JPH07161679A - 乾燥装置 - Google Patents
乾燥装置Info
- Publication number
- JPH07161679A JPH07161679A JP30786893A JP30786893A JPH07161679A JP H07161679 A JPH07161679 A JP H07161679A JP 30786893 A JP30786893 A JP 30786893A JP 30786893 A JP30786893 A JP 30786893A JP H07161679 A JPH07161679 A JP H07161679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- organic solvent
- dried
- drying
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハなどの蒸気乾燥において、従来
の乾燥装置には具備していない有機溶媒の蒸気制御手段
を付加することにより、高清浄度な半導体ウェハの乾燥
を行う。 【構成】 処理槽１と、ＩＰＡ液２と、ヒータ３ａ〜３
ｃと、ＩＰＡ液４と、冷却管５ａ〜５ｃと、カセット６
と、ハンドル７と、半導体ウェハ８とによって構成さ
れ、複数のヒータ３ａ〜３ｃのヒータ容量を変えて、さ
らに複数の冷却管５ａ〜５ｃによりこの冷却管５ａ〜５
ｃの中を流れる冷却剤の流量および温度をそれぞれ制御
することによって、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密度および
分布を制御し、この制御されたＩＰＡ蒸気４により半導
体ウェハ８を高清浄度に乾燥する。
の乾燥装置には具備していない有機溶媒の蒸気制御手段
を付加することにより、高清浄度な半導体ウェハの乾燥
を行う。 【構成】 処理槽１と、ＩＰＡ液２と、ヒータ３ａ〜３
ｃと、ＩＰＡ液４と、冷却管５ａ〜５ｃと、カセット６
と、ハンドル７と、半導体ウェハ８とによって構成さ
れ、複数のヒータ３ａ〜３ｃのヒータ容量を変えて、さ
らに複数の冷却管５ａ〜５ｃによりこの冷却管５ａ〜５
ｃの中を流れる冷却剤の流量および温度をそれぞれ制御
することによって、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密度および
分布を制御し、この制御されたＩＰＡ蒸気４により半導
体ウェハ８を高清浄度に乾燥する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、乾燥装置に関し、特に
半導体ウェハの蒸気乾燥において高清浄化した有機溶媒
の蒸気の密度および分布を制御し、半導体ウェハを高清
浄度に乾燥する技術に適用して有効な技術に関する。
半導体ウェハの蒸気乾燥において高清浄化した有機溶媒
の蒸気の密度および分布を制御し、半導体ウェハを高清
浄度に乾燥する技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、従来の有機溶媒の蒸気による
乾燥装置においては、処理槽の周辺に冷却管およびヒー
タなどを具備し、この冷却管およびヒータの構造および
目的は、以下に示すような構造および目的にて使用され
ているものと考えられる。
乾燥装置においては、処理槽の周辺に冷却管およびヒー
タなどを具備し、この冷却管およびヒータの構造および
目的は、以下に示すような構造および目的にて使用され
ているものと考えられる。
【０００３】すなわち、冷却管の構造としては、単一構
造であり、一種類の冷却剤のみ使用できる構造である。
また使用目的としては、処理槽内において発生する有機
溶媒の蒸気が処理槽外へ流出することを防止するための
安全対策に用いられている。
造であり、一種類の冷却剤のみ使用できる構造である。
また使用目的としては、処理槽内において発生する有機
溶媒の蒸気が処理槽外へ流出することを防止するための
安全対策に用いられている。
【０００４】また、ヒータの構造は、冷却管と同様に単
一構造であり、処理槽内に均一に有機溶媒の蒸気などを
発生させるためだけの構造となっている。
一構造であり、処理槽内に均一に有機溶媒の蒸気などを
発生させるためだけの構造となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、冷却管の構造は単一構造であ
り、この構造においては、冷却剤の温度および流量を制
御することはできないという欠点がある。
な従来技術においては、冷却管の構造は単一構造であ
り、この構造においては、冷却剤の温度および流量を制
御することはできないという欠点がある。
【０００６】さらに、ヒータの構造も単一構造であり、
この構造では、処理槽内における有機溶媒の蒸気の密度
および分布が制御できないという欠点もある。
この構造では、処理槽内における有機溶媒の蒸気の密度
および分布が制御できないという欠点もある。
【０００７】また、有機溶媒の蒸気乾燥の原理として
は、ヒータによって熱せられた有機溶媒は沸点付近にお
いて蒸気となり処理槽内に充満する。
は、ヒータによって熱せられた有機溶媒は沸点付近にお
いて蒸気となり処理槽内に充満する。
【０００８】さらに、その状態において、浸水した半導
体ウェハを処理槽内に挿入すると、温度差によって有機
溶媒の蒸気が半導体ウェハの表面に付着する。このとき
に有機溶媒の蒸気は気体から液体に変化し、半導体ウェ
ハの表面にある水と混じり合い滴下し、半導体ウェハを
乾燥させる原理である。
体ウェハを処理槽内に挿入すると、温度差によって有機
溶媒の蒸気が半導体ウェハの表面に付着する。このとき
に有機溶媒の蒸気は気体から液体に変化し、半導体ウェ
ハの表面にある水と混じり合い滴下し、半導体ウェハを
乾燥させる原理である。
【０００９】このため、有機溶媒の蒸気の清浄度、密度
および分布は、半導体ウェハの清浄度に強く関係し、半
導体ウェハの高清浄化を図るためには有機溶媒の蒸気を
制御することが必要不可欠である。
および分布は、半導体ウェハの清浄度に強く関係し、半
導体ウェハの高清浄化を図るためには有機溶媒の蒸気を
制御することが必要不可欠である。
【００１０】そこで、本発明の目的は、従来の乾燥装置
には具備していない有機溶媒の蒸気を制御する蒸気制御
手段として複数の冷却管およびヒータ容量の違う複数の
ヒータを具備することによって、高清浄度な半導体ウェ
ハの乾燥を可能とする乾燥装置を提供することにある。
には具備していない有機溶媒の蒸気を制御する蒸気制御
手段として複数の冷却管およびヒータ容量の違う複数の
ヒータを具備することによって、高清浄度な半導体ウェ
ハの乾燥を可能とする乾燥装置を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、請求項１記載の乾燥装置は、被
乾燥材である高脆性材料を有機溶媒の蒸気によって蒸気
乾燥を行う乾燥装置であって、被乾燥材を乾燥するため
に有機溶媒の蒸気を制御する蒸気制御手段を備えるもの
である。
乾燥材である高脆性材料を有機溶媒の蒸気によって蒸気
乾燥を行う乾燥装置であって、被乾燥材を乾燥するため
に有機溶媒の蒸気を制御する蒸気制御手段を備えるもの
である。
【００１４】さらに、請求項２記載の乾燥装置は、蒸気
制御手段として複数の冷却管を具備し、複数の冷却管の
中を流れる冷却剤の温度および流量をそれぞれ制御し
て、被乾燥材を乾燥する処理槽内の領域およびその周辺
における有機溶媒の蒸気の密度および分布を制御し、有
機溶媒の蒸気を被乾燥材に供給して乾燥を行うものであ
る。
制御手段として複数の冷却管を具備し、複数の冷却管の
中を流れる冷却剤の温度および流量をそれぞれ制御し
て、被乾燥材を乾燥する処理槽内の領域およびその周辺
における有機溶媒の蒸気の密度および分布を制御し、有
機溶媒の蒸気を被乾燥材に供給して乾燥を行うものであ
る。
【００１５】また、請求項３記載の乾燥装置は、蒸気制
御手段として、互いに独立に制御される複数のヒータを
具備し、複数のヒータのヒータ容量をそれぞれ変えて加
熱することによって、処理槽内における有機溶媒の蒸気
の密度および分布を制御し、有機溶媒の蒸気を被乾燥材
に供給して乾燥を行うものである。
御手段として、互いに独立に制御される複数のヒータを
具備し、複数のヒータのヒータ容量をそれぞれ変えて加
熱することによって、処理槽内における有機溶媒の蒸気
の密度および分布を制御し、有機溶媒の蒸気を被乾燥材
に供給して乾燥を行うものである。
【００１６】さらに、請求項４記載の乾燥装置は、有機
溶媒としてイソプロピルアルコールを用い、被乾燥材と
して半導体ウェハ、ガラスまたは化合物半導体を乾燥す
るものである。
溶媒としてイソプロピルアルコールを用い、被乾燥材と
して半導体ウェハ、ガラスまたは化合物半導体を乾燥す
るものである。
【００１７】
【作用】前記した乾燥装置によれば、たとえば高脆性材
料である半導体ウェハ、ガラスおよび化合物半導体など
の被乾燥材を有機溶媒の蒸気により蒸気乾燥を行うため
に、蒸気制御手段である複数の冷却管および複数のヒー
タをそれぞれ備えて、冷却管は冷却剤の流量や温度、ヒ
ータはヒータ容量をそれぞれ最適に制御することによ
り、有機溶媒の蒸気の密度および分布を制御することが
でき、半導体ウェハ、ガラスおよび化合物半導体などの
乾燥を高清浄度に行うことができる。
料である半導体ウェハ、ガラスおよび化合物半導体など
の被乾燥材を有機溶媒の蒸気により蒸気乾燥を行うため
に、蒸気制御手段である複数の冷却管および複数のヒー
タをそれぞれ備えて、冷却管は冷却剤の流量や温度、ヒ
ータはヒータ容量をそれぞれ最適に制御することによ
り、有機溶媒の蒸気の密度および分布を制御することが
でき、半導体ウェハ、ガラスおよび化合物半導体などの
乾燥を高清浄度に行うことができる。
【００１８】これにより、複数の冷却管および複数のヒ
ータなどを用いて処理槽内の有機溶媒の蒸気の清浄度、
密度および分布が制御可能となり、半導体ウェハ、ガラ
スおよび化合物半導体などに最適な乾燥条件を設定する
ことができ、また今日の大口径化した半導体ウェハなど
の乾燥にも最適となる。
ータなどを用いて処理槽内の有機溶媒の蒸気の清浄度、
密度および分布が制御可能となり、半導体ウェハ、ガラ
スおよび化合物半導体などに最適な乾燥条件を設定する
ことができ、また今日の大口径化した半導体ウェハなど
の乾燥にも最適となる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２０】（実施例１）図１は本発明の実施例１であ
る半導体ウェハの乾燥装置を示す概略構成図である。
る半導体ウェハの乾燥装置を示す概略構成図である。
【００２１】まず、図１により本実施例の半導体ウェハ
の乾燥装置の構成を説明する。
の乾燥装置の構成を説明する。
【００２２】本実施例の半導体ウェハの乾燥装置は、た
とえば半導体ウェハを有機溶媒であるイソプロピルアル
コール（以下、ＩＰＡと記す）蒸気により蒸気乾燥を行
う半導体ウェハの乾燥装置とされ、処理槽１と、ＩＰＡ
液２と、ヒータ（蒸気制御手段）３ａ〜３ｃと、ＩＰＡ
蒸気４と、冷却管（蒸気制御手段）５ａ〜５ｃと、カセ
ット６と、ハンドル７と、半導体ウェハ（被乾燥材）８
とにより構成されている。
とえば半導体ウェハを有機溶媒であるイソプロピルアル
コール（以下、ＩＰＡと記す）蒸気により蒸気乾燥を行
う半導体ウェハの乾燥装置とされ、処理槽１と、ＩＰＡ
液２と、ヒータ（蒸気制御手段）３ａ〜３ｃと、ＩＰＡ
蒸気４と、冷却管（蒸気制御手段）５ａ〜５ｃと、カセ
ット６と、ハンドル７と、半導体ウェハ（被乾燥材）８
とにより構成されている。
【００２３】ヒータ３ａ〜３ｃは、ヒータ容量の異なる
複数のヒータであり、互いに独立に加熱制御できるよう
に分割され、ヒータ容量を変えることによってＩＰＡ蒸
気４の密度および分布を制御する。冷却管５ａ〜５ｃは
複数の冷却管を備えることにより、冷却管５ａ〜５ｃの
中を流れる冷却剤の温度および流量を制御し、さらに冷
却剤の温度および流量の制御により、半導体ウェハ８を
乾燥するための処理槽１内の領域およびその周辺のＩＰ
Ａ蒸気４の密度および分布を制御する。
複数のヒータであり、互いに独立に加熱制御できるよう
に分割され、ヒータ容量を変えることによってＩＰＡ蒸
気４の密度および分布を制御する。冷却管５ａ〜５ｃは
複数の冷却管を備えることにより、冷却管５ａ〜５ｃの
中を流れる冷却剤の温度および流量を制御し、さらに冷
却剤の温度および流量の制御により、半導体ウェハ８を
乾燥するための処理槽１内の領域およびその周辺のＩＰ
Ａ蒸気４の密度および分布を制御する。
【００２４】カセット６はハンドル７により把持され、
処理槽１内において、ＩＰＡ蒸気４が充満される冷却管
５ａ〜５ｃが通る付近に半導体ウェハ８を垂設状態で保
持するための治具である。
処理槽１内において、ＩＰＡ蒸気４が充満される冷却管
５ａ〜５ｃが通る付近に半導体ウェハ８を垂設状態で保
持するための治具である。
【００２５】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２６】まず、オペレータは、処理槽１の底面に最
適量のＩＰＡ液２を入れて、ヒータ容量の異なる複数の
ヒータ３ａ〜３ｃによりＩＰＡ液２を加熱し、ＩＰＡ蒸
気４を発生させる。
適量のＩＰＡ液２を入れて、ヒータ容量の異なる複数の
ヒータ３ａ〜３ｃによりＩＰＡ液２を加熱し、ＩＰＡ蒸
気４を発生させる。
【００２７】次に、オペレータは、この状態において、
複数のヒータ３ａ〜３ｃのヒータ容量および複数の冷却
管５ａ〜５ｃによりこの冷却管５ａ〜５ｃを流れる冷却
剤の流量をそれぞれ制御し、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密
度および分布を被乾燥材である半導体ウェハ８の最適条
件に設定する。
複数のヒータ３ａ〜３ｃのヒータ容量および複数の冷却
管５ａ〜５ｃによりこの冷却管５ａ〜５ｃを流れる冷却
剤の流量をそれぞれ制御し、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密
度および分布を被乾燥材である半導体ウェハ８の最適条
件に設定する。
【００２８】そして、オペレータは、この制御されたＩ
ＰＡ蒸気４中にハンドル７によりカセット６に垂設状態
に保持された複数の半導体ウェハ８を挿入し、設定した
最適な乾燥条件により高清浄度に乾燥する。
ＰＡ蒸気４中にハンドル７によりカセット６に垂設状態
に保持された複数の半導体ウェハ８を挿入し、設定した
最適な乾燥条件により高清浄度に乾燥する。
【００２９】この場合に、この半導体ウェハの乾燥装置
による乾燥後の半導体ウェハ８の清浄度の予想結果とし
て、たとえば0.３μｍ以上の付着異物を平均1.０から0.
３個に低減できることが予想される。
による乾燥後の半導体ウェハ８の清浄度の予想結果とし
て、たとえば0.３μｍ以上の付着異物を平均1.０から0.
３個に低減できることが予想される。
【００３０】従って、本実施例の半導体ウェハの乾燥装
置によれば、蒸気制御手段である複数のヒータ３ａ〜３
ｃと、複数の冷却管５ａ〜５ｃとを備え、ヒータ３ａ〜
３ｃの容量を変えることにより、また冷却管５ａ〜５ｃ
を流れる冷却剤の温度および流量を制御することによ
り、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密度および分布が制御で
き、高清浄度なＩＰＡ蒸気４に半導体ウェハ８をさらし
て、半導体ウェハ８を高清浄度に乾燥することができ
る。
置によれば、蒸気制御手段である複数のヒータ３ａ〜３
ｃと、複数の冷却管５ａ〜５ｃとを備え、ヒータ３ａ〜
３ｃの容量を変えることにより、また冷却管５ａ〜５ｃ
を流れる冷却剤の温度および流量を制御することによ
り、ＩＰＡ蒸気４の清浄度、密度および分布が制御で
き、高清浄度なＩＰＡ蒸気４に半導体ウェハ８をさらし
て、半導体ウェハ８を高清浄度に乾燥することができ
る。
【００３１】（実施例２）図２は本発明の実施例２であ
る半導体ウェハの乾燥装置を示す概略構成図である。
る半導体ウェハの乾燥装置を示す概略構成図である。
【００３２】なお、本実施例２の半導体ウェハの乾燥装
置の構成は、図２に示すように前記実施例１では複数の
ヒータ３ａ〜３ｃを備えていたものを単一のヒータ３を
備える構成にしたものである。
置の構成は、図２に示すように前記実施例１では複数の
ヒータ３ａ〜３ｃを備えていたものを単一のヒータ３を
備える構成にしたものである。
【００３３】次に、本実施例の作用を説明する。
【００３４】複数の冷却管５ａ〜５ｃを流れる冷却剤の
温度および流量を制御することにより、ＩＰＡ蒸気４の
清浄度、密度および分布が制御でき、高清浄度なＩＰＡ
蒸気４に半導体ウェハ８をさらして、半導体ウェハ８を
高清浄度に乾燥することができる。
温度および流量を制御することにより、ＩＰＡ蒸気４の
清浄度、密度および分布が制御でき、高清浄度なＩＰＡ
蒸気４に半導体ウェハ８をさらして、半導体ウェハ８を
高清浄度に乾燥することができる。
【００３５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
において種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３６】たとえば、前記実施例の有機溶媒の蒸気に
ついては、ＩＰＡを用いる場合について説明したが、本
発明は前記実施例に限定されるものではなく、他の蒸気
乾燥に使用する有機溶媒を用いる場合についても広く適
用可能である。
ついては、ＩＰＡを用いる場合について説明したが、本
発明は前記実施例に限定されるものではなく、他の蒸気
乾燥に使用する有機溶媒を用いる場合についても広く適
用可能である。
【００３７】また、被乾燥材については、半導体ウェハ
を使用する場合について説明したが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、ガラス、化合物半導体な
どの高脆性材料についても広く適用可能である。
を使用する場合について説明したが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、ガラス、化合物半導体な
どの高脆性材料についても広く適用可能である。
【００３８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３９】(1).蒸気制御手段であるヒータ容量の違う
複数のヒータおよび複数の冷却管を備えることにより、
乾燥装置の処理槽内における有機溶媒の蒸気の清浄度、
密度および分布を制御することができる。
複数のヒータおよび複数の冷却管を備えることにより、
乾燥装置の処理槽内における有機溶媒の蒸気の清浄度、
密度および分布を制御することができる。
【００４０】(2).この有機溶媒の蒸気の清浄度、密度お
よび分布を制御することにより、高清浄度な半導体ウェ
ハ、ガラスおよび化合物半導体などの乾燥が可能とな
り、付着異物を大幅に低減することができる。
よび分布を制御することにより、高清浄度な半導体ウェ
ハ、ガラスおよび化合物半導体などの乾燥が可能とな
り、付着異物を大幅に低減することができる。
【００４１】(3).洗浄度および乾燥度が向上することに
より、最近の大口径化した半導体ウェハなどの乾燥に最
適となり、この半導体ウェハなどの歩留まりを向上する
ことができる。
より、最近の大口径化した半導体ウェハなどの乾燥に最
適となり、この半導体ウェハなどの歩留まりを向上する
ことができる。
【図１】本発明の実施例１である半導体ウェハの乾燥装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施例２である半導体ウェハの乾燥装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
１ 処理槽 ２ ＩＰＡ（イソプロピルアルコール：有機溶媒）液 ３，３ａ〜３ｃ ヒータ（蒸気制御手段） ４ ＩＰＡ（イソプロピルアルコール：有機溶媒）蒸気 ５ａ〜５ｃ 冷却管（蒸気制御手段） ６ カセット ７ ハンドル ８ 半導体ウェハ（被乾燥材）
Claims (4)
- 【請求項１】 被乾燥材である高脆性材料を有機溶媒の
蒸気により蒸気乾燥を行う乾燥装置であって、前記被乾
燥材を乾燥するために前記有機溶媒の蒸気を制御する蒸
気制御手段を備えることを特徴とする乾燥装置。 - 【請求項２】 前記蒸気制御手段として複数の冷却管を
具備し、該複数の冷却管を流れる冷却剤の温度および流
量をそれぞれ制御して、前記被乾燥材を乾燥する処理槽
内の領域およびその周辺における前記有機溶媒の蒸気の
密度および分布を制御し、該有機溶媒の蒸気を該被乾燥
材に供給して乾燥を行うことを特徴とする請求項１記載
の乾燥装置。 - 【請求項３】 前記蒸気制御手段として、互いに独立に
加熱制御される複数のヒータを具備し、該複数のヒータ
のヒータ容量をそれぞれ変えて加熱することによって、
前記処理槽内における前記有機溶媒の蒸気の密度および
分布を制御し、該有機溶媒の蒸気を前記被乾燥材に供給
して乾燥を行うことを特徴とする請求項２記載の乾燥装
置。 - 【請求項４】 前記有機溶媒としてイソプロピルアルコ
ールを用い、前記被乾燥材として半導体ウェハ、ガラス
または化合物半導体を乾燥することを特徴とする請求項
１、２または３記載の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30786893A JPH07161679A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30786893A JPH07161679A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161679A true JPH07161679A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17974132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30786893A Pending JPH07161679A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990048784A (ko) * | 1997-12-10 | 1999-07-05 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
| CN112599457A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-04-02 | 常州江苏大学工程技术研究院 | 一种用于集成电路生产的硅片清洗装置 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30786893A patent/JPH07161679A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990048784A (ko) * | 1997-12-10 | 1999-07-05 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
| CN112599457A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-04-02 | 常州江苏大学工程技术研究院 | 一种用于集成电路生产的硅片清洗装置 |
| CN112599457B (zh) * | 2021-03-01 | 2021-05-11 | 常州江苏大学工程技术研究院 | 一种用于集成电路生产的硅片清洗装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4186032A (en) | Method for cleaning and drying semiconductors | |
| US6199298B1 (en) | Vapor assisted rotary drying method and apparatus | |
| WO2007056369A2 (en) | Batch photoresist dry strip and ash system and process | |
| JP6420707B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH05326483A (ja) | ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置 | |
| JPH0697149A (ja) | 蒸気乾燥法 | |
| JPH05121388A (ja) | 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置 | |
| KR980011979A (ko) | 웨이퍼 세정/건조 장치 및 방법 | |
| JP3009006B2 (ja) | 半導体基板の乾燥装置 | |
| JPH0682647B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH09134872A (ja) | レジスト剥離方法及び装置 | |
| JP2511873B2 (ja) | ベ−パ乾燥装置 | |
| JP2610441B2 (ja) | ワークの乾燥方法 | |
| JPH1022259A (ja) | 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 | |
| US20250323035A1 (en) | Wafer cleaning method and system using heated functional plate | |
| JPS62279632A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02142129A (ja) | ウエハの前処理方法 | |
| JPH0350724A (ja) | ウエットエッチング装置 | |
| JPH06196469A (ja) | ベーパー洗浄装置 | |
| KR200198410Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 탈 가스 장치 | |
| JPH02215126A (ja) | 半導体ウェハのドライプロセス処理方法および処理装置 | |
| JP2002502109A (ja) | 基板の乾燥法および乾燥装置 | |
| JP2567413Y2 (ja) | 乾燥装置 | |
| JPS6298623A (ja) | 蒸気乾燥装置 | |
| JPS62185327A (ja) | 処理装置 |