JPH07154158A - 単一バイアスブロックを有する低電圧ｒｆ増幅器および混合器 - Google Patents

単一バイアスブロックを有する低電圧ｒｆ増幅器および混合器

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JPH07154158A
JPH07154158A JP6160207A JP16020794A JPH07154158A JP H07154158 A JPH07154158 A JP H07154158A JP 6160207 A JP6160207 A JP 6160207A JP 16020794 A JP16020794 A JP 16020794A JP H07154158 A JPH07154158 A JP H07154158A
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ステュービング カールトン
Richard Douglas Schultz
ダグラス シュルツ リチャード
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デーヴィッド ブローガン トーマス
Sang-Gu Lee
リー サング─グーグ
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Abstract

(57)【要約】 【目的】低電源の適用における従来技術のダイナミック
レンジ上の重要な制限を除去する新規な低電圧ＲＦ増幅
器を提供する。 【構成】電源と、ベース、コレクタおよび交流接地エミ
ッタを有するトランジスタと、負荷に電流が流れない時
前記電源の全電圧が前記コレクタに印加されるように前
記コレクタと前記電源間に効果的に接続される負荷と、
前記ベースをバイアスする手段とからなるバイアスされ
た低電圧ＲＦ増幅器であって、前記バイアス手段が前記
バイアス手段を前記トランジスタの外部装荷の効果から
緩衝するための手段を含むことを特徴とする、バイアス
された低電圧ＲＦ増幅器。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単一バイアスブロック
が温度と半導体プロセスパラメータの両方の補償を多重
低電圧ＲＦ回路に提供し得る、低電圧ＲＦ増幅器および
混合器並びに半導体回路へのこれらの集積に関する。
【０００２】
【従来の技術】図面、特に図１に関して、無線周波増幅
器は、周知であり常用されている。このような増幅器
は、共通エミッタ（すなわち、交流接地されたエミッ
タ）配置において一般に高電圧、例えば、１２〜１５ボ
ルトで動作する。図１に示されるような従来の無線周波
増幅器に関して、無線周波入力信号ＲＦは、入力端末２
０、結合コンデンサを通じてＮＰＮトランジスタＱ１の
ベース電極へに印加され得る。コレクタ電極は負荷抵抗
ＲＬを通じてバイアス回路に接続されている。増幅され
た出力電圧信号はトランジスタＱ１のコレクタ電極から
得られ結合コンデンサを通じて出力端末２２へ印加され
る。
【０００３】図１にブロック形式で示される増幅器用バ
イアス回路は、従来図２および図３に示され、またＨｅ
ｙｗａｒｄとＤｅＭａｗの「無線アマチュアのためのソ
リッドステート設計」、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｒａｄｉｏ
Ｒｅｌａｙ Ｌｅａｇｕｅ，Ｉｎｃ Ｎｅｗｉｎｇｔ
ｏｎ，Ｃｏｎｎｅｔｉｃｕｔ １９８６（１１〜１２ペ
ージ、図１３、１４を参照）にさらに詳細に開示される
ような幾つかの形式を取り得る。図２のバイアス回路に
おいて、温度安定性はトランジスタの使用により高めら
れ、図３においては、演算増幅器の使用により高められ
る。
【０００４】周知のように、コレクタ電流ゼロにおける
共通エミッタ増幅器のコレクタ電極上の電圧は、そのダ
イナミックレンジの上端において拘束を加える。ダイナ
ミックレンジは、電圧クリッピングが始まる時の利得圧
縮の結果生じる上音のため他の周波数チャンネルに妨害
を与える。図１の増幅器内のバイアス回路を通じる電圧
降下の結果、負荷抵抗に印加される最大電圧は、Ｖｃｃ
よりかなり低く、典型的には約０．６Ｖｃｃになる。
【０００５】最近、例えば、米国特許第５，１０５，１
６５号明細書に示されるように、エミッタが誘導子を含
むＲＦ増幅器のエミッタよりもむしろベースにバイアス
をかけることが提案されている。しかしながら、このよ
うな増幅器のバイアスはバイアス回路トランジスタを負
荷効果から緩衝するための手段を含んでいない。
【０００６】
【発明の概要】本発明の１つの目的は、低電源の適用に
おける従来技術のダイナミックレンジ上の重要な制限を
除去する新規な低電圧ＲＦ増幅器および方法を提供する
ことにある。本発明の別の目的は、利得圧縮に起因する
ダイナミックレンジの損失を減少させる新規な増幅器お
よび方法を提供することにある。
【０００７】本発明の別の目的は、ＲＦ増幅器における
上音干渉を最小化するための新規な方法および回路を提
供し、雑音指数を著しく減少させないでＲＦ増幅器の利
得圧縮を減少させる新規な方法および回路を提供するこ
とにある。さらに、本発明の別の目的は、負荷効果から
バイアスを緩衝する新規な増幅器および方法を提供し、
また、低電圧増幅器を温度補償する新規な方法および回
路を提供することにある。
【０００８】混合器（ミクサ）は、低周波情報信号（例
えば、音響周波数信号）を伝送用無線周波へ周波数上昇
させ、受信した無線周波信号を周波数低下させるために
ＲＦ通信において一般的に使用されている。従来の単一
平衡混合器が図６に示され、ここで局部発振器信号ＬＯ
は無線周波信号ＲＦと混合され、中間周波信号ＩＦを提
供する。図６に示されるように、混合器用バイアスは、
利得制御抵抗ＲＧを有するトランジスタＱ３のエミッタ
回路の電流源により提供され得る（必ずしもその必要は
ないが）。
【０００９】周知のように、混合器の雑音指数は入力信
号のＳＮ比に対する出力信号のＳＮ比である。抵抗ｈは
トランジスタＱ３の利得を制御し、そのため回路のダイ
ナミックレンジに影響する。加えて、それはＲＦトラン
ジスタのエミッタ回路内にあるので、入力インピーダン
スおよび混合器の雑音指数にも影響する。例えば、図８
に示されるような従来の二重平衡混合器においては、典
型的に２つのＲＦ増幅トランジスタＱ５、Ｑ６のエミッ
タ回路中の利得制御抵抗ＲGが配置され、２つの相補無
線周波入力信号
【００１０】
【数１】
【００１１】を常に必要とする。順番の相補ＲＦ入力信
号の発生は、高価な平衡入力変成器の使用を必要とする
かもしれない。２つのＲＦ入力信号が望まれる（すなわ
ち、不平衡混合器）場合、図８の端末２８は接地され、
出力信号
【００１２】
【数２】
【００１３】は利用可能な出力信号を使用しないで固有
電力の損失を避けるため適当な位相で（図示しない回路
で）結合される。一般的に、このような結合は著しいバ
ンド幅の損失になる。ＬＯトランジスタのベース−コレ
クタコンデンサ補償は、図８に示されるような二重平衡
混合器により本来提供される。このような補償はＣｕを
否定し局部発振トランジスタのスイッチングを改善し、
それらをより効率化し、中断点を増加させる。しかしな
がら、単一平衡混合器では、交差トランジスタの第２の
対の不存在がＬＯスイッチングを低下させる。
【００１４】より低いダイサイズ、プロセスインピーダ
ンスおよび電力の効率的使用が望まれるＩＣで特に効果
があるので、単一バイアスブロックを使用して多重アナ
ログ回路用バイアスを提供することも知られている。例
えば、図１３に示されるように、単一バイアスブロック
は、一定の電流源を通じて接続される電源Ｖｃｃ、２つ
のトランジスタおよび抵抗からなり、共通エミッタまた
は接地された交流エミッタ配置以外に多重アナログ電圧
増幅器用バイアス電圧を提供する。このような低電圧バ
イアス増幅器およびＥＣＬゲートの例は、例えば、Ｇｒ
ａｙとＭｅｙｅｒの「アナログＩＣの解析および設
計」、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ
１９７７（２３６ページの図４．２２を参照）に解説さ
れている。このようなバイアス回路は負荷が微分である
ので注入された電源ノイズに対する免疫性を与えるが、
このような微分回路は比較的乏しい雑音指数性能を提供
し、従ってＲＦ回路には必ずしも適さない。
【００１５】本発明の別の目的は、従来技術の多くの制
限と、複数の回路のダイナミックレンジに関する低電圧
電源の効果を除去する新規なバイアスブロックおよび方
法を提供し、また、増幅器および混合器のような複数の
共通エミッタ回路用バイアスを提供する新規な単一バイ
アスブロックおよび方法を提供することにある。周知の
ように、増幅器の利得は、プロセスパラメータと共に回
路内の半導体の動作温度に依存する。例えば、ＩＣダイ
温度の１℃の温度上昇は、ベース−エミッタ電圧ＶBEに
おける２．２ミリボルトの変化となる。
【００１６】βとＶBEの不整合の効果はエミッタ抵抗の
縮退とともに実質的に減少し、縮退は交流安定性を改善
し利得を減少させるが、雑音指数を低下させる。さら
に、同一温度、同一バイアス条件で、同一特性を有する
ように設計された同じダイ上のトランジスタを不整合と
することができ、不整合のβにより３０％変量を有する
コレクタ電流を提供することができる。
【００１７】図１３に示されるように、「ミラー」回路
によりエミッタ回路に抵抗を有する回路のこれらのパラ
メータを補償することも知られている。このミラー回路
では、同一の動作温度とプロセスパラメータを被る半導
体トランジスタが、演算回路の導通を制御する演算増幅
器に印加される基準電圧を調節するセンサとして使用さ
れている。
【００１８】本発明の別の目的は、回路の利得がコレク
タ回路の利得制御抵抗のトリミング、例えば、レーザに
より制御され、その結果雑音指数、入力インピーダンス
が影響を受けない、単一または多重の共通エミッタ混合
器段階用バイアスを提供する新規な単一バイアスブロッ
クおよび方法を提供することにある。さらに、本発明の
目的は、増幅器および混合器のような複数の共通エミッ
タ回路用温度補償を提供する新規なバイアスブロックお
よび方法を提供することにある。
【００１９】
【実施例】本発明は、添付図面を参照しつつ以下の実施
例により説明される。（図１の従来例と比較を容易にす
るために同様の番号決めとなっている）図４に関して、
トランジスタＱ１のコレクタ回路の負荷ＲＬは、バイア
ス回路を通じるよりもむしろ直接Ｖｃｃに接続されてい
る。実際の低電圧適用において、バイアス回路の電圧降
下は４０％以上となる可能性があり、Ｖｃｃへの負荷の
直接接続は負荷およびＲＦトランジスタを通じて利用で
きる電圧を著しく増加させる。この利用可能な電圧の増
加は、増幅器のダイナミックレンジを極めて増大させ
る。逆に言えば、所望のダイナミックレンジを提供する
のに必要な電力量は著しく減少する。
【００２０】この負荷は増幅器の内部で同一ＩＣ内、Ｉ
Ｃの外部またはこれらの組合せとすることができる。負
荷はエミッタ回路よりむしろコレクタ内にあるので、高
められたダイナミックレンジは上音妨害を最小化する。
特にバイアスの温度補償が望まれる場合、トランジスタ
Ｑ１の装荷効果からバイアス回路を保護することが必要
である。図５の右手部分に示された好ましい実施例にお
いて、基準電圧ＶR が印加される従来の適当な演算増幅
器２４により、バッファが提供される。温度補償に関連
して下記に解説されるように、基準電圧は電源と接地も
しくは共通回路との間の単式抵抗分割器により誘導され
得る。代わりに、基準信号はバンドギャップまたは所望
の温度係数を有する他の基準回路のような電源の独立し
たソースから誘導され得る。
【００２１】演算回路２４からの出力信号は、可変抵抗
器３０を通じてＲＦ増幅トランジスタ２４のベースと共
に帰還ループ内のトランジスタＱをバイアスするのに使
用される。下記に解説されるように、演算トランジスタ
２４からの出力信号は、図５に示される増幅器のような
ＲＦ装置、他の複数の接地エミッタにおけるトランジス
タＱ２−ＱＮのベースにも印加され得る。
【００２２】本発明の多くの側面は、不平衡および二重
平衡混合器と同様に単一平衡混合器に対して適用可能で
ある。（図６の従来の単一平衡混合器との比較を容易に
するために同様の素子は同様の番号決めに従う）図７の
単一平衡混合器に示されるように、混合器用の電流源バ
イアスがトランジスタＱ３のエミッタ回路から除去さ
れ、本発明のバイアス回路がそのベースに接続されてい
る。さらに、利得制御抵抗ＲG がトランジスタＱ３のエ
ミッタ回路回路からそのコレクタ回路へ移動している。
【００２３】混合器の雑音指数は、実質的に、図６のＱ
３のベースとエミッタにおける何れかの抵抗性雑音源の
関数である。Ｑ３がベース、エミッタにおける雑音源に
敏感である理由は、これらの雑音源がＱ３における電力
利得により増幅されるということである。したがって、
図６のＱ３のエミッタから図７のコレクタへのＲG の移
動は、雑音指数を改善するであろう。
【００２４】混合器の利得は、実質的にＲL とＲG の関
数である。人は利得を減少させる手段としてＲG のみを
残しＲＬＧをほとんど制御していない。前に説明したよ
うに、エミッタにＲG を使用することは雑音指数を低下
させる。この抵抗を図７のＱ３のコレクタへ移動するこ
とにより、混合器の利得はミラーコンデンサ効果の利用
により減少することができる。この利得減少はミラーコ
ンデンサにより決定される極上の周波数にのみ適用さ
れ、図７の位相をＲＦ適用に適当なものとする。この方
法では、回路のダイナミックレンジの制限は除去され、
利得を制御することができ、回路の雑音指数に影響を与
えずに著しく交流安定性が改善される。
【００２５】図６に示唆されているが、リアクタンス回
路が図６および図７のトランジスタＱ３のコレクタまた
はエミッタに付加してもよく、ＩＦ周波数における雑音
寄与を減少することができる。図８に示されるように、
従来の二重平衡混合器は、一般にエミッタ回路内に利得
制御抵抗ＲG を配置する（２つの抵抗ＲO ／２に分割さ
れて示されている）。エミッタ回路内の電流源の存在
は、電流源を通じる電圧降下により頭上スペース（ｈｅ
ａｄｒｏｏｍ）を減少させる。
【００２６】本発明によれば、図９に示されるように、
バイアスＶＧが２つのＮＰＮトランジスタＱ５、Ｑ６の
ベースに提供される。バイアス回路を通じる電圧降下が
除去されるので、低電圧電源を使用することができ前述
したように同一のダイナミックレンジを達成することが
できる。さらに、単一平衡混合器を用いて同様な方法
で、エミッタ回路内の利得制御抵抗を誘導子で置き換
え、かつＲＦトランジスタＱ５、Ｑ６のコレクタ回路内
の２つの利得制御抵抗ＲＧ／２を配置することにより、
実質的に入力インピーダンス、負荷インピーダンスまた
は雑音指数に影響を与えないで利得を制御できる効果を
有する。
【００２７】バイポーラトランジスタが例示されている
が、本発明で述べられた電流変換に対して制御されたス
イッチングおよび電圧を提供する限りにおいて、ＭＯＳ
ＦＥＴのような他のタイプのトランジスタを使用しても
よい。前述したように、ＬＯトランジスタのベース−コ
レクタ容量補償は、本来二重平衡混合器により提供され
る。ベース−コレクタ容量補償の概念は、アナログ微分
増幅回路におけるその適用として周知であり、より詳細
には、Ｇｒｅｂｅｎｅの「バイポーラおよびＭＯＳＩＣ
設計」、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ、Ｎ
ｅｗ Ｙｏｒｋ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９８４（４１５
〜４１７ページ参照）。混合器への適用において、ベー
ス−コレクタ容量補償はＬＯスイッチング機構のスイッ
チング速度を改善する。これは、ＬＯ回路のバンド幅に
関するＣｕの効果を否定することにより達成される。Ｃ
ｕを否定するとバンド幅を上げ、そのためスイッチング
速度を減少させる。これは混合器の変換効率および中断
点を改善する。図６に示されるような従来の単一平衡混
合器、または図７の新規な単一平衡混合器において、交
差結合したトランジスタの第２の対の不存在はＬＯスイ
ッチングを遅くさせ中断点を減少させる。しかしなが
ら、図１１に示されるように、鎖線で示されるようにエ
ミッタを回路するかまたはベースに接続して、交差結合
したトランジスタＱ１およびＱ２の第２の対を付加して
もよい。
【００２８】図１１の混合器を不平衡にすることが望ま
しい場合、図１２に示されるように相補発振信号ＬＯを
省略し、かつ結合コンデンサを通じてＱ４のベースを接
地することにより行ってもよい。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
からなる抵抗性電圧分割器をトランジスタＱ３およびＱ
４のベースを差動的にバイアスするように提供してもよ
い。
【００２９】差動バイアスのため、容量補償は平衡混合
器の場合のように有益ではないが、トランジスタスイッ
チング時間における著しい改善を与える可能性がある。
さらに、２つのＬＯトランジスタＱ１およびＱ２のバイ
アス、従って伝導の差のため、ほとんどの電力はトラン
ジスタＱ２のコレクタにおいて利用可能であり、ＬＯと
ＬＯ出力信号との結合に関するバンド幅の問題を避ける
ことができる。
【００３０】本発明の抵抗性電圧分割器の使用の別の効
果は、抵抗Ｒ2 が直流バイアスを提供するよう機能する
ばかりでなく、接地されたベース局部発振器段階トラン
ジスタＱ２のための成端抵抗としても機能する。ＲＦト
ランジスタ用利得制御抵抗ＲＧは、利得が実質的に雑音
指数を増加させることなく制御され得るコレクタ回路Ｂ
Ｏ内に配置されることに留意されたい。
【００３１】また、バイアス回路はエミッタ回路よりも
むしろＲＦトランジスタＱ３のベースに接続され、従っ
て、頭上スペースの損失を除去できることに留意された
い。図１３に関連して前述したように、単一バイアス回
路は共通エミッタ配置以外のアナログ回路のために使用
される。しかしながら、本発明によれば、図５に示され
るように、単一バイアス回路が複数の低電圧、共通エミ
ッタの無線周波回路をバイアスするように使用され得
る。
【００３２】図５に関して、バイアス回路の出力端末２
３は複数の低電圧の共通エミッタ回路にベースバイアス
を提供するバスを介して接続される。２つの増幅器が説
明されているが、バイアスされた回路はいずれの形式、
数であってもよく、１以上の増幅器、１以上の混合器お
よび／または１以上の付加回路を含んでもよい。例え
ば、演算増幅器の使用によりバイアス回路内のトランジ
スタを緩衝することが必要である。図５において、演算
増幅器は、トランジスタＱ２、Ｑ３−ＱＮの回路の装荷
の効果からトランジスタＱ１を緩衝する。
【００３３】図５の複数の増幅器の各々の利得は、プロ
セスパラメータと同様に回路内の半導体の動作温度に依
存するので、ｇとＶＢＥ不整合の効果は、コレクタ回路
内の負荷抵抗を交流利得に対してトリムして、雑音指数
を低下させず、各増幅器のベース内のバイアス制御抵抗
３０のレーザトリミングにより制御され得る。本発明は
多くの利点を有する。例えば、低電圧増幅器のコレクタ
上に高電圧を利用可能とすることは、ダイナミックレン
ジを増大させる。逆に、所望のダイナミックレンジは低
電源電圧により得られる。
【００３４】利得は入力、出力インピーダンスいずれか
に影響を与えるか、または雑音指数を増加させることな
く混合器において制御され得る。多重ＲＦ段、例えば、
増幅器および／または混合器は、ＩＣチップ上の重要な
スペースおよび電力を節約しながら、単一回路によりバ
イアスされ温度補償され得る。
【００３５】さらに、混合器は、局部発振器段のベース
を差動バイアスすることにより、電力またはバンド幅の
著しい損失なしに不平衡とされ得る。また、交差結合し
たトランジスタは単一平衡および不平衡混合器における
コンデンサ補償のために使用され得る。温度およびＩＣ
プロセスパラメータの補償を有する１以上の増幅器およ
び１以上の単一または二重平衡混合器を含む単一または
多重低電圧ＲＦ回路のための単一バイアスブロックが開
示される。電源は、演算増幅器および／または緩衝回路
を通じてベース回路へバイアスを印加して負荷に十分な
電源電圧を印加することにより増幅器および／または混
合器のダイナミックレンジを犠牲にすることなく、低電
圧とし得る。また、混合器に対して、エミッタからコレ
クタ回路へ利得制御インピーダンスを移動させることに
より、より低い雑音指数が実現される。回路はＩＣの分
離した構成要素もしくは部分であってもよい。増幅器の
ダイナミックレンジに影響を与えずに電源電圧を減少さ
せる方法が開示される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の高電圧ＲＦ増幅器のブロック図形式のバ
イアス回路を示す概略回路図である。
【図２】図１の高電圧増幅器に使用され得る第１の従来
の能動バイアス回路の概略回路図である。
【図３】図１の高電圧増幅器に使用され得る第２の従来
の能動バイアス回路の概略回路図である。
【図４】ブロック形式で示されているバイアス回路を有
する本発明の低電圧ＲＦ増幅器の概略回路図である。
【図５】図４のＲＦ増幅器および図７、９、１０、１１
および１２の混合回路のような多重接地エミッタ回路用
基準装置として図４の回路の使用を説明する、図４の低
電圧ＲＦ増幅器の１実施例の概略回路図である。
【図６】従来の単一平衡混合器の概略回路図である。
【図７】本発明の単一平衡混合器の概略回路図である。
【図８】従来の二重平衡混合器の概略回路図である。
【図９】本発明の二重平衡混合器の概略回路図である。
【図１０】本発明の不平衡混合器の概略回路図である。
【図１１】交差結合したトランジスタを補償するコンデ
ンサを有する本発明の単一平衡混合器のスイッチング部
の概略回路図である。
【図１２】コンデンサ補償を有する本発明の不平衡混合
器の概略回路図である。
【図１３】共通エミッタ配置以外の多重低電圧アナログ
回路に使用される従来の単一バイアス回路ブロックの概
略回路図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード ダグラス シュルツ アメリカ合衆国、フロリダ州 32909、パ ーム ベイ、モヒーガン テラス エス. イー． 1342 (72)発明者 トーマス デーヴィッド ブローガン アメリカ合衆国、フロリダ州 32905、パ ーム ベイ、コーリイ ロード 4650 (72)発明者 サング─グーグ リー アメリカ合衆国、フロリダ州 32907、パ ーム ベイ、ペッカム ストリート エ ヌ．イー． 162

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電源と、 ベース、コレクタおよび交流接地エミッタを有するトラ
    ンジスタと、 負荷に電流が流れない時前記電源の全電圧が前記コレク
    タに印加されるように前記コレクタと前記電源間に効果
    的に接続される負荷と、前記ベースをバイアスする手段
    とからなるバイアスされた低電圧ＲＦ増幅器であって、
    前記バイアス手段が前記バイアス手段を前記トランジス
    タの外部装荷の効果から緩衝するための手段を含むこと
    を特徴とする、バイアスされた低電圧ＲＦ増幅器。
  2. 【請求項２】前記バイアス手段がその温度変化によるＶ
    ＢＥおよびドリフトに対して前記トランジスタを補償す
    る手段を含み、この補償手段が演算増幅器を含み、かつ
    前記バイアス手段もまた演算増幅器を含む、請求項１に
    記載のバイアスされた低電圧ＲＦ増幅器。
  3. 【請求項３】前記負荷を通じて提供される前記コレクタ
    の直流電圧バイアスを減少させることなく、前記電源か
    ら前記ベースをバイアスするための演算増幅器を有する
    手段を含む、請求項１または２に記載のバイアスされた
    低電圧ＲＦ増幅器。
  4. 【請求項４】前記負荷を通じて提供される前記コレクタ
    の直流バイアスを減少させることなく、前記電源から前
    記ベースをバイアスするための手段を含み、前記バイア
    ス手段が前記トランジスタの外部装荷の効果から前記バ
    イアス手段を緩衝するための手段を含み、前記緩衝手段
    が演算増幅器を含む、請求項１に記載のバイアスされた
    低電圧ＲＦ増幅器。
  5. 【請求項５】電源、負荷および緩衝されたバイアス回
    路、減少した電源電圧を直接負荷に印加する段階からな
    る特定の電圧ダイナミックレンジを提供するのに要求さ
    れる電源電圧の強度を減少させる方法、あるいは電源を
    直接負荷に接続する段階からなるダイナミックレンジを
    増加させる方法を有する、低電圧交流接地エミッタトラ
    ンジスタＲＦ増幅器。
  6. 【請求項６】各増幅器の頭上スペース、従ってダイナミ
    ックレンジを増加させるようにエミッタ−コレクタ回路
    よりもむしろ複数の増幅器の各々のベースをバイアスす
    る段階からなる複数の無線周波増幅器間の上音妨害を最
    小化する方法
  7. 【請求項７】電源、負荷および緩衝されたバイアス回
    路、温度の関数としてベース電流を修正する段階からな
    る負荷の相互コンダクタンスに関してトランジスタの相
    互コンダクタンスの望ましい温度依存関係を維持する方
    法を有する、低電圧交流接地エミッタＲＦ増幅器
  8. 【請求項８】電源、内部負荷および緩衝されたバイアス
    回路、温度の関数としてベース電流を修正する段階から
    なる温度変化によるＶＢＥおよびドリフトに対して前記
    トランジスタを補償する方法を有する、低電圧交流接地
    エミッタトランジスタＲＦ増幅器。
  9. 【請求項９】そのベースに印加されるＲＦ信号、バイア
    ス回路とともにベース、コレクタおよびエミッタを有す
    るバイポーラトランジスタを含む混合器において、前記
    トランジスタのエミッタ回路よりもむしろベース回路内
    にバイアス回路を配置することを特徴とする、混合器。
  10. 【請求項１０】前記混合器が単一ＲＦ入力信号を有する
    単一平衡混合器であるか、または前記混合器が単一ＲＦ
    入力信号を有する不平衡混合器であるか、または前記混
    合器が第２のバイアス回路とベース、コレクタおよびエ
    ミッタとを有する第２のトランジスタを有し、前記第２
    のバイアス回路が前記第２のトランジスタのベース回路
    内に配置される二重平衡混合器である、請求項９に記載
    の混合器。
  11. 【請求項１１】前記２つのトランジスタが共通エミッタ
    を有し、唯一のＲＦ入力信号があり、前記共通エミッタ
    回路内に誘導子を含む、請求項１０に記載の混合器。
  12. 【請求項１２】ベース、コレクタおよびエミッタを有
    し、このベースに印加される局部発振信号を有しする２
    つのトランジスタを含む混合器において、前記トランジ
    スタの各々に対して、ベース、コレクタおよびエミッタ
    を有する補償トランジスタを付加し、前記補償トランジ
    スタのベースが前記２つのトランジスタの一方のベース
    に接続され、前記補償トランジスタのコレクタが前記２
    つのトランジスタの他方のコレクタに接続され、前記混
    合器が単一ＲＦ入力信号を有する単一平衡混合器である
    か、または前記混合器が単一ＲＦ入力信号を有する不平
    衡混合器であるか、あるいは前記補償トランジスタのエ
    ミッタが接続されていないか、または前記補償トランジ
    スタのエミッタが直接そのベースに接続されていること
    を特徴とする、混合器。
  13. 【請求項１３】それぞれベース、前記ベースを差動的に
    バイアスするための手段を有し、前記バイアス手段は抵
    抗性電圧分割器を含む２つの局部発振段トランジスタを
    含む単一の非バイアス混合器において、前記２つの局部
    発振段トランジスタのベースを差動的にバイアスする段
    階により特徴付けられる、混合器。
  14. 【請求項１４】混合器の入力、出力インピーダンスに影
    響を与えないで低電圧混合器の利得を制御する方法であ
    って、ＲＦ増幅器のエミッタ回路内の抵抗およびインピ
    ーダンスを実質的に除去し、ＲＦ増幅器のコレクタ回路
    内の抵抗値を変化させる段階からなる方法。
  15. 【請求項１５】複数の低電圧、ＲＦ、交流接地エミッタ
    回路の各々にプロセスパラメータ補償を提供する方法で
    あって、バイアス電位の共通の緩衝源から抵抗を通じて
    回路の各々のベースをバイアスし、抵抗をレーザトリミ
    ングする段階からなる方法。
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