるのである。
【００２９】図４は図１に示す発光ダイオード素子を備
えた発光ダイオード装置の模式断面構造図である。尚、
図１と同一部分には同一符号を付してその説明は割愛す
る。
えた発光ダイオード装置の模式断面構造図である。尚、
図１と同一部分には同一符号を付してその説明は割愛す
る。
【００３０】１１は光反射部１２と発光ダイオード素子
１０を載置する載置部１３を有する導電性金属からなる
ステムである。素子１０はｐ型オーミック電極７側でス
テム１１の載置部１３上に銀ペースト等の導電性接着材
１４を介して固着されている。そして、図示しない他の
導電性金属からなるステムと前記ｎ型側オーミック電極
８とは金ワイヤ１５でボンディング接合されている。こ
の装置において、ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１側から主に光
が取り出される。
１０を載置する載置部１３を有する導電性金属からなる
ステムである。素子１０はｐ型オーミック電極７側でス
テム１１の載置部１３上に銀ペースト等の導電性接着材
１４を介して固着されている。そして、図示しない他の
導電性金属からなるステムと前記ｎ型側オーミック電極
８とは金ワイヤ１５でボンディング接合されている。こ
の装置において、ｎ型ＳｉＣ単結晶基板１側から主に光
が取り出される。
【００３１】本実施例の発光ダイオード素子は、青色光
の吸収が小さい１×１０18ｃｍ-3以下の低Ａｌ不純物濃
度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層５の層厚を大きくして
いるので、この層５での光吸収は小さく且つｐ型ＳｉＣ
層の全層厚は大きくなる。この結果、ステム１１とｐ型
側オーミック電極７側とを導電性接着材１４を介して固
着する際に、この導電性接着材１４がｎ型ＳｉＣ単結晶
層２やｎ型ＳｉＣ単結晶基板１に付着するのを防止でき
る。また、キャリア濃度の大きいｐ型ＳｉＣ単結晶層
４、６の合計層厚は、従来素子のｐ型ＳｉＣ層の層厚に
比べて小さくてよいので、ｐ型ＳｉＣ層３、４、５、６
での全光吸収は、従来素子のｐ型ＳｉＣ層での光吸収と
同等程度以下となる。
の吸収が小さい１×１０18ｃｍ-3以下の低Ａｌ不純物濃
度の略無補償ｐ型ＳｉＣ単結晶層５の層厚を大きくして
いるので、この層５での光吸収は小さく且つｐ型ＳｉＣ
層の全層厚は大きくなる。この結果、ステム１１とｐ型
側オーミック電極７側とを導電性接着材１４を介して固
着する際に、この導電性接着材１４がｎ型ＳｉＣ単結晶
層２やｎ型ＳｉＣ単結晶基板１に付着するのを防止でき
る。また、キャリア濃度の大きいｐ型ＳｉＣ単結晶層
４、６の合計層厚は、従来素子のｐ型ＳｉＣ層の層厚に
比べて小さくてよいので、ｐ型ＳｉＣ層３、４、５、６
での全光吸収は、従来素子のｐ型ＳｉＣ層での光吸収と
同等程度以下となる。
【００３２】また、ホールは４×１０17ｃｍ-3以上の高
キャリア濃度のホール注入のためのｐ型ＳｉＣ単結晶層
４からホール拡散距離以下の層厚の２×１０20ｃｍ-3以
下の低Ａｌ不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３を通って
発光層となるｎ型炭化ＳｉＣ単結晶層２へ多くのホール
が注入されるので、従来と同等以上の発光強度が得られ
る。これに加えて、前記低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結
晶層３が設けられることによってｐｎ接合付近の不純物
濃度が低くなるので、この付近の結晶性が良くなる。こ
の結果、発光強度が従来に比べて顕著に大きくなる。
キャリア濃度のホール注入のためのｐ型ＳｉＣ単結晶層
４からホール拡散距離以下の層厚の２×１０20ｃｍ-3以
下の低Ａｌ不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層３を通って
発光層となるｎ型炭化ＳｉＣ単結晶層２へ多くのホール
が注入されるので、従来と同等以上の発光強度が得られ
る。これに加えて、前記低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結
晶層３が設けられることによってｐｎ接合付近の不純物
濃度が低くなるので、この付近の結晶性が良くなる。こ
の結果、発光強度が従来に比べて顕著に大きくなる。
【００３３】更に、斯る構成では、コンタクト層として
のｐ型ＳｉＣ単結晶層６のキャリア濃度を高くすること
により、このｐ型ＳｉＣ単結晶層６で電流が面内方向に
電流が広がって発光層２での発光領域が大きくなると共
に、このｐ型ＳｉＣ単結晶層６とｐ型側オーミック電極
７のオーミック接触がより良好とすることができる。
のｐ型ＳｉＣ単結晶層６のキャリア濃度を高くすること
により、このｐ型ＳｉＣ単結晶層６で電流が面内方向に
電流が広がって発光層２での発光領域が大きくなると共
に、このｐ型ＳｉＣ単結晶層６とｐ型側オーミック電極
７のオーミック接触がより良好とすることができる。
【００３４】このように、本実施例の発光ダイオード素
子は、ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出しが十分で且つ
電気的短絡を防止するために、従来のように素子の周囲
に絶縁層を設ける必要がないので、製造が容易であり、
歩留まりも高い。
子は、ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出しが十分で且つ
電気的短絡を防止するために、従来のように素子の周囲
に絶縁層を設ける必要がないので、製造が容易であり、
歩留まりも高い。
【００３５】上記実施例では、層厚がホール拡散距離
（略１μｍ）以下の低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層
３を設けたが、この層３がない場合には、ある場合に比
べて、ｐｎ接合付近の結晶性の低下に起因する発光強度
の低減が起こるが、従来と同程度の光取り出しが行え、
且つ電気的短絡の防止を行える。
（略１μｍ）以下の低不純物濃度のｐ型ＳｉＣ単結晶層
３を設けたが、この層３がない場合には、ある場合に比
べて、ｐｎ接合付近の結晶性の低下に起因する発光強度
の低減が起こるが、従来と同程度の光取り出しが行え、
且つ電気的短絡の防止を行える。
【００３６】また、上述では、ｐ型ＳｉＣ単結晶層３、
４、５、６は全て略無補償であったが、略無補償のうち
でも完全な無補償であるのが最も好ましい。しかしなが
ら、ｐ型ＳｉＣ単結晶層４、６は補償であっても利用で
きる。
４、５、６は全て略無補償であったが、略無補償のうち
でも完全な無補償であるのが最も好ましい。しかしなが
ら、ｐ型ＳｉＣ単結晶層４、６は補償であっても利用で
きる。
【００３７】更に、上述では６Ｈ型ＳｉＣ青色発光ダイ
オード素子について説明したが、他の結晶多形やＡｌ以
外の不純物でも使用できる。この場合も上述と同様に、
ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化ケイ素基板上に形成
された発光層としてのｎ型炭化ケイ素層と、該ｎ型炭化
ケイ素層上に形成された該ｎ型炭化ケイ素層へホールを
注入するためのｐ型炭化ケイ素層と、該ｐ型炭化ケイ素
層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層と、
該低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層上に形成されたコン
タクト層としてのｐ型炭化ケイ素層と、を備え、光吸収
の小さい低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層の層厚を大き
く且つ光吸収の大きいホールを注入するためのｐ型炭化
ケイ素層及びコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層の
層厚を小さく、ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素
層を高キャリア濃度とし、更にコンタクト層としてのｐ
型炭化ケイ素層はｐ型側オーミック電極とのオーミック
接触が良好となるキャリア濃度以上に設定すれば、ｎ型
ＳｉＣ基板側からの光取り出しを十分に行え、且つ電気
的短絡の防止が可能で製造が容易となる。
オード素子について説明したが、他の結晶多形やＡｌ以
外の不純物でも使用できる。この場合も上述と同様に、
ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化ケイ素基板上に形成
された発光層としてのｎ型炭化ケイ素層と、該ｎ型炭化
ケイ素層上に形成された該ｎ型炭化ケイ素層へホールを
注入するためのｐ型炭化ケイ素層と、該ｐ型炭化ケイ素
層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層と、
該低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層上に形成されたコン
タクト層としてのｐ型炭化ケイ素層と、を備え、光吸収
の小さい低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層の層厚を大き
く且つ光吸収の大きいホールを注入するためのｐ型炭化
ケイ素層及びコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層の
層厚を小さく、ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素
層を高キャリア濃度とし、更にコンタクト層としてのｐ
型炭化ケイ素層はｐ型側オーミック電極とのオーミック
接触が良好となるキャリア濃度以上に設定すれば、ｎ型
ＳｉＣ基板側からの光取り出しを十分に行え、且つ電気
的短絡の防止が可能で製造が容易となる。
【００３８】特に、前記ｎ型炭化ケイ素層と前記ホール
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し結晶性の低下を招かない低不純物
濃度のｐ型炭化ケイ素層を設けた場合には、ｐｎ接合付
近の結晶性の低下を防止できるので好ましい。
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し結晶性の低下を招かない低不純物
濃度のｐ型炭化ケイ素層を設けた場合には、ｐｎ接合付
近の結晶性の低下を防止できるので好ましい。
【００３９】
【発明の効果】本発明の構成によれば、低不純物濃度の
ｐ型炭化ケイ素層よりキャリア濃度が大きく、従って光
吸収の大きいホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層
及びコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層の層厚を小
さく、光吸収の小さい低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層
の層厚を大きくするので、ｐ型炭化ケイ素層での光吸収
を抑制すると共にｐ型炭化ケイ素層の全層厚を大きくす
ることができる。このようにｐ型炭化ケイ素層の層厚を
大きくすることによって、ステム等とｐ型オーミック電
極側とを導電性接着材を介して固着する際に、この導電
性接着材がｎ型炭化ケイ素層やｎ型炭化ケイ素基板に付
着を防止できる。
ｐ型炭化ケイ素層よりキャリア濃度が大きく、従って光
吸収の大きいホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層
及びコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層の層厚を小
さく、光吸収の小さい低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層
の層厚を大きくするので、ｐ型炭化ケイ素層での光吸収
を抑制すると共にｐ型炭化ケイ素層の全層厚を大きくす
ることができる。このようにｐ型炭化ケイ素層の層厚を
大きくすることによって、ステム等とｐ型オーミック電
極側とを導電性接着材を介して固着する際に、この導電
性接着材がｎ型炭化ケイ素層やｎ型炭化ケイ素基板に付
着を防止できる。
【００４０】また、発光層となるｎ型炭化ケイ素層へキ
ャリア濃度の大きいホール注入のためのｐ型炭化ケイ素
層から多くのホールが注入されるので、十分な発光強度
が得られる。
ャリア濃度の大きいホール注入のためのｐ型炭化ケイ素
層から多くのホールが注入されるので、十分な発光強度
が得られる。
【００４１】従って、ｎ型ＳｉＣ基板側からの光取り出
しを十分に行え、且つ装置組立ての際に電気的短絡の防
止が可能な製造が容易な炭化ケイ素発光ダイオード素子
を提供できる。更に、斯る構成では、コンタクト層とし
てのｐ型炭化ケイ素層はキャリア濃度を高くすることに
より、このｐ型炭化炭化ケイ素層で面内方向に電流が広
がって発光層での発光領域が大きくなると共に、このｐ
型炭化ケイ素層とｐ型側オーミック電極のオーミック接
触が良好にすることができる。
しを十分に行え、且つ装置組立ての際に電気的短絡の防
止が可能な製造が容易な炭化ケイ素発光ダイオード素子
を提供できる。更に、斯る構成では、コンタクト層とし
てのｐ型炭化ケイ素層はキャリア濃度を高くすることに
より、このｐ型炭化炭化ケイ素層で面内方向に電流が広
がって発光層での発光領域が大きくなると共に、このｐ
型炭化ケイ素層とｐ型側オーミック電極のオーミック接
触が良好にすることができる。
【００４２】特に、前記ｎ型炭化ケイ素層と前記ホール
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し前記ホールを注入するためのｐ型
炭化ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度のｐ
型炭化ケイ素層を設けた場合には、このｐ型炭化ケイ素
層はホール拡散距離以下の層厚であるので、ホール注入
のためのｐ型炭化ケイ素層から多くのホールが注入され
ると共に、ｐｎ接合付近の不純物濃度が低くなるので、
この接合付近の結晶性が良くなる。従って、より発光効
率が大きくなる。
を注入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散
距離以下の層厚を有し前記ホールを注入するためのｐ型
炭化ケイ素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度のｐ
型炭化ケイ素層を設けた場合には、このｐ型炭化ケイ素
層はホール拡散距離以下の層厚であるので、ホール注入
のためのｐ型炭化ケイ素層から多くのホールが注入され
ると共に、ｐｎ接合付近の不純物濃度が低くなるので、
この接合付近の結晶性が良くなる。従って、より発光効
率が大きくなる。
【図１】本発明の一実施例に係るＳｉＣ発光ダイオード
素子を示す模式断面構造図である。
素子を示す模式断面構造図である。
【図２】ｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャリア濃度と光吸収係
数の関係を示す図である。
数の関係を示す図である。
【図３】ｐ型ＳｉＣ単結晶層のキャリア濃度と発光強度
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図４】上記実施例に係るＳｉＣ発光ダイオード装置を
示す模式断面構造図である。
示す模式断面構造図である。
【図５】従来のＳｉＣ発光ダイオード装置を示す模式断
面構造図である。
面構造図である。
１ ｎ型ＳｉＣ単結晶基板 ２ ｎ型ＳｉＣ単結晶層 ３ ｐ型ＳｉＣ単結晶層 ４ ｐ型ＳｉＣ単結晶層 ５ ｐ型ＳｉＣ単結晶層 ６ ｐ型ＳｉＣ単結晶層
Claims (4)
- 【請求項１】 ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化ケイ
素基板上に形成された発光層としてのｎ型炭化ケイ素層
と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成された該ｎ型炭化ケイ
素層へホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層と、該
ｐ型炭化ケイ素層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭
化ケイ素層と、該低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層上に
形成されたコンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層と、
を備え、前記低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層は前記ホ
ールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層及び前記コンタ
クト層としてのｐ型炭化ケイ素層に比べて層厚が大き
く、且つ該ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ素層及
び該コンタクト層としてのｐ型炭化ケイ素層は前記低不
純物濃度のｐ型炭化ケイ素層に比べてキャリア濃度が大
きいことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。 - 【請求項２】 前記ホールを注入するためのｐ型炭化ケ
イ素層上に形成された低不純物濃度のｐ型炭化ケイ素層
は、略無補償で且つ１×１０18ｃｍ-3以下の濃度のＡｌ
を有することを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素発
光ダイオード素子。 - 【請求項３】 前記ｎ型炭化ケイ素層と前記ホールを注
入するためのｐ型炭化ケイ素層の間に、ホール拡散距離
以下の層厚及び該ホールを注入するためのｐ型炭化ケイ
素層の不純物濃度より小さい低不純物濃度を有し結晶性
の低下を防止するためのｐ型炭化ケイ素層を設けたこと
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の炭化ケイ素発
光ダイオード素子。 - 【請求項４】 前記結晶性の低下を防止するためのｐ型
炭化ケイ素層は、略無補償で且つ２×１０20ｃｍ-3以下
の濃度のＡｌを有することを特徴とする請求項３記載の
炭化ケイ素発光ダイオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29670093A JPH07153992A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 炭化ケイ素発光ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29670093A JPH07153992A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 炭化ケイ素発光ダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153992A true JPH07153992A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17836960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29670093A Pending JPH07153992A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 炭化ケイ素発光ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014187112A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP29670093A patent/JPH07153992A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014187112A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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