JPH07155731A - 集じん灰の加熱脱塩素化処理方法 - Google Patents
集じん灰の加熱脱塩素化処理方法Info
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- JPH07155731A JPH07155731A JP5309491A JP30949193A JPH07155731A JP H07155731 A JPH07155731 A JP H07155731A JP 5309491 A JP5309491 A JP 5309491A JP 30949193 A JP30949193 A JP 30949193A JP H07155731 A JPH07155731 A JP H07155731A
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- dioxins
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱処理装置を適正条件で運転して装置の延
命とランニングコストの低減を図ることができる集じん
灰の加熱脱塩素化処理方法を提供する。 【構成】 加熱管1に導入される集じん灰Aおよび加熱
管1から排出される処理灰B中のヘキサクロルベンゼン
濃度を自動分析装置5によって所定間隔で検出し、これ
に基いて加熱装置におけるダイオキシン類の除去率を推
定し、推定した除去率に基いて加熱装置の加熱条件を調
節する。 【効果】 装置寿命の延命とランニングコストの低減を
図ることができる。
命とランニングコストの低減を図ることができる集じん
灰の加熱脱塩素化処理方法を提供する。 【構成】 加熱管1に導入される集じん灰Aおよび加熱
管1から排出される処理灰B中のヘキサクロルベンゼン
濃度を自動分析装置5によって所定間隔で検出し、これ
に基いて加熱装置におけるダイオキシン類の除去率を推
定し、推定した除去率に基いて加熱装置の加熱条件を調
節する。 【効果】 装置寿命の延命とランニングコストの低減を
図ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集じん灰の加熱脱塩素
化処理方法に係り、さらに詳しくは、都市ごみ、産業廃
棄物等の廃棄物焼却炉から排出される排ガスの処理工程
で捕集された集じん灰に含まれる、ダイオキシン等の有
害塩素化合物(以下、ダイオキシン類という)を分解、
除去する集じん灰の加熱脱塩素化処理方法に関する。
化処理方法に係り、さらに詳しくは、都市ごみ、産業廃
棄物等の廃棄物焼却炉から排出される排ガスの処理工程
で捕集された集じん灰に含まれる、ダイオキシン等の有
害塩素化合物(以下、ダイオキシン類という)を分解、
除去する集じん灰の加熱脱塩素化処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】人体および環境にとって有害なダイオキ
シン類、すなわち4〜8塩素化のPCDDS (ポリ塩素
化ジベンゾパラダイオキシン)や4〜8塩素化のPCD
FS (ポリ塩素化ジベンゾフラン)は、都市ごみ焼却処
理施設から排出される排ガスおよび集じん灰に含有さ
れ、環境を汚染することが知られている。
シン類、すなわち4〜8塩素化のPCDDS (ポリ塩素
化ジベンゾパラダイオキシン)や4〜8塩素化のPCD
FS (ポリ塩素化ジベンゾフラン)は、都市ごみ焼却処
理施設から排出される排ガスおよび集じん灰に含有さ
れ、環境を汚染することが知られている。
【0003】国は、その対策として平成2年12月26
日付厚生省生活衛生局水道環境部長通知衛生環第260
号別添の「ダイオキシン類発生防止等ガイドライン」で
総括的な対策を取りまとめている。このガイドラインに
よれば、集じん灰中のダンオキシン類の処理に関して
「最終処分される焼却灰等のダンオキシン類の灰処理技
術としては(1)加熱脱塩素化処理、(2)溶融固化処
理のようなものがあり、今後重金属類の挙動を含めた技
術開発や研究を推進し、実用化をめざすことが望まし
い。」と記載されている。
日付厚生省生活衛生局水道環境部長通知衛生環第260
号別添の「ダイオキシン類発生防止等ガイドライン」で
総括的な対策を取りまとめている。このガイドラインに
よれば、集じん灰中のダンオキシン類の処理に関して
「最終処分される焼却灰等のダンオキシン類の灰処理技
術としては(1)加熱脱塩素化処理、(2)溶融固化処
理のようなものがあり、今後重金属類の挙動を含めた技
術開発や研究を推進し、実用化をめざすことが望まし
い。」と記載されている。
【0004】このような集じん灰中のダイオキシン類を
低減する技術としては、例えば本発明者らの提案による
特開平2−78479号公報(ごみ焼却炉の焼却灰処理
方法および処理装置)があげられる。この処理方法およ
び処理装置によれば、ごみ焼却処理施設から回収される
焼却灰を300℃以上に加熱することにより、灰中のダ
イオキシンをはじめとする有機塩素化合物を効果的に分
解できるとともに、排ガス集じん装置における灰の滞留
部に加熱手段を設けて前記充満した焼却灰を加熱処理す
ることにより、焼却灰中の有機塩素化合物をほぼ完全に
無害化処理することができる。
低減する技術としては、例えば本発明者らの提案による
特開平2−78479号公報(ごみ焼却炉の焼却灰処理
方法および処理装置)があげられる。この処理方法およ
び処理装置によれば、ごみ焼却処理施設から回収される
焼却灰を300℃以上に加熱することにより、灰中のダ
イオキシンをはじめとする有機塩素化合物を効果的に分
解できるとともに、排ガス集じん装置における灰の滞留
部に加熱手段を設けて前記充満した焼却灰を加熱処理す
ることにより、焼却灰中の有機塩素化合物をほぼ完全に
無害化処理することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術では、加熱装置における集じん灰中のダイオキシン
類の分解性能、すなわち加熱処理前後の集じん灰に含ま
れるダイオキシン類の濃度変化はモニタリングされてお
らず、加熱処理装置は安全サイドすなわち、必要以上の
高温で長い平均滞留時間をかけて運転されており、高温
腐食による装置寿命の低下やランニングコストの高騰を
招くという問題があった。
技術では、加熱装置における集じん灰中のダイオキシン
類の分解性能、すなわち加熱処理前後の集じん灰に含ま
れるダイオキシン類の濃度変化はモニタリングされてお
らず、加熱処理装置は安全サイドすなわち、必要以上の
高温で長い平均滞留時間をかけて運転されており、高温
腐食による装置寿命の低下やランニングコストの高騰を
招くという問題があった。
【0006】ところで、集じん灰中のダイオキシン類の
定量は、サンプリングした灰を、例えばトルエン等の有
機溶剤と混合してダイオキシン類を抽出し、この抽出液
を必要に応じて前処理したのち、GC/MS(ガスクロ
マトグラフィ質量分析計)を用いて行われている。この
ために、分析結果が得られるまでに少なくとも1週間程
度を要し、加熱処理前後における灰中濃度を直接モニタ
リングすることは物理的に不可能であった。またこのよ
うな分析には多大な費用を要するという問題があった。
定量は、サンプリングした灰を、例えばトルエン等の有
機溶剤と混合してダイオキシン類を抽出し、この抽出液
を必要に応じて前処理したのち、GC/MS(ガスクロ
マトグラフィ質量分析計)を用いて行われている。この
ために、分析結果が得られるまでに少なくとも1週間程
度を要し、加熱処理前後における灰中濃度を直接モニタ
リングすることは物理的に不可能であった。またこのよ
うな分析には多大な費用を要するという問題があった。
【0007】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、加熱処理装置を、ダイオキシン類を分解除去で
きる適正な条件で運転し、装置の延命とランニングコス
トの低減を図ることができる、集じん灰の加熱脱塩素化
処理方法を提供することにある。
解決し、加熱処理装置を、ダイオキシン類を分解除去で
きる適正な条件で運転し、装置の延命とランニングコス
トの低減を図ることができる、集じん灰の加熱脱塩素化
処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は、集じん灰の
加熱脱塩素化処理装置を適正条件で稼動させるために
は、加熱装置におけるダイオキシン類の除去率をモニタ
リングすればよいことに着目し、加熱処理前後の、ダイ
オキシン類濃度と特定の有機塩素化合物濃度との関係に
ついて鋭意研究した結果、ダイオキシン類に比べて分析
操作が著しく容易なクロルベンゼン類またはクロルフェ
ノール類の除去率と前記ダイオキシン類の除去率との間
に強い相関関係があることを発見し、前記クロルベンゼ
ン類およびクロルフェノール類の少なくとも1種を指標
物質として用い、その加熱前後における濃度変化を測定
することによりダイオキシン類の除去率を推算し、これ
に基いて加熱装置の加熱温度、灰の平均滞留時間等の加
熱条件を制御すれば無用の高温および不必要な滞留時間
の延長を防止できることを見出し、本発明に到達した。
加熱脱塩素化処理装置を適正条件で稼動させるために
は、加熱装置におけるダイオキシン類の除去率をモニタ
リングすればよいことに着目し、加熱処理前後の、ダイ
オキシン類濃度と特定の有機塩素化合物濃度との関係に
ついて鋭意研究した結果、ダイオキシン類に比べて分析
操作が著しく容易なクロルベンゼン類またはクロルフェ
ノール類の除去率と前記ダイオキシン類の除去率との間
に強い相関関係があることを発見し、前記クロルベンゼ
ン類およびクロルフェノール類の少なくとも1種を指標
物質として用い、その加熱前後における濃度変化を測定
することによりダイオキシン類の除去率を推算し、これ
に基いて加熱装置の加熱温度、灰の平均滞留時間等の加
熱条件を制御すれば無用の高温および不必要な滞留時間
の延長を防止できることを見出し、本発明に到達した。
【0009】また本発明者は、前記クロルベンゼン類の
中でもペンタクロルベンゼンやヘキサクロルベンゼンに
は異性体がなく、分析が容易かつ正確であることに着目
し、これらを加熱装置におけるダイオキシン類の除去率
をモニタリングする指標物質として用いることにより、
ダイオキシン類の除去率を迅速かつ正確に推定できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
中でもペンタクロルベンゼンやヘキサクロルベンゼンに
は異性体がなく、分析が容易かつ正確であることに着目
し、これらを加熱装置におけるダイオキシン類の除去率
をモニタリングする指標物質として用いることにより、
ダイオキシン類の除去率を迅速かつ正確に推定できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
【0010】すなわち、本願で特許請求される発明は以
下のとおりである。 (1)ごみ焼却処理施設の排ガス処理工程で捕集された
集じん灰を加熱装置に導入して加熱し、前記集じん灰に
含まれるダイオキシン類を分解する集じん灰の加熱脱塩
素化処理方法において、前記加熱装置入口の加熱処理前
の集じん灰および加熱装置出口の加熱処理後の集じん灰
にそれぞれ含まれるクロルベンゼン類およびクロルフェ
ノール類の少なくとも1種を定量して前記加熱装置にお
けるダイオキシン類の除去率を推定し、該推定したダイ
オキシン類の除去率に基いて加熱条件を調節することを
特徴とする集じん灰の加熱脱塩素化処理方法。 (2)集じん灰の加熱処理前後のペンタクロルベンゼン
またはヘキサクロルベンゼン含有量を測定して加熱装置
におけるダイオキシン類の除去率を推定することを特徴
とする(1)記載の集じん灰の加熱脱塩素化処理方法。
下のとおりである。 (1)ごみ焼却処理施設の排ガス処理工程で捕集された
集じん灰を加熱装置に導入して加熱し、前記集じん灰に
含まれるダイオキシン類を分解する集じん灰の加熱脱塩
素化処理方法において、前記加熱装置入口の加熱処理前
の集じん灰および加熱装置出口の加熱処理後の集じん灰
にそれぞれ含まれるクロルベンゼン類およびクロルフェ
ノール類の少なくとも1種を定量して前記加熱装置にお
けるダイオキシン類の除去率を推定し、該推定したダイ
オキシン類の除去率に基いて加熱条件を調節することを
特徴とする集じん灰の加熱脱塩素化処理方法。 (2)集じん灰の加熱処理前後のペンタクロルベンゼン
またはヘキサクロルベンゼン含有量を測定して加熱装置
におけるダイオキシン類の除去率を推定することを特徴
とする(1)記載の集じん灰の加熱脱塩素化処理方法。
【0011】
【作用】加熱処理前後におけるクロルベンゼン類および
クロルフェノール類のうち少なくとも1種を定量するこ
とにより、加熱処理装置におけるダイオキシン類の除去
率を推定することができるので、この推定したダイオキ
シン類の除去率に基いて目的とするダイオキシン類の除
去率が得られるように加熱温度、灰の装置内滞留時間を
はじめとする加熱条件を調節することにより、無用な高
温および不必要な滞留時間の延長が回避される。
クロルフェノール類のうち少なくとも1種を定量するこ
とにより、加熱処理装置におけるダイオキシン類の除去
率を推定することができるので、この推定したダイオキ
シン類の除去率に基いて目的とするダイオキシン類の除
去率が得られるように加熱温度、灰の装置内滞留時間を
はじめとする加熱条件を調節することにより、無用な高
温および不必要な滞留時間の延長が回避される。
【0012】図2および図3は、それぞれ本発明の原理
を示す説明図であって、図2は、集じん灰を加熱処理し
た場合のヘキサクロルベンゼンの除去率とダイオキシン
類の除去率との関係を示す図である。また図3は、同じ
く集じん灰を加熱処理した場合の各加熱温度におけるヘ
キサクロルベンゼンの分解率とダイオキシン類の分解率
との関係を示す図であって、ダイオキシン類をPCDD
S とPCDFS とに分けて表示したものである。図2に
おいて、ヘキサクロルベンゼンの除去率とダイオキシン
類の除去率とは、除去率90〜99.9%の範囲でほぼ
比例関係にあり、しかも、ダイオキシン類の除去率の方
がヘキサクロルベンゼンの除去率よりも高くなる傾向を
示している。また、図3において、ダイオキシン類の分
解率(除去率)はヘキサクロルベンゼンの分解率よりも
高く、ヘキサクロルベンゼン<PCDFS <PCDDS
の順に分解率が高くなっていることが分かる。従って図
2および図3から、加熱処理装置におけるヘキサクロル
ベンゼンの除去率を測定すれば、ダイオキシン類の除去
率はそれよりも高くなることが保証される。ヘキサクロ
ルベンゼン以外のクロルベンゼンまたはクロルフェノー
ル類についてもほぼ同様の関係が認められる。
を示す説明図であって、図2は、集じん灰を加熱処理し
た場合のヘキサクロルベンゼンの除去率とダイオキシン
類の除去率との関係を示す図である。また図3は、同じ
く集じん灰を加熱処理した場合の各加熱温度におけるヘ
キサクロルベンゼンの分解率とダイオキシン類の分解率
との関係を示す図であって、ダイオキシン類をPCDD
S とPCDFS とに分けて表示したものである。図2に
おいて、ヘキサクロルベンゼンの除去率とダイオキシン
類の除去率とは、除去率90〜99.9%の範囲でほぼ
比例関係にあり、しかも、ダイオキシン類の除去率の方
がヘキサクロルベンゼンの除去率よりも高くなる傾向を
示している。また、図3において、ダイオキシン類の分
解率(除去率)はヘキサクロルベンゼンの分解率よりも
高く、ヘキサクロルベンゼン<PCDFS <PCDDS
の順に分解率が高くなっていることが分かる。従って図
2および図3から、加熱処理装置におけるヘキサクロル
ベンゼンの除去率を測定すれば、ダイオキシン類の除去
率はそれよりも高くなることが保証される。ヘキサクロ
ルベンゼン以外のクロルベンゼンまたはクロルフェノー
ル類についてもほぼ同様の関係が認められる。
【0013】このように本発明は、ダイオキシン類の除
去率を推算する指標物質として、分析が容易な、例えば
ヘキサクロルベンゼンを用い、その除去率を求めること
によってダイオキシン類の除去率を推算し、これを目安
として加熱装置の運転条件を調節して目的とするダイオ
キシン類除去率を達成するものである。本発明におい
て、ダイオキシン類とは、4〜8塩素化のポリ塩素化ジ
ベンゾパラダイオキシン(PCDDS )と4〜8塩素化
のポリ塩素化ジベンゾフラン(PCDFS )の総称をい
う。
去率を推算する指標物質として、分析が容易な、例えば
ヘキサクロルベンゼンを用い、その除去率を求めること
によってダイオキシン類の除去率を推算し、これを目安
として加熱装置の運転条件を調節して目的とするダイオ
キシン類除去率を達成するものである。本発明におい
て、ダイオキシン類とは、4〜8塩素化のポリ塩素化ジ
ベンゾパラダイオキシン(PCDDS )と4〜8塩素化
のポリ塩素化ジベンゾフラン(PCDFS )の総称をい
う。
【0014】本発明において加熱処理装置の形式は、集
じん灰を加熱できるものであれば特に限定されず、加熱
管方式の他、例えば水平型スクリュー、傾斜角スクリュ
ー、縦形スクリュー、多管式ロータリーキルン等が使用
される。また加熱方式としては電熱ヒータの他、例えば
排ガスまたは高温粉体との熱交換方式、バーナ方式、マ
イクロ波方式等が用いられるが、特に限定されない。
じん灰を加熱できるものであれば特に限定されず、加熱
管方式の他、例えば水平型スクリュー、傾斜角スクリュ
ー、縦形スクリュー、多管式ロータリーキルン等が使用
される。また加熱方式としては電熱ヒータの他、例えば
排ガスまたは高温粉体との熱交換方式、バーナ方式、マ
イクロ波方式等が用いられるが、特に限定されない。
【0015】本発明において、ダイオキシン類の除去率
を推定するために用いる測定指標物質は、ヘキサクロル
ベンゼン、ペンタクロルベンゼンのほか、他のクロルベ
ンゼン類、クロルフェノール類またはこれらの組み合わ
せが用いられる。また、これら測定指標物質の分析装置
としては、例えばGC/ECD(ガスクロマトグラフィ
ー電子捕獲検出器)が使用されるが、灰中のクロルベン
ベン類またはクロルフェノール類を定量できるものであ
ればこれ以外のものであってもよく、特に限定されな
い。
を推定するために用いる測定指標物質は、ヘキサクロル
ベンゼン、ペンタクロルベンゼンのほか、他のクロルベ
ンゼン類、クロルフェノール類またはこれらの組み合わ
せが用いられる。また、これら測定指標物質の分析装置
としては、例えばGC/ECD(ガスクロマトグラフィ
ー電子捕獲検出器)が使用されるが、灰中のクロルベン
ベン類またはクロルフェノール類を定量できるものであ
ればこれ以外のものであってもよく、特に限定されな
い。
【0016】本発明において、加熱管内の気相を窒素で
置換するか、または集じん灰に、例えば5重量%程度の
消石灰を添加して加熱することにより、集じん灰の加熱
温度を約50〜100℃低減しても同様のダイオキシン
類除去率が得られる。
置換するか、または集じん灰に、例えば5重量%程度の
消石灰を添加して加熱することにより、集じん灰の加熱
温度を約50〜100℃低減しても同様のダイオキシン
類除去率が得られる。
【0017】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。図1は、本発明の一実施例に用いられる集じん灰
の加熱脱塩素化処理装置の説明図である。この加熱処理
装置は、出口側が入口側よりもわずかに低くなるように
傾斜させた加熱管1と、該加熱管1の入口フード2およ
び出口フード3と、前記加熱管1に集じん灰Aを導入す
る定量供給機6と、前記加熱管1を加熱する加熱装置7
および回転駆動する駆動装置8と、加熱処理された処理
灰Bを排出する前記出口フード3の出口に設けられた処
理灰B中のヘキサクロルベンゼン量を検出する自動分析
装置5と、その後流のシール装置4と、求めた処理灰B
中のヘキサクロルベンゼン量およびあらかじめ検出され
た前記集じん灰A中のヘキサクロルベンゼン量に基い
て、ヘキサクロルベンゼンの除去率を求め、求めた除去
率に基いてダイオキシン類の除去率を推算し、前記加熱
装置7および駆動装置8の加熱温度および回転数をそれ
ぞれ制御する制御装置12から主として構成されてい
る。なお、9および10は温度検出器、11は排風機で
ある。
する。図1は、本発明の一実施例に用いられる集じん灰
の加熱脱塩素化処理装置の説明図である。この加熱処理
装置は、出口側が入口側よりもわずかに低くなるように
傾斜させた加熱管1と、該加熱管1の入口フード2およ
び出口フード3と、前記加熱管1に集じん灰Aを導入す
る定量供給機6と、前記加熱管1を加熱する加熱装置7
および回転駆動する駆動装置8と、加熱処理された処理
灰Bを排出する前記出口フード3の出口に設けられた処
理灰B中のヘキサクロルベンゼン量を検出する自動分析
装置5と、その後流のシール装置4と、求めた処理灰B
中のヘキサクロルベンゼン量およびあらかじめ検出され
た前記集じん灰A中のヘキサクロルベンゼン量に基い
て、ヘキサクロルベンゼンの除去率を求め、求めた除去
率に基いてダイオキシン類の除去率を推算し、前記加熱
装置7および駆動装置8の加熱温度および回転数をそれ
ぞれ制御する制御装置12から主として構成されてい
る。なお、9および10は温度検出器、11は排風機で
ある。
【0018】このような構成において、定量供給装置6
によって払い出された集じん灰Aは入口フード2を経
て、わずかに出口側へ傾斜し、駆動装置8によって回転
される加熱管1に導入され、該加熱管内で加熱装置7に
よって加熱され、所定の滞留時間を経て加熱装置内を出
口方向に移動し、この間に、前記集じん灰Aに含まれる
PCDDS 、PCDFS 等のダイオキシン類が分解して
気相中に移行する。分解生成した分解生成ガスは処理灰
Bと分離されたのち出口フード3を流出し、排風機11
を経て灰ガスCとして装置外に抜き出され、例えばごみ
焼却処理施設の排ガス処理装置の集じん装置前流に導入
されて別途処理される。一方、ダイオキシン類が分解除
去された集じん灰は、出口フード3で分解ガスと分離さ
れた後、シール装置4を経て処理灰Bとして系外へ排出
される。このとき前記シール装置4の前流に配置された
分析装置5によって前記処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度が所定間隔で連続的に検出され、その信号が制
御装置12に送られる。処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度信号を受けた制御装置12は、前記検出値とあ
らかじめ求めた加熱装置入口の集じん灰Aのヘキサクロ
ルベンゼン濃度とから前記加熱装置におけるヘキサクロ
ルベンゼンの除去率を求め、該除去率からダイオキシン
類の除去率を推算し、推算したダイオキシン類の除去率
が目的とする除去率よりも低い場合は、加熱温度を上げ
るように、または加熱管の傾斜角度を小さくするかもし
くは回転数を少なくして滞留時間が長くなるように、加
熱装置7、駆動装置8および図示省略した加熱管1の傾
斜角変更手段に信号を送り、除去率の向上を図る。他
方、推算した除去率が目的とする除去率よりも高い場合
には、加熱温度を下げるように、または加熱管の傾斜角
度を大きくするかもしくは加熱管の回転数を高くして灰
の加熱管内滞留時間を短くして加熱条件の緩和を図る。
によって払い出された集じん灰Aは入口フード2を経
て、わずかに出口側へ傾斜し、駆動装置8によって回転
される加熱管1に導入され、該加熱管内で加熱装置7に
よって加熱され、所定の滞留時間を経て加熱装置内を出
口方向に移動し、この間に、前記集じん灰Aに含まれる
PCDDS 、PCDFS 等のダイオキシン類が分解して
気相中に移行する。分解生成した分解生成ガスは処理灰
Bと分離されたのち出口フード3を流出し、排風機11
を経て灰ガスCとして装置外に抜き出され、例えばごみ
焼却処理施設の排ガス処理装置の集じん装置前流に導入
されて別途処理される。一方、ダイオキシン類が分解除
去された集じん灰は、出口フード3で分解ガスと分離さ
れた後、シール装置4を経て処理灰Bとして系外へ排出
される。このとき前記シール装置4の前流に配置された
分析装置5によって前記処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度が所定間隔で連続的に検出され、その信号が制
御装置12に送られる。処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度信号を受けた制御装置12は、前記検出値とあ
らかじめ求めた加熱装置入口の集じん灰Aのヘキサクロ
ルベンゼン濃度とから前記加熱装置におけるヘキサクロ
ルベンゼンの除去率を求め、該除去率からダイオキシン
類の除去率を推算し、推算したダイオキシン類の除去率
が目的とする除去率よりも低い場合は、加熱温度を上げ
るように、または加熱管の傾斜角度を小さくするかもし
くは回転数を少なくして滞留時間が長くなるように、加
熱装置7、駆動装置8および図示省略した加熱管1の傾
斜角変更手段に信号を送り、除去率の向上を図る。他
方、推算した除去率が目的とする除去率よりも高い場合
には、加熱温度を下げるように、または加熱管の傾斜角
度を大きくするかもしくは加熱管の回転数を高くして灰
の加熱管内滞留時間を短くして加熱条件の緩和を図る。
【0019】本実施例によれば、加熱処理装置出口の処
理灰B中のヘキサクロルベンゼン濃度をモニタリング
し、これとあらかじめ求めた加熱装置入口のヘキサクロ
ルベンゼン濃度とから、加熱装置におけるダイオキシン
類の除去率を推算し、これに基いて加熱装置の加熱条件
を調節することにより、不必要な高温加熱をなくし、無
駄な滞留時間の延長を防止することができる。従って集
じん灰中のダイオキシン類を目的とする除去率で分解処
理できるだけでなく、装置寿命の延命およびランニング
コストの低減を図ることができる。
理灰B中のヘキサクロルベンゼン濃度をモニタリング
し、これとあらかじめ求めた加熱装置入口のヘキサクロ
ルベンゼン濃度とから、加熱装置におけるダイオキシン
類の除去率を推算し、これに基いて加熱装置の加熱条件
を調節することにより、不必要な高温加熱をなくし、無
駄な滞留時間の延長を防止することができる。従って集
じん灰中のダイオキシン類を目的とする除去率で分解処
理できるだけでなく、装置寿命の延命およびランニング
コストの低減を図ることができる。
【0020】本実施例において、被処理灰の加熱装置内
平均滞留時間は前記加熱管1の回転数と傾斜角度を調節
することによって制御される。加熱管の傾斜角度の調節
は、例えば油圧シリンダーで傾斜角度を上げる等、公知
の方法で行われる。本実施例において、処理灰B中のヘ
キサクロルベンゼンの分析装置としては、例えばGC/
ECD(ガスクロマトグラフィー電子捕獲検出器)が使
用され、その定量は次のように行われる。すなわち、処
理灰Bの一定量、例えば5gを分取し、これをアセトン
約10mlに混合して目的成分であるヘキサクロルベン
ゼンを抽出する。次いで抽出液の一部、例えば5μlを
GC/ECDへ導入し、例えばキャピラリーカラムを用
いて定量する。1検体の分析所要時間は2〜30分であ
る。
平均滞留時間は前記加熱管1の回転数と傾斜角度を調節
することによって制御される。加熱管の傾斜角度の調節
は、例えば油圧シリンダーで傾斜角度を上げる等、公知
の方法で行われる。本実施例において、処理灰B中のヘ
キサクロルベンゼンの分析装置としては、例えばGC/
ECD(ガスクロマトグラフィー電子捕獲検出器)が使
用され、その定量は次のように行われる。すなわち、処
理灰Bの一定量、例えば5gを分取し、これをアセトン
約10mlに混合して目的成分であるヘキサクロルベン
ゼンを抽出する。次いで抽出液の一部、例えば5μlを
GC/ECDへ導入し、例えばキャピラリーカラムを用
いて定量する。1検体の分析所要時間は2〜30分であ
る。
【0021】本実施例では、加熱処理後の処理灰B中の
ヘキサクロルベンゼン濃度をモニタリングし、これとあ
らかじめ求めた加熱処理前の集じん灰A中のヘキサクロ
ルベンゼン濃度に基いて加熱装置におけるダイオキシン
類の除去率を推定したが、例えば定量供給装置6と加熱
装置1の間に自動分析装置5を配置し、前記集じん灰A
中のヘキサクロルベンゼン濃度も処理灰B中の濃度と同
様にモニタリングし、所定間隔で連続的に検出される入
口および出口の濃度からダイオキシン類の除去率を推定
することもできる。
ヘキサクロルベンゼン濃度をモニタリングし、これとあ
らかじめ求めた加熱処理前の集じん灰A中のヘキサクロ
ルベンゼン濃度に基いて加熱装置におけるダイオキシン
類の除去率を推定したが、例えば定量供給装置6と加熱
装置1の間に自動分析装置5を配置し、前記集じん灰A
中のヘキサクロルベンゼン濃度も処理灰B中の濃度と同
様にモニタリングし、所定間隔で連続的に検出される入
口および出口の濃度からダイオキシン類の除去率を推定
することもできる。
【0022】次に本発明の具体的実施例を説明する。出
口側に5゜傾斜した図1の装置を用い、ダイオキシン類
の分解除去率99%を目的とし、処理量100kg/h
r、灰の平均滞留時間10minとして都市ごみ焼却処
理施設から排出されるバグフィルタ灰を加熱処理した。
出口フード3を流出する処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度を10分置きに検出し、求めた処理灰B中のヘ
キサクロルベンゼン濃度とあらかじめ求めた加熱処理前
の集じん灰Aのヘキサクロルベンゼン濃度(28ng/
g)から前記加熱装置におけるヘキサクロルベンゼンの
除去率を求め、このヘキサクロルベンゼンの除去率が9
5%よりも低くなる場合には、加熱管の傾斜角度を3
゜、平均滞留時間を約20分として前記ヘキサクロルベ
ンゼンの除去率を95%以上に維持し、加熱脱塩素化処
理を行った。このとき加熱管1の加熱温度は約450
℃、回転数6rpmであった。
口側に5゜傾斜した図1の装置を用い、ダイオキシン類
の分解除去率99%を目的とし、処理量100kg/h
r、灰の平均滞留時間10minとして都市ごみ焼却処
理施設から排出されるバグフィルタ灰を加熱処理した。
出口フード3を流出する処理灰B中のヘキサクロルベン
ゼン濃度を10分置きに検出し、求めた処理灰B中のヘ
キサクロルベンゼン濃度とあらかじめ求めた加熱処理前
の集じん灰Aのヘキサクロルベンゼン濃度(28ng/
g)から前記加熱装置におけるヘキサクロルベンゼンの
除去率を求め、このヘキサクロルベンゼンの除去率が9
5%よりも低くなる場合には、加熱管の傾斜角度を3
゜、平均滞留時間を約20分として前記ヘキサクロルベ
ンゼンの除去率を95%以上に維持し、加熱脱塩素化処
理を行った。このとき加熱管1の加熱温度は約450
℃、回転数6rpmであった。
【0023】試験結果を第1表に示す。
【0024】
【表1】
【0025】第1表において、ダイオキシン類の除去率
は安定して99%以上であったことが分かる。本実施例
によれば、従来ダイオキシン類の除去率99%以上を得
るために、500℃程度で加熱処理していたものを、同
様のダイオキシン類除去率を400〜500℃の加熱温
度で達成できるので、加熱管の高温腐食を防止し、装置
寿命を延命することができる。またこれに伴ってランン
グコストを大幅に低減することができる。
は安定して99%以上であったことが分かる。本実施例
によれば、従来ダイオキシン類の除去率99%以上を得
るために、500℃程度で加熱処理していたものを、同
様のダイオキシン類除去率を400〜500℃の加熱温
度で達成できるので、加熱管の高温腐食を防止し、装置
寿命を延命することができる。またこれに伴ってランン
グコストを大幅に低減することができる。
【0026】
【発明の効果】本願の請求項1記載の発明によれば、加
熱装置入口および出口における灰中のクロルベンゼン類
およびクロルフェノール類の少ないとも1種を定量して
加熱装置におけるダイオキシン類の除去率を推算し、こ
れによって加熱条件を調節するようにしたことにより、
前記加熱装置におけるダイオキシン類の除去率をモニタ
リングすることができるので、無用の加熱温度の上昇ま
たは不必要な滞留時間の延長を防止することができる。
従って、高温腐食を防止して装置寿命を延命することが
できるうえ、ランニングコストを大幅に低減することが
できる。
熱装置入口および出口における灰中のクロルベンゼン類
およびクロルフェノール類の少ないとも1種を定量して
加熱装置におけるダイオキシン類の除去率を推算し、こ
れによって加熱条件を調節するようにしたことにより、
前記加熱装置におけるダイオキシン類の除去率をモニタ
リングすることができるので、無用の加熱温度の上昇ま
たは不必要な滞留時間の延長を防止することができる。
従って、高温腐食を防止して装置寿命を延命することが
できるうえ、ランニングコストを大幅に低減することが
できる。
【0027】本願の請求項2記載の発明によれば、ダイ
オキシン類の除去率を推算するための指標物質として異
性体がなく、分析が容易なペンタクロルベンゼンまたは
ヘキサクロルベンゼンを用いることにより、上記発明の
効果に加え、ダイオキシン類の除去率を迅速かつ正確に
モニタリングすることができる。
オキシン類の除去率を推算するための指標物質として異
性体がなく、分析が容易なペンタクロルベンゼンまたは
ヘキサクロルベンゼンを用いることにより、上記発明の
効果に加え、ダイオキシン類の除去率を迅速かつ正確に
モニタリングすることができる。
【図1】本発明の一実施例に用いる加熱脱塩素化装置の
説明図。
説明図。
【図2】本発明の原理を示す説明図。
【図3】本発明の原理を示す説明図。
1…加熱管、2…入口フード、3…出口フード、4…シ
ール装置、5…ヘキサクロルベンゼンの自動分析装置、
6…定量供給装置、7…加熱装置、8…駆動装置、9…
温度検出器、10…温度検出器、11…排風機、12…
制御装置。
ール装置、5…ヘキサクロルベンゼンの自動分析装置、
6…定量供給装置、7…加熱装置、8…駆動装置、9…
温度検出器、10…温度検出器、11…排風機、12…
制御装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 F23G 7/00 103 Z 9430−3K (72)発明者 工藤 宏 東京都品川区大崎1丁目6番1号 三造環 境エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 高須賀 玄太郎 千葉県市原市八幡海岸通1番地 三井造船 株式会社千葉事業所内 (72)発明者 板谷 真積 千葉県市原市八幡海岸通1番地 三井造船 株式会社千葉事業所内
Claims (2)
- 【請求項1】 ごみ焼却処理施設の排ガス処理工程で捕
集された集じん灰を加熱装置に導入して加熱し、前記集
じん灰に含まれるダイオキシン類を分解する集じん灰の
加熱脱塩素化処理方法において、前記加熱装置入口の加
熱処理前の集じん灰および加熱装置出口の加熱処理後の
集じん灰にそれぞれ含まれるクロルベンゼン類およびク
ロルフェノール類の少なくとも1種を定量して前記加熱
装置におけるダイオキシン類の除去率を推定し、該推定
したダイオキシン類の除去率に基いて加熱条件を調節す
ることを特徴とする集じん灰の加熱脱塩素化処理方法。 - 【請求項2】 集じん灰の加熱処理前後のペンタクロル
ベンゼンまたはヘキサクロルベンゼン含有量を測定して
加熱装置におけるダイオキシン類の除去率を推定するこ
とを特徴とする請求項1記載の集じん灰の加熱脱塩素化
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309491A JPH07155731A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 集じん灰の加熱脱塩素化処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309491A JPH07155731A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 集じん灰の加熱脱塩素化処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07155731A true JPH07155731A (ja) | 1995-06-20 |
Family
ID=17993636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5309491A Pending JPH07155731A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 集じん灰の加熱脱塩素化処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07155731A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002126687A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-08 | Chisaki:Kk | 付着性物質の加熱処理装置及び方法 |
| WO2002094463A1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-11-28 | Art Ceramic Co., Ltd. | Intermittent flowing type thermal decomposer |
| US6580067B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-06-17 | Hitachi, Ltd. | Sample analyzing monitor and combustion control system using the same |
| US6723286B2 (en) | 1998-11-25 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Chemical monitoring method and apparatus, and incinerator |
| CN115488137A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-12-20 | 重庆三峰环境集团股份有限公司 | 一种垃圾焚烧飞灰二噁英降解系统及方法 |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP5309491A patent/JPH07155731A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723286B2 (en) | 1998-11-25 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Chemical monitoring method and apparatus, and incinerator |
| US6580067B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-06-17 | Hitachi, Ltd. | Sample analyzing monitor and combustion control system using the same |
| WO2002094463A1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-11-28 | Art Ceramic Co., Ltd. | Intermittent flowing type thermal decomposer |
| US6877444B2 (en) | 1999-12-10 | 2005-04-12 | Art Ceramic Co., Ltd. | Intermittent flow type thermal decomposer |
| JP2002126687A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-08 | Chisaki:Kk | 付着性物質の加熱処理装置及び方法 |
| CN115488137A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-12-20 | 重庆三峰环境集团股份有限公司 | 一种垃圾焚烧飞灰二噁英降解系统及方法 |
| CN115488137B (zh) * | 2022-09-23 | 2024-05-28 | 重庆三峰环境集团股份有限公司 | 一种垃圾焚烧飞灰二噁英降解系统及方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020409 |