JPH0716474A - 複合触媒 - Google Patents
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006053 organic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】各種有機反応や環境浄化等に用いられる触媒に
おいて、制御された性能をもつ触媒を得る。 【構成】Ｓｉ基板１上に白金膜２と酸化鉄膜３とを交互
に積層する。さらにフォトリソグラフィ技術を利用し
て、薄膜面に対し垂直に縦横方向に溝４を形成する。
おいて、制御された性能をもつ触媒を得る。 【構成】Ｓｉ基板１上に白金膜２と酸化鉄膜３とを交互
に積層する。さらにフォトリソグラフィ技術を利用し
て、薄膜面に対し垂直に縦横方向に溝４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種有機反応や環境
浄化等に用いられる触媒に関する。
浄化等に用いられる触媒に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種有機反応や環境浄化のために
用いられる触媒は、粉末状あるいは担体上に粉末として
担持された状態で用いられることがほとんどである。ま
た、膜状に形成された場合でも単一材料が用いられてい
る。
用いられる触媒は、粉末状あるいは担体上に粉末として
担持された状態で用いられることがほとんどである。ま
た、膜状に形成された場合でも単一材料が用いられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】触媒として用いられる
粉末材料は、その粒径をそろえるのはかなり工夫が必要
であるし、また複合物であればその組成はミクロ的に見
れば制御されておらず、反応についても制御できない部
分が存在するという問題点がある。
粉末材料は、その粒径をそろえるのはかなり工夫が必要
であるし、また複合物であればその組成はミクロ的に見
れば制御されておらず、反応についても制御できない部
分が存在するという問題点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の複合触媒は、上
述の問題を解決するために、基板上に少なくとも２種類
以上の触媒膜を交互に積層し、膜面に対して複数の溝を
設けることを特徴とする。
述の問題を解決するために、基板上に少なくとも２種類
以上の触媒膜を交互に積層し、膜面に対して複数の溝を
設けることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、以上のようにいくつかの触媒材料の
薄膜を交互に積層し、溝を形成することによって、溝の
側面に生じた制御された膜厚の各触媒材料によって触媒
反応を生じさせることができ、反応の制御を容易に行な
うことができる。
薄膜を交互に積層し、溝を形成することによって、溝の
側面に生じた制御された膜厚の各触媒材料によって触媒
反応を生じさせることができ、反応の制御を容易に行な
うことができる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の断面図であ
る。以下、製造方法と共に説明する。
る。以下、製造方法と共に説明する。
【０００７】所定の温度に加熱されたＳｉ基板１上にス
パッタ、蒸着あるいはメッキ等の薄膜製造装置によって
貴金属膜として白金膜２と酸化鉄（例えばγ−Ｆｅ2 Ｏ
3 やマグネタイト等）膜３とを１０ｎｍの厚さに交互に
積層する。その後、ホトリソグラフィを用いたレジスト
などのマスクを用い、化学エッチングあるいはプラズマ
エッチングによって薄膜面に垂直に縦横方向に多数の溝
４を基板面まで１〜１０μｍの幅で形成する。その後、
電子顕微鏡によって確かに溝の側面で膜が所定の厚さで
交互に並んでいることを確認した。
パッタ、蒸着あるいはメッキ等の薄膜製造装置によって
貴金属膜として白金膜２と酸化鉄（例えばγ−Ｆｅ2 Ｏ
3 やマグネタイト等）膜３とを１０ｎｍの厚さに交互に
積層する。その後、ホトリソグラフィを用いたレジスト
などのマスクを用い、化学エッチングあるいはプラズマ
エッチングによって薄膜面に垂直に縦横方向に多数の溝
４を基板面まで１〜１０μｍの幅で形成する。その後、
電子顕微鏡によって確かに溝の側面で膜が所定の厚さで
交互に並んでいることを確認した。
【０００８】上記のようにして得られた複合触媒を基板
ごと１×１ｃｍ2 程度に切断したあと周囲から電気炉で
加熱できる直径２ｃｍ程度の石英反応管容器に必要数だ
け導入し、炭酸ガスと水素１：１の混合ガスを５０ｍｌ
／ｍｉｎの流量で流通させて反応させ、反応生成物をガ
スクロマトグラフー質量分析計および元素分析計で分析
した。その結果、加熱温度２６０℃で１０％、３００℃
で２０％、３５０℃で３０％の炭酸ガスが一酸化炭素
（ＣＯ）、メタン（ＣＨ4 ）、炭素（Ｃ）に転化してい
た。各温度での生成物の組成は表１の通りである。尚、
白金膜の代りにルテニウム，ニッケル，銅，コバルト等
を用いることができる。
ごと１×１ｃｍ2 程度に切断したあと周囲から電気炉で
加熱できる直径２ｃｍ程度の石英反応管容器に必要数だ
け導入し、炭酸ガスと水素１：１の混合ガスを５０ｍｌ
／ｍｉｎの流量で流通させて反応させ、反応生成物をガ
スクロマトグラフー質量分析計および元素分析計で分析
した。その結果、加熱温度２６０℃で１０％、３００℃
で２０％、３５０℃で３０％の炭酸ガスが一酸化炭素
（ＣＯ）、メタン（ＣＨ4 ）、炭素（Ｃ）に転化してい
た。各温度での生成物の組成は表１の通りである。尚、
白金膜の代りにルテニウム，ニッケル，銅，コバルト等
を用いることができる。
【０００９】
【表１】
【００１０】第２の実施例としては図１と同様の構成に
おいて、Ｓｉ基板１上にスパッタ、蒸着あるいはメッキ
等の薄膜製造装置によって酸化ニッケル（ＮｉＯ）薄膜
と酸化鉄薄膜を交互に積層する。その後、第１の実施例
と同じ方法で縦横方向に溝を基板面まで形成する。
おいて、Ｓｉ基板１上にスパッタ、蒸着あるいはメッキ
等の薄膜製造装置によって酸化ニッケル（ＮｉＯ）薄膜
と酸化鉄薄膜を交互に積層する。その後、第１の実施例
と同じ方法で縦横方向に溝を基板面まで形成する。
【００１１】上記のようにして得られた複合触媒を第１
の実施例と同じ様に加工した後、石英反応管容器に導入
し、容器を２５０℃程度加熱し、水素中で約３０分程度
熱処理した後、１０００ｐｐｍ程度のＮＯ2 ガスが含ま
れる窒素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎ程度流通させて反応
させ、反応生成物をガスクロマトグラフィー質量分析計
で分析した。その結果、ＮＯ2 ガスは検出計にほとんど
検出できないくらいまで減少していた。
の実施例と同じ様に加工した後、石英反応管容器に導入
し、容器を２５０℃程度加熱し、水素中で約３０分程度
熱処理した後、１０００ｐｐｍ程度のＮＯ2 ガスが含ま
れる窒素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎ程度流通させて反応
させ、反応生成物をガスクロマトグラフィー質量分析計
で分析した。その結果、ＮＯ2 ガスは検出計にほとんど
検出できないくらいまで減少していた。
【００１２】図２は本発明の第３の実施例の断面図であ
り、３種類の薄膜を交互に積層した場合である。以下製
造方法と共に説明する。
り、３種類の薄膜を交互に積層した場合である。以下製
造方法と共に説明する。
【００１３】第１の実施例と同様の薄膜形成装置を用い
て、アルミナ基板１０上にニッケル膜１１酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）膜１２、酸化鉄膜１３を約１０ｎｍの厚さに交互
に積層する。その後、第１の実施例と同じ方法で基板に
対して垂直に縦横方向に溝４を基板面まで形成する。
て、アルミナ基板１０上にニッケル膜１１酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）膜１２、酸化鉄膜１３を約１０ｎｍの厚さに交互
に積層する。その後、第１の実施例と同じ方法で基板に
対して垂直に縦横方向に溝４を基板面まで形成する。
【００１４】上記のようにして得られた複合触媒を、第
１の実施例と同様に加工した後、反応管容器に導入し、
容器を３００℃程度に加熱し、水素中で３０分程度熱処
理した後、１０００ｐｐｍのＳＯ2 ガスを含む窒素ガス
を１００ｍｌ／ｍｉｎ程度流通させ反応させ、反応生成
物を第２の実施例と同じ方法で分析した。その結果、Ｓ
Ｏ2 ガスはほとんど検出できないくらい減少していた。
１の実施例と同様に加工した後、反応管容器に導入し、
容器を３００℃程度に加熱し、水素中で３０分程度熱処
理した後、１０００ｐｐｍのＳＯ2 ガスを含む窒素ガス
を１００ｍｌ／ｍｉｎ程度流通させ反応させ、反応生成
物を第２の実施例と同じ方法で分析した。その結果、Ｓ
Ｏ2 ガスはほとんど検出できないくらい減少していた。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
２種類以上の触媒薄膜を交互に積層して溝を作ることに
より、その溝の側面に現れる周期的な構造の膜を触媒反
応に利用できる。このため膜の厚さを反応対象によって
適度に変化させることにより、反応系に最適な材料から
なる触媒を比較的簡単に得ることができる。また、本発
明による構成で形成した複合触媒が環境浄化に有効であ
ることも確認できた。また、異なる膜が金属だけからな
る複合触媒でも、同様な効果が得られる。
２種類以上の触媒薄膜を交互に積層して溝を作ることに
より、その溝の側面に現れる周期的な構造の膜を触媒反
応に利用できる。このため膜の厚さを反応対象によって
適度に変化させることにより、反応系に最適な材料から
なる触媒を比較的簡単に得ることができる。また、本発
明による構成で形成した複合触媒が環境浄化に有効であ
ることも確認できた。また、異なる膜が金属だけからな
る複合触媒でも、同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】本発明の第３の実施例の断面図。
１ Ｓｉ基板 ２ 白金膜 ３，１３ 酸化鉄膜 ４ 溝 １０ アルミナ基板 １１ ニッケル膜 １２ 酸化亜鉛膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/80 ＺＡＢ Ａ 8017−4Ｇ 23/89 ＺＡＢ Ａ 8017−4Ｇ Ｂ０１Ｄ 53/36 １０２ Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に交互に積層された少くとも２種
類の触媒膜と、この触媒膜に設けられた複数の溝とを含
むことを特徴とする複合触媒。 - 【請求項２】 触媒膜材料の少くとも１種類は貴金属ま
たは遷移金属である請求項１記載の複合触媒。 - 【請求項３】 触媒膜は金属酸化膜である請求項１記載
の複合触媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149992A JP2531439B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 複合触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149992A JP2531439B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 複合触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0716474A true JPH0716474A (ja) | 1995-01-20 |
| JP2531439B2 JP2531439B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=15487103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149992A Expired - Fee Related JP2531439B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 複合触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531439B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175839U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-22 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP5149992A patent/JP2531439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175839U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531439B2 (ja) | 1996-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960507 |
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