JPH07159440A - 半導体用テスタ−の電極ユニット - Google Patents
半導体用テスタ−の電極ユニットInfo
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- JPH07159440A JPH07159440A JP5339572A JP33957293A JPH07159440A JP H07159440 A JPH07159440 A JP H07159440A JP 5339572 A JP5339572 A JP 5339572A JP 33957293 A JP33957293 A JP 33957293A JP H07159440 A JPH07159440 A JP H07159440A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体、及び電子回路の特性を容易に測定し
うるテスタ−に用いる電極ユニットを提供する。 【構成】 所定のピッチで複数の絶縁層1の層間に導電
層2が積層された多層積層体3の少なくとも一端にエッ
チング部4が設けられている半導体用テスタ−の電極ユ
ニット。また、所定のピッチで複数の絶縁層1の層間に
導電層2が積層された多層積層体3の少なくとも一端に
エッチング部4が設けられ、該エッチング部4に導電性
弾性体が装着されている半導体用テスタ−の電極ユニッ
ト。導電性弾性体として、S字形のバネ材71、U字形
のバネ材72等を用いる。
うるテスタ−に用いる電極ユニットを提供する。 【構成】 所定のピッチで複数の絶縁層1の層間に導電
層2が積層された多層積層体3の少なくとも一端にエッ
チング部4が設けられている半導体用テスタ−の電極ユ
ニット。また、所定のピッチで複数の絶縁層1の層間に
導電層2が積層された多層積層体3の少なくとも一端に
エッチング部4が設けられ、該エッチング部4に導電性
弾性体が装着されている半導体用テスタ−の電極ユニッ
ト。導電性弾性体として、S字形のバネ材71、U字形
のバネ材72等を用いる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は実装された半導体、及び
電子回路の特性を測定するテスタ−に用いる電極ユニッ
トに関するものである。
電子回路の特性を測定するテスタ−に用いる電極ユニッ
トに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、実装された半導体、及び電子
回路の特性を評価、測定するテスタ−に使用される電極
(プロ−ブ)ならびにその測定方法として、次の様な方
法が用いられている。ニ−ドルピンを用いる方法;こ
れは先端が円錐状になった金属のニ−ドルを人の手によ
り半導体リ−ドや電子回路の測定部に接触させて、テス
タ−で測定する方法である。単極クリップを用いる方
法;これはワニ口、またはL字型等金属ワイヤ−のクリ
ップを半導体リ−ドや電子回路の測定部に挾むことによ
りテスタ−で測定する方法である。複数電極クリップ
を用いる方法;これはプラスチック製の電極保持器に半
導体用のリ−ドピッチと同じピッチで電極が保持されて
いるクリップをその電極が半導体リ−ドと接触するよう
に挾むことにより、テスタ−で測定する方法である。
回路の特性を評価、測定するテスタ−に使用される電極
(プロ−ブ)ならびにその測定方法として、次の様な方
法が用いられている。ニ−ドルピンを用いる方法;こ
れは先端が円錐状になった金属のニ−ドルを人の手によ
り半導体リ−ドや電子回路の測定部に接触させて、テス
タ−で測定する方法である。単極クリップを用いる方
法;これはワニ口、またはL字型等金属ワイヤ−のクリ
ップを半導体リ−ドや電子回路の測定部に挾むことによ
りテスタ−で測定する方法である。複数電極クリップ
を用いる方法;これはプラスチック製の電極保持器に半
導体用のリ−ドピッチと同じピッチで電極が保持されて
いるクリップをその電極が半導体リ−ドと接触するよう
に挾むことにより、テスタ−で測定する方法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術においては次の様な欠点を有していた。のニ
−ドルピンを用いる方法では、(イ)ファインピッチの
半導体リ−ドを接触する場合、隣合うリ−ドを接触する
恐れがあり、正確な接触ができない。(ロ)一度に多数
の半導体リ−ドを接触できない。
従来技術においては次の様な欠点を有していた。のニ
−ドルピンを用いる方法では、(イ)ファインピッチの
半導体リ−ドを接触する場合、隣合うリ−ドを接触する
恐れがあり、正確な接触ができない。(ロ)一度に多数
の半導体リ−ドを接触できない。
【0004】の単極クリップを用いる方法では、
(ハ)半導体リ−ドピッチが0.5mm以下のリ−ドで
は、隣のリ−ドに接触するため、対応できない。(ニ)
多数の半導体リ−ドを接触する場合、その数に相当する
クリップを必要とし、クリップするのに時間がかかる。
(ハ)半導体リ−ドピッチが0.5mm以下のリ−ドで
は、隣のリ−ドに接触するため、対応できない。(ニ)
多数の半導体リ−ドを接触する場合、その数に相当する
クリップを必要とし、クリップするのに時間がかかる。
【0005】の複数電極クリップを用いる方法では、
(ホ)半導体リ−ドピッチが0.5mm以下のファイン
ピッチに対応できるものがない。(ヘ)電極が変形しや
すいため、隣の電極に接触したり、また、正確に被測定
リ−ドに接触できないことがある。(ト)(ヘ)の解決
策として、電極部を凹形に、電極と電極の間を凸形に成
型した電極保持器を採用したものがあるが、0.5mm
以下の凹凸を成型するのは樹脂の流れ性、及び強度の点
より困難である。(チ)電極保持器を通常、射出成型に
より成型するため金型等のコストがかかる。
(ホ)半導体リ−ドピッチが0.5mm以下のファイン
ピッチに対応できるものがない。(ヘ)電極が変形しや
すいため、隣の電極に接触したり、また、正確に被測定
リ−ドに接触できないことがある。(ト)(ヘ)の解決
策として、電極部を凹形に、電極と電極の間を凸形に成
型した電極保持器を採用したものがあるが、0.5mm
以下の凹凸を成型するのは樹脂の流れ性、及び強度の点
より困難である。(チ)電極保持器を通常、射出成型に
より成型するため金型等のコストがかかる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる状況に鑑
み検討されたもので、所定のピッチで複数の絶縁層の層
間に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端に
エッチング部が設けられた半導体用テスタ−の電極ユニ
ット、
み検討されたもので、所定のピッチで複数の絶縁層の層
間に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端に
エッチング部が設けられた半導体用テスタ−の電極ユニ
ット、
【0007】また、所定のピッチで複数の絶縁層の層間
に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端にエ
ッチング部が設けられ、該エッチング部に導電性弾性体
が装着されている半導体用テスタ−の電極ユニット、
に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端にエ
ッチング部が設けられ、該エッチング部に導電性弾性体
が装着されている半導体用テスタ−の電極ユニット、
【0008】更にまた、所定のピッチで複数の絶縁層の
層間に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端
にエッチング部が設けられ、該導電層に沿いながら該エ
ッチング部に導電性弾性体が装着されている半導体用テ
スタ−の電極ユニットを用いることにより前記の課題を
解決することができる。以下、本発明について詳細に説
明する。
層間に導電層が積層された多層積層体の少なくとも一端
にエッチング部が設けられ、該導電層に沿いながら該エ
ッチング部に導電性弾性体が装着されている半導体用テ
スタ−の電極ユニットを用いることにより前記の課題を
解決することができる。以下、本発明について詳細に説
明する。
【0009】本発明における絶縁層はαセルロース繊
維、ガラス繊維、アラミド繊維等から作られた紙、布、
不織布等の基材にエポキシ、不飽和ポリエステル等の熱
硬化性樹脂やポリイミド、ビスマレイミドトリアジン等
の耐熱性樹脂が含浸処理された成形用プリプレグが1枚
もしくは複数枚使用され、成形工程を経て形成される。
従って基材の種類、樹脂含浸率ならびに成形用プリプレ
グの使用枚数等により絶縁層の厚みは調節できる。
維、ガラス繊維、アラミド繊維等から作られた紙、布、
不織布等の基材にエポキシ、不飽和ポリエステル等の熱
硬化性樹脂やポリイミド、ビスマレイミドトリアジン等
の耐熱性樹脂が含浸処理された成形用プリプレグが1枚
もしくは複数枚使用され、成形工程を経て形成される。
従って基材の種類、樹脂含浸率ならびに成形用プリプレ
グの使用枚数等により絶縁層の厚みは調節できる。
【0010】導電層には銅箔、アルミ箔等の導電性に優
れ、導電機能が確保される材料であれば使用できる。
れ、導電機能が確保される材料であれば使用できる。
【0011】成形用プリプレグと導電層の積層の一手段
としては真空プレス法やハイドロプレス法が採用される
が、特に真空プレス法の方が望ましい。この理由は、高
圧にてエアーを外部に除去するハイドロプレス法では外
部から高圧を付与するためプリプレグ内部の樹脂が流出
して厚み精度が得られない欠点があるが、プリプレグ内
部やプリプレグと銅箔等との界面に残留するエアーが比
較的容易に外部に除去される真空プレス法においては、
このような欠点が解消されるからである。真空プレス法
はすでに特開昭60−258996号等で提案されてい
る様に、成形素材の内部を真空とし、成形素材の外部よ
り加圧加熱して成形硬化するものである。
としては真空プレス法やハイドロプレス法が採用される
が、特に真空プレス法の方が望ましい。この理由は、高
圧にてエアーを外部に除去するハイドロプレス法では外
部から高圧を付与するためプリプレグ内部の樹脂が流出
して厚み精度が得られない欠点があるが、プリプレグ内
部やプリプレグと銅箔等との界面に残留するエアーが比
較的容易に外部に除去される真空プレス法においては、
このような欠点が解消されるからである。真空プレス法
はすでに特開昭60−258996号等で提案されてい
る様に、成形素材の内部を真空とし、成形素材の外部よ
り加圧加熱して成形硬化するものである。
【0012】該成形用プリプレグに接着性が乏しいケー
スでは、該導電層の接着面にプライマーが塗布された
り、接着面がエッチング処理等により粗面化されたり、
両者間に接着シートが介在されるなどして、接着性が改
善される。
スでは、該導電層の接着面にプライマーが塗布された
り、接着面がエッチング処理等により粗面化されたり、
両者間に接着シートが介在されるなどして、接着性が改
善される。
【0013】本発明の半導体用テスタ−の電極ユニット
は、絶縁層と導電層とが絶縁層が最外層となるように所
定のピッチで交互に積層され後、積層方向に沿って所定
サイズの多層積層体に切断した後、多層積層体の少なく
とも一方の端部をエッチング処理することによって得ら
れ、絶縁層が凸、導電層が凹になった櫛型の半導体用テ
スタ−の電極ユニットとなる。
は、絶縁層と導電層とが絶縁層が最外層となるように所
定のピッチで交互に積層され後、積層方向に沿って所定
サイズの多層積層体に切断した後、多層積層体の少なく
とも一方の端部をエッチング処理することによって得ら
れ、絶縁層が凸、導電層が凹になった櫛型の半導体用テ
スタ−の電極ユニットとなる。
【0014】さらに、エッチング部に導電性弾性体、例
えば金属等の導電性を有するバネ材、異方導電性シ−ト
のチップを装着することにより、測定時における接触が
確実なものとなり正確に測定できる。バネ材としてはS
字形、U字形、コイル状のものが例示されるが特にこれ
らに限定されるものではない。この際、導電性弾性体の
装着、並びにテスタ−への接続を容易とするため導電性
弾性体が導電層に沿いながら装着されていてもさしつか
えない。
えば金属等の導電性を有するバネ材、異方導電性シ−ト
のチップを装着することにより、測定時における接触が
確実なものとなり正確に測定できる。バネ材としてはS
字形、U字形、コイル状のものが例示されるが特にこれ
らに限定されるものではない。この際、導電性弾性体の
装着、並びにテスタ−への接続を容易とするため導電性
弾性体が導電層に沿いながら装着されていてもさしつか
えない。
【0015】前記の導電性弾性体は、ハンダ付け、嵌め
込むといった手段によりエッチング部に装着される。
込むといった手段によりエッチング部に装着される。
【0016】
【作用】絶縁層と導電層が均一な厚みとなった多層積層
体の一端をエッチングすることにより導電層にエッチン
グ部が設けられ、絶縁層が凸、導電層が凹になった櫛型
の半導体用テスタ−の電極ユニットが得られる。この電
極ユニットの凸になった絶縁層を半導体のリ−ドとリ−
ドの間に挿入すると、凹になった導電層とリ−ドが接触
するため、隣のリ−ドとショ−トすることなく良好な接
触を保ち、測定することができる。特にファインピッチ
の半導体の特性等を評価、測定するテスタ−用の電極ユ
ニットには、有効である。
体の一端をエッチングすることにより導電層にエッチン
グ部が設けられ、絶縁層が凸、導電層が凹になった櫛型
の半導体用テスタ−の電極ユニットが得られる。この電
極ユニットの凸になった絶縁層を半導体のリ−ドとリ−
ドの間に挿入すると、凹になった導電層とリ−ドが接触
するため、隣のリ−ドとショ−トすることなく良好な接
触を保ち、測定することができる。特にファインピッチ
の半導体の特性等を評価、測定するテスタ−用の電極ユ
ニットには、有効である。
【0017】また、バネ材等の導電性弾性体をエッチン
グ部に装着することにより、半導体のリ−ドと導電層と
の接触がより一層確実なものとなる。
グ部に装着することにより、半導体のリ−ドと導電層と
の接触がより一層確実なものとなる。
【0018】
【実施例】次に本発明の半導体用テスタ−の電極ユニッ
トの実施例について図面に従い説明する。図1は4層の
絶縁層(1)と3層の導電層(2)が絶縁層(1)が最
外層となるように交互に積層されている多層積層体
(3)の斜視図である。絶縁層(1)にはガラスクロス
にエポキシ樹脂を含浸した厚み0.13mmのプレプレ
グ、また、導電層(2)には厚み0.17mmの銅板が
用いられている。
トの実施例について図面に従い説明する。図1は4層の
絶縁層(1)と3層の導電層(2)が絶縁層(1)が最
外層となるように交互に積層されている多層積層体
(3)の斜視図である。絶縁層(1)にはガラスクロス
にエポキシ樹脂を含浸した厚み0.13mmのプレプレ
グ、また、導電層(2)には厚み0.17mmの銅板が
用いられている。
【0019】図2は多層積層体(3)の少なくとも一端
が塩化第二銅等でエッチング処理され、導電層(2)に
凹状のエッチング部(4)が設けられた半導体用テスタ
−の電極ユニット(5)の斜視図であり、図3はその正
面図である。
が塩化第二銅等でエッチング処理され、導電層(2)に
凹状のエッチング部(4)が設けられた半導体用テスタ
−の電極ユニット(5)の斜視図であり、図3はその正
面図である。
【0020】また、図4に示されるように多層積層体
(3)の両端をエッチング処理した半導体用テスタ−の
電極ユニット(5´)を用いることにより、テスタ−へ
の配線の接続を確実なものとし、隣合う電極とショ−ト
するのを防ぐことができる。
(3)の両端をエッチング処理した半導体用テスタ−の
電極ユニット(5´)を用いることにより、テスタ−へ
の配線の接続を確実なものとし、隣合う電極とショ−ト
するのを防ぐことができる。
【0021】図5、図6は使用状態を示すものであり、
半導体(10)のリード線(11)の肩の部分に半導体
用テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)
が嵌め込まれた状態を示している。嵌め込まれる部分は
リード線(11)の任意の場所でよく、例えばリード線
(11)の先端部であってもよい。
半導体(10)のリード線(11)の肩の部分に半導体
用テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)
が嵌め込まれた状態を示している。嵌め込まれる部分は
リード線(11)の任意の場所でよく、例えばリード線
(11)の先端部であってもよい。
【0022】図7、図8は多層積層体(3)のエッチン
グ部(4)にS字形のバネ材(71)、U字形のバネ材
(72)を装着した半導体用テスタ−の電極ユニット
(6)、(6´)の正面図を示す。
グ部(4)にS字形のバネ材(71)、U字形のバネ材
(72)を装着した半導体用テスタ−の電極ユニット
(6)、(6´)の正面図を示す。
【0023】図9は先端がS字形のバネ材(73)が導
電層(2)に沿いながらエッチング部(4)に装着され
ている半導体用テスタ−の電極ユニット(7)の正面
図、図10は図9中の線A−Aに沿う断面図を示す。
電層(2)に沿いながらエッチング部(4)に装着され
ている半導体用テスタ−の電極ユニット(7)の正面
図、図10は図9中の線A−Aに沿う断面図を示す。
【0024】図11、図12は使用状態を示すものであ
り、半導体(10)のリード線(11)の肩の部分に半
導体用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、S
字形のバネ材(71)が接触している状態を示す。
り、半導体(10)のリード線(11)の肩の部分に半
導体用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、S
字形のバネ材(71)が接触している状態を示す。
【0025】
【発明の効果】本発明の半導体用テスタ−の電極ユニッ
トは、均一な厚みの絶縁層と導電層とが同一ピッチで積
層されているため、導電層のエッチング部を半導体の複
数リ−ドに、簡単で短時間、しかも一度に正確に接触さ
せることができ、半導体の特性等を評価、測定できる。
トは、均一な厚みの絶縁層と導電層とが同一ピッチで積
層されているため、導電層のエッチング部を半導体の複
数リ−ドに、簡単で短時間、しかも一度に正確に接触さ
せることができ、半導体の特性等を評価、測定できる。
【0026】また、絶縁層と導電層の厚みを適宜変える
ことにより所望のピッチのものを得ることができるた
め、ピッチの違いにより特別な製造治具、金型等が不要
であるため容易かつ安価に製造することができ、今後更
に細かくなる半導体のリ−ドピッチにも対応できる。
ことにより所望のピッチのものを得ることができるた
め、ピッチの違いにより特別な製造治具、金型等が不要
であるため容易かつ安価に製造することができ、今後更
に細かくなる半導体のリ−ドピッチにも対応できる。
【0027】更に、半導体用テスタ−の電極ユニットの
導電層は、凸になった絶縁層で確実に区分され保護され
るため、半導体の隣のリード線に誤って接触し、ショ−
トするなどの問題がなく、電極となる導電層が変形しな
いため、正確な接触ができる。
導電層は、凸になった絶縁層で確実に区分され保護され
るため、半導体の隣のリード線に誤って接触し、ショ−
トするなどの問題がなく、電極となる導電層が変形しな
いため、正確な接触ができる。
【0028】加えて、図7、図8に示されるようにエッ
チング部に導電性弾性体を装着すれば接触がより良好な
ものとなり、正確かつ確実に評価、測定できる。
チング部に導電性弾性体を装着すれば接触がより良好な
ものとなり、正確かつ確実に評価、測定できる。
【図1】多層積層体(3)の斜視図。
【図2】多層積層体(3)の一端にエッチング部(4)
の設けられた実施例の半導体用テスタ−の電極ユニット
(5)の斜視図。
の設けられた実施例の半導体用テスタ−の電極ユニット
(5)の斜視図。
【図3】半導体用テスタ−の電極ユニット(5)の正面
図。
図。
【図4】多層積層体(3)の両端部にエッチング部
(4)の設けられた実施例の半導体用テスタ−の電極ユ
ニット(5´)の正面図。
(4)の設けられた実施例の半導体用テスタ−の電極ユ
ニット(5´)の正面図。
【図5】半導体(10)のリード線(11)に半導体用
テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)が
嵌め込まれ、使用状態を示す部分透視側面図。
テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)が
嵌め込まれ、使用状態を示す部分透視側面図。
【図6】半導体(10)のリード線(11)に半導体用
テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)が
嵌め込まれ、使用状態を示す正面図。
テスタ−の電極ユニット(5)のエッチング部(4)が
嵌め込まれ、使用状態を示す正面図。
【図7】多層積層体(3)のエッチング部(4)にS字
形のバネ材(71)が装着された実施例の半導体用テス
タ−の電極ユニット(6)の正面図。
形のバネ材(71)が装着された実施例の半導体用テス
タ−の電極ユニット(6)の正面図。
【図8】多層積層体(3)のエッチング部(4)にU字
形のバネ材(72)が装着された実施例の半導体用テス
タ−の電極ユニット(6´)の正面図。
形のバネ材(72)が装着された実施例の半導体用テス
タ−の電極ユニット(6´)の正面図。
【図9】多層積層体(3)のエッチング部(4)に先端
がS字形のバネ材(73)が導電層(2)に沿いながら
エッチング部(4)に装着されている半導体用テスタ−
の電極ユニット(7)の正面図。
がS字形のバネ材(73)が導電層(2)に沿いながら
エッチング部(4)に装着されている半導体用テスタ−
の電極ユニット(7)の正面図。
【図10】図9の線A−Aに沿う断面図。
【図11】半導体(10)のリード線(11)に半導体
用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、使用状
態を示す部分透視側面図。
用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、使用状
態を示す部分透視側面図。
【図12】半導体(10)のリード線(11)に半導体
用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、使用状
態を示す正面図。
用テスタ−の電極ユニット(6)が嵌め込まれ、使用状
態を示す正面図。
1 絶縁層 2 導電層 3 多層積層体 4 エッチング部 5 半導体用テスタ−の電極ユニット 5´ 半導体用テスタ−の電極ユニット 6 半導体用テスタ−の電極ユニット 6´ 半導体用テスタ−の電極ユニット 7 半導体用テスタ−の電極ユニット 71 S字形のバネ材 72 U字形のバネ材 73 先端がS字形のバネ材 10 半導体 11 リ−ド線
Claims (3)
- 【請求項1】 所定のピッチで複数の絶縁層の層間に導
電層が積層された多層積層体の少なくとも一端にエッチ
ング部が設けられていることを特徴とする半導体用テス
タ−の電極ユニット。 - 【請求項2】 所定のピッチで複数の絶縁層の層間に導
電層が積層された多層積層体の少なくとも一端にエッチ
ング部が設けられ、該エッチング部に導電性弾性体が装
着されていることを特徴とする半導体用テスタ−の電極
ユニット。 - 【請求項3】 所定のピッチで複数の絶縁層の層間に導
電層が積層された多層積層体の少なくとも一端にエッチ
ング部が設けられ、該導電層に沿いながら該エッチング
部に導電性弾性体が装着されていることを特徴とする半
導体用テスタ−の電極ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339572A JPH07159440A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体用テスタ−の電極ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5339572A JPH07159440A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体用テスタ−の電極ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159440A true JPH07159440A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18328746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5339572A Pending JPH07159440A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体用テスタ−の電極ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026027A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード及びその製造方法 |
| KR20230001190A (ko) * | 2021-06-28 | 2023-01-04 | (주)포인트엔지니어링 | 전기 전도성 접촉핀 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536457A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-02-12 | Sony Corp | 電子部品、その応用装置及びそれらの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5339572A patent/JPH07159440A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536457A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-02-12 | Sony Corp | 電子部品、その応用装置及びそれらの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026027A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード及びその製造方法 |
| KR20230001190A (ko) * | 2021-06-28 | 2023-01-04 | (주)포인트엔지니어링 | 전기 전도성 접촉핀 |
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