JPH07154101A - 低域通過ろ波器 - Google Patents

低域通過ろ波器

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JPH07154101A
JPH07154101A JP29638693A JP29638693A JPH07154101A JP H07154101 A JPH07154101 A JP H07154101A JP 29638693 A JP29638693 A JP 29638693A JP 29638693 A JP29638693 A JP 29638693A JP H07154101 A JPH07154101 A JP H07154101A
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清▲丈▼ 佐々木
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 構造を簡単にし、広い阻止帯域を有しかつ耐
電力性及び汎用性に優れた低域通過ろ波器を提供する。 【構成】 低域通過ろ波器1に信号が伝搬されてくる
と、その信号は矩形導波管部5aを介して同軸導波管変
換器部7aに伝搬される。同軸導波管変換器部7aでは
矩形導波管部5aを伝搬される信号のモードを同軸低域
通過ろ波器部2に入力される信号のモードに変換する。
同軸低域通過ろ波器部2は同軸導波管変換器部7aでモ
ードが変換された信号が伝搬されてくると、その高周波
成分を切って同軸導波管変換器部7bに出力する。同軸
導波管変換器部7bでは同軸低域通過ろ波器部2から出
力される信号のモードを、矩形導波管部5bで伝搬され
る信号のモードに変換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は低域通過ろ波器に関し、
特に広い阻止帯域を有しかつ耐電力性に優れた導波管型
低域通過ろ波器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の導波管型低域通過ろ波器
としては、コルゲート型とワッフルアイアン型とがあ
る。コルゲート型では矩形導波管の広幅面の電波伝搬方
向に沿って、その電波伝搬方向に直交する方向に延びる
隆起部と溝部とが交互に連続して設けられている。この
種のコルゲート型の低域通過ろ波器としては、特開昭6
3−166301号公報に開示された技術がある。
【0003】また、ワッフルアイアン型は、図6に示す
ように、矩形導波管10の広幅面の電波伝搬方向及びこ
の電波伝搬方向に直交する方向に夫々沿って、隆起部1
1と溝部12とが交互に連続して設けられている。
【0004】この種のワッフルアイアン型の低域通過ろ
波器としては、実開昭57−202202号のマイクロ
フィルムや特開昭59−185403号公報に開示され
た技術がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の導波管
型低域通過ろ波器では、矩形導波管の広幅面に隆起部と
溝部とを交互に連続して設けているので、構造が複雑と
なり、コスト高になるという問題がある。
【0006】特に、特開昭63−166301号公報に
開示されたコルゲート型の低域通過ろ波器や特開昭59
−185403号公報に開示されたワッフルアイアン型
の低域通過ろ波器のように隆起部の高さを2種類にした
場合や、あるいは実開昭57−202202号のマイク
ロフィルムに開示されたワッフルアイアン型の低域通過
ろ波器のように隆起部の形状を変えた場合にはさらに構
造が複雑となる。
【0007】また、低域通過ろ波器を構成する導波管内
の隆起部と溝部とにおける上下の一致度、つまり加工精
度がわずかでも悪いと、図7に示すように、阻止帯域内
に共振が生じ、スプリアス特性が悪くなるという問題が
ある。
【0008】さらに、広い阻止帯域を実現するために
は、低域通過ろ波器を構成する導波管内の隆起部におけ
る上下の間隔を非常に狭くする必要があるが、この間隔
を狭くすると高電力用には適さなくなるという問題があ
る。
【0009】さらにまた、低域通過ろ波器を構成する導
波管内の隆起部及び溝部の寸法によって周波数特性が決
定されるため、異なった特性が要求される場合には隆起
部及び溝部の寸法をその特性に応じて変更しなければな
らないが、それら隆起部及び溝部とからなる矩形導波管
の構造が複雑であるので、容易に変更することが難し
い。
【0010】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、構造を簡単にすることができ、広い阻止帯域を有
しかつ耐電力性及び汎用性に優れた低域通過ろ波器を提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による低域通過ろ
波器は、矩形導波管からなる低域通過ろ波器であって、
前記矩形導波管内に設けられかつ高周波成分を除去する
同軸低域通過ろ波器と、前記矩形導波管内に設けられか
つ前記同軸低域通過ろ波器への入出力信号のモードを変
換する同軸導波管変換器とを備えている。
【0012】本発明による他の低域通過ろ波器は、上記
の構成のほかに、前記同軸低域通過ろ波器と前記同軸導
波管変換器との結合部分に設けられかつ前記同軸低域通
過ろ波器における高次モードの信号の発生を抑止するリ
ング部材を備えている。
【0013】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0014】図1は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、低域通過ろ波器1は同軸低域通過ろ波
器部2と、矩形導波管部5a,5bと、同軸導波管変換
器部7a,7bとから構成されている。
【0015】同軸低域通過ろ波器部2は外導体3と、軸
径が細い軸径部分4aと軸径が太い軸径部分4bとがあ
る間隔で夫々複数個ずつ設けられた中心導体4とから構
成されている。ここで、中心導体4は矩形導波管部5
a,5bに夫々設けられたプローブ6a,6bに接着固
定されている。
【0016】矩形導波管部5a,5bの一端には短絡面
が設けられており、また広幅面の中心にはプローブ6
a,6bが設けられている。尚、プローブ6a,6bは
中心導体4との結合部に発生する熱を矩形導波管部5
a,5bのケースに逃がす働きをする。
【0017】同軸導波管変換器部7a,7bは同軸低域
通過ろ波器部2と矩形導波管部5a,5bとの結合部
分、つまり同軸低域通過ろ波器部2の両端に夫々設けら
れ、中心導体4と矩形導波管部5a,5bとプローブ6
a,6bとによって形成されている。
【0018】低域通過ろ波器1に信号が伝搬されてくる
と、その信号は矩形導波管部5aを介して同軸導波管変
換器部7aに伝搬される。同軸導波管変換器部7aでは
矩形導波管部5aを伝搬される信号のモードを同軸低域
通過ろ波器部2に入力される信号のモードに変換する。
【0019】同軸低域通過ろ波器部2は同軸導波管変換
器部7aでモードが変換された信号が伝搬されてくる
と、その高周波成分を切って同軸導波管変換器部7bに
出力する。同軸導波管変換器部7bでは同軸低域通過ろ
波器部2から出力される信号のモードを、矩形導波管部
5bで伝搬される信号のモードに変換する。
【0020】図2は図1の低域通過ろ波器1における周
波数と減衰量との関係を示す図である。図においては、
低域通過ろ波器1を通常の電力用に形成した場合の周波
数と減衰量との関係を示している。
【0021】この図2に示すように、低域通過ろ波器1
においては阻止帯域が通過周波数の3倍以上であって
も、その阻止帯域では図6に示す従来例のように阻止帯
域内に共振が生じることはなく、スプリアス特性が悪く
なることない。
【0022】よって、低域通過ろ波器1を高電力用に設
計することで、広い阻止帯域を有しかつ耐電力性に優れ
た低域通過ろ波器とすることができる。この場合、上述
の如く、構造が極めて単純であるため、低コスト化する
ことができる。
【0023】また、阻止帯域は同軸線路の寸法によって
任意に選択することができる。また、同軸線路の寸法の
変更は中心導体4のみの交換で行えるため、汎用性に優
れた低域通過ろ波器を実現することができる。
【0024】図3は図1の低域通過ろ波器1における周
波数と減衰量との関係を示す図である。図においては、
低域通過ろ波器1を高電力用に形成した場合の周波数と
減衰量との関係を示している。
【0025】この図3に示すように、低域通過ろ波器1
においては高電力用に形成した場合、同軸低域通過ろ波
器部2の両端の径を大きくする必要がある。そのため、
阻止帯域が通過帯域の2倍程度であれば、図7に示す従
来例のように阻止帯域内に共振が生じることはなく、ス
プリアス特性が悪くなることもない。
【0026】しかしながら、上記の低域通過ろ波器1で
は阻止帯域が通過帯域の3倍以上になると、図3に示す
ように、阻止帯域内に共振が生じ、スプリアス特性が悪
くなる。このスプリアス特性が悪くなる原因としては、
同軸低域通過炉波器部2が高電力用に形成されているた
めに生ずる高次モードの発生がある。
【0027】同軸線路中はTEM波であり、最初の高次
モードはTE11モードである。このTE11モードの発生
する周波数fは外導体3の半径をaとし、中心導体4の
半径をbとすると、 f=300/π(a+b) という式で表される。
【0028】このTE11モードの発生を抑圧すること
で、さらに広い阻止帯域を実現することができる。
【0029】図4は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。図において、本発明の他の実施例による低域通過
ろ波器8は同軸低域通過ろ波器部2と同軸導波管変換器
部7a,7bとの結合部分にリング部材9a,9bを設
けた以外は図1に示す本発明の一実施例と同様の構成と
なっており、同一構成要素には同一符号を付してある。
また、それら同一構成要素の動作は本発明の一実施例と
同様である。
【0030】低域通過ろ波器8では同軸低域通過ろ波器
部2と同軸導波管変換器部7a,7bとの結合部分にリ
ング部材9a,9bを取付けることによって、同軸低域
通過ろ波器部2でのTE11モードの発生を抑圧するよう
にしている。
【0031】図5は図1の低域通過ろ波器8における周
波数と減衰量との関係を示す図である。図においては、
低域通過ろ波器8を高電力用に形成した場合の周波数と
減衰量との関係を示している。
【0032】この図に示すように、低域通過ろ波器8に
おいては同軸低域通過ろ波器部2を高電力用に形成した
場合、通過帯域の3倍以上の阻止帯域、つまり通過帯域
が5850〜6425MHzであれば17.475〜1
9.35GHzの阻止帯域において、図7に示す従来例
や図3に示す本発明の一実施例のように阻止帯域内に共
振が生じることはなく、スプリアス特性が悪くなること
はない。
【0033】これはリング部材9a,9bによって同軸
低域通過ろ波器部2でのTE11モードの発生を抑圧して
いるので、同軸低域通過ろ波器部2を高電力用に形成し
ても阻止帯域内に共振が生じることがないためである。
【0034】よって、低域通過ろ波器8を高電力用に設
計することで、広い阻止帯域を有しかつ耐電力性に優れ
た低域通過ろ波器とすることができる。この場合、上述
の如く、構造が極めて単純であるため、低コスト化する
ことができる。
【0035】また、阻止帯域は同軸線路の寸法によって
任意に選択することができる。また、同軸線路の寸法の
変更は中心導体4のみの交換で行えるため、汎用性に優
れた低域通過ろ波器を実現することができる。
【0036】しかも、低域通過ろ波器8では阻止帯域が
通過帯域の3倍以上になっても、リング部材9a,9b
によって同軸低域通過ろ波器部2でのTE11モードの発
生が抑圧されるので、阻止帯域内に共振が生じることは
なく、スプリアス特性が悪くなることもない。
【0037】このように、低域通過ろ波器1に伝搬され
てきた信号を同軸導波管変換器部7aで矩形導波管部5
aを伝搬される信号のモードを同軸低域通過ろ波器部2
に入力される信号のモードに変換し、このモードが変換
された信号の高周波成分を同軸低域通過ろ波器部2で切
って同軸導波管変換器部7bに出力して矩形導波管部5
bで伝搬される信号のモードに変換することによって、
構造を簡単にすることができ、広い阻止帯域を有しかつ
耐電力性及び汎用性に優れた低域通過ろ波器を提供する
ことができる。
【0038】また、同軸低域通過ろ波器部2と同軸導波
管変換器部7a,7bとの結合部分に取付けたリング部
材9a,9bで同軸低域通過ろ波器部2でのTE11モー
ドの発生を抑圧することによって、通過帯域の3倍以上
の阻止帯域で共振が発生するのを防止することができ、
スプリアス特性の悪化を防止することができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように本発明の低域通過ろ
波器によれば、矩形導波管内に高周波成分を除去する同
軸低域通過ろ波器と、同軸低域通過ろ波器への入出力信
号のモードを変換する同軸導波管変換器とを備えること
によって、構造を簡単にすることができ、広い阻止帯域
を有しかつ耐電力性及び汎用性に優れた低域通過ろ波器
を提供することができるという効果がある。
【0040】また、本発明の他の低域通過ろ波器によれ
ば、同軸低域通過ろ波器と同軸導波管変換器との結合部
分に、同軸低域通過ろ波器における高次モードの信号の
発生を抑止するリング部材を備えることによって、構造
を簡単にすることができ、通過帯域の3倍以上の広い阻
止帯域を有しかつ耐電力性及び汎用性に優れた低域通過
ろ波器を提供するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】図1の低域通過ろ波器における周波数と減衰量
との関係を示す図である。
【図3】図1の低域通過ろ波器における周波数と減衰量
の関係を示す図である。
【図4】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図5】図4の低域通過ろ波器における周波数と減衰量
との関係を示す図である。
【図6】従来例を示す構成図である。
【図7】図6の低域通過ろ波器における周波数と減衰量
との関係を示す図である。
【符号の説明】
1,8 低域通過ろ波器 2 同軸低域通過ろ波器部 3 外導体 4 中心導体 4a 細い軸径部分 4b 太い軸径部分 5a,5b 矩形導波管 6a,6b プローブ 7a,7b 同軸導波管変換器部 9a,9b リング部材

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 矩形導波管からなる低域通過ろ波器であ
    って、前記矩形導波管内に設けられかつ高周波成分を除
    去する同軸低域通過ろ波器と、前記矩形導波管内に設け
    られかつ前記同軸低域通過ろ波器への入出力信号のモー
    ドを変換する同軸導波管変換器とを含むことを特徴とす
    る低域通過ろ波器。
  2. 【請求項2】 前記同軸低域通過ろ波器と前記同軸導波
    管変換器との結合部分に設けられかつ前記同軸低域通過
    ろ波器における高次モードの信号の発生を抑止するリン
    グ部材を有することを特徴とする請求項1記載の低域通
    過ろ波器。
  3. 【請求項3】 前記同軸低域通過ろ波器は、互いに異な
    る少なくとも2種類の軸径部分を含む中心導体と、前記
    中心導体との間に間隙をもって前記中心導体の外周部分
    に周設された外導体とから構成されたことを特徴とする
    請求項1または請求項2記載の低域通過ろ波器。
  4. 【請求項4】 前記同軸低域通過ろ波器は、高電力用に
    形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3のい
    ずれか記載の低域通過ろ波器。
  5. 【請求項5】 前記リング部材は、その内径が前記同軸
    低域通過ろ波器を構成する外導体の内径よりも小さいこ
    とを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか記載の
    低域通過ろ波器。
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