JPH07161611A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
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- JPH07161611A JPH07161611A JP5306267A JP30626793A JPH07161611A JP H07161611 A JPH07161611 A JP H07161611A JP 5306267 A JP5306267 A JP 5306267A JP 30626793 A JP30626793 A JP 30626793A JP H07161611 A JPH07161611 A JP H07161611A
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- Japan
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- light
- wafer
- pairs
- interference
- signal
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数波長の光を用いて且つ単一の受光系を用
いて位置検出を行う際に、複数波長の光の各干渉ビート
信号の位相を揃える。 【構成】 He−Neレーザ光源1からのレーザビー
ム、及び半導体レーザ素子2からのレーザビームより、
AOM8及び9を介して2対の光束L1(+1,-1) 、H1
(+1,-1) 及びL2(-1,+1) 、H2(-1,+1) を生成し、こ
れら2対の光束を平行平板ガラス14、リレーレンズ1
5及び対物レンズ17を介してウエハマークWM上に交
差するように照射する。ウエハマークWMからの2対の
回折光を対物レンズ17、ビームスプリッタ16を介し
て光電検出器19で受光する。平行平板ガラス14の回
転角を調整して、2個の干渉ビート信号の位相を揃え
る。
いて位置検出を行う際に、複数波長の光の各干渉ビート
信号の位相を揃える。 【構成】 He−Neレーザ光源1からのレーザビー
ム、及び半導体レーザ素子2からのレーザビームより、
AOM8及び9を介して2対の光束L1(+1,-1) 、H1
(+1,-1) 及びL2(-1,+1) 、H2(-1,+1) を生成し、こ
れら2対の光束を平行平板ガラス14、リレーレンズ1
5及び対物レンズ17を介してウエハマークWM上に交
差するように照射する。ウエハマークWMからの2対の
回折光を対物レンズ17、ビームスプリッタ16を介し
て光電検出器19で受光する。平行平板ガラス14の回
転角を調整して、2個の干渉ビート信号の位相を揃え
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘテロダイン干渉型又
はホモダイン干渉型の位置検出装置に関し、特に半導体
素子又は液晶表示素子等を製造するための露光装置にお
いて感光基板又はマスクの位置合わせを行うアライメン
ト装置の位置検出系に適用して好適なものである。
はホモダイン干渉型の位置検出装置に関し、特に半導体
素子又は液晶表示素子等を製造するための露光装置にお
いて感光基板又はマスクの位置合わせを行うアライメン
ト装置の位置検出系に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子又は液晶表示素子等の
微細パターンを半導体ウエハ又はガラスプレート等の基
板上に形成するために、フォトマスク又はレチクル(以
下、まとめて「レチクル」という)のパターン像をフォ
トレジストが塗布された基板上に転写する投影露光装置
が使用されている。一般に半導体素子等は基板上に多数
層の回路パターンを積み重ねて形成されるため、投影露
光装置には、基板上に既に形成されている回路パターン
とこれから露光するレチクルのパターンとの位置合わせ
(アライメント)を高精度に行うためのアライメント装
置が設けられている。最近は、LSI等の半導体素子等
の集積度が益々高まっており、アライメント装置におい
ても、より高精度に位置合わせを行うことが求められて
いる。そのためには、レチクル及び基板の位置を高精度
に検出する位置検出装置が必要である。
微細パターンを半導体ウエハ又はガラスプレート等の基
板上に形成するために、フォトマスク又はレチクル(以
下、まとめて「レチクル」という)のパターン像をフォ
トレジストが塗布された基板上に転写する投影露光装置
が使用されている。一般に半導体素子等は基板上に多数
層の回路パターンを積み重ねて形成されるため、投影露
光装置には、基板上に既に形成されている回路パターン
とこれから露光するレチクルのパターンとの位置合わせ
(アライメント)を高精度に行うためのアライメント装
置が設けられている。最近は、LSI等の半導体素子等
の集積度が益々高まっており、アライメント装置におい
ても、より高精度に位置合わせを行うことが求められて
いる。そのためには、レチクル及び基板の位置を高精度
に検出する位置検出装置が必要である。
【0003】そこで、高精度にレチクル及び基板の位置
を検出する装置として、例えば特開平2−227604
号公報において、単色光を用いるヘテロダイン干渉型の
位置検出装置が提案されている。この位置検出装置にお
いては、He−Neレーザ光源等の単色光源からの光ビ
ームが2分割され、この分割された2光束をそれぞれ音
響光学変調器で周波数変調することにより、これら2光
束の間に所定の周波数差が与えられる。このように所定
の周波数差が与えられた2光束が、レチクル上のアライ
メントマークとしての回折格子状マークの上に所定の交
差角で照射される。そして、この回折格子状マークから
平行に発生する1対の回折光の干渉光を光電変換するこ
とにより、その所定の周波数差を周波数とするレチクル
側の干渉ビート信号が生成され、別途検出されている参
照信号とそのレチクル側の干渉ビート信号との位相差よ
り、そのレチクルの位置が検出される。
を検出する装置として、例えば特開平2−227604
号公報において、単色光を用いるヘテロダイン干渉型の
位置検出装置が提案されている。この位置検出装置にお
いては、He−Neレーザ光源等の単色光源からの光ビ
ームが2分割され、この分割された2光束をそれぞれ音
響光学変調器で周波数変調することにより、これら2光
束の間に所定の周波数差が与えられる。このように所定
の周波数差が与えられた2光束が、レチクル上のアライ
メントマークとしての回折格子状マークの上に所定の交
差角で照射される。そして、この回折格子状マークから
平行に発生する1対の回折光の干渉光を光電変換するこ
とにより、その所定の周波数差を周波数とするレチクル
側の干渉ビート信号が生成され、別途検出されている参
照信号とそのレチクル側の干渉ビート信号との位相差よ
り、そのレチクルの位置が検出される。
【0004】同様に、そのように所定の周波数差が与え
られた2光束が、基板上のアライメントマークとしての
回折格子状マークの上に所定の交差角で照射される。そ
して、この回折格子状マークから平行に発生する1対の
回折光の干渉光を光電変換することにより、基板側の干
渉ビート信号が生成され、別途検出されている参照信号
とその基板側の干渉ビート信号との位相差より、その基
板の位置が検出される。
られた2光束が、基板上のアライメントマークとしての
回折格子状マークの上に所定の交差角で照射される。そ
して、この回折格子状マークから平行に発生する1対の
回折光の干渉光を光電変換することにより、基板側の干
渉ビート信号が生成され、別途検出されている参照信号
とその基板側の干渉ビート信号との位相差より、その基
板の位置が検出される。
【0005】ところで、基板がウエハの場合、アライメ
ントマークは段差を有する凹凸パターン(位相パター
ン)により形成される。このような凹凸パターンを単色
光の干渉により検出しようとすると、アライメントマー
クの段差の高さ及びウエハ上のフォトレジストの薄膜干
渉の条件により回折光強度が極端に小さくなって、位置
検出ができない程検出信号のSN比が悪化することがあ
る。
ントマークは段差を有する凹凸パターン(位相パター
ン)により形成される。このような凹凸パターンを単色
光の干渉により検出しようとすると、アライメントマー
クの段差の高さ及びウエハ上のフォトレジストの薄膜干
渉の条件により回折光強度が極端に小さくなって、位置
検出ができない程検出信号のSN比が悪化することがあ
る。
【0006】このような回折光強度の極端な劣化を避け
るため、特願平5−29531号及び特願平5−1
31736号において、多色光(白色光を含む)を使用
したヘテロダイン干渉型の位置検出装置が提案されてい
る。それらの内、の位置検出装置では、白色光又は多
色光を使用しても受光段階では単色光の場合と同様に1
つの受光素子で干渉光を光電変換している。また、の
位置検出装置では、多色光の各色に対応する複数の受光
素子を用いて複数個の干渉光及び必要に応じて複数個の
参照干渉光を個別に光電変換している。
るため、特願平5−29531号及び特願平5−1
31736号において、多色光(白色光を含む)を使用
したヘテロダイン干渉型の位置検出装置が提案されてい
る。それらの内、の位置検出装置では、白色光又は多
色光を使用しても受光段階では単色光の場合と同様に1
つの受光素子で干渉光を光電変換している。また、の
位置検出装置では、多色光の各色に対応する複数の受光
素子を用いて複数個の干渉光及び必要に応じて複数個の
参照干渉光を個別に光電変換している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き多色光(又
は白色光)を用いる位置検出装置の中で、の位置検出
装置では、単一の受光素子を用いて位置検出を行うこと
ができる。しかしながら、実際には2光束を所定の入射
角で照射するための送光光学系内の光学素子の製造誤差
や取り付け位置の誤差のために、厳密にそれぞれの波長
の回折光の干渉光の光電変換信号(干渉ビート信号)の
位相を揃えることが困難である場合があるという不都合
があった。そのように複数の波長間での干渉ビート信号
の位相が揃っていないと、単一の受光素子で光電変換し
て得られた干渉ビート信号(即ち、多色光の各色に対応
する干渉ビート信号の混合)の振幅が小さくなり、位置
検出ができなくなる場合がある。
は白色光)を用いる位置検出装置の中で、の位置検出
装置では、単一の受光素子を用いて位置検出を行うこと
ができる。しかしながら、実際には2光束を所定の入射
角で照射するための送光光学系内の光学素子の製造誤差
や取り付け位置の誤差のために、厳密にそれぞれの波長
の回折光の干渉光の光電変換信号(干渉ビート信号)の
位相を揃えることが困難である場合があるという不都合
があった。そのように複数の波長間での干渉ビート信号
の位相が揃っていないと、単一の受光素子で光電変換し
て得られた干渉ビート信号(即ち、多色光の各色に対応
する干渉ビート信号の混合)の振幅が小さくなり、位置
検出ができなくなる場合がある。
【0008】一方、の位置検出装置では、各波長の光
毎に分けて干渉光及び参照干渉光を光電変換して、得ら
れた干渉ビート信号の位相を求めなくてはならないの
で、受光系および信号処理系が複雑になってしまうとい
う不都合があった。本発明は斯かる点に鑑み、複数の波
長の光を用いて干渉方式で位置検出を行う際に、単一の
受光系を用いて位置検出を行うと共に、それら複数の波
長の干渉光の位相を所定の状態に揃えることができる位
置検出装置を提供することを目的とする。
毎に分けて干渉光及び参照干渉光を光電変換して、得ら
れた干渉ビート信号の位相を求めなくてはならないの
で、受光系および信号処理系が複雑になってしまうとい
う不都合があった。本発明は斯かる点に鑑み、複数の波
長の光を用いて干渉方式で位置検出を行う際に、単一の
受光系を用いて位置検出を行うと共に、それら複数の波
長の干渉光の位相を所定の状態に揃えることができる位
置検出装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による位置検出装
置は、例えば図1に示す如く、可干渉性を有する複数の
光束を被検物(18)上に形成された回折格子状マーク
(WM)上に照射し、それら複数の光束の照射により回
折格子状マーク(WM)から発生する複数の回折光の干
渉光の光電変換信号に基づいて、被検物(18)の位置
検出を行う位置検出装置において、互いに異なる波長の
光束を発生する光源(1,2)と、その光源から射出さ
れた互いに波長の異なる複数の光束をそれぞれ1対の光
束に分割し、これにより得られた複数対の光束を被検物
(18)上に形成された回折格子状マーク(WM)上に
照射する送光光学系(5,10,12,15,17)
と、それら複数対の光束の照射により回折格子状マーク
(WM)から発生する複数対の回折光の干渉光を生成す
る受光光学系(17,16)と、それら複数対の回折光
の干渉光を一括して光電変換する光電変換手段(19)
と、その送光光学系内に配置され、それら互いに波長の
異なる複数対の光束の色収差を補正する色収差補正手段
(14)と、を有し、色収差補正手段(14)により、
光電変換手段(19)で受光されるそれら複数対の回折
光のそれぞれの干渉光の位相を所定の状態に揃えるもの
である。
置は、例えば図1に示す如く、可干渉性を有する複数の
光束を被検物(18)上に形成された回折格子状マーク
(WM)上に照射し、それら複数の光束の照射により回
折格子状マーク(WM)から発生する複数の回折光の干
渉光の光電変換信号に基づいて、被検物(18)の位置
検出を行う位置検出装置において、互いに異なる波長の
光束を発生する光源(1,2)と、その光源から射出さ
れた互いに波長の異なる複数の光束をそれぞれ1対の光
束に分割し、これにより得られた複数対の光束を被検物
(18)上に形成された回折格子状マーク(WM)上に
照射する送光光学系(5,10,12,15,17)
と、それら複数対の光束の照射により回折格子状マーク
(WM)から発生する複数対の回折光の干渉光を生成す
る受光光学系(17,16)と、それら複数対の回折光
の干渉光を一括して光電変換する光電変換手段(19)
と、その送光光学系内に配置され、それら互いに波長の
異なる複数対の光束の色収差を補正する色収差補正手段
(14)と、を有し、色収差補正手段(14)により、
光電変換手段(19)で受光されるそれら複数対の回折
光のそれぞれの干渉光の位相を所定の状態に揃えるもの
である。
【0010】この場合、色収差補正手段(14)を、被
検物(18)の被検面とほぼ共役な面上に配置してもよ
い。更に、色収差補正手段(14)の一例は、回転自在
に支持された平行平板ガラス等の平行平面部材である。
検物(18)の被検面とほぼ共役な面上に配置してもよ
い。更に、色収差補正手段(14)の一例は、回転自在
に支持された平行平板ガラス等の平行平面部材である。
【0011】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば図5に示すよう
に、送光光学系内の光学要素の色収差等により、互いに
波長の異なる複数対の光束(LA1,LA2とLB1,
LB2)の回折格子状マーク(WM)に対する入射角及
び入射位置が僅かに変化する。そのため、第1対の光束
(LA1,LA2)による回折光の干渉光の光電変換信
号が例えば図2(b)の信号(23H)であるとする
と、第2対の光束(LB1,LB2)による回折光の干
渉光の光電変換信号は例えば図2(c)の信号(23
L)となり、両者は位相が異なっているため、光電変換
手段(19)で一括で受光して得られる光電変換信号
は、例えば図2(d)の信号(23)のように振幅が小
さくなり、コントラストが低下してSN比が悪くなる。
に、送光光学系内の光学要素の色収差等により、互いに
波長の異なる複数対の光束(LA1,LA2とLB1,
LB2)の回折格子状マーク(WM)に対する入射角及
び入射位置が僅かに変化する。そのため、第1対の光束
(LA1,LA2)による回折光の干渉光の光電変換信
号が例えば図2(b)の信号(23H)であるとする
と、第2対の光束(LB1,LB2)による回折光の干
渉光の光電変換信号は例えば図2(c)の信号(23
L)となり、両者は位相が異なっているため、光電変換
手段(19)で一括で受光して得られる光電変換信号
は、例えば図2(d)の信号(23)のように振幅が小
さくなり、コントラストが低下してSN比が悪くなる。
【0012】そこで、色収差補正手段(14)により、
色収差の状態を補正して、第1対の光束(LA1,LA
2)による回折光の干渉光の光電変換信号を例えば図2
(b)の信号(24H)として、第2対の光束(LB
1,LB2)による回折光の干渉光の光電変換信号を図
2(c)の信号(24L)として、両者の位相を揃え
る。これにより、光電変換手段(19)で一括で受光し
て得られる光電変換信号は、例えば図2(d)の信号
(24)のように振幅が大きくなり、高精度に位置検出
が行われる。
色収差の状態を補正して、第1対の光束(LA1,LA
2)による回折光の干渉光の光電変換信号を例えば図2
(b)の信号(24H)として、第2対の光束(LB
1,LB2)による回折光の干渉光の光電変換信号を図
2(c)の信号(24L)として、両者の位相を揃え
る。これにより、光電変換手段(19)で一括で受光し
て得られる光電変換信号は、例えば図2(d)の信号
(24)のように振幅が大きくなり、高精度に位置検出
が行われる。
【0013】また、色収差補正手段(14)を、被検物
(18)の被検面とほぼ共役な面上に配置した場合に
は、色収差補正手段(14)が小さくでき、検出装置が
全体として小型化できる。次に、色収差補正手段(1
4)として、回転自在に支持された平行平板ガラスを用
いた場合の平行平板ガラスの作用につき説明する。この
平行平板ガラスにおいて、スネルの法則に従って各波長
の光は屈折を受け、平行平板ガラスから射出される際に
各光束の位置はシフトする。第1の波長λ1 の光束にお
けるそのシフト量Δ1 は、平行平板ガラスを厚さtで屈
折率n1 として、その光束の入射角をφとすると、次の
ように表される。
(18)の被検面とほぼ共役な面上に配置した場合に
は、色収差補正手段(14)が小さくでき、検出装置が
全体として小型化できる。次に、色収差補正手段(1
4)として、回転自在に支持された平行平板ガラスを用
いた場合の平行平板ガラスの作用につき説明する。この
平行平板ガラスにおいて、スネルの法則に従って各波長
の光は屈折を受け、平行平板ガラスから射出される際に
各光束の位置はシフトする。第1の波長λ1 の光束にお
けるそのシフト量Δ1 は、平行平板ガラスを厚さtで屈
折率n1 として、その光束の入射角をφとすると、次の
ように表される。
【0014】 Δ1 =tsin φ{1−cos φ/(n1 cos φ1 ’)} (1) 但し、 sin φ=n1 sin φ1 ’ (2) 更に、波長λ2 の光束のシフト量Δ2 も、同様に平行平
板ガラスの屈折率をn 2 として次のように表すことがで
きる。 Δ2 =tsin φ{1−cos φ/(n2 cos φ2 ’)) (3) 但し、 sin φ=n2 sin φ2 ’ (4) 従って、波長λ1 、及びλ2 の光束の相対シフト量(Δ
1 −Δ2 )は次のようになる。
板ガラスの屈折率をn 2 として次のように表すことがで
きる。 Δ2 =tsin φ{1−cos φ/(n2 cos φ2 ’)) (3) 但し、 sin φ=n2 sin φ2 ’ (4) 従って、波長λ1 、及びλ2 の光束の相対シフト量(Δ
1 −Δ2 )は次のようになる。
【0015】 Δ1 −Δ2 =tsin φcos φ{(1/(n2 cos φ2 ’) −1/(n1 cos φ1 ’)} (5) これは、平行平板ガラスに対する入射角φに応じて定ま
る各波長での回折角φ 1 ’及びφ2 ’により、2つの波
長の光束間の相対シフト量が変化すること、即ち、平行
平板ガラスの回転角を調整する事により2つの波長の光
電変換信号の相対位相を調整できる事を意味する。これ
により、簡単な構成で且つ簡単な調整により、容易に複
数の波長の光束の光電変換信号の位相を揃えることがで
きる。
る各波長での回折角φ 1 ’及びφ2 ’により、2つの波
長の光束間の相対シフト量が変化すること、即ち、平行
平板ガラスの回転角を調整する事により2つの波長の光
電変換信号の相対位相を調整できる事を意味する。これ
により、簡単な構成で且つ簡単な調整により、容易に複
数の波長の光束の光電変換信号の位相を揃えることがで
きる。
【0016】
【実施例】以下、本発明による位置検出装置の第1実施
例につき図1及び図2を参照して説明する。本実施例
は、露光用の投影光学系とは独立に設けられたオフ・ア
クシス方式のアライメント系に本発明を適用したもので
ある。図1は本実施例の位置検出装置を示し、この図1
において、He−Neレーザ光源1から射出された波長
λ1 のレーザビームHと、半導体レーザ素子2から射出
されコリメータレンズ3で平行光束化された波長λ2 の
レーザビームLとを、ダイクロイックミラー4で同軸に
合成して回折格子5に照射する。
例につき図1及び図2を参照して説明する。本実施例
は、露光用の投影光学系とは独立に設けられたオフ・ア
クシス方式のアライメント系に本発明を適用したもので
ある。図1は本実施例の位置検出装置を示し、この図1
において、He−Neレーザ光源1から射出された波長
λ1 のレーザビームHと、半導体レーザ素子2から射出
されコリメータレンズ3で平行光束化された波長λ2 の
レーザビームLとを、ダイクロイックミラー4で同軸に
合成して回折格子5に照射する。
【0017】レーザビームHによる回折格子5からの±
1次回折光H1及びH2と、レーザビームLによる回折
格子5からの±1次回折光L1及びL2とを空間フィル
タ6で抽出し、抽出された2対のレーザビームをリレー
レンズ7Aを介して音響光学変調素子(以下、「AO
M」という)8内に交差するように照射する。周波数f
1 の駆動信号が印加されるAOM8では超音波が左から
右方向へ進んでおり、この超音波がレーザビームを回折
(音響ブラッグ回折)する際にドップラー効果により各
レーザビームは周波数変調を受ける。この際に、+1次
回折光L1及びH1のAOM8による+1次回折光L1
(+1)及びH1(+1)は、超音波に対して向かっていく形に
なるので周波数は高くなる。ところが、光の速度は超音
波に比べて十分大きく、超音波の進行方向と光の進行方
向とのなす角はほとんど直角なので、AOM8から射出
される+1次回折光の周波数は、AOM8の駆動信号の
周波数f1 分だけ高くなる。
1次回折光H1及びH2と、レーザビームLによる回折
格子5からの±1次回折光L1及びL2とを空間フィル
タ6で抽出し、抽出された2対のレーザビームをリレー
レンズ7Aを介して音響光学変調素子(以下、「AO
M」という)8内に交差するように照射する。周波数f
1 の駆動信号が印加されるAOM8では超音波が左から
右方向へ進んでおり、この超音波がレーザビームを回折
(音響ブラッグ回折)する際にドップラー効果により各
レーザビームは周波数変調を受ける。この際に、+1次
回折光L1及びH1のAOM8による+1次回折光L1
(+1)及びH1(+1)は、超音波に対して向かっていく形に
なるので周波数は高くなる。ところが、光の速度は超音
波に比べて十分大きく、超音波の進行方向と光の進行方
向とのなす角はほとんど直角なので、AOM8から射出
される+1次回折光の周波数は、AOM8の駆動信号の
周波数f1 分だけ高くなる。
【0018】一方、−1次回折光L2及びH2のAOM
8による−1次回折光L2(-1)及びH2(-1)は、超音波
と同じ方向に進む形になるので周波数は低くなり、AO
M8から射出される−1次回折光の周波数は、AOM8
の駆動信号の周波数f1 分だけ低くなる。また、AOM
8内では±1次回折光以外の回折光も生じるので、AO
M8内の超音波の進行方向と入射する回折光L1,H
1,L2,H2の入射面とが45°で交差するようにA
OM8を回転させて配置し、且つAOM8の直後のリレ
ーレンズ7Bの近傍に空間フィルタ(不図示)を配置す
る。これにより、+1次回折光L1,H1のAOM8に
よる+1次回折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折
光L2,H2のAOM8による−1次回折光L2(-1),
H2(-1)のみが取り出される。
8による−1次回折光L2(-1)及びH2(-1)は、超音波
と同じ方向に進む形になるので周波数は低くなり、AO
M8から射出される−1次回折光の周波数は、AOM8
の駆動信号の周波数f1 分だけ低くなる。また、AOM
8内では±1次回折光以外の回折光も生じるので、AO
M8内の超音波の進行方向と入射する回折光L1,H
1,L2,H2の入射面とが45°で交差するようにA
OM8を回転させて配置し、且つAOM8の直後のリレ
ーレンズ7Bの近傍に空間フィルタ(不図示)を配置す
る。これにより、+1次回折光L1,H1のAOM8に
よる+1次回折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折
光L2,H2のAOM8による−1次回折光L2(-1),
H2(-1)のみが取り出される。
【0019】リレーレンズ7Bから射出された+1次回
折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折光L2(-1),
H2(-1)は、周波数f2(≠f1)の駆動信号が印加される
AOM9内に交差するように入射する。AOM9では超
音波が右から左方向へ進んでおり、+1次回折光L1(+
1)及びH1(+1)のAOM9による−1次回折光L1(+1,
-1) 及びH1(+1,-1) の周波数は、AOM9の駆動信号
の周波数f2 分だけ低くなる。一方、−1次回折光L2
(-1)及びH2(-1)のAOM9による+1次回折光L2(-
1,+1) 及びH2(-1,+1) の周波数は、AOM9の駆動信
号の周波数f2分だけ高くなる。
折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折光L2(-1),
H2(-1)は、周波数f2(≠f1)の駆動信号が印加される
AOM9内に交差するように入射する。AOM9では超
音波が右から左方向へ進んでおり、+1次回折光L1(+
1)及びH1(+1)のAOM9による−1次回折光L1(+1,
-1) 及びH1(+1,-1) の周波数は、AOM9の駆動信号
の周波数f2 分だけ低くなる。一方、−1次回折光L2
(-1)及びH2(-1)のAOM9による+1次回折光L2(-
1,+1) 及びH2(-1,+1) の周波数は、AOM9の駆動信
号の周波数f2分だけ高くなる。
【0020】また、AOM9内でも±1次回折光以外の
回折光が生じるので、AOM9内の超音波の進行方向と
入射する回折光の入射面とが45°で交差するようにA
OM9を回転させて配置し、且つAOM9の直後のリレ
ーレンズ10の近傍に空間フィルタ(不図示)を配置す
る。これにより、−1次回折光(以下、単に「光束」と
いう)L1(+1,-1) ,H1(+1,-1) 、及び+1次回折光
(以下、単に「光束」という)L2(-1,+1) ,H2(-1,
+1) のみが取り出される。この場合、波長λ1のレーザ
ビームHの周波数をf10、波長λ2 のレーザビームLの
周波数をf20とすると、光束L1(+1,-1) 及びH1(+1,
-1) の周波数はそれぞれ(f20+f1-f 2)及び(f10+
f1-f2)となり、光束L2(-1,+1) ,H2(-1,+1) の周
波数はそれぞれ(f20−f1+f2)及び(f10−f1+f2)
となる。従って、光束L2(-1,+1) と光束L1(+1,-1)
との間のビート周波数、及び光束H2(-1,+1) と光束H
1(+1,-1) との間のビート周波数は、共に2|f1-f
2|、即ち2つのAOM8及び9の間の駆動周波数の差の
2倍となる。この詳細な導出過程については、特願平5
−24441号においても開示されている。
回折光が生じるので、AOM9内の超音波の進行方向と
入射する回折光の入射面とが45°で交差するようにA
OM9を回転させて配置し、且つAOM9の直後のリレ
ーレンズ10の近傍に空間フィルタ(不図示)を配置す
る。これにより、−1次回折光(以下、単に「光束」と
いう)L1(+1,-1) ,H1(+1,-1) 、及び+1次回折光
(以下、単に「光束」という)L2(-1,+1) ,H2(-1,
+1) のみが取り出される。この場合、波長λ1のレーザ
ビームHの周波数をf10、波長λ2 のレーザビームLの
周波数をf20とすると、光束L1(+1,-1) 及びH1(+1,
-1) の周波数はそれぞれ(f20+f1-f 2)及び(f10+
f1-f2)となり、光束L2(-1,+1) ,H2(-1,+1) の周
波数はそれぞれ(f20−f1+f2)及び(f10−f1+f2)
となる。従って、光束L2(-1,+1) と光束L1(+1,-1)
との間のビート周波数、及び光束H2(-1,+1) と光束H
1(+1,-1) との間のビート周波数は、共に2|f1-f
2|、即ち2つのAOM8及び9の間の駆動周波数の差の
2倍となる。この詳細な導出過程については、特願平5
−24441号においても開示されている。
【0021】一般に、AOMの駆動周波数はMHzのオ
ーダであるのに対して、2光束干渉で処理できるビート
周波数はkHzのオーダである。そこで、2つのAOM
8及び9の駆動周波数f1 及びf2 として、それぞれ例
えば数10MHzで且つ周波数差が数10kHzの周波
数を用いることにより、容易に処理できるビート周波数
を得ることができる。
ーダであるのに対して、2光束干渉で処理できるビート
周波数はkHzのオーダである。そこで、2つのAOM
8及び9の駆動周波数f1 及びf2 として、それぞれ例
えば数10MHzで且つ周波数差が数10kHzの周波
数を用いることにより、容易に処理できるビート周波数
を得ることができる。
【0022】リレーレンズ10から射出される波長λ1
の1対の光束H2(-1,+1) ,H1(+1,-1) 及び波長λ2
の1対の光束L2(-1,+1) ,L1(+1,-1) はビームスプ
リッタ11に入射し、ビームスプリッタ11を透過した
2対の回折光が、リレーレンズ12により視野絞り13
の開口上で交差するように集光される。そして、視野絞
り13の開口を通過した光束が、平行平板ガラス14、
コリメータレンズ15、送光光と受光光とを分離するた
めのビームスプリッタ16、及び対物レンズ17を経て
位置検出の対象であるウエハ18上の回折格子状のアラ
イメントマーク(以下、「ウエハマーク」という)WM
上に交差するように入射する。即ち、視野絞り13の配
置面はウエハ18の表面と共役であり、視野絞り13の
開口の像がウエハ18の表面にリレーされ、平行平板ガ
ラス14はウエハ18の表面と共役な面の近傍に配置さ
れている。
の1対の光束H2(-1,+1) ,H1(+1,-1) 及び波長λ2
の1対の光束L2(-1,+1) ,L1(+1,-1) はビームスプ
リッタ11に入射し、ビームスプリッタ11を透過した
2対の回折光が、リレーレンズ12により視野絞り13
の開口上で交差するように集光される。そして、視野絞
り13の開口を通過した光束が、平行平板ガラス14、
コリメータレンズ15、送光光と受光光とを分離するた
めのビームスプリッタ16、及び対物レンズ17を経て
位置検出の対象であるウエハ18上の回折格子状のアラ
イメントマーク(以下、「ウエハマーク」という)WM
上に交差するように入射する。即ち、視野絞り13の配
置面はウエハ18の表面と共役であり、視野絞り13の
開口の像がウエハ18の表面にリレーされ、平行平板ガ
ラス14はウエハ18の表面と共役な面の近傍に配置さ
れている。
【0023】この場合、ウエハマークWMのピッチ方向
をX方向、リレーレンズ15及び17の光軸に平行な方
向をZ方向とすると、波長λ1 の1対の光束H1(+1,-
1) 及びH2(-1,+1) は、回折格子状のウエハマークW
M上にX方向に沿って交差するように2方向から照射さ
れ、これによりウエハマークWM上には、ピッチ方向
(X方向)に沿って流れる干渉縞が発生する。そして、
この回折格子マークWMの法線方向(Z方向)には、光
束H2(-1,+1) の+1次回折光H2(-1,+1,+1)及び光束
H1(+1,-1) の−1次回折光H1(+1,-1,-1)が平行に発
生する。
をX方向、リレーレンズ15及び17の光軸に平行な方
向をZ方向とすると、波長λ1 の1対の光束H1(+1,-
1) 及びH2(-1,+1) は、回折格子状のウエハマークW
M上にX方向に沿って交差するように2方向から照射さ
れ、これによりウエハマークWM上には、ピッチ方向
(X方向)に沿って流れる干渉縞が発生する。そして、
この回折格子マークWMの法線方向(Z方向)には、光
束H2(-1,+1) の+1次回折光H2(-1,+1,+1)及び光束
H1(+1,-1) の−1次回折光H1(+1,-1,-1)が平行に発
生する。
【0024】ここで、光束H1(+1,-1) 及びH2(-1,+
1) がウエハマークWMを2方向から照明するときの交
差角は、ウエハマークWMのピッチをPWM、光束H1(+
1,-1)又はH2(-1,+1) のウエハマークWMに対する入
射角をθWM1 とするとき、次の条件を満足するように設
定されている。 sin θWM1 =λ1 /PWM (6) 同様に、波長λ2 の1対の光束L1(+1,-1) 及びL2(-
1,+1) も、回折格子状のウエハマークWM上にX方向に
沿って交差するように2方向から照射され、この回折格
子マークWMの法線方向(Z方向)には、光束L2(-1,
+1) の+1次回折光L2(-1,+1,+1)及び光束L1(+1,-
1) の−1次回折光L1(+1,-1,-1)が平行に発生する。
そして、光束L1(+1,-1) 及びL2(-1,+1) がウエハマ
ークWMを2方向から照明するときの交差角は、光束L
1(+1,-1) 又はL2(-1,+1) のウエハマークWMに対す
る入射角をθWM2 とするとき、次の条件を満足するよう
に設定されている。
1) がウエハマークWMを2方向から照明するときの交
差角は、ウエハマークWMのピッチをPWM、光束H1(+
1,-1)又はH2(-1,+1) のウエハマークWMに対する入
射角をθWM1 とするとき、次の条件を満足するように設
定されている。 sin θWM1 =λ1 /PWM (6) 同様に、波長λ2 の1対の光束L1(+1,-1) 及びL2(-
1,+1) も、回折格子状のウエハマークWM上にX方向に
沿って交差するように2方向から照射され、この回折格
子マークWMの法線方向(Z方向)には、光束L2(-1,
+1) の+1次回折光L2(-1,+1,+1)及び光束L1(+1,-
1) の−1次回折光L1(+1,-1,-1)が平行に発生する。
そして、光束L1(+1,-1) 及びL2(-1,+1) がウエハマ
ークWMを2方向から照明するときの交差角は、光束L
1(+1,-1) 又はL2(-1,+1) のウエハマークWMに対す
る入射角をθWM2 とするとき、次の条件を満足するよう
に設定されている。
【0025】sin θWM2 =λ2 /PWM (7) これにより、ウエハマークWMから発生する2対の回折
光(H2(-1,+1,+1),H1(+1,-1,-1)及びL2(-1,+1,+
1),L1(+1,-1,-1))は、再び対物レンズ17を経てビ
ームスプリッター16で反射された後、光電検出器19
により周波数が2|f1-f2|のウエハ信号SWに変換さ
れる。
光(H2(-1,+1,+1),H1(+1,-1,-1)及びL2(-1,+1,+
1),L1(+1,-1,-1))は、再び対物レンズ17を経てビ
ームスプリッター16で反射された後、光電検出器19
により周波数が2|f1-f2|のウエハ信号SWに変換さ
れる。
【0026】一方、ビームスプリッタ11で反射された
2対の光束は、ビート信号の位相の原点を定めるための
参照光学系の集光レンズ20により参照格子21上で交
差する。参照格子21もちょうど各光束の±1次回折光
が法線方向(垂直方向)に進むようにピッチが定めら
れ、その2対の±1次回折光よりなる干渉光が参照光電
検出器22により光電変換され、周波数が2|f1-f2|
の参照信号SRが得られる。この参照信号SRを基準と
したウエハ信号SWの位相のずれより、ウエハ18のX
方向の位置を不図示の信号処理系で計算する。
2対の光束は、ビート信号の位相の原点を定めるための
参照光学系の集光レンズ20により参照格子21上で交
差する。参照格子21もちょうど各光束の±1次回折光
が法線方向(垂直方向)に進むようにピッチが定めら
れ、その2対の±1次回折光よりなる干渉光が参照光電
検出器22により光電変換され、周波数が2|f1-f2|
の参照信号SRが得られる。この参照信号SRを基準と
したウエハ信号SWの位相のずれより、ウエハ18のX
方向の位置を不図示の信号処理系で計算する。
【0027】次に、図1の平行平板ガラス14の作用に
つき説明する。図1において、平行平板ガラス14が無
いものとして、且つ送光/受光分離用のビームスプリッ
タ16が不完全な場合を図5に示す。図5において、送
光/受光分離用のビームスプリッタ16Aは、入射面と
出射面とが完全に平行でないビームスプリッタの例であ
り、この場合には、波長λ1 の光束LB1及びLB2の
ウエハマークWM上での交差位置と、波長λ2 の光束L
A1及びLA2のウエハマークWM上での交差位置とが
異なる。
つき説明する。図1において、平行平板ガラス14が無
いものとして、且つ送光/受光分離用のビームスプリッ
タ16が不完全な場合を図5に示す。図5において、送
光/受光分離用のビームスプリッタ16Aは、入射面と
出射面とが完全に平行でないビームスプリッタの例であ
り、この場合には、波長λ1 の光束LB1及びLB2の
ウエハマークWM上での交差位置と、波長λ2 の光束L
A1及びLA2のウエハマークWM上での交差位置とが
異なる。
【0028】そして、ビームスプリッタ16Aの入射面
と出射面との平行度が、三角プリズムの頂角でαだけ異
なっているとき、波長λ1 に対するビームスプリッタ1
6Aの屈折率をn1 とし、波長λ2 に対するビームスプ
リッタ16Aの屈折率をn2、対物レンズ17の焦点距
離をFとすると、ウエハ18の表面上での波長λ1 の光
束の交差位置の位置ずれ量δ1 は、次のようになる。 δ1 =F(n1 −1)α (8) 同様に、波長λ2 の光束のウエハ18の表面上での交差
位置の位置ずれ量δ2は、次のようになる。
と出射面との平行度が、三角プリズムの頂角でαだけ異
なっているとき、波長λ1 に対するビームスプリッタ1
6Aの屈折率をn1 とし、波長λ2 に対するビームスプ
リッタ16Aの屈折率をn2、対物レンズ17の焦点距
離をFとすると、ウエハ18の表面上での波長λ1 の光
束の交差位置の位置ずれ量δ1 は、次のようになる。 δ1 =F(n1 −1)α (8) 同様に、波長λ2 の光束のウエハ18の表面上での交差
位置の位置ずれ量δ2は、次のようになる。
【0029】 δ2 =F(n2 −1)α (9) 従って、波長λ1 の光束と波長λ2 の光束とでは、ウエ
ハ18上での交差位置がX方向に相対的に次式のような
値だけずれる。 δ1 −δ2 =F(n1 −n2 )α (10) これを図1の光電検出器19から出力されるウエハ信号
SW、及び参照光電検出器22から出力される参照信号
SRで示すと、参照信号SRが図2(a)に示す周期的
な信号となるのに対して、ウエハ信号SWは図2(d)
の実線の波形23で示すような信号となる。そして、ウ
エハ信号SWの内の、波長λ1 の干渉ビート信号SWH
は、図2(b)の実線の波形23Hのようになり、波長
λ2 の干渉ビート信号SWL は、図2(c)の実線の波
形23Lのようになり、干渉ビート信号SWH と干渉ビ
ート信号SWL とは、(10)式の相対的な位置ずれ分
だけ位相が異なっている。そのため、波長により検出さ
れる信号の位置ずれ量が異なってしまい、しかもウエハ
上に塗布されるレジストの膜の干渉条件により、位置ず
れ量が変化するため、正確な位置合わせが困難となる。
ハ18上での交差位置がX方向に相対的に次式のような
値だけずれる。 δ1 −δ2 =F(n1 −n2 )α (10) これを図1の光電検出器19から出力されるウエハ信号
SW、及び参照光電検出器22から出力される参照信号
SRで示すと、参照信号SRが図2(a)に示す周期的
な信号となるのに対して、ウエハ信号SWは図2(d)
の実線の波形23で示すような信号となる。そして、ウ
エハ信号SWの内の、波長λ1 の干渉ビート信号SWH
は、図2(b)の実線の波形23Hのようになり、波長
λ2 の干渉ビート信号SWL は、図2(c)の実線の波
形23Lのようになり、干渉ビート信号SWH と干渉ビ
ート信号SWL とは、(10)式の相対的な位置ずれ分
だけ位相が異なっている。そのため、波長により検出さ
れる信号の位置ずれ量が異なってしまい、しかもウエハ
上に塗布されるレジストの膜の干渉条件により、位置ず
れ量が変化するため、正確な位置合わせが困難となる。
【0030】そこで、図1の光電検出器19により、全
ての波長について同一の位相の干渉ビート信号を検出す
るには、図5に示すような光学部品の製造誤差等による
ビーム交差点の位置ずれを補正しなくてはならない。そ
のため、本実施例では、図1に示すように、ウエハ18
の表面と共役な送光光学系内の面の近傍の面(像空間)
に色分散を持つガラス(又は光学用プラスチックス等も
可)よりなる平行平板ガラス14を配し、この平行平板
ガラス14を送光光学系の光軸方向(Z方向)及び計測
方向であるX方向に垂直な軸14aを中心に回動自在に
支持する。そして、図示省略された調整装置を介してそ
の平行平板ガラス14の軸14aの回りの回転角を調整
することにより、2対の光束のウエハ18のウエハマー
クWM上での交差位置の位置ずれを補正する。
ての波長について同一の位相の干渉ビート信号を検出す
るには、図5に示すような光学部品の製造誤差等による
ビーム交差点の位置ずれを補正しなくてはならない。そ
のため、本実施例では、図1に示すように、ウエハ18
の表面と共役な送光光学系内の面の近傍の面(像空間)
に色分散を持つガラス(又は光学用プラスチックス等も
可)よりなる平行平板ガラス14を配し、この平行平板
ガラス14を送光光学系の光軸方向(Z方向)及び計測
方向であるX方向に垂直な軸14aを中心に回動自在に
支持する。そして、図示省略された調整装置を介してそ
の平行平板ガラス14の軸14aの回りの回転角を調整
することにより、2対の光束のウエハ18のウエハマー
クWM上での交差位置の位置ずれを補正する。
【0031】ここで、図1に示した位置検出装置につい
て、平行平板ガラス14の調整方法の一例を説明する。
先ず、図1において、He−Neレーザ光源1及び半導
体レーザ素子2を点灯し、AOM8及び9の駆動を開始
し、十分な時間をおいてHe−Neレーザ光源1及び半
導体レーザ素子2が安定に発振している状態にする。次
に、ウエハ18の表面にウエハマークWMと等しいピッ
チを持つ基準となる広い面積の基準回折格子を配置す
る。この調整用の基準回折格子は、クロム等の蒸着膜を
エッチングして製作した強度格子(振幅格子)でよく、
色収差補正用の平行平板ガラス14による光束のシフト
量を覆うだけの大きさがあればよい。いま、He−Ne
レーザ光源1及び半導体レーザ素子2からの2対の(2
波長の)光束(ヘテロダインビーム)が参照格子21及
びウエハ18上の基準回折格子上に照射されていると
き、図2(d)の波形23で示す光電検出器19からの
ウエハ信号SW(干渉ビート信号)の、図2(a)に示
す参照光電検出器22からの参照信号SRに対する位相
差φall を測定する。
て、平行平板ガラス14の調整方法の一例を説明する。
先ず、図1において、He−Neレーザ光源1及び半導
体レーザ素子2を点灯し、AOM8及び9の駆動を開始
し、十分な時間をおいてHe−Neレーザ光源1及び半
導体レーザ素子2が安定に発振している状態にする。次
に、ウエハ18の表面にウエハマークWMと等しいピッ
チを持つ基準となる広い面積の基準回折格子を配置す
る。この調整用の基準回折格子は、クロム等の蒸着膜を
エッチングして製作した強度格子(振幅格子)でよく、
色収差補正用の平行平板ガラス14による光束のシフト
量を覆うだけの大きさがあればよい。いま、He−Ne
レーザ光源1及び半導体レーザ素子2からの2対の(2
波長の)光束(ヘテロダインビーム)が参照格子21及
びウエハ18上の基準回折格子上に照射されていると
き、図2(d)の波形23で示す光電検出器19からの
ウエハ信号SW(干渉ビート信号)の、図2(a)に示
す参照光電検出器22からの参照信号SRに対する位相
差φall を測定する。
【0032】次に、図1の光電検出器19の前に波長λ
1 又はλ2 の内どちらか一方の光のみを透過するフィル
タ(例えば、半導体レーザ素子2からの波長λ2 のレー
ザビームのみを透過するような色ガラスフィルタ)を捜
入し、図2(c)の波形23Lで示すビート信号SWL
の参照信号SRに対する位相差φL を測定し、前者の位
相差φall 後者の位相差φL とが等しくなるように、平
行平板ガラス14を回転させる。He−Neレーザ光源
1及び半導体レーザ素子2の発光量が等しいとき、両方
の光を用いて計測された位相差φall は、波長λ1 の光
を用いて計測された図2(b)に示す位相差φH 、及び
波長λ2 の光を用いて計測された位相差φL の平均にな
ると考えられる。
1 又はλ2 の内どちらか一方の光のみを透過するフィル
タ(例えば、半導体レーザ素子2からの波長λ2 のレー
ザビームのみを透過するような色ガラスフィルタ)を捜
入し、図2(c)の波形23Lで示すビート信号SWL
の参照信号SRに対する位相差φL を測定し、前者の位
相差φall 後者の位相差φL とが等しくなるように、平
行平板ガラス14を回転させる。He−Neレーザ光源
1及び半導体レーザ素子2の発光量が等しいとき、両方
の光を用いて計測された位相差φall は、波長λ1 の光
を用いて計測された図2(b)に示す位相差φH 、及び
波長λ2 の光を用いて計測された位相差φL の平均にな
ると考えられる。
【0033】このとき参照信号SRは、常に両波長の干
渉ビート光が混じった状態で光電変換されたものでなく
てはならない。つまり、HeーNeレーザ光源1又は半
導体レーザ素子2の一方のみを点灯して、各波長での信
号の位相差を計測してはならない。また、フィルタ(色
ガラスフィルタ)の特性との兼ね合いで一方の波長の光
の信号の位相差しか計測できない場合には、位相差φ
all を次のように仮定して、平行平板ガラス14の回転
量θを求める。
渉ビート光が混じった状態で光電変換されたものでなく
てはならない。つまり、HeーNeレーザ光源1又は半
導体レーザ素子2の一方のみを点灯して、各波長での信
号の位相差を計測してはならない。また、フィルタ(色
ガラスフィルタ)の特性との兼ね合いで一方の波長の光
の信号の位相差しか計測できない場合には、位相差φ
all を次のように仮定して、平行平板ガラス14の回転
量θを求める。
【0034】 φall =(φL +φH)/2 (11) その平行平板ガラス14の回転量θは、平行平板ガラス
14の厚さをt、平行平板ガラス14での半導体レーザ
素子2からの波長λ2 の光での屈折率をnL 、平行平板
ガラス14でのHe−Neレーザ光源1からの波長λ1
の光での屈折率をnH 、ウエハマークWMのピッチをP
WM、送光光学系の視野絞り13からウエハ18の表面へ
の倍率をβとして、次のようになる。
14の厚さをt、平行平板ガラス14での半導体レーザ
素子2からの波長λ2 の光での屈折率をnL 、平行平板
ガラス14でのHe−Neレーザ光源1からの波長λ1
の光での屈折率をnH 、ウエハマークWMのピッチをP
WM、送光光学系の視野絞り13からウエハ18の表面へ
の倍率をβとして、次のようになる。
【0035】 βtsin θ(1/nL −1/nH)≒{PWM/(4π)}(φH −φL) ≒{PWM/(2π)}(φall −φL) (12) 実際には、平行平板ガラス14にも、製造誤差があるの
で、計算された回転量θだけ回転した後、再び両方の光
源の光を用いた場合の位相差と、両方の光源の内の一方
の光源の光を用いた場合の位相差とを計測し、それらが
一致することを確認する。仮に、一致しなかったときに
は、同様に平行平板ガラス14の回転量を再び計算し、
その量だけ回すという作業を繰り返す。これにより、ウ
エハ18上の基準回折格子が基準位置にあるときには、
波長λ1 の干渉ビート信号SWH及び波長λ2 の干渉ビ
ート信号SWL は、それぞれ図2(b)に点線で示す波
形24H及び図2(c)に点線で示す波形24Lとな
り、両者の位相差が0になる。従って、ウエハ信号SW
は、図2(d)に点線で示す波形24、即ち振幅の大き
なSN比の良好な信号となり、高精度に位置検出が行わ
れる。
で、計算された回転量θだけ回転した後、再び両方の光
源の光を用いた場合の位相差と、両方の光源の内の一方
の光源の光を用いた場合の位相差とを計測し、それらが
一致することを確認する。仮に、一致しなかったときに
は、同様に平行平板ガラス14の回転量を再び計算し、
その量だけ回すという作業を繰り返す。これにより、ウ
エハ18上の基準回折格子が基準位置にあるときには、
波長λ1 の干渉ビート信号SWH及び波長λ2 の干渉ビ
ート信号SWL は、それぞれ図2(b)に点線で示す波
形24H及び図2(c)に点線で示す波形24Lとな
り、両者の位相差が0になる。従って、ウエハ信号SW
は、図2(d)に点線で示す波形24、即ち振幅の大き
なSN比の良好な信号となり、高精度に位置検出が行わ
れる。
【0036】その後、ウエハ18として、それまでの工
程で形成されているパターンの位置(即ち、次にレチク
ルのパターンが転写される位置)との位置関係が正確に
分かっているウエハマークWMが形成されているウエハ
を使用し、ウエハ18が載置されているウエハステージ
のX方向の位置を不図示の干渉計により計測している状
態で、ウエハマークWMの位置ずれ量を図1の位置検出
装置で検出する。
程で形成されているパターンの位置(即ち、次にレチク
ルのパターンが転写される位置)との位置関係が正確に
分かっているウエハマークWMが形成されているウエハ
を使用し、ウエハ18が載置されているウエハステージ
のX方向の位置を不図示の干渉計により計測している状
態で、ウエハマークWMの位置ずれ量を図1の位置検出
装置で検出する。
【0037】そして、そのウエハマークWMが属するシ
ョット領域を投影光学系(不図示)の露光フィールド内
にセットしたときの干渉計の計測値と、先にウエハマー
クWMの位置検出を行ったときの干渉計の計測値との差
に、位置検出装置で計測したウエハマークWMの位置ず
れ量を加算した値をオフセット(ベースライン)として
記憶する。実際の露光では、位置検出装置でウエハマー
クWMの位置ずれ量を計測した後、この計測された位置
ずれ量に先のオフセットを加えた分だけウエハ18を移
動してから露光を行う。
ョット領域を投影光学系(不図示)の露光フィールド内
にセットしたときの干渉計の計測値と、先にウエハマー
クWMの位置検出を行ったときの干渉計の計測値との差
に、位置検出装置で計測したウエハマークWMの位置ず
れ量を加算した値をオフセット(ベースライン)として
記憶する。実際の露光では、位置検出装置でウエハマー
クWMの位置ずれ量を計測した後、この計測された位置
ずれ量に先のオフセットを加えた分だけウエハ18を移
動してから露光を行う。
【0038】上述のように本実施例によれば、平行平板
ガラス14により2つの波長の干渉ビート信号の位相を
揃えているため、2つの波長の干渉ビート信号の混合で
あるウエハ信号SWのコントラストが高くなり、常に高
精度に位置検出が行われる。次に、本発明の第2実施例
につき図3及び図4を参照して説明する。本実施例は、
TTR(スルー・ザ・レチクル)方式のアライメント系
に本発明を適用したものであり、図3及び図4において
図1に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明
を省略する。
ガラス14により2つの波長の干渉ビート信号の位相を
揃えているため、2つの波長の干渉ビート信号の混合で
あるウエハ信号SWのコントラストが高くなり、常に高
精度に位置検出が行われる。次に、本発明の第2実施例
につき図3及び図4を参照して説明する。本実施例は、
TTR(スルー・ザ・レチクル)方式のアライメント系
に本発明を適用したものであり、図3及び図4において
図1に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明
を省略する。
【0039】図3(a)は本実施例のヘテロダインビー
ム生成系の正面図、図3(b)は図3(a)の側面図で
あり、これら図3(a)及び(b)において、He−N
eレーザ光源1から射出された波長λ1 のレーザビーム
Hと、半導体レーザ素子2から射出されコリメータレン
ズ3で平行光束化された波長λ2 のレーザビームLと
を、ダイクロイックミラー4Aで同軸に合成して回折格
子5に照射する。
ム生成系の正面図、図3(b)は図3(a)の側面図で
あり、これら図3(a)及び(b)において、He−N
eレーザ光源1から射出された波長λ1 のレーザビーム
Hと、半導体レーザ素子2から射出されコリメータレン
ズ3で平行光束化された波長λ2 のレーザビームLと
を、ダイクロイックミラー4Aで同軸に合成して回折格
子5に照射する。
【0040】回折格子5からの±1次回折光H1及びH
2と、±1次回折光L1及びL2とを、リレーレンズ3
1A、他の回折光を遮断するための空間フィルタ32及
びリレーレンズ31Bを介して、周波数f1 で駆動され
るAOM8内に交差するように照射する。AOM8内で
は±1次回折光以外の回折光も生じるので、AOM8内
の超音波の進行方向と入射する回折光L1,H1,L
2,H2の入射面とが45°で交差するようにAOM8
を回転させて配置し、且つAOM8の直後のリレーレン
ズ33Aの近傍に空間フィルタ34を配置する。これに
より、+1次回折光L1,H1のAOM8による+1次
回折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折光L2,H
2のAOM8による−1次回折光L2(-1),H2(-1)の
みが取り出される。
2と、±1次回折光L1及びL2とを、リレーレンズ3
1A、他の回折光を遮断するための空間フィルタ32及
びリレーレンズ31Bを介して、周波数f1 で駆動され
るAOM8内に交差するように照射する。AOM8内で
は±1次回折光以外の回折光も生じるので、AOM8内
の超音波の進行方向と入射する回折光L1,H1,L
2,H2の入射面とが45°で交差するようにAOM8
を回転させて配置し、且つAOM8の直後のリレーレン
ズ33Aの近傍に空間フィルタ34を配置する。これに
より、+1次回折光L1,H1のAOM8による+1次
回折光L1(+1),H1(+1)、及び−1次回折光L2,H
2のAOM8による−1次回折光L2(-1),H2(-1)の
みが取り出される。
【0041】空間フィルタ34に続くリレーレンズ33
Bから射出された+1次回折光L1(+1),H1(+1)、及
び−1次回折光L2(-1),H2(-1)は、周波数f2(≠f
1)の駆動信号が印加されるAOM9内に交差するように
入射する。AOM9内でも±1次回折光以外の回折光が
生じるので、AOM9内の超音波の進行方向と入射する
回折光の入射面とが45°で交差するようにAOM9を
回転させて配置し、且つAOM9の直後のリレーレンズ
35Aの近傍に空間フィルタ36を配置する。空間フィ
ルタ36により、−1次回折光(以下、単に「光束」と
いう)L1(+1,-1) ,H1(+1,-1) 、及び+1次回折光
(以下、単に「光束」という)L2(-1,+1) ,H2(-1,
+1) のみが取り出される。この場合、光束L2(-1,+1)
と光束L1(+1,-1) との間のビート周波数、及び光束H
2(-1,+1) と光束H1(+1,-1) との間のビート周波数
は、共に2|f1-f2|、即ち2つのAOM8及び9の間
の駆動周波数の差の2倍となる。
Bから射出された+1次回折光L1(+1),H1(+1)、及
び−1次回折光L2(-1),H2(-1)は、周波数f2(≠f
1)の駆動信号が印加されるAOM9内に交差するように
入射する。AOM9内でも±1次回折光以外の回折光が
生じるので、AOM9内の超音波の進行方向と入射する
回折光の入射面とが45°で交差するようにAOM9を
回転させて配置し、且つAOM9の直後のリレーレンズ
35Aの近傍に空間フィルタ36を配置する。空間フィ
ルタ36により、−1次回折光(以下、単に「光束」と
いう)L1(+1,-1) ,H1(+1,-1) 、及び+1次回折光
(以下、単に「光束」という)L2(-1,+1) ,H2(-1,
+1) のみが取り出される。この場合、光束L2(-1,+1)
と光束L1(+1,-1) との間のビート周波数、及び光束H
2(-1,+1) と光束H1(+1,-1) との間のビート周波数
は、共に2|f1-f2|、即ち2つのAOM8及び9の間
の駆動周波数の差の2倍となる。
【0042】図3(a)及び(b)のそれぞれに続く構
成を図4(a)及び図4(b)に示し、図4において、
図3の光束L1(+1,-1) 、L2(-1,+1) 、H1(+1,-1)
及びH2(-1,+1) をそれぞれ光束LA,LB,HA及び
HBで表す。また、図4(a)をYZ平面として、図4
(b)をZX平面とする。これら図4(a)及び(b)
において、リレーレンズ35Bからそれぞれ交差するよ
うに射出された2対の光束(LA,LB及びHA,H
B)は、ビームスプリッタ37によりレチクル用の2対
の光束(LAR,LBRとHAR,HBR)と、ウエハ
用の2対の光束(LAW,LBW及びHAW,HBW)
とに分割される。
成を図4(a)及び図4(b)に示し、図4において、
図3の光束L1(+1,-1) 、L2(-1,+1) 、H1(+1,-1)
及びH2(-1,+1) をそれぞれ光束LA,LB,HA及び
HBで表す。また、図4(a)をYZ平面として、図4
(b)をZX平面とする。これら図4(a)及び(b)
において、リレーレンズ35Bからそれぞれ交差するよ
うに射出された2対の光束(LA,LB及びHA,H
B)は、ビームスプリッタ37によりレチクル用の2対
の光束(LAR,LBRとHAR,HBR)と、ウエハ
用の2対の光束(LAW,LBW及びHAW,HBW)
とに分割される。
【0043】そして、ウエハ用の2対の光束(LAW,
LBW及びHAW,HBW)は、平行平板ガラス38、
及びリレーレンズ40を経て平行な2対の光束となって
から、ビームスプリッタ41を透過した後、対物レンズ
42によりレチクル43上の回折格子状のアライメント
マーク(レチクルマーク)RMの近くの窓部に集光され
る。その後、ウエハ用の2対の光束は、投影光学系44
によりウエハ18上のウエハマークWM上にそれぞれ所
定の交差角で照射される。そして、ウエハマークWMか
らほぼ法線方向に(垂直に)射出された2対の回折光
(光束LAWの+1次回折光LAW(+1),光束LBWの
−1次回折光LBW(-1)及び光束HAWの+1次回折光
HAW(+1),光束HBWの−1次回折光HBW(-1))
は、投影光学系44を経てレチクル43の窓部に戻る。
LBW及びHAW,HBW)は、平行平板ガラス38、
及びリレーレンズ40を経て平行な2対の光束となって
から、ビームスプリッタ41を透過した後、対物レンズ
42によりレチクル43上の回折格子状のアライメント
マーク(レチクルマーク)RMの近くの窓部に集光され
る。その後、ウエハ用の2対の光束は、投影光学系44
によりウエハ18上のウエハマークWM上にそれぞれ所
定の交差角で照射される。そして、ウエハマークWMか
らほぼ法線方向に(垂直に)射出された2対の回折光
(光束LAWの+1次回折光LAW(+1),光束LBWの
−1次回折光LBW(-1)及び光束HAWの+1次回折光
HAW(+1),光束HBWの−1次回折光HBW(-1))
は、投影光学系44を経てレチクル43の窓部に戻る。
【0044】一方、レチクル用の2対の光束(LAR,
LBR及びHAR,HBR)は、平行平板ガラス39、
及びリレーレンズ40を経て平行な2対の光束となって
から、ビームスプリッタ41を透過した後、対物レンズ
42によりレチクル43上の回折格子状のレチクルマー
クRM上にそれぞれ所定の交差角で照射される。そし
て、レチクルマークRMからほぼ法線方向に(垂直に)
射出された2対の回折光(光束LARの−1次回折光L
AR(-1),光束LBRの+1次回折光LBR(+1)及び光
束HARの−1次回折光HAR(-1),光束HBRの+1
次回折光HBR(+1))は、ウエハマークWMからの2対
の回折光(LAW(+1),LBW(-1)及びHAW(+1),H
BW(-1))と平行に対物レンズ42を経てビームスプリ
ッタ41で反射された後、集光レンズ45を経てビーム
スプリッタ46(又は部分反射プリズム)に入射する。
LBR及びHAR,HBR)は、平行平板ガラス39、
及びリレーレンズ40を経て平行な2対の光束となって
から、ビームスプリッタ41を透過した後、対物レンズ
42によりレチクル43上の回折格子状のレチクルマー
クRM上にそれぞれ所定の交差角で照射される。そし
て、レチクルマークRMからほぼ法線方向に(垂直に)
射出された2対の回折光(光束LARの−1次回折光L
AR(-1),光束LBRの+1次回折光LBR(+1)及び光
束HARの−1次回折光HAR(-1),光束HBRの+1
次回折光HBR(+1))は、ウエハマークWMからの2対
の回折光(LAW(+1),LBW(-1)及びHAW(+1),H
BW(-1))と平行に対物レンズ42を経てビームスプリ
ッタ41で反射された後、集光レンズ45を経てビーム
スプリッタ46(又は部分反射プリズム)に入射する。
【0045】そして、ビームスプリッタ46で反射され
たウエハマークWMからの2対の回折光の干渉光がウエ
ハ用光電検出器47で受光され、ウエハ用光電検出器4
7での光電変換により得られたウエハ信号SBが制御装
置50に供給される。それと並行して、ビームスプリッ
タ46を透過したレチクルマークRMからの2対の回折
光の干渉光がレチクル用光電検出器49で受光され、レ
チクル用光電検出器49での光電変換により得られたレ
チクル信号SAが制御装置50に供給される。
たウエハマークWMからの2対の回折光の干渉光がウエ
ハ用光電検出器47で受光され、ウエハ用光電検出器4
7での光電変換により得られたウエハ信号SBが制御装
置50に供給される。それと並行して、ビームスプリッ
タ46を透過したレチクルマークRMからの2対の回折
光の干渉光がレチクル用光電検出器49で受光され、レ
チクル用光電検出器49での光電変換により得られたレ
チクル信号SAが制御装置50に供給される。
【0046】また、レチクル43はレチクルステージR
ST上に載置され、ウエハ18はウエハステージWST
上に載置され、レチクルステージRSTは所定範囲内で
レチクル43の並進及び回転調整を行い、ウエハステー
ジWSTはウエハ18のX方向及びY方向へのステッピ
ング駆動及びZ方向への位置調整等を行う。制御装置5
0は、供給されたレチクル信号SA及びウエハ信号SB
に基づいて、レチクルステージRST及びウエハステー
ジWSTを介してレチクル43及びウエハ18の位置合
わせを行う。
ST上に載置され、ウエハ18はウエハステージWST
上に載置され、レチクルステージRSTは所定範囲内で
レチクル43の並進及び回転調整を行い、ウエハステー
ジWSTはウエハ18のX方向及びY方向へのステッピ
ング駆動及びZ方向への位置調整等を行う。制御装置5
0は、供給されたレチクル信号SA及びウエハ信号SB
に基づいて、レチクルステージRST及びウエハステー
ジWSTを介してレチクル43及びウエハ18の位置合
わせを行う。
【0047】本実施例においても、ウエハ用光電検出器
47では2つの波長の干渉ビート光が混合された状態で
光電変換されるため、2つの干渉ビート光の位相を合わ
せるために平行平板ガラス38を回転する。レチクル用
光電検出器49に関しても、2つの干渉ビート光の位相
を合わせるために平行平板ガラス39を回転する。な
お、ウエハ用アライメントマークは半導体プロセスを経
る間に、破壊される可能性があるため、上記マークの打
ち換えを行う必要が生ずる場合がある。そのためには、
対物レンズ42を含むアライメント系又はその1部をレ
チクル面に対し平行に移動させて、打ち換えられたマー
クを検出できるようにする必要がある。この場合には、
レチクルビームとレチクルマークとの相対的な位置関係
を変化させないようにアライメント系又はその1部を移
動させることができるが、この移動に伴いウエハビーム
が投影レンズ44を通過する時の像高(投影光学系44
の光軸からの高さ)の位置が変化し、この結果、レチク
ルビームが投影光学系44によって受ける収差の影響が
変化する。従って、ウエハマークの打ち換え毎に、ウエ
ハマークを介して得られる光干渉ビート信号の原点(基
準点)の位置出しのために、平行平板ガラス38を回転
させてウエハビームを調整すれば良い。但し、レチクル
ビームは1度だけ調整しておけば十分である。なお、ア
ライメント系をホモダイン法によるものとして、ウエハ
マークの打ち換え毎に、ウエハビームを調整する場合に
は、ウエハマークを介して得られる検出信号のピーク位
置となるように平行平板ガラス38を回転させてウエハ
ビームを調整すれば良い。
47では2つの波長の干渉ビート光が混合された状態で
光電変換されるため、2つの干渉ビート光の位相を合わ
せるために平行平板ガラス38を回転する。レチクル用
光電検出器49に関しても、2つの干渉ビート光の位相
を合わせるために平行平板ガラス39を回転する。な
お、ウエハ用アライメントマークは半導体プロセスを経
る間に、破壊される可能性があるため、上記マークの打
ち換えを行う必要が生ずる場合がある。そのためには、
対物レンズ42を含むアライメント系又はその1部をレ
チクル面に対し平行に移動させて、打ち換えられたマー
クを検出できるようにする必要がある。この場合には、
レチクルビームとレチクルマークとの相対的な位置関係
を変化させないようにアライメント系又はその1部を移
動させることができるが、この移動に伴いウエハビーム
が投影レンズ44を通過する時の像高(投影光学系44
の光軸からの高さ)の位置が変化し、この結果、レチク
ルビームが投影光学系44によって受ける収差の影響が
変化する。従って、ウエハマークの打ち換え毎に、ウエ
ハマークを介して得られる光干渉ビート信号の原点(基
準点)の位置出しのために、平行平板ガラス38を回転
させてウエハビームを調整すれば良い。但し、レチクル
ビームは1度だけ調整しておけば十分である。なお、ア
ライメント系をホモダイン法によるものとして、ウエハ
マークの打ち換え毎に、ウエハビームを調整する場合に
は、ウエハマークを介して得られる検出信号のピーク位
置となるように平行平板ガラス38を回転させてウエハ
ビームを調整すれば良い。
【0048】次に、本実施例における平行平板ガラス3
8の調整方法に付き説明する。先ず、ウエハ18上に基
準回折格子を設置し、図示省略されたアライメント顕微
鏡の観察することによりレチクルマークRMとその基準
回折格子との位置を合致させる。この状態でアライメン
ト顕微鏡を退避させて、レチクル用の2対の光束及びウ
エハ用の2対の光束がそれぞれレチクルマークRM及び
その基準回折格子上に照射されるようにしておく。その
後、例えば図3の半導体レーザ素子2のみを点灯し、レ
チクルマークRM及びその基準回折格子上にそれぞれ1
対の光束LAR,LBR及びLAW,LBWを照射す
る。この際に、レチクル用光電検出器49及びウエハ用
光電検出器47からはそれぞれ周波数が2|f1-f2|の
レチクル信号SAL 及びウエハ信号SBL が得られ、基
準回折格子のレチクル43に対するX方向のずれ量は、
レチクル信号SAL に対するウエハ信号SBL の位相差
として測定される。
8の調整方法に付き説明する。先ず、ウエハ18上に基
準回折格子を設置し、図示省略されたアライメント顕微
鏡の観察することによりレチクルマークRMとその基準
回折格子との位置を合致させる。この状態でアライメン
ト顕微鏡を退避させて、レチクル用の2対の光束及びウ
エハ用の2対の光束がそれぞれレチクルマークRM及び
その基準回折格子上に照射されるようにしておく。その
後、例えば図3の半導体レーザ素子2のみを点灯し、レ
チクルマークRM及びその基準回折格子上にそれぞれ1
対の光束LAR,LBR及びLAW,LBWを照射す
る。この際に、レチクル用光電検出器49及びウエハ用
光電検出器47からはそれぞれ周波数が2|f1-f2|の
レチクル信号SAL 及びウエハ信号SBL が得られ、基
準回折格子のレチクル43に対するX方向のずれ量は、
レチクル信号SAL に対するウエハ信号SBL の位相差
として測定される。
【0049】実際に平行平板ガラス38の回転角の調整
を行うためには、図3の半導体レーザ素子2が点灯し、
He−Neレーザ光源1が消灯している状態で、レチク
ル信号SAL に対するウエハ信号SBL の位相差ΔABL
を測定した後、He−Neレーザ光源1をも点灯した状
態で、レチクル用光電検出器49からのレチクル信号S
Aに対するウエハ用光電検出器47からのウエハ信号S
Bの位相差ΔABを測定する。そして、位相差ΔABL と位
相差ΔABとが等しくなるように平行平板ガラス38を回
転し、そのときのレチクル信号SAとウエハ信号SBと
の位相差をオフセットとする。
を行うためには、図3の半導体レーザ素子2が点灯し、
He−Neレーザ光源1が消灯している状態で、レチク
ル信号SAL に対するウエハ信号SBL の位相差ΔABL
を測定した後、He−Neレーザ光源1をも点灯した状
態で、レチクル用光電検出器49からのレチクル信号S
Aに対するウエハ用光電検出器47からのウエハ信号S
Bの位相差ΔABを測定する。そして、位相差ΔABL と位
相差ΔABとが等しくなるように平行平板ガラス38を回
転し、そのときのレチクル信号SAとウエハ信号SBと
の位相差をオフセットとする。
【0050】その後、実際に位置合わせを行う際には、
図3のHe−Neレーザ光源1及び半導体レーザ素子2
が点灯している状態で、レチクル信号SAとウエハ信号
SBとの位相差がそのオフセットになるようにレチクル
ステージRST又はウエハステージWSTを移動する。
なお、このようにTTR方式で位置合わせを行う場合に
は、ウエハマークWMが露光光により露光され易くなる
ため、ウエハマークWMの打ち換えが必要となる。この
場合、位置検出装置の視野移動後に、隣接するウエハマ
ーク間の間隔(オフセット)の計測を行い、その間隔だ
けずれた位置が露光フィールド内に設定されるように、
ウエハステージWST又はレチクルステージRSTを動
かしてから露光を行えばよい。
図3のHe−Neレーザ光源1及び半導体レーザ素子2
が点灯している状態で、レチクル信号SAとウエハ信号
SBとの位相差がそのオフセットになるようにレチクル
ステージRST又はウエハステージWSTを移動する。
なお、このようにTTR方式で位置合わせを行う場合に
は、ウエハマークWMが露光光により露光され易くなる
ため、ウエハマークWMの打ち換えが必要となる。この
場合、位置検出装置の視野移動後に、隣接するウエハマ
ーク間の間隔(オフセット)の計測を行い、その間隔だ
けずれた位置が露光フィールド内に設定されるように、
ウエハステージWST又はレチクルステージRSTを動
かしてから露光を行えばよい。
【0051】また、レーザ光源を安定に動作させるため
には、平行平板ガラス38の調整時に、He−Neレー
ザ光源1を消灯する代わりに、シャッタ等を用いてHe
−Neレーザ光源1からのレーザビームを遮光するか、
又はNDフィルタによりHe−Neレーザ光源1からの
レーザビームを減光させたりして測定を行ってもよい。
なお、He−Neレーザ光源1からの光束を機械的なシ
ャッターで開閉する代わりに、例えばポッケルスセルの
ような光学素子を用いてシャッターを構成しても良い。
には、平行平板ガラス38の調整時に、He−Neレー
ザ光源1を消灯する代わりに、シャッタ等を用いてHe
−Neレーザ光源1からのレーザビームを遮光するか、
又はNDフィルタによりHe−Neレーザ光源1からの
レーザビームを減光させたりして測定を行ってもよい。
なお、He−Neレーザ光源1からの光束を機械的なシ
ャッターで開閉する代わりに、例えばポッケルスセルの
ような光学素子を用いてシャッターを構成しても良い。
【0052】また、光源としてHe−Neレーザ光源1
のようなレーザ光源と半導体レーザ素子2とを併用する
代わりに、光源として複数波長同時発振の1個のレーザ
光源を使用してもよい。また、光源としてスペクトル幅
の広い光を発生する光源(白色ランプ、レーザダイオー
ド)等を使用してもよい。また、本発明はオフ・アクシ
ス方式のアライメント系又はTTR方式のアライメント
系のみならず、投影光学系を介して位置検出を行うTT
L(スルー・ザ・レンズ)方式のアライメント系にも同
様に適用される。
のようなレーザ光源と半導体レーザ素子2とを併用する
代わりに、光源として複数波長同時発振の1個のレーザ
光源を使用してもよい。また、光源としてスペクトル幅
の広い光を発生する光源(白色ランプ、レーザダイオー
ド)等を使用してもよい。また、本発明はオフ・アクシ
ス方式のアライメント系又はTTR方式のアライメント
系のみならず、投影光学系を介して位置検出を行うTT
L(スルー・ザ・レンズ)方式のアライメント系にも同
様に適用される。
【0053】更に、上述実施例はヘテロダイン干渉型の
アライメント系に本発明を適用したものであるが、本発
明はホモダイン干渉型のアライメント系にも同様に適用
できる。このように本発明は上述実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得
る。
アライメント系に本発明を適用したものであるが、本発
明はホモダイン干渉型のアライメント系にも同様に適用
できる。このように本発明は上述実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得
る。
【0054】
【発明の効果】本発明によれば、複数の波長の光を同時
に使用しながら単一の受光系を用いた構成でも、色収差
補正手段によりそれら複数の波長の干渉光の位相を所定
の状態に揃えることができ、その単一の受光系からの検
出信号のSN比を改善することができる。従って、回折
格子状マークの段差や感光材の膜厚等の影響を受けずに
高精度に位置検出が行えると共に、製造誤差を含む光学
素子等を用いても、その製造誤差に起因する位相ずれを
補正できる利点がある。
に使用しながら単一の受光系を用いた構成でも、色収差
補正手段によりそれら複数の波長の干渉光の位相を所定
の状態に揃えることができ、その単一の受光系からの検
出信号のSN比を改善することができる。従って、回折
格子状マークの段差や感光材の膜厚等の影響を受けずに
高精度に位置検出が行えると共に、製造誤差を含む光学
素子等を用いても、その製造誤差に起因する位相ずれを
補正できる利点がある。
【0055】また、色収差補正手段を、被検物18の被
検面とほぼ共役な面上に配置した場合には、装置全体を
小型化できる。更に、色収差補正手段が、回転自在に支
持された平行平板ガラスである場合には、構成が簡略で
ある。
検面とほぼ共役な面上に配置した場合には、装置全体を
小型化できる。更に、色収差補正手段が、回転自在に支
持された平行平板ガラスである場合には、構成が簡略で
ある。
【図1】本発明による位置検出装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図2】図1の実施例で得られる参照信号及びウエハ信
号を示す波形図である。
号を示す波形図である。
【図3】(a)は本発明の第2実施例のヘテロダインビ
ーム生成系の正面図、(b)はその第2実施例のヘテロ
ダインビーム生成系の側面図である。
ーム生成系の正面図、(b)はその第2実施例のヘテロ
ダインビーム生成系の側面図である。
【図4】(a)は本発明の第2実施例の図3(a)に続
く部分の構成を示す正面図、(b)はその第2実施例の
図3(b)に続く部分の構成を示す側面図である。
く部分の構成を示す正面図、(b)はその第2実施例の
図3(b)に続く部分の構成を示す側面図である。
【図5】製造誤差を含む光学素子を使った場合の2光束
の交差点の位置ずれ量の説明図である。
の交差点の位置ずれ量の説明図である。
1 He−Neレーザ光源 2 半導体レーザ素子 3 コリメータレンズ 4,4A ダイクロイックミラー 5 回折格子 8,9 音響光学変調素子(AOM) 13 視野絞り 14 平行平板ガラス 18 ウエハ WM ウエハマーク 19 光電検出器 21 参照格子 22 参照光電検出器 43 レチクル RM レチクルマーク 47 ウエハ用光電検出器
Claims (3)
- 【請求項1】 可干渉性を有する複数の光束を被検物上
に形成された回折格子状マーク上に照射し、該複数の光
束の照射により前記回折格子状マークから発生する複数
の回折光の干渉光の光電変換信号に基づいて、前記被検
物の位置検出を行う位置検出装置において、 互いに異なる複数の波長の光束を発生する光源と、 前記光源から射出された互いに波長の異なる複数の光束
をそれぞれ1対の光束に分割し、これにより得られた複
数対の光束を前記被検物上に形成された回折格子状マー
ク上に照射する送光光学系と、 前記複数対の光束の照射により前記回折格子状マークか
ら発生する複数対の回折光の干渉光を生成する受光光学
系と、 前記複数対の回折光の干渉光を一括して光電変換する光
電変換手段と、 前記送光光学系内に配置され、前記互いに波長の異なる
複数対の光束の色収差を補正する色収差補正手段と、を
有し、 前記色収差補正手段により、前記光電変換手段で受光さ
れる前記複数対の回折光のそれぞれの干渉光の位相を所
定の状態に揃えることを特徴とする位置検出装置。 - 【請求項2】 前記色収差補正手段を、前記被検物の被
検面とほぼ共役な面上に配置したことを特徴とする請求
項1記載の位置検出装置。 - 【請求項3】 前記色収差補正手段は、回転自在に支持
された平行平板ガラスであることを特徴とする請求項1
又は2記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306267A JPH07161611A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306267A JPH07161611A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161611A true JPH07161611A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17955029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306267A Withdrawn JPH07161611A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161611A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349014A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 重ね合わせ測定装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JP2004126590A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Leica Microsystems Wetzler Gmbh | 顕微鏡で位相差観察または変調コントラスト観察を実現するための位相シフト方法および装置 |
| JP2007324338A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nikon Corp | マーク位置検出装置及び調整方法 |
| JP2009257926A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sony Corp | 変位検出装置 |
| WO2021235439A1 (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 株式会社ニコン | パターン形成装置 |
| JP2022544187A (ja) * | 2019-08-09 | 2022-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 計測デバイスおよびそのための位相変調装置 |
| US11803130B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Phase modulators in alignment to decrease mark size |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP5306267A patent/JPH07161611A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
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| US11803130B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Phase modulators in alignment to decrease mark size |
| US11815675B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology device and phase modulator apparatus therefor comprising a first moving grating and a first compensatory grating element |
| WO2021235439A1 (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 株式会社ニコン | パターン形成装置 |
| JPWO2021235439A1 (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |