JPH07166231A - プラズマ電子加熱および固体/気体ジェット冷却による熱処理 - Google Patents
プラズマ電子加熱および固体/気体ジェット冷却による熱処理Info
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- JPH07166231A JPH07166231A JP6204018A JP20401894A JPH07166231A JP H07166231 A JPH07166231 A JP H07166231A JP 6204018 A JP6204018 A JP 6204018A JP 20401894 A JP20401894 A JP 20401894A JP H07166231 A JPH07166231 A JP H07166231A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
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- C21D1/26—Methods of annealing
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- C21D1/773—Methods of treatment in inert gas, controlled atmosphere, vacuum or pulverulent material under reduced pressure or vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加工物を迅速かつ均一に加熱または冷却する熱
処理方法を提供する。 【構成】まず、加工物(44)の周りにイオン化ガスプ
ラズマ(38)を生成させる。加工物(44)に正の電
位を印加してプラズマ(38)から加工物(44)中へ
電子を加速させる。加工物(44)は、これら電子によ
って加工物(44)中へ向けられたエネルギーによって
表面加熱される。加工物を冷却するに当り、平衡の熱力
学的三重点を有する加圧液体物質の流れを用いることが
できる。液体物質はノズルを介して膨張されて固体粒子
を生成し、これが加工物の表面と接し、昇華により熱を
奪う。
処理方法を提供する。 【構成】まず、加工物(44)の周りにイオン化ガスプ
ラズマ(38)を生成させる。加工物(44)に正の電
位を印加してプラズマ(38)から加工物(44)中へ
電子を加速させる。加工物(44)は、これら電子によ
って加工物(44)中へ向けられたエネルギーによって
表面加熱される。加工物を冷却するに当り、平衡の熱力
学的三重点を有する加圧液体物質の流れを用いることが
できる。液体物質はノズルを介して膨張されて固体粒子
を生成し、これが加工物の表面と接し、昇華により熱を
奪う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、物質の熱処理に係り、
より具体的には、生産用熱処理操作における迅速かつ選
択的加熱および冷却のための技術に関する。
より具体的には、生産用熱処理操作における迅速かつ選
択的加熱および冷却のための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】市販されている多くの金属合金の最も重
要な特性の1つは、熱処理による物性の変性能力であ
る。熱処理の基礎は、種々の強度変性機構たとえば析出
硬化および相変態たとえばマルテンサイトの生成および
変性である。そのような合金で作られた加工物(workpi
ece )は、個々の用途に応じて、その全体積にわたっ
て、あるいはその表面においてのみ変性させることがで
きる。種々の機構の知見から、そのような合金の性質
は、熱処理の選択により広い範囲にわたって変性させる
ことができる。
要な特性の1つは、熱処理による物性の変性能力であ
る。熱処理の基礎は、種々の強度変性機構たとえば析出
硬化および相変態たとえばマルテンサイトの生成および
変性である。そのような合金で作られた加工物(workpi
ece )は、個々の用途に応じて、その全体積にわたっ
て、あるいはその表面においてのみ変性させることがで
きる。種々の機構の知見から、そのような合金の性質
は、熱処理の選択により広い範囲にわたって変性させる
ことができる。
【0003】一般に、熱処理は、加工物の制御された加
熱および冷却を含む。個々の組成の加工物の熱処理結果
は、選択した温度、加熱および冷却の速度、各温度にお
ける時間、多重加熱および冷却工程およびサイクルの使
用、その他のプロセスパラメータ等多くのパラメータに
依存する。
熱および冷却を含む。個々の組成の加工物の熱処理結果
は、選択した温度、加熱および冷却の速度、各温度にお
ける時間、多重加熱および冷却工程およびサイクルの使
用、その他のプロセスパラメータ等多くのパラメータに
依存する。
【0004】商業的に最も重要な熱処理のいくつかは、
加工物の表面領域のみを変性するように行われている。
例えば、多くの鋼は、高い靭性および破壊抵抗の内部を
維持しながらその耐摩耗性を改善するために、その表面
が優先的に硬化されるように特別に処理される。加工物
の表面のみを処理しようとする場合、加熱され冷却され
た領域の加工物への進入深さ、および熱処理中の温度プ
ロファイルが特に重要な点である。これらパラメータ
は、しばしば、加工物の形状、および表面における鋭い
点や凹部のような不規則性の存在によって少なくとも部
分的に決定される。
加工物の表面領域のみを変性するように行われている。
例えば、多くの鋼は、高い靭性および破壊抵抗の内部を
維持しながらその耐摩耗性を改善するために、その表面
が優先的に硬化されるように特別に処理される。加工物
の表面のみを処理しようとする場合、加熱され冷却され
た領域の加工物への進入深さ、および熱処理中の温度プ
ロファイルが特に重要な点である。これらパラメータ
は、しばしば、加工物の形状、および表面における鋭い
点や凹部のような不規則性の存在によって少なくとも部
分的に決定される。
【0005】熱処理は、多くの材料の最も望ましい利用
にとって非常に重要であるので、多くの異なるタイプの
熱処理装置および方法が開発されている。
にとって非常に重要であるので、多くの異なるタイプの
熱処理装置および方法が開発されている。
【0006】普通に使用されている1つの手法は、ガス
または電気素子によって加熱された炉において加工物を
加熱するものである。加工物が必要な温度に必要な時間
置かれた後、これを非常に遅い炉冷却からガス冷却ない
し迅速な水急冷に渡るいくつかの冷却速度のいずれかで
冷却することができる。この技術は、物品全体を一度に
処理するものであるが、加工物の遅い加熱および/また
は冷却故に非効率的であり得る。
または電気素子によって加熱された炉において加工物を
加熱するものである。加工物が必要な温度に必要な時間
置かれた後、これを非常に遅い炉冷却からガス冷却ない
し迅速な水急冷に渡るいくつかの冷却速度のいずれかで
冷却することができる。この技術は、物品全体を一度に
処理するものであるが、加工物の遅い加熱および/また
は冷却故に非効率的であり得る。
【0007】他の熱処理手法においては、レーザーや電
子ビームのような加熱ビームを加工物の表面に向けてこ
れを迅速に加熱する。その代りに当該表面を誘導加熱す
ることもできる。これら技術は、加工物を加熱しないと
いう点で効率的であるが、ビームまたは誘導コイルを加
工物の表面上で移動させることを必要とする。この段階
的作用(階動)は遅いことがあり、場所の関数として熱
処理にばらつきが、特に加工物上に表面不規則性がある
場合に、生じ得る。プラズマ加熱も試みられているが、
迅速な加熱速度が得られていない。
子ビームのような加熱ビームを加工物の表面に向けてこ
れを迅速に加熱する。その代りに当該表面を誘導加熱す
ることもできる。これら技術は、加工物を加熱しないと
いう点で効率的であるが、ビームまたは誘導コイルを加
工物の表面上で移動させることを必要とする。この段階
的作用(階動)は遅いことがあり、場所の関数として熱
処理にばらつきが、特に加工物上に表面不規則性がある
場合に、生じ得る。プラズマ加熱も試みられているが、
迅速な加熱速度が得られていない。
【0008】表面処理中の加工物の冷却についても同様
の問題がある。加工物が均一に加熱されていれば、迅速
な冷却は、通常、加工物を水または油のような冷却媒体
中に浸漬することにより達成される。他方、加熱源を加
工物の表面上で階動させなければならない場合、均一
で、制御可能な冷却を達成することは困難である。
の問題がある。加工物が均一に加熱されていれば、迅速
な冷却は、通常、加工物を水または油のような冷却媒体
中に浸漬することにより達成される。他方、加熱源を加
工物の表面上で階動させなければならない場合、均一
で、制御可能な冷却を達成することは困難である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】物質の熱処理に対する
改善された手法に対する要望が存在する。この要望は、
熱処理が表面処理である場合、または比較的迅速な冷却
が要求される場合に、加工物の全表面に渡り均一である
か加工物の特定領域に選択的なものであるかを問わず、
特に強い。本発明は、この要望を満たそうとするもので
あり、さらに関連する利点を提供しようとするものであ
る。
改善された手法に対する要望が存在する。この要望は、
熱処理が表面処理である場合、または比較的迅速な冷却
が要求される場合に、加工物の全表面に渡り均一である
か加工物の特定領域に選択的なものであるかを問わず、
特に強い。本発明は、この要望を満たそうとするもので
あり、さらに関連する利点を提供しようとするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属および他
の加工物を熱処理するための方法および装置を提供する
ものである。本発明の手法により、表面熱処理に特に適
した迅速で制御可能な加熱が行える。加工物は、有意の
表面不規則が存在していても、その全周囲に渡って、ま
たは特定領域に選択的に、均一に加熱される。加工物の
みが加熱されるので、加熱手法は非常に効率的である。
複数の加工物を同じチャンバ中で同時に、異なる温度に
熱処理することができる。本発明による冷却は、加工物
をどのような冷却媒体中にも浸漬することなく達成され
る。加工物は、高圧ガス冷却または油浸漬により可能な
速度より速い速度で冷却され、加工物上には残渣が残ら
ない。加工物の表面は、その全表面に渡って、または特
定領域に選択的に、均一に冷却される。
の加工物を熱処理するための方法および装置を提供する
ものである。本発明の手法により、表面熱処理に特に適
した迅速で制御可能な加熱が行える。加工物は、有意の
表面不規則が存在していても、その全周囲に渡って、ま
たは特定領域に選択的に、均一に加熱される。加工物の
みが加熱されるので、加熱手法は非常に効率的である。
複数の加工物を同じチャンバ中で同時に、異なる温度に
熱処理することができる。本発明による冷却は、加工物
をどのような冷却媒体中にも浸漬することなく達成され
る。加工物は、高圧ガス冷却または油浸漬により可能な
速度より速い速度で冷却され、加工物上には残渣が残ら
ない。加工物の表面は、その全表面に渡って、または特
定領域に選択的に、均一に冷却される。
【0011】本発明によれば、加工物を熱処理するため
の装置は、真空チャンバ、該真空チャンバを制御可能に
排気するための手段、およびイオン化性(電離性)ガス
の分圧を制御可能に該真空チャンバの内部に供給するた
めの手段を備える。真空チャンバ内には、プラズマを提
供するための手段が設けられている。加熱は、電子がプ
ラズマから加工物中へ加速されるように、プラズマに対
して正のパルス状電圧を加工物に印加するための手段に
より達成される。パルス状正電圧を印加するための手段
は、プラズマ提供手段とは独立に動作される。加工物
は、電気的に分離(隔離)された支持体上に、プラズマ
電子加熱される位置に保持される。加工物を操縦(mani
pulate)する必要はない。
の装置は、真空チャンバ、該真空チャンバを制御可能に
排気するための手段、およびイオン化性(電離性)ガス
の分圧を制御可能に該真空チャンバの内部に供給するた
めの手段を備える。真空チャンバ内には、プラズマを提
供するための手段が設けられている。加熱は、電子がプ
ラズマから加工物中へ加速されるように、プラズマに対
して正のパルス状電圧を加工物に印加するための手段に
より達成される。パルス状正電圧を印加するための手段
は、プラズマ提供手段とは独立に動作される。加工物
は、電気的に分離(隔離)された支持体上に、プラズマ
電子加熱される位置に保持される。加工物を操縦(mani
pulate)する必要はない。
【0012】対応する方法において、加工物を熱処理す
るための方法は、加工物の周りにイオン化性ガスのプラ
ズマを生成させる工程、プラズマに対して正の一連のパ
ルス状電圧を加工物に印加してプラズマから加工物へ電
子を加速し、加工物を加熱する工程を包含する。加速工
程は、あらかじめ選定された熱処理状態が加工物中に到
達されるまで続けられる。
るための方法は、加工物の周りにイオン化性ガスのプラ
ズマを生成させる工程、プラズマに対して正の一連のパ
ルス状電圧を加工物に印加してプラズマから加工物へ電
子を加速し、加工物を加熱する工程を包含する。加速工
程は、あらかじめ選定された熱処理状態が加工物中に到
達されるまで続けられる。
【0013】プラズマ源によって発生されたプラズマは
加工物を囲包し、加工物の全側面に電子の溜め部を提供
する。加工物の、プラズマに対して正の印加パルス状電
圧は、プラズマから加工物へと電子を抽出する。電圧は
電子を加速し、加工物を打撃したとき、電子のエネルギ
ーは加工物へ移動しこれを加熱する。電子は、加工物を
完全に囲包するプラズマから来るので、加工物はその表
面から全側面で加熱され、それ故、処理中に加工物を操
縦する必要はない。この手法は、加工物の表面のみの加
熱が必要であり、加熱が均一であるべき場合に特に有利
である。他の手法において、加工物の表面をマスクして
選択された(マスクしていない)領域の均一加熱を達成
することができる。
加工物を囲包し、加工物の全側面に電子の溜め部を提供
する。加工物の、プラズマに対して正の印加パルス状電
圧は、プラズマから加工物へと電子を抽出する。電圧は
電子を加速し、加工物を打撃したとき、電子のエネルギ
ーは加工物へ移動しこれを加熱する。電子は、加工物を
完全に囲包するプラズマから来るので、加工物はその表
面から全側面で加熱され、それ故、処理中に加工物を操
縦する必要はない。この手法は、加工物の表面のみの加
熱が必要であり、加熱が均一であるべき場合に特に有利
である。他の手法において、加工物の表面をマスクして
選択された(マスクしていない)領域の均一加熱を達成
することができる。
【0014】この熱処理手法は、加工物の冷却にも及
ぶ。さらに、本発明によれば、加工物の熱処理装置は、
熱処理すべき加工物を受けるための支持体を含む。ノズ
ル手段が、高圧から低圧へ液体の流れを膨張させ、膨張
された流れを加工物が支持体に保持されているとき加工
物の場へと向ける。その液体、固体および気体の形態の
間に平衡の熱力学的三重点を有する液体物質の加圧され
た供給源、および液体物質の供給源からノズル手段の高
圧側に制御可能に延びる導管が設けられている。液体物
質は、好ましくは加圧二酸化炭素であるが、アルゴン、
窒素および他の好適なガスも使用できる。
ぶ。さらに、本発明によれば、加工物の熱処理装置は、
熱処理すべき加工物を受けるための支持体を含む。ノズ
ル手段が、高圧から低圧へ液体の流れを膨張させ、膨張
された流れを加工物が支持体に保持されているとき加工
物の場へと向ける。その液体、固体および気体の形態の
間に平衡の熱力学的三重点を有する液体物質の加圧され
た供給源、および液体物質の供給源からノズル手段の高
圧側に制御可能に延びる導管が設けられている。液体物
質は、好ましくは加圧二酸化炭素であるが、アルゴン、
窒素および他の好適なガスも使用できる。
【0015】関連する方法において、加工物を熱処理す
るための方法は、加工物を加熱する工程、および固体粒
子の流れを加工物に向ける工程を包含する。固体粒子の
流れは、液体、固体および気体の形態の間に平衡の熱力
学的三重点を有する加圧された液体物質を供給し、この
液体物質を高圧から低圧へ膨張させて当該物質の固体粒
子の小クラスターを生成させ、膨張した固体流を加工物
に向けることによって生成される。
るための方法は、加工物を加熱する工程、および固体粒
子の流れを加工物に向ける工程を包含する。固体粒子の
流れは、液体、固体および気体の形態の間に平衡の熱力
学的三重点を有する加圧された液体物質を供給し、この
液体物質を高圧から低圧へ膨張させて当該物質の固体粒
子の小クラスターを生成させ、膨張した固体流を加工物
に向けることによって生成される。
【0016】加圧された液体物質は、ノズル中で膨張さ
れたとき、冷え、固体状態へ転移する。転移した固体の
小粒子は、加工物の表面における境界層および他の障害
を通じて侵入する。これら粒子は加工物から熱を吸収
し、減少された圧力において気体状態へと転移する。そ
の気体は加工物の近傍から去り、一層の固体冷却剤が表
面に達するようにさせる。この手法による冷却は、熱伝
達係数に対する境界層およびフィルム沸騰現象の制限が
克服されるので、対応のガス冷却または油急冷手法より
も高い速度を有する。複数のノズルおよび/または固体
分配技術を用いることによって、固体冷却剤の粒子は、
表面の特定の領域を選択的に冷却するために特定の領域
に向けることができるし、あるいは空間的に均一な冷却
を行うために加工物の周囲の周りのあらゆるところに分
配することもできる。かくして、ほとんどの用途におい
て、加工物を操縦する必要はない。
れたとき、冷え、固体状態へ転移する。転移した固体の
小粒子は、加工物の表面における境界層および他の障害
を通じて侵入する。これら粒子は加工物から熱を吸収
し、減少された圧力において気体状態へと転移する。そ
の気体は加工物の近傍から去り、一層の固体冷却剤が表
面に達するようにさせる。この手法による冷却は、熱伝
達係数に対する境界層およびフィルム沸騰現象の制限が
克服されるので、対応のガス冷却または油急冷手法より
も高い速度を有する。複数のノズルおよび/または固体
分配技術を用いることによって、固体冷却剤の粒子は、
表面の特定の領域を選択的に冷却するために特定の領域
に向けることができるし、あるいは空間的に均一な冷却
を行うために加工物の周囲の周りのあらゆるところに分
配することもできる。かくして、ほとんどの用途におい
て、加工物を操縦する必要はない。
【0017】本発明の加熱および冷却手法は、一緒に、
またはそれぞれ他の冷却および加熱技術とともに別々に
使用することができる。
またはそれぞれ他の冷却および加熱技術とともに別々に
使用することができる。
【0018】本発明の手法は、熱処理の分野に重要な進
歩をもたらす。本発明の手法により、後に除去しなけれ
ばならない汚染なしに、物品を真空中で熱処理し、一般
に不活性の低圧雰囲気中で冷却することができる。
歩をもたらす。本発明の手法により、後に除去しなけれ
ばならない汚染なしに、物品を真空中で熱処理し、一般
に不活性の低圧雰囲気中で冷却することができる。
【0019】以下、本発明の具体例を図面を参照して説
明する。図1は、プラズマ電子加熱装置20を示す。こ
の装置20は、制御しうるゲート弁28を有する導管2
6を介して真空ポンプ24によって排気される真空チャ
ンバ22を備える。イオン化性ガス源30から、窒素の
ようなイオン化性ガスが、制御しうる弁34を有する導
管32を介して、真空チャンバ22の内部に供給され
る。圧力計36が真空チャンバ22内の圧力を測定す
る。操作に当り、ゲート弁28を完全開放した状態で真
空ポンプ24により真空チャンバ22を排気する。次に
ゲート弁28を部分的に閉じ、制御弁34を部分的に開
放してイオン化性ガスの分圧を導入する。圧力計36に
より測定された圧力を観察し、弁28および34を通る
相対流量を調整することによってイオン化性ガスの分圧
を予め選定されたレベルに維持する。
明する。図1は、プラズマ電子加熱装置20を示す。こ
の装置20は、制御しうるゲート弁28を有する導管2
6を介して真空ポンプ24によって排気される真空チャ
ンバ22を備える。イオン化性ガス源30から、窒素の
ようなイオン化性ガスが、制御しうる弁34を有する導
管32を介して、真空チャンバ22の内部に供給され
る。圧力計36が真空チャンバ22内の圧力を測定す
る。操作に当り、ゲート弁28を完全開放した状態で真
空ポンプ24により真空チャンバ22を排気する。次に
ゲート弁28を部分的に閉じ、制御弁34を部分的に開
放してイオン化性ガスの分圧を導入する。圧力計36に
より測定された圧力を観察し、弁28および34を通る
相対流量を調整することによってイオン化性ガスの分圧
を予め選定されたレベルに維持する。
【0020】いずれもの好適な手法により、真空チャン
バ22を充満するプラズマ38を発生させる。図1にお
いては、真空チャンバ22の内部に、露出した熱ワイヤ
フィラメント40が設けられている。このフィラメント
は、真空チャンバ22の壁から電気的に絶縁されてい
る。フィラメント40は、フィラメントのリード線を横
切って接続された電源41を用いて、熱電子放出温度に
加熱される。イオン化性ガスは、負極がフィラメント4
0の1つのリード線に接続され、正極が真空チャンバ壁
22に接続された電源42を用いてイオン化される。こ
の場合、フィラメント40がカソードであり、真空チャ
ンバ22がプラズマ38生成のためのアノードである。
ガス分子はフィラメント40から放出される電子によっ
てイオン化され、等数の自由電子と正荷電ガスイオンと
からなるプラズマを生成する。生成したプラズマは、拡
散して真空チャンバ22の内部を完全に充満し、それに
よりいずれもの加工物をプラズマ内に浸す。生成したプ
ラズマは、接地電位にある真空チャンバの電位にある。
バ22を充満するプラズマ38を発生させる。図1にお
いては、真空チャンバ22の内部に、露出した熱ワイヤ
フィラメント40が設けられている。このフィラメント
は、真空チャンバ22の壁から電気的に絶縁されてい
る。フィラメント40は、フィラメントのリード線を横
切って接続された電源41を用いて、熱電子放出温度に
加熱される。イオン化性ガスは、負極がフィラメント4
0の1つのリード線に接続され、正極が真空チャンバ壁
22に接続された電源42を用いてイオン化される。こ
の場合、フィラメント40がカソードであり、真空チャ
ンバ22がプラズマ38生成のためのアノードである。
ガス分子はフィラメント40から放出される電子によっ
てイオン化され、等数の自由電子と正荷電ガスイオンと
からなるプラズマを生成する。生成したプラズマは、拡
散して真空チャンバ22の内部を完全に充満し、それに
よりいずれもの加工物をプラズマ内に浸す。生成したプ
ラズマは、接地電位にある真空チャンバの電位にある。
【0021】図示の例では、2つの加工物44が真空チ
ャンバ22内の電気絶縁性支持体46に支持されてい
る。支持体は、チャンバを充満するプラズマからそれを
保護するためにシールドで覆われている。プラズマ38
の自由電子およびガスイオンが、そのディメンジョンが
プラズマの性質たとえばガス圧力、プラズマ密度および
電子温度に依存するプラズマシース(plasma sheath )
45とともに、加工物44を囲包する。装置20は、一
度に1またはそれ以上の加工物を処理するために好適で
あり、2つの加工物が、説明のために図示されている。
プラズマは、複数のフィラメントから生成させることが
でき、またプラズマを取り扱う既知の技術を用いて仕立
て上げもしくは成形することができる。具体的には、プ
ラズマを特定の用途に成形するために、真空チャンバ2
2の内部に設けた磁石47を用いることができる。プラ
ズマ密度およびプラズマ電子温度は、ガス圧力、フィラ
メント温度および/または電子エネルギーを変化させる
ことによって調節することができる。図1に示した装置
は、いずれもの大きさまたは数の加工物を処理するため
にいずれもの所要の大きさに作ることができる。
ャンバ22内の電気絶縁性支持体46に支持されてい
る。支持体は、チャンバを充満するプラズマからそれを
保護するためにシールドで覆われている。プラズマ38
の自由電子およびガスイオンが、そのディメンジョンが
プラズマの性質たとえばガス圧力、プラズマ密度および
電子温度に依存するプラズマシース(plasma sheath )
45とともに、加工物44を囲包する。装置20は、一
度に1またはそれ以上の加工物を処理するために好適で
あり、2つの加工物が、説明のために図示されている。
プラズマは、複数のフィラメントから生成させることが
でき、またプラズマを取り扱う既知の技術を用いて仕立
て上げもしくは成形することができる。具体的には、プ
ラズマを特定の用途に成形するために、真空チャンバ2
2の内部に設けた磁石47を用いることができる。プラ
ズマ密度およびプラズマ電子温度は、ガス圧力、フィラ
メント温度および/または電子エネルギーを変化させる
ことによって調節することができる。図1に示した装置
は、いずれもの大きさまたは数の加工物を処理するため
にいずれもの所要の大きさに作ることができる。
【0022】二極パルス電源48は、その正極が加工物
44に、その負極が真空チャンバ22の壁に接続されて
いる。この場合、両加工物は同じ電圧および波形でパル
ス印加される。真空チャンバ22の壁は、加工物を囲包
するプラズマと同様、接地されている。
44に、その負極が真空チャンバ22の壁に接続されて
いる。この場合、両加工物は同じ電圧および波形でパル
ス印加される。真空チャンバ22の壁は、加工物を囲包
するプラズマと同様、接地されている。
【0023】加工物44が、プラズマ38に対して正の
電圧にパルス印加されると、プラズマは加工物に対して
カソードとなり、各加工物はアノードである。アノード
である加工物44は、プラズマ38を発生させるために
使用される真空チャンバアノードから分離しており、別
個のものである。印加された正電圧はプラズマシース4
5を横断して展開し、符号50で示すようにプラズマか
らの自由電子が加工物へと加速される。付勢された電子
は加工物44を打撃し、そのエネルギーは加工物44に
伝達される。
電圧にパルス印加されると、プラズマは加工物に対して
カソードとなり、各加工物はアノードである。アノード
である加工物44は、プラズマ38を発生させるために
使用される真空チャンバアノードから分離しており、別
個のものである。印加された正電圧はプラズマシース4
5を横断して展開し、符号50で示すようにプラズマか
らの自由電子が加工物へと加速される。付勢された電子
は加工物44を打撃し、そのエネルギーは加工物44に
伝達される。
【0024】電子は、印加電圧および加工物の材質に依
存する短い距離のみ加工物中に進入する。ほとんどの場
合、この進入はせいぜい2、3μm である。加工物のこ
の表面領域のみが直接加熱され、下の領域はその表面領
域からの熱拡散により加熱される。
存する短い距離のみ加工物中に進入する。ほとんどの場
合、この進入はせいぜい2、3μm である。加工物のこ
の表面領域のみが直接加熱され、下の領域はその表面領
域からの熱拡散により加熱される。
【0025】プラズマ電子加熱は、2つの異なる別個の
モードで行うことができる。第1のモードは、加工物の
内部を有意に加熱することなく加工物の表面の迅速かつ
優先的加熱を行うための迅速バースト加熱からなる。第
2のモードは、加工物の表面および内部の双方の加熱を
行うためのゆっくりした連続加熱からなる。いずれの加
熱モードにおいても、加工物の操縦は必要でない。
モードで行うことができる。第1のモードは、加工物の
内部を有意に加熱することなく加工物の表面の迅速かつ
優先的加熱を行うための迅速バースト加熱からなる。第
2のモードは、加工物の表面および内部の双方の加熱を
行うためのゆっくりした連続加熱からなる。いずれの加
熱モードにおいても、加工物の操縦は必要でない。
【0026】いずれのモードについてもプラズマ電子加
熱の重要な利点は、加熱が加工物の表面の性質に依存し
ないということである。さらなる重要な利点は、ほとん
どのタイプの表面不規則が存在していても、加工物の全
周囲で加熱が均一であるということである。この均一加
熱は、加工物を囲包するプラズマシース45から生じ
る。プラズマの性質を調節することによって、プラズマ
シースを加工物の多くの異なる表面不規則に適合させる
ように作ることができる。このプラズマシースの形状追
随的特徴により、従来の電子ビーム加熱におけるように
単一の固定場からだけでなく、加工物の全側面から電子
が提供される。
熱の重要な利点は、加熱が加工物の表面の性質に依存し
ないということである。さらなる重要な利点は、ほとん
どのタイプの表面不規則が存在していても、加工物の全
周囲で加熱が均一であるということである。この均一加
熱は、加工物を囲包するプラズマシース45から生じ
る。プラズマの性質を調節することによって、プラズマ
シースを加工物の多くの異なる表面不規則に適合させる
ように作ることができる。このプラズマシースの形状追
随的特徴により、従来の電子ビーム加熱におけるように
単一の固定場からだけでなく、加工物の全側面から電子
が提供される。
【0027】迅速バースト加熱モードについては、表面
加熱は加工物の熱質量とはほぼ独立している。いずれの
操作モードについても、プラズマ電子衝撃による加工物
の加熱は、ヒーターや絶縁のような炉部材からは、その
ような部材が本発明とともに用いられていても、独立で
ある。
加熱は加工物の熱質量とはほぼ独立している。いずれの
操作モードについても、プラズマ電子衝撃による加工物
の加熱は、ヒーターや絶縁のような炉部材からは、その
ような部材が本発明とともに用いられていても、独立で
ある。
【0028】加工物44の全表面の均一加熱の代りに、
プラズマ電子加熱方法は、加工物表面の特定領域の優先
的加熱を行うように利用することができる。これを行う
ために、加熱すべきでない加工物表面を、除去可能な絶
縁性コーティングまたは加工物表面との乏しい熱的接触
を確保するために加工物表面に緩く置かれた金属ホイル
のような適切な材料のマスクで覆う。たとえば、図1に
おいて、一般的に円柱形の加工物44の端部は、電子が
その表面を進入できないようにホイルマスク49で覆わ
れているものとして示されている。それにより、加熱
は、プラズマ38に暴露されている円柱の湾曲側面に対
してのみ選択的に達成される。大きな被覆表面の小部分
のみがプラズマに暴露され、加熱されるようにマスクを
パターン化することができる。
プラズマ電子加熱方法は、加工物表面の特定領域の優先
的加熱を行うように利用することができる。これを行う
ために、加熱すべきでない加工物表面を、除去可能な絶
縁性コーティングまたは加工物表面との乏しい熱的接触
を確保するために加工物表面に緩く置かれた金属ホイル
のような適切な材料のマスクで覆う。たとえば、図1に
おいて、一般的に円柱形の加工物44の端部は、電子が
その表面を進入できないようにホイルマスク49で覆わ
れているものとして示されている。それにより、加熱
は、プラズマ38に暴露されている円柱の湾曲側面に対
してのみ選択的に達成される。大きな被覆表面の小部分
のみがプラズマに暴露され、加熱されるようにマスクを
パターン化することができる。
【0029】加工物を囲むプラズマは、正に荷電したガ
スイオン、負に荷電した電子、および非イオン化ガスを
含む。好ましい典型的な低圧(10-4〜10-5Tor
r)プラズマにおいて、イオン対中性ガス原子フラクシ
ョンは典型的1〜10パーセントである。それ故、プラ
ズマは、主として中性の非イオン化ガス原子である。こ
れらガス原子は、加工物に印加された電圧によって反発
されないので、全方向から均一に加工物に衝突する。
スイオン、負に荷電した電子、および非イオン化ガスを
含む。好ましい典型的な低圧(10-4〜10-5Tor
r)プラズマにおいて、イオン対中性ガス原子フラクシ
ョンは典型的1〜10パーセントである。それ故、プラ
ズマは、主として中性の非イオン化ガス原子である。こ
れらガス原子は、加工物に印加された電圧によって反発
されないので、全方向から均一に加工物に衝突する。
【0030】イオン化性ガスを適切に選ぶことによっ
て、非イオン化ガスの衝突が、プラズマ加熱プロセスと
同時に他の有利な結果を得るために利用できる。アルゴ
ンは化学的に不活性であり、そのイオン化性ガスとして
の使用は、加工物をプラズマ電子加熱する能力を提供す
るだけである。他方、窒素は、これをイオン化ガスとし
て用いると、加熱ばかりでなく、加工物の表面における
硬い窒化物層の生成をもたらす。このタイプの表面窒化
は、加工物表面のイオン打撃がない点で従来のプラズマ
窒化とは異なる。
て、非イオン化ガスの衝突が、プラズマ加熱プロセスと
同時に他の有利な結果を得るために利用できる。アルゴ
ンは化学的に不活性であり、そのイオン化性ガスとして
の使用は、加工物をプラズマ電子加熱する能力を提供す
るだけである。他方、窒素は、これをイオン化ガスとし
て用いると、加熱ばかりでなく、加工物の表面における
硬い窒化物層の生成をもたらす。このタイプの表面窒化
は、加工物表面のイオン打撃がない点で従来のプラズマ
窒化とは異なる。
【0031】プラズマ電子加熱装置による加工物の加熱
は、加工物に所望の加熱状態を達成させるに必要なだけ
続けることができる。表面処理のためには、予め選定さ
れた温度に到達するため、および/または予め選定され
たミクロ構造状態を達成するために必要な時間加工物表
面を加熱するだけでよい。厚さに渡る(through-thickn
ess )熱処理が所望の場合、内部温度状態が熱拡散によ
って到達するまで加熱を続行することができる。プラズ
マ中の正のイオンは加工物から反発されるので、長い時
間の電子加熱は材質に損傷をもたらさない。
は、加工物に所望の加熱状態を達成させるに必要なだけ
続けることができる。表面処理のためには、予め選定さ
れた温度に到達するため、および/または予め選定され
たミクロ構造状態を達成するために必要な時間加工物表
面を加熱するだけでよい。厚さに渡る(through-thickn
ess )熱処理が所望の場合、内部温度状態が熱拡散によ
って到達するまで加熱を続行することができる。プラズ
マ中の正のイオンは加工物から反発されるので、長い時
間の電子加熱は材質に損傷をもたらさない。
【0032】プラズマ電子加熱装置20のための典型的
な操作条件は、約10-5ないし約10-4Torrのイオ
ン化性ガス圧力である。約10-4Torr以下のガス圧
の場合、電源48により提供された全印加電圧は、加工
物を囲むプラズマシース45を横切って維持(sustain
)される。これにより、全印加電圧でプラズマ電子が
加工物を打撃して表面を効率的に加熱する。しかしなが
ら、約10-4Torrを超える圧力の場合、印加電圧は
各加工物(処理物)を囲むプラズマシースを横切って維
持され得ない。プラズマ電子は、全印加電圧で加工物表
面を打撃できず、表面の最小加熱が生じてプロセスがよ
り効率的でなくなる。
な操作条件は、約10-5ないし約10-4Torrのイオ
ン化性ガス圧力である。約10-4Torr以下のガス圧
の場合、電源48により提供された全印加電圧は、加工
物を囲むプラズマシース45を横切って維持(sustain
)される。これにより、全印加電圧でプラズマ電子が
加工物を打撃して表面を効率的に加熱する。しかしなが
ら、約10-4Torrを超える圧力の場合、印加電圧は
各加工物(処理物)を囲むプラズマシースを横切って維
持され得ない。プラズマ電子は、全印加電圧で加工物表
面を打撃できず、表面の最小加熱が生じてプロセスがよ
り効率的でなくなる。
【0033】好ましい態様において、電源48は、約1
0ヘルツないし約3000ヘルツの率でパルス印加さ
れ、各パルスは約1ないし約50マイクロ秒持続する。
加工物に印加される電圧は、約1キロボルトないし約1
00キロボルトである。パルスは、連続パルストレイン
の形態にあってもよいし、短時間パルスの短時間バース
トで提供されてもよい。典型的な短時間バーストは、約
0.1ないし約3秒であり、約100〜5000パルス
を含み、各パルスの幅は約10〜30マイクロ秒であ
る。これらの値は、本発明を制限するものではなく、好
ましい操作条件を例示するものである。
0ヘルツないし約3000ヘルツの率でパルス印加さ
れ、各パルスは約1ないし約50マイクロ秒持続する。
加工物に印加される電圧は、約1キロボルトないし約1
00キロボルトである。パルスは、連続パルストレイン
の形態にあってもよいし、短時間パルスの短時間バース
トで提供されてもよい。典型的な短時間バーストは、約
0.1ないし約3秒であり、約100〜5000パルス
を含み、各パルスの幅は約10〜30マイクロ秒であ
る。これらの値は、本発明を制限するものではなく、好
ましい操作条件を例示するものである。
【0034】加工物(処理物)44へ印加されたパルス
状加速電圧を使用することは、処理物へ印加された一定
またはDC電圧を使用することとは区別されるべきであ
る。パルス化は、50〜100キロボルトという高電圧
をアノードである加工物に印加して優先的表面加熱また
は遅い厚さに渡る加熱を達成させるものである。50〜
100キロボルトのDC電圧は、アノード電圧で動作さ
れる加工物のプラズマシース45を横切って維持され得
ない。さらに、アークが発生し、加工物の表面を損傷さ
せる。これとは対照的に、50〜100キロボルトのパ
ルスはアノード電位で動作される加工物のプラズマシー
スを横切って維持されるが、ここに述べた圧力において
のみである。
状加速電圧を使用することは、処理物へ印加された一定
またはDC電圧を使用することとは区別されるべきであ
る。パルス化は、50〜100キロボルトという高電圧
をアノードである加工物に印加して優先的表面加熱また
は遅い厚さに渡る加熱を達成させるものである。50〜
100キロボルトのDC電圧は、アノード電圧で動作さ
れる加工物のプラズマシース45を横切って維持され得
ない。さらに、アークが発生し、加工物の表面を損傷さ
せる。これとは対照的に、50〜100キロボルトのパ
ルスはアノード電位で動作される加工物のプラズマシー
スを横切って維持されるが、ここに述べた圧力において
のみである。
【0035】パルスを用いる際に、加工物44の位置
を、相互におよびチャンバの壁に対して選定するよう注
意を払う。各パルス中、プラズマシースは膨張し、各パ
ルス間のオフ時間中にはプラズマシースは、初期状態に
収縮する。加工物の良好な形状追随性電子打撃を維持す
るために、加工物は、相隣るシースがパルス中にオーバ
ーラップしないように真空チャンバ内に設置されるべき
である。典型的な1〜50マイクロ秒のパルス幅の場
合、プラズマシースは約6センチメートルを超える大き
さまで膨張しない。より長期の印加電圧パルスでは、よ
り大きなシースサイズが生じ、加工物を熱処理中装置内
に近接して設置する方法が制限される。電源48により
提供されるより長期の電圧パルスは、プラズマシースと
プラズマの形状追随性に悪影響を及ぼし、プラズマシー
スの大きさよりも細かい表面特徴を有する加工物の形状
追随処理を阻害する。
を、相互におよびチャンバの壁に対して選定するよう注
意を払う。各パルス中、プラズマシースは膨張し、各パ
ルス間のオフ時間中にはプラズマシースは、初期状態に
収縮する。加工物の良好な形状追随性電子打撃を維持す
るために、加工物は、相隣るシースがパルス中にオーバ
ーラップしないように真空チャンバ内に設置されるべき
である。典型的な1〜50マイクロ秒のパルス幅の場
合、プラズマシースは約6センチメートルを超える大き
さまで膨張しない。より長期の印加電圧パルスでは、よ
り大きなシースサイズが生じ、加工物を熱処理中装置内
に近接して設置する方法が制限される。電源48により
提供されるより長期の電圧パルスは、プラズマシースと
プラズマの形状追随性に悪影響を及ぼし、プラズマシー
スの大きさよりも細かい表面特徴を有する加工物の形状
追随処理を阻害する。
【0036】図2は、装置20の変形例であるプラズマ
電子加熱装置20’を示している。この装置20’は、
装置20と同様の部品を主として利用している。対応す
る部品は、図1と同様の符号で示されており、既に述べ
たものであるからその説明は省略する(図2において
は、端部マスク49は省略されており、その場合プラズ
マ電子加熱は加工物の全表面にわたって生じることを示
している)。
電子加熱装置20’を示している。この装置20’は、
装置20と同様の部品を主として利用している。対応す
る部品は、図1と同様の符号で示されており、既に述べ
たものであるからその説明は省略する(図2において
は、端部マスク49は省略されており、その場合プラズ
マ電子加熱は加工物の全表面にわたって生じることを示
している)。
【0037】装置20’と装置20との差は、両者にお
いて加工物44および44’が異なって加熱されること
である。単一の電源48が使用されているが、その正の
側は、それぞれ異なる抵抗のバラストレジスタ52を介
して加工物44および44’に接続されている。それ
故、加工物44および44’に印加された実効正電圧は
異なる。その結果、加工物44および44’中へと加速
される電子のエネルギーが異なり、それぞれの加工物表
面が異なって加熱されることとなる。
いて加工物44および44’が異なって加熱されること
である。単一の電源48が使用されているが、その正の
側は、それぞれ異なる抵抗のバラストレジスタ52を介
して加工物44および44’に接続されている。それ
故、加工物44および44’に印加された実効正電圧は
異なる。その結果、加工物44および44’中へと加速
される電子のエネルギーが異なり、それぞれの加工物表
面が異なって加熱されることとなる。
【0038】従って、装置20の単一操作で加工物44
および44’を異なって熱処理することができる。真空
チャンバの壁は、付随的な場合を除き加熱されず、また
抵抗タイプの加熱素子が存在しないので、同一チャンバ
内で複数種の同時加熱処理が容易に行われる。この原理
は、同一チャンバおよび単一操作における他の熱処理の
ための、複数電源48の使用、加熱をさらに制御するた
めの切り替え装置の使用、またはバラストレジスタの代
りのキャパシタおよびインダクタの使用まで及ぶ。この
能力は、本発明の一つの利点であって、装置のより完全
で経済的な利用、およびより少ない作業計画の中断を可
能にする。例えば、少数の部品を個別的に加熱しなけれ
ばならないようないくつかの場合において、完全な炉の
準備が完了するまで各タイプの部品の熱処理を遅らせる
ことが行われていた。本発明によれば、そのような遅れ
なしに異なるタイプの部品を一度に熱処理することがで
きる。
および44’を異なって熱処理することができる。真空
チャンバの壁は、付随的な場合を除き加熱されず、また
抵抗タイプの加熱素子が存在しないので、同一チャンバ
内で複数種の同時加熱処理が容易に行われる。この原理
は、同一チャンバおよび単一操作における他の熱処理の
ための、複数電源48の使用、加熱をさらに制御するた
めの切り替え装置の使用、またはバラストレジスタの代
りのキャパシタおよびインダクタの使用まで及ぶ。この
能力は、本発明の一つの利点であって、装置のより完全
で経済的な利用、およびより少ない作業計画の中断を可
能にする。例えば、少数の部品を個別的に加熱しなけれ
ばならないようないくつかの場合において、完全な炉の
準備が完了するまで各タイプの部品の熱処理を遅らせる
ことが行われていた。本発明によれば、そのような遅れ
なしに異なるタイプの部品を一度に熱処理することがで
きる。
【0039】熱処理前に加工物表面に存在する残渣もし
くはフィルムを清浄化し、あるいは脱着するために、加
工物の実際の加熱を行う前に、低電圧(例えば、20キ
ロボルト)および加工物の連続もしくは迅速バーストモ
ード加熱のいずれかを用いることが有利であることが見
い出された。この事前浄化プロセスは、後の加工物のプ
ラズマ電子加熱処理中のアーク発生を防止する上で有益
であることがわかった。典型的には、事前浄化操作は、
所望の浄化程度に応じて約5分間行われる。
くはフィルムを清浄化し、あるいは脱着するために、加
工物の実際の加熱を行う前に、低電圧(例えば、20キ
ロボルト)および加工物の連続もしくは迅速バーストモ
ード加熱のいずれかを用いることが有利であることが見
い出された。この事前浄化プロセスは、後の加工物のプ
ラズマ電子加熱処理中のアーク発生を防止する上で有益
であることがわかった。典型的には、事前浄化操作は、
所望の浄化程度に応じて約5分間行われる。
【0040】以上述べたプラズマ電子加熱モードおよび
技術は、加熱された加工物を冷却するための別の強制冷
却プロセスを附加しまたは附加することなく使用し得
る。いずれの場合でも、加工物の操縦は要求されない。
別の強制冷却を採用しない場合、加工物は、2つの異な
るモードにより冷却される。第1モードでは、加工物の
迅速自己冷却が、加工物表面の迅速バーストモード加熱
後に達成される。この場合、加工物表面は、加工物の内
部への伝導により冷却される。第2のモードでは、加工
物表面の遅い放射的冷却が、加工物の表面および内部を
加熱する加工物の遅い連続加熱後に達成される。
技術は、加熱された加工物を冷却するための別の強制冷
却プロセスを附加しまたは附加することなく使用し得
る。いずれの場合でも、加工物の操縦は要求されない。
別の強制冷却を採用しない場合、加工物は、2つの異な
るモードにより冷却される。第1モードでは、加工物の
迅速自己冷却が、加工物表面の迅速バーストモード加熱
後に達成される。この場合、加工物表面は、加工物の内
部への伝導により冷却される。第2のモードでは、加工
物表面の遅い放射的冷却が、加工物の表面および内部を
加熱する加工物の遅い連続加熱後に達成される。
【0041】別の強制冷却プロセスをプラズマ電子加熱
モードとともに用いた場合、加工物の冷却は、加工物の
所望の温度および/またはミクロ構造状態が得られた後
に達成される。例えば、特に鉄系金属において、加工物
の比較的迅速な冷却を行う場合、冷却速度に応じて、特
定の相変態を抑制でき、または特定の相が生成され得
る。
モードとともに用いた場合、加工物の冷却は、加工物の
所望の温度および/またはミクロ構造状態が得られた後
に達成される。例えば、特に鉄系金属において、加工物
の比較的迅速な冷却を行う場合、冷却速度に応じて、特
定の相変態を抑制でき、または特定の相が生成され得
る。
【0042】具体的には、真空加熱された加工物の表面
を比較的迅速に冷却することがしばしば望ましい。従来
では、例えば放射によって真空中で加熱された加工物
は、高圧ガス冷却により比較的速い速度で冷却される。
この場合、真空チャンバはヘリウムのようなガスで、迅
速に、典型的には10〜20秒以内で、1〜20気圧の
圧力にバックフィル(backfill)される。この冷却ガス
は加工物の表面と接触して熱を運び去る。熱除去速度
は、通常、加工物の表面における境界層および冷却ガス
の伝導により制限される。
を比較的迅速に冷却することがしばしば望ましい。従来
では、例えば放射によって真空中で加熱された加工物
は、高圧ガス冷却により比較的速い速度で冷却される。
この場合、真空チャンバはヘリウムのようなガスで、迅
速に、典型的には10〜20秒以内で、1〜20気圧の
圧力にバックフィル(backfill)される。この冷却ガス
は加工物の表面と接触して熱を運び去る。熱除去速度
は、通常、加工物の表面における境界層および冷却ガス
の伝導により制限される。
【0043】本発明は、真空加熱された加工物を冷却す
るための別の方法を提供し、これを固体/気体ジェット
(ガス噴流)冷却(SGJC)と呼ぶこととする。図3
は、固体/ガス噴流冷却装置60を示している。この装
置60は、導入された高圧流を膨張させる収束/発散ノ
ズル62を備える。装置60は、さらに、その液体、固
体および気体の形態間で平衡の熱力学的三重点を有する
液体物質の供給源64を備える。液体物質は、好ましく
は、異原子種液体二酸化炭素(CO2 )であり、これは
加圧状態で液体として存在し得る。1気圧の下では、二
酸化炭素は、気体または固体(ドライアイス)としての
み存在する。液体物質は制御可能な弁68をその中に備
えた導管66を介して供給源64からノズル62へ移送
される。弁68は、液体物質の制御可能な流れをノズル
62へ通じさせる。この弁は、装置設計および所望の装
置性能に応じて、手動によりまたは遠隔的に動作され、
また供給源64の近傍に設置することができる。使用で
きる他の液体物質には、窒素のような二原子種およびア
ルゴンのような貴ガス種が含まれる。
るための別の方法を提供し、これを固体/気体ジェット
(ガス噴流)冷却(SGJC)と呼ぶこととする。図3
は、固体/ガス噴流冷却装置60を示している。この装
置60は、導入された高圧流を膨張させる収束/発散ノ
ズル62を備える。装置60は、さらに、その液体、固
体および気体の形態間で平衡の熱力学的三重点を有する
液体物質の供給源64を備える。液体物質は、好ましく
は、異原子種液体二酸化炭素(CO2 )であり、これは
加圧状態で液体として存在し得る。1気圧の下では、二
酸化炭素は、気体または固体(ドライアイス)としての
み存在する。液体物質は制御可能な弁68をその中に備
えた導管66を介して供給源64からノズル62へ移送
される。弁68は、液体物質の制御可能な流れをノズル
62へ通じさせる。この弁は、装置設計および所望の装
置性能に応じて、手動によりまたは遠隔的に動作され、
また供給源64の近傍に設置することができる。使用で
きる他の液体物質には、窒素のような二原子種およびア
ルゴンのような貴ガス種が含まれる。
【0044】図4は、固体、気体および液体間に三重点
平衡を有する液体物質の圧力−温度状態図を示してい
る。液体物質は、加圧下で供給源64に貯蔵されてい
る。好ましい態様において、二酸化炭素は、約835ポ
ンド・パー・平方インチ(psi)の圧力で液体状態で
貯蔵されている。液体として、二酸化炭素は導管66内
を流れ、その流量は弁68によって容易に制御すること
ができる。
平衡を有する液体物質の圧力−温度状態図を示してい
る。液体物質は、加圧下で供給源64に貯蔵されてい
る。好ましい態様において、二酸化炭素は、約835ポ
ンド・パー・平方インチ(psi)の圧力で液体状態で
貯蔵されている。液体として、二酸化炭素は導管66内
を流れ、その流量は弁68によって容易に制御すること
ができる。
【0045】液体二酸化炭素がノズルの発散部分を通っ
て膨張する間に、その圧力および温度は低下する。液体
二酸化炭素は、状態図の固相領域へ入ると固体に変換す
る。固体二酸化炭素の小さい雪様の粒子70がノズル6
2の下流に生成する。操作条件に依存して、この粒子
は、サイズが1000分子と小さいものから、より大き
なものとなり得る。
て膨張する間に、その圧力および温度は低下する。液体
二酸化炭素は、状態図の固相領域へ入ると固体に変換す
る。固体二酸化炭素の小さい雪様の粒子70がノズル6
2の下流に生成する。操作条件に依存して、この粒子
は、サイズが1000分子と小さいものから、より大き
なものとなり得る。
【0046】小さな二酸化炭素粒子70は自由空間を通
って進行し、加工物44の表面72に衝突する。固体二
酸化炭素雪は、表面72から熱を吸収し、昇華により気
化する。二酸化炭素分子は、符号74で概略的に示すよ
うに、表面から離れるように拡散し、それらとともに加
工物44の熱を運ぶ。液体二酸化炭素は、熱力学的に、
1気圧下では存在し得ないので、この冷却処理後に表面
に残る液体はなく、重要な利点をもたらす。
って進行し、加工物44の表面72に衝突する。固体二
酸化炭素雪は、表面72から熱を吸収し、昇華により気
化する。二酸化炭素分子は、符号74で概略的に示すよ
うに、表面から離れるように拡散し、それらとともに加
工物44の熱を運ぶ。液体二酸化炭素は、熱力学的に、
1気圧下では存在し得ないので、この冷却処理後に表面
に残る液体はなく、重要な利点をもたらす。
【0047】上記固体/ガス噴流冷却技術は、いくつか
の理由から、通常の高圧ガス冷却よりも優れた結果を与
えることがわかった。第1に、各二酸化炭素粒子は、そ
の温度を上昇させるに必要な熱を吸収するばかりでな
く、気相へ変換するにつれ昇華熱をも吸収する。したが
って、その有効熱容量は、常に気相にある分子のそれよ
りも大きい。第2に、冷却中に、加熱されたガス分子の
境界層76が表面72直近に展開される。他のガス分子
を外部からこの境界層を強制的に通すことは困難であ
り、高圧ガス冷却を用いた場合には低下した表面熱伝達
係数が生じる。比較的重い固体粒子70は、境界層76
を容易に通過して表面72に到達し、熱伝達係数に及ぼ
す境界層の悪影響を回避できる。
の理由から、通常の高圧ガス冷却よりも優れた結果を与
えることがわかった。第1に、各二酸化炭素粒子は、そ
の温度を上昇させるに必要な熱を吸収するばかりでな
く、気相へ変換するにつれ昇華熱をも吸収する。したが
って、その有効熱容量は、常に気相にある分子のそれよ
りも大きい。第2に、冷却中に、加熱されたガス分子の
境界層76が表面72直近に展開される。他のガス分子
を外部からこの境界層を強制的に通すことは困難であ
り、高圧ガス冷却を用いた場合には低下した表面熱伝達
係数が生じる。比較的重い固体粒子70は、境界層76
を容易に通過して表面72に到達し、熱伝達係数に及ぼ
す境界層の悪影響を回避できる。
【0048】ノズルからの粒子の流れ中に同伴された固
体粒子のフラクションは、有利な結果をもたらすように
調整することができる。供給源64の温度または圧力を
調節することによって、同伴された流れを主として固体
粒子であるか主としてガスであるようにすることができ
る。70°F以下の供給源の温度は、主として固体粒子
を生じ、約90°Fの温度は、ノズル62の通った膨張
により生成した主としてガス粒子を生じる。ガスおよび
固体粒子のフラクションは、二酸化炭素ボトル供給源6
4内の圧力を調節することによって制御することができ
る。ガスおよび固体粒子のフラクションは、固体−ガス
流をさらにガスを加えることで希釈することにより直接
制御することもできる。希釈は、2つの異なる方法によ
って行うことができる。第1の方法においては、異なる
ガスを冷却ガスの液相である導管66中に直接注入する
ことによってエアゾルを作る。第2の方法は、ガス流中
に同伴された固体を、ノズル62において、同じ種のガ
スで希釈するものである。加工物の冷却は、異なるガス
を異なるノズルに同時に通過させ、得られる固体/ガス
混合物流を加工物に向けることによっても制御すること
ができる。さらに、加工物の冷却は、加工物に対する、
ノズルまたはノズル群の位置および/または配置を変え
ることによっても制御することができる。
体粒子のフラクションは、有利な結果をもたらすように
調整することができる。供給源64の温度または圧力を
調節することによって、同伴された流れを主として固体
粒子であるか主としてガスであるようにすることができ
る。70°F以下の供給源の温度は、主として固体粒子
を生じ、約90°Fの温度は、ノズル62の通った膨張
により生成した主としてガス粒子を生じる。ガスおよび
固体粒子のフラクションは、二酸化炭素ボトル供給源6
4内の圧力を調節することによって制御することができ
る。ガスおよび固体粒子のフラクションは、固体−ガス
流をさらにガスを加えることで希釈することにより直接
制御することもできる。希釈は、2つの異なる方法によ
って行うことができる。第1の方法においては、異なる
ガスを冷却ガスの液相である導管66中に直接注入する
ことによってエアゾルを作る。第2の方法は、ガス流中
に同伴された固体を、ノズル62において、同じ種のガ
スで希釈するものである。加工物の冷却は、異なるガス
を異なるノズルに同時に通過させ、得られる固体/ガス
混合物流を加工物に向けることによっても制御すること
ができる。さらに、加工物の冷却は、加工物に対する、
ノズルまたはノズル群の位置および/または配置を変え
ることによっても制御することができる。
【0049】プラズマ電子加熱技術の特徴の1つは、加
工物を操縦することなく、加工物の全表面を均一に加熱
するために、または加工物の選定された領域のみを均一
に加熱するために使用できることである。同様に、SG
JCプロセスは、また、加工物を操縦することなく、全
加工物表面を均一に冷却するため、または加工物表面の
選定された領域を均一に冷却するために使用することが
できる。SGJCノズル式冷却技術は、異なる領域を目
的とし、異なる操作条件および/または冷却剤で動作さ
れ得る複数のノズルを用いることによって加工物の特定
領域を選択的に冷却するために使用することができる。
あるいは、選択的冷却は、加工物の特定領域をマスクす
ることによっても行うことができる。
工物を操縦することなく、加工物の全表面を均一に加熱
するために、または加工物の選定された領域のみを均一
に加熱するために使用できることである。同様に、SG
JCプロセスは、また、加工物を操縦することなく、全
加工物表面を均一に冷却するため、または加工物表面の
選定された領域を均一に冷却するために使用することが
できる。SGJCノズル式冷却技術は、異なる領域を目
的とし、異なる操作条件および/または冷却剤で動作さ
れ得る複数のノズルを用いることによって加工物の特定
領域を選択的に冷却するために使用することができる。
あるいは、選択的冷却は、加工物の特定領域をマスクす
ることによっても行うことができる。
【0050】SGJCは低圧冷却プロセスである。真空
チャンバは真空ポンプにより連続的にポンプ駆動され
る。SGJC中に、チャンバ圧力は冷却ガスにより上昇
するが、弁28を絞って、典型的には100マイクロメ
ートルないし1気圧の範囲内である選定された真空を維
持することができる。あるいは、冷却中に真空弁28を
閉じて、真空チャンバの内部を冷却ガスにより加圧させ
るようにすることもできる。場合に応じて、あらかじめ
設定したレベルたとえば1気圧を超える加圧を防止する
ために、ベントまたは安全弁を設けることもできる。
チャンバは真空ポンプにより連続的にポンプ駆動され
る。SGJC中に、チャンバ圧力は冷却ガスにより上昇
するが、弁28を絞って、典型的には100マイクロメ
ートルないし1気圧の範囲内である選定された真空を維
持することができる。あるいは、冷却中に真空弁28を
閉じて、真空チャンバの内部を冷却ガスにより加圧させ
るようにすることもできる。場合に応じて、あらかじめ
設定したレベルたとえば1気圧を超える加圧を防止する
ために、ベントまたは安全弁を設けることもできる。
【0051】いくつかの場合には、単一表面の冷却が好
ましい。他の場合には、全加工物表面のより全方向の冷
却を行うことが好ましい。
ましい。他の場合には、全加工物表面のより全方向の冷
却を行うことが好ましい。
【0052】より空間的に均一な冷却を達成できるSG
JC装置の変形例が図5に示されている。加工物を全面
で冷却するために、2またはそれ以上のSGJC装置6
0を加工物の周りの種々の場所に設ける。これらSGJ
C装置60は、粒子70の流れを加工物44に指向させ
る。種々のSGJC装置60の数、冷却媒体および操作
パラメータは、必要に応じて調節できる。
JC装置の変形例が図5に示されている。加工物を全面
で冷却するために、2またはそれ以上のSGJC装置6
0を加工物の周りの種々の場所に設ける。これらSGJ
C装置60は、粒子70の流れを加工物44に指向させ
る。種々のSGJC装置60の数、冷却媒体および操作
パラメータは、必要に応じて調節できる。
【0053】この技術の変形例は、SGJC装置60の
ノズルからの流れに対して種々の場所に提供された分散
噴流(dispersing jet)78(図5に示す)を用いるも
のである。分散噴流78は、内側へ加工物44へ向けら
れたアパーチャ82を有する導管80である。
ノズルからの流れに対して種々の場所に提供された分散
噴流(dispersing jet)78(図5に示す)を用いるも
のである。分散噴流78は、内側へ加工物44へ向けら
れたアパーチャ82を有する導管80である。
【0054】導管82中を流れる同じ(または異なる)
ガスの加圧ガス流84は、アパーチャ82を通って内側
へ加工物44に向けて放出され、SGJC装置60に接
近し難い加工物の側面へ粒子70を向けさせる。実際
上、加工物44の全面に到達することが通常望ましいの
で、導管80は、単一トロイダル導管の一部とすること
ができ、その残りの部分は図5では見えない。他の形状
の加工物の空間的に均一な冷却を達成するために、他の
形状の導管を必要に応じて設計することができる。同じ
または異なる操作条件で操作されるSGJC装置60
と、分散噴流78のいずれもの組合せも、個々の冷却要
求に応じて使用することができる。
ガスの加圧ガス流84は、アパーチャ82を通って内側
へ加工物44に向けて放出され、SGJC装置60に接
近し難い加工物の側面へ粒子70を向けさせる。実際
上、加工物44の全面に到達することが通常望ましいの
で、導管80は、単一トロイダル導管の一部とすること
ができ、その残りの部分は図5では見えない。他の形状
の加工物の空間的に均一な冷却を達成するために、他の
形状の導管を必要に応じて設計することができる。同じ
または異なる操作条件で操作されるSGJC装置60
と、分散噴流78のいずれもの組合せも、個々の冷却要
求に応じて使用することができる。
【0055】図6は、SGJC技術を利用する他の装置
を示す。いくつかのタイプの加工物は、典型的に、例え
ば炎加熱または誘導加熱により、空気中で加熱され、つ
いで急速に冷却されてマルテンサイトまたはその他の相
の硬い表面層を生成する。SGJC技術は、図6に示さ
れた装置のような装置120を用いた上記プロセスに利
するために使用することができる。
を示す。いくつかのタイプの加工物は、典型的に、例え
ば炎加熱または誘導加熱により、空気中で加熱され、つ
いで急速に冷却されてマルテンサイトまたはその他の相
の硬い表面層を生成する。SGJC技術は、図6に示さ
れた装置のような装置120を用いた上記プロセスに利
するために使用することができる。
【0056】装置120は、加工物124に対して相対
的に移動可能な熱処理ヘッド122を含む。図示の例で
は、熱処理ヘッド122が可動であり、加工物124が
定置であるが、これを逆にしてもよい。ここでは、熱処
理ヘッド122は、駆動構造128からのアーム126
に支持されている。駆動構造128は、アーム126
を、従って熱処理ヘッド122を、駆動アーム132を
介して駆動する駆動モータ130を含む。図示の例で
は、熱処理ヘッド122は、矢印133で示すように、
右側へ移動される。
的に移動可能な熱処理ヘッド122を含む。図示の例で
は、熱処理ヘッド122が可動であり、加工物124が
定置であるが、これを逆にしてもよい。ここでは、熱処
理ヘッド122は、駆動構造128からのアーム126
に支持されている。駆動構造128は、アーム126
を、従って熱処理ヘッド122を、駆動アーム132を
介して駆動する駆動モータ130を含む。図示の例で
は、熱処理ヘッド122は、矢印133で示すように、
右側へ移動される。
【0057】熱処理ヘッド122は、供給ライン136
からの引火性ガスが通過する火炎焼入れノズル134を
含む。アセチレンのような引火性ガスは、ノズル134
の出口において燃焼される。得られた火炎は、熱処理ヘ
ッド122が表面138上を通過するにつれ表面138
を加熱する。
からの引火性ガスが通過する火炎焼入れノズル134を
含む。アセチレンのような引火性ガスは、ノズル134
の出口において燃焼される。得られた火炎は、熱処理ヘ
ッド122が表面138上を通過するにつれ表面138
を加熱する。
【0058】加熱処理ヘッド122は、SGJC装置6
0に関して上に説明したように走査されるSGJCノズ
ル140をも含む。供給ライン141からの液化ガス
は、ノズル140を通り、膨張して固体粒子とガスの混
合物であり得る流通流れ142を生成する。ノズル14
0は、流通流れがノズル134の火炎よりわずかに下側
にある加工物124の表面138に衝突するように指向
されている。それによりSGJC流142は加工物12
4の表面138を急冷して、熱処理され、急冷硬化され
た領域144を生成させる。図6に示したモータによる
駆動の変わりに、ノズルヘッド122を手動させること
もできる。
0に関して上に説明したように走査されるSGJCノズ
ル140をも含む。供給ライン141からの液化ガス
は、ノズル140を通り、膨張して固体粒子とガスの混
合物であり得る流通流れ142を生成する。ノズル14
0は、流通流れがノズル134の火炎よりわずかに下側
にある加工物124の表面138に衝突するように指向
されている。それによりSGJC流142は加工物12
4の表面138を急冷して、熱処理され、急冷硬化され
た領域144を生成させる。図6に示したモータによる
駆動の変わりに、ノズルヘッド122を手動させること
もできる。
【0059】図6の手法は、前に説明したと同様の従来
に対する利点を有する。油または水急冷に比べて表面の
浄化を必要としない。本手法は、危険でない急冷剤を使
用し、加工物を移動させる必要がない。
に対する利点を有する。油または水急冷に比べて表面の
浄化を必要としない。本手法は、危険でない急冷剤を使
用し、加工物を移動させる必要がない。
【0060】SGJC技術を使用する急冷速度は、油急
冷に対して優れている。一連の研究において、5130
鋼プラグを急冷するためにSGJC急冷手法を用いた装
置120は、57〜60のロックウェル−C硬度を達成
した。これに対し、油急冷を用いた比較の装置は、わず
か52〜53のロックウェル−C硬度を達成しただけで
あった。
冷に対して優れている。一連の研究において、5130
鋼プラグを急冷するためにSGJC急冷手法を用いた装
置120は、57〜60のロックウェル−C硬度を達成
した。これに対し、油急冷を用いた比較の装置は、わず
か52〜53のロックウェル−C硬度を達成しただけで
あった。
【0061】図7は、プラズマ電子加熱および固体/ガ
ス噴流冷却の双方が同じ熱処理系に組み込まれている以
外は、図1および図2に関して説明した装置20および
20’と同様の装置20”を示している。対応する部材
は同一符号で示されており、これらのついてはすでに説
明したので、ここでは省略する。各部材およびそれらの
機能は前に説明してあるので、さらに説明する必要はな
いであろう。図示の例では、2つのSGJC装置60が
使用され、それらは加工物44の単一表面を目標として
いる。この例では、該表面のみを急速冷却しようとする
ものである。装置20”の操作中に、加工物44は、上
に説明したように、プラズマ電子加熱部材により加熱さ
れる。所要の加熱温度および時間が達成された後、プラ
ズマ電子加熱を停止する。ついで、ノズル62を用いた
SGJCを、通常は直ぐに、開始して加工物表面の最速
冷却を行う。(他の場合においては、冷却を直ぐに開始
する必要ななく、その場合は、熱処理後の冷却に遅れが
ある)。かくして、SGJC冷却は真空中で開始され、
真空度は、冷却剤が冷却過程にわたって系中に入るにつ
れて、徐々に低下する。所望ならば、結果の冷却剤ガス
は、真空ポンプ24を用いて除去することができるが、
通常冷却はその圧力によって悪影響を受けない。
ス噴流冷却の双方が同じ熱処理系に組み込まれている以
外は、図1および図2に関して説明した装置20および
20’と同様の装置20”を示している。対応する部材
は同一符号で示されており、これらのついてはすでに説
明したので、ここでは省略する。各部材およびそれらの
機能は前に説明してあるので、さらに説明する必要はな
いであろう。図示の例では、2つのSGJC装置60が
使用され、それらは加工物44の単一表面を目標として
いる。この例では、該表面のみを急速冷却しようとする
ものである。装置20”の操作中に、加工物44は、上
に説明したように、プラズマ電子加熱部材により加熱さ
れる。所要の加熱温度および時間が達成された後、プラ
ズマ電子加熱を停止する。ついで、ノズル62を用いた
SGJCを、通常は直ぐに、開始して加工物表面の最速
冷却を行う。(他の場合においては、冷却を直ぐに開始
する必要ななく、その場合は、熱処理後の冷却に遅れが
ある)。かくして、SGJC冷却は真空中で開始され、
真空度は、冷却剤が冷却過程にわたって系中に入るにつ
れて、徐々に低下する。所望ならば、結果の冷却剤ガス
は、真空ポンプ24を用いて除去することができるが、
通常冷却はその圧力によって悪影響を受けない。
【0062】装置20”は、プラズマ電子加熱とSGJ
C冷却を共に利用する。これら技術は、別々に使用する
こともできる。プラズマ電子加熱は、高圧ガス冷却のよ
うな他の冷却技術と共に使用することもできるし、ある
いは加工物の強制冷却のいずれをも用いることなく使用
することができる。SGJC冷却は、他の加熱技術とと
もに使用することができる。
C冷却を共に利用する。これら技術は、別々に使用する
こともできる。プラズマ電子加熱は、高圧ガス冷却のよ
うな他の冷却技術と共に使用することもできるし、ある
いは加工物の強制冷却のいずれをも用いることなく使用
することができる。SGJC冷却は、他の加熱技術とと
もに使用することができる。
【0063】図8は、上に述べた本発明の手法により加
工物を熱処理するための流れブロック図を示す。加工物
の周りにイオン化性ガスのプラズマを生成させる(符号
90)。加工物に印加された正の電圧パルスによりプラ
ズマから加工物へ電子を加速し(符号92)、それによ
って加工物を加熱する。加熱は、加工物の全厚さの表面
の所定の温度状態が達成されるまで続行される(符号9
4)。その後、加工物は、SGJC技術または他の技術
により冷却され得る。
工物を熱処理するための流れブロック図を示す。加工物
の周りにイオン化性ガスのプラズマを生成させる(符号
90)。加工物に印加された正の電圧パルスによりプラ
ズマから加工物へ電子を加速し(符号92)、それによ
って加工物を加熱する。加熱は、加工物の全厚さの表面
の所定の温度状態が達成されるまで続行される(符号9
4)。その後、加工物は、SGJC技術または他の技術
により冷却され得る。
【0064】図9は、上に述べた本発明の手法により加
工物を冷却するための流れブロック図を示す。上に述べ
たプラズマ電子加熱または他の方法により加工物を加熱
する(符号100)。その後、固体冷却粒子の流れを加
工物に指向させることにより加工物を冷却する。固体冷
却粒子の流れは、液体、固体および気体の形態間で平衡
の熱力学的三重点を有する加圧液体物質を供給すること
によって生成される(符号102)。この液体物質の流
れは、高圧から低圧に膨張されて該物質の固体粒子形態
を生成する(符号104)。固体粒子は、加工物に指向
される(符号106)。
工物を冷却するための流れブロック図を示す。上に述べ
たプラズマ電子加熱または他の方法により加工物を加熱
する(符号100)。その後、固体冷却粒子の流れを加
工物に指向させることにより加工物を冷却する。固体冷
却粒子の流れは、液体、固体および気体の形態間で平衡
の熱力学的三重点を有する加圧液体物質を供給すること
によって生成される(符号102)。この液体物質の流
れは、高圧から低圧に膨張されて該物質の固体粒子形態
を生成する(符号104)。固体粒子は、加工物に指向
される(符号106)。
【0065】本発明のプラズマ電子加熱およびSGJC
冷却を、商業的操作可能性を立証するために十分な大き
さの装置を用いて実行した。この装置は、直径4フィー
ト、長さ8フィートの真空チャンバ、および出力10
0,000ワットの電源48を有するものであった。こ
れにより商業的大きさの加工物を熱処理できた。
冷却を、商業的操作可能性を立証するために十分な大き
さの装置を用いて実行した。この装置は、直径4フィー
ト、長さ8フィートの真空チャンバ、および出力10
0,000ワットの電源48を有するものであった。こ
れにより商業的大きさの加工物を熱処理できた。
【0066】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はそれらに限定されるものではない。
明はそれらに限定されるものではない。
【0067】実施例 1 タイプ5130鋼製の自動車用ピニオン歯車ブランクを
本発明の装置でプラズマ電子加熱を用いて「焼ならし」
熱処理した。焼ならし熱処理は、加工物の加速冷却を必
要としないので、プラズマ電子加熱手法の指標となる。
各歯車ブランクは2インチの直径を持ち、重量約1ポン
ドであった。装置中に歯車ブランクの9つを支持した。
歯車ブランクはまったく同じに処理した。装置の操作パ
ラメータは、電源48の印加電圧30キロボルト、平均
パルス電流150アンペア、電源から加工物への平均電
流約0.25アンペア、パルス繰り返し周波数200ヘ
ルツ、パルス幅10マイクロ秒、および動作圧3×10
-5Torrでのアルゴンイオン化性ガスであった。歯車
ブランクを900℃の表面およびバルク温度に約5分間
で加熱し、その温度に15分間維持した。15分間の加
熱時間が終了した後、電源を停止し、歯車ブランクを真
空中放射により冷却させた。この焼ならし処理において
は、SGJCや高圧ガス冷却のような強制冷却は使用し
なかった。
本発明の装置でプラズマ電子加熱を用いて「焼ならし」
熱処理した。焼ならし熱処理は、加工物の加速冷却を必
要としないので、プラズマ電子加熱手法の指標となる。
各歯車ブランクは2インチの直径を持ち、重量約1ポン
ドであった。装置中に歯車ブランクの9つを支持した。
歯車ブランクはまったく同じに処理した。装置の操作パ
ラメータは、電源48の印加電圧30キロボルト、平均
パルス電流150アンペア、電源から加工物への平均電
流約0.25アンペア、パルス繰り返し周波数200ヘ
ルツ、パルス幅10マイクロ秒、および動作圧3×10
-5Torrでのアルゴンイオン化性ガスであった。歯車
ブランクを900℃の表面およびバルク温度に約5分間
で加熱し、その温度に15分間維持した。15分間の加
熱時間が終了した後、電源を停止し、歯車ブランクを真
空中放射により冷却させた。この焼ならし処理において
は、SGJCや高圧ガス冷却のような強制冷却は使用し
なかった。
【0068】焼ならし歯車ブランクのミクロ構造を調べ
た。1つの問題は、一度に処理された9つの歯車ブラン
クの全てが同様の構造を持つかどうかと、それら構造が
ガス炉において従来の方法で焼ならしされた歯車ブラン
クのそれと同様であるかどうかである。調べた結果、9
つ全ての歯車ブランクのミクロ構造は同様であり、それ
らのミクロ構造は、従来の方法で焼ならしされた歯車ブ
ランクのそれに匹敵するものであった。この結果は、プ
ラズマが9つの歯車ブランクを均一に囲んでいたことを
立証した。またプラズマ電子加熱プロセスは従来法によ
り焼ならしされた歯車のブランクのミクロ構造を複製し
たが、それも従来の加熱時間30分に比べより速いプラ
ズマ電子加熱時間5分により短時間に達成された。
た。1つの問題は、一度に処理された9つの歯車ブラン
クの全てが同様の構造を持つかどうかと、それら構造が
ガス炉において従来の方法で焼ならしされた歯車ブラン
クのそれと同様であるかどうかである。調べた結果、9
つ全ての歯車ブランクのミクロ構造は同様であり、それ
らのミクロ構造は、従来の方法で焼ならしされた歯車ブ
ランクのそれに匹敵するものであった。この結果は、プ
ラズマが9つの歯車ブランクを均一に囲んでいたことを
立証した。またプラズマ電子加熱プロセスは従来法によ
り焼ならしされた歯車のブランクのミクロ構造を複製し
たが、それも従来の加熱時間30分に比べより速いプラ
ズマ電子加熱時間5分により短時間に達成された。
【0069】実施例 2 市販の装置において、実施例1において焼ならしされた
歯車ブランクの試料を浸炭し、急冷硬化させた。従来の
炉中で焼ならしされた歯車も同様に処理し、結果を比較
した。プラズマ電子焼ならしされ、浸炭/急冷硬化され
た歯車の表面硬度は82〜83Raであり、従来法によ
り処理された歯車の表面硬度は81〜82Raであっ
た。各タイプの歯車のコア硬度は約47〜48Raのま
まであった。プラズマ電子処理歯車の浸炭深さは0.4
8mmであり、従来法処理歯車の浸炭深さは0.45m
mであった。
歯車ブランクの試料を浸炭し、急冷硬化させた。従来の
炉中で焼ならしされた歯車も同様に処理し、結果を比較
した。プラズマ電子焼ならしされ、浸炭/急冷硬化され
た歯車の表面硬度は82〜83Raであり、従来法によ
り処理された歯車の表面硬度は81〜82Raであっ
た。各タイプの歯車のコア硬度は約47〜48Raのま
まであった。プラズマ電子処理歯車の浸炭深さは0.4
8mmであり、従来法処理歯車の浸炭深さは0.45m
mであった。
【0070】これらの結果は、プラズマ電子加熱プロセ
スが従来の熱処理と同様に制御可能であることを証明し
ている。しかしながら、本発明の方法は、従来の熱処理
よりも優れた点を有することは本明細書に記載の通りで
ある。
スが従来の熱処理と同様に制御可能であることを証明し
ている。しかしながら、本発明の方法は、従来の熱処理
よりも優れた点を有することは本明細書に記載の通りで
ある。
【0071】実施例 3 タイプ5130歯車材料の歯車試料を、有意の内部加熱
を伴わずに優先的表面加熱を達成するために、迅速バー
ストパルスプラズマ電子加熱により処理した。各試料を
100キロボルトのパルス、10マイクロ秒のパルス持
続時間、0.5秒のバースト時間、および1バースト当
り計500パルスを用いて加熱した。各試料の表面にお
ける電力密度は、平方センチメートル当り約1.5キロ
ワットであった。
を伴わずに優先的表面加熱を達成するために、迅速バー
ストパルスプラズマ電子加熱により処理した。各試料を
100キロボルトのパルス、10マイクロ秒のパルス持
続時間、0.5秒のバースト時間、および1バースト当
り計500パルスを用いて加熱した。各試料の表面にお
ける電力密度は、平方センチメートル当り約1.5キロ
ワットであった。
【0072】0.1秒の応答時間を有する赤外光学高温
計を用いて歯車の表面温度を測定した。パルスの1バー
スト中に、歯車の表面は、1000℃に達し、ついで内
部金属の下側塊による表面の自己急冷により3秒以下で
500℃に低下した。
計を用いて歯車の表面温度を測定した。パルスの1バー
スト中に、歯車の表面は、1000℃に達し、ついで内
部金属の下側塊による表面の自己急冷により3秒以下で
500℃に低下した。
【0073】実施例1および2は、強制冷却を用いずに
プラズマ電子加熱による加工物の遅い連続加熱を示して
いる。この実施例3は、強制冷却を用いない、迅速バー
スト加熱モードを示している。
プラズマ電子加熱による加工物の遅い連続加熱を示して
いる。この実施例3は、強制冷却を用いない、迅速バー
スト加熱モードを示している。
【0074】実施例 4 SGJC冷却を実験するために、図3の装置と同様の装
置を組み立てた。冷却剤は二酸化炭素であり、平方イン
チ当り835ポンドで供給源中に保持した。冷却装置の
ノズルは、これら条件の下での二酸化炭素の処理量が毎
分約100ポンドとなるような大きさとした。
置を組み立てた。冷却剤は二酸化炭素であり、平方イン
チ当り835ポンドで供給源中に保持した。冷却装置の
ノズルは、これら条件の下での二酸化炭素の処理量が毎
分約100ポンドとなるような大きさとした。
【0075】鋼製加工物を1000℃に熱した。つい
で、SGJC装置を用いて冷却し、加工物の温度を冷却
中に測定した。図10は、加工物の表面下約2.5mm
の所で埋め込まれた熱電対により測定された温度を時間
の関数として示している。これらの測定から、実行熱伝
達係数を約5500ワット/平方メートル−°Kと見積
もった。
で、SGJC装置を用いて冷却し、加工物の温度を冷却
中に測定した。図10は、加工物の表面下約2.5mm
の所で埋め込まれた熱電対により測定された温度を時間
の関数として示している。これらの測定から、実行熱伝
達係数を約5500ワット/平方メートル−°Kと見積
もった。
【0076】比較のために、同様の鋼製加工物を100
0℃に熱し、油急冷剤に浸漬することによって冷却し
た。図10は、油急冷についての時間の関数としての温
度低下は、SGJC急冷よりも遅いことを示している。
0℃に熱し、油急冷剤に浸漬することによって冷却し
た。図10は、油急冷についての時間の関数としての温
度低下は、SGJC急冷よりも遅いことを示している。
【0077】技術文献から、ヘリウムを20気圧の圧力
で使用する高圧ガス冷却についての熱伝達係数は約10
00ワット/平方メートル−°Kであり、20気圧の水
素では約2200ワット/平方メートル−°Kであるこ
とがわかっている。撹拌しない油の熱伝達係数は、約1
500ワット/平方メートル−°Kであり、撹拌されて
いる油の熱伝達係数は、約2200ワット/平方メート
ル−°Kである。撹拌されている水の熱伝達係数は、約
3500ワット/平方メートル−°Kである。
で使用する高圧ガス冷却についての熱伝達係数は約10
00ワット/平方メートル−°Kであり、20気圧の水
素では約2200ワット/平方メートル−°Kであるこ
とがわかっている。撹拌しない油の熱伝達係数は、約1
500ワット/平方メートル−°Kであり、撹拌されて
いる油の熱伝達係数は、約2200ワット/平方メート
ル−°Kである。撹拌されている水の熱伝達係数は、約
3500ワット/平方メートル−°Kである。
【0078】従って、SGJCについての熱伝達係数
は、真空加熱加工物に従来最も好ましいとされている手
法である高圧ガス冷却のそれよりも2〜5倍優れてい
る。さらに、本方法は、油や水のような伝統的な液体急
冷剤に対しても1.5〜2倍優れている。SGJCプロ
セスは、冷却された加工物表面に残渣を一切残さないと
いう重要な利点を有し、油、ポリマー、塩溶液などにお
いての急冷に比べて環境的に好ましいものである。
は、真空加熱加工物に従来最も好ましいとされている手
法である高圧ガス冷却のそれよりも2〜5倍優れてい
る。さらに、本方法は、油や水のような伝統的な液体急
冷剤に対しても1.5〜2倍優れている。SGJCプロ
セスは、冷却された加工物表面に残渣を一切残さないと
いう重要な利点を有し、油、ポリマー、塩溶液などにお
いての急冷に比べて環境的に好ましいものである。
【0079】実施例 5 歯車材料をプラズマ電子加熱を用いた加熱およびその後
の二酸化炭素SGJCを用いた加速冷却により表面硬化
させた。試験試料は、実施例1で処理した歯車を作るた
めに用いたものと同じ鋼であるタイプ5130鋼から作
った。試料は約900℃の温度にプラズマ電子加熱し
た。プラズマ電子加熱パラメータは、印加電圧55キロ
ボルト、パルスピーク電流30アンペア、1バースト当
り700〜800パルスのバーストパルス、パルス繰り
返し周波数1000ヘルツ、パルス幅10マイクロ秒、
イオン化性ガス窒素、作動圧3×10-5Torr以下で
あった。これらのパラメータでもって、試料は上記温度
に到達するのに5分間を要し、その後5分間同温度に維
持した。加熱が完了した後、電源を停止した。
の二酸化炭素SGJCを用いた加速冷却により表面硬化
させた。試験試料は、実施例1で処理した歯車を作るた
めに用いたものと同じ鋼であるタイプ5130鋼から作
った。試料は約900℃の温度にプラズマ電子加熱し
た。プラズマ電子加熱パラメータは、印加電圧55キロ
ボルト、パルスピーク電流30アンペア、1バースト当
り700〜800パルスのバーストパルス、パルス繰り
返し周波数1000ヘルツ、パルス幅10マイクロ秒、
イオン化性ガス窒素、作動圧3×10-5Torr以下で
あった。これらのパラメータでもって、試料は上記温度
に到達するのに5分間を要し、その後5分間同温度に維
持した。加熱が完了した後、電源を停止した。
【0080】ついで、各試料の表面をSGJC装置を用
いて冷却した。
いて冷却した。
【0081】冷却後、ミクロ構造の調査のために試料を
切断した。ミクロ構造は、所望の結果であるところの、
表面領域におけるマルテンサイト相を示した。
切断した。ミクロ構造は、所望の結果であるところの、
表面領域におけるマルテンサイト相を示した。
【0082】実施例 6 実際の歯車を用いた以外は、実施例5の処理を繰り返し
た。歯車の全側面を冷却するために、図5に関して説明
したと同様のトロイダル分散噴流装置を用いた。歯車
は、成功裡に、実施例5で述べたものと同じプラズマ電
子加熱パラメータを用いて加熱され、上記分散噴流装置
を用いたSGJC装置を用いて冷却された。
た。歯車の全側面を冷却するために、図5に関して説明
したと同様のトロイダル分散噴流装置を用いた。歯車
は、成功裡に、実施例5で述べたものと同じプラズマ電
子加熱パラメータを用いて加熱され、上記分散噴流装置
を用いたSGJC装置を用いて冷却された。
【0083】実施例 7 一連の6つの同じ歯車を用いて実施例6を繰り返し、1
つの歯車を対象として未処理のままとした。6つの歯車
は、プラズマ電子加熱により異なる最大温度に加熱し、
トロイダル分散噴流装置を用いたSGJCにより冷却し
た。
つの歯車を対象として未処理のままとした。6つの歯車
は、プラズマ電子加熱により異なる最大温度に加熱し、
トロイダル分散噴流装置を用いたSGJCにより冷却し
た。
【0084】冷却後、ミクロ構造を調べ、表面領域の硬
度を測定した。硬度は以下の表の通りであった。
度を測定した。硬度は以下の表の通りであった。
【0085】 表 試料番号 最大温度(°F) 硬度(Ra) 1 1700 69 2 1800 71 3 1900 72 4 2000 75 5 2000 75 6 2000 74 対照 −− 50〜51 1800°Fに加熱された試料番号2のミクロ構造は、
このタイプの表面効果歯車に好ましい微粒化マルテンサ
イト系構造と硬度を有すると判定された。試料番号4、
5および6は、3回の操作の各々で到達された同じ(も
しくはほぼ同じ)硬度により示されているように、本処
理プロセスの良好な反復性を立証している。
このタイプの表面効果歯車に好ましい微粒化マルテンサ
イト系構造と硬度を有すると判定された。試料番号4、
5および6は、3回の操作の各々で到達された同じ(も
しくはほぼ同じ)硬度により示されているように、本処
理プロセスの良好な反復性を立証している。
【0086】以上述べたように、本発明は、従来の手法
に比べて種々の利点を有する加工物のプラズマ電子加熱
および固体/ガス噴流冷却のための方法および装置を提
供する。例示のため、特定の態様を詳細に説明したが、
本発明の精神および範囲を逸脱することなく種々の変更
をすることができることはいうまでもない。
に比べて種々の利点を有する加工物のプラズマ電子加熱
および固体/ガス噴流冷却のための方法および装置を提
供する。例示のため、特定の態様を詳細に説明したが、
本発明の精神および範囲を逸脱することなく種々の変更
をすることができることはいうまでもない。
【図1】本発明の一実施例のプラズマ電子加熱装置の概
略図。
略図。
【図2】複数の加工物を異なって熱処理するための、本
発明の他の実施例のプラズマ電子加熱装置の概略図。
発明の他の実施例のプラズマ電子加熱装置の概略図。
【図3】固体/ガス噴流冷却(SGJC)装置の概略
図。
図。
【図4】二酸化炭素の圧力−温度状態図。
【図5】固体粒子分散を伴う固体/ガス噴流冷却装置の
平面図。
平面図。
【図6】固体/ガス噴流冷却(SGJC)を有する加工
物熱処理用装置の断面概略図。
物熱処理用装置の断面概略図。
【図7】プラズマ電子加熱および固体/ガス噴流冷却
(SGJC)の双方を備えた熱処理装置の概略図。
(SGJC)の双方を備えた熱処理装置の概略図。
【図8】プラズマ電子加熱による加工物の加熱を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図9】固体/ガス噴流冷却(SGJC)による加工物
の冷却を示すブロック図。
の冷却を示すブロック図。
【図10】異なる手法により冷却された加工物について
の時間を関数とした温度グラフ図。
の時間を関数とした温度グラフ図。
22…真空チャンバ、24…真空ポンプ、26…導管、
28…ゲート弁、30…イオン化性ガス源、34…制御
弁、36…圧力計、38…プラズマ、44,44’…加
工物、45…プラズマシース、48…パルス電源、62
…ノズル、64…液体供給源、70…固体粒子、78…
分散噴流。
28…ゲート弁、30…イオン化性ガス源、34…制御
弁、36…圧力計、38…プラズマ、44,44’…加
工物、45…プラズマシース、48…パルス電源、62
…ノズル、64…液体供給源、70…固体粒子、78…
分散噴流。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・ディー・ウイリアムズ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91301、アゴーラ・ヒルズ、ダブリュ・コ ールド・スプリングス・ストリート 26802 (72)発明者 ウイルフリード・クローン − シュミッ ト アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92633、フラートン、ダブリュ・マリポ サ・レーン 1851
Claims (23)
- 【請求項1】 真空チャンバ、 該真空チャンバを制御可能に排気するための手段、 イオン化性ガスの分圧を制御可能に該真空チャンバの内
部に供給するための手段、 該真空チャンバ内にプラズマを提供するための手段、 熱処理すべき加工物のための、電気的に分離された支持
体、および該プラズマに対して正のパルス状電圧を該加
工物に印加するための手段を備えたことを特徴とする、
加工物の熱処理装置。 - 【請求項2】 パルス状正電圧を印加するための手段
が、約1ないし約100キロボルトの電圧を印加するも
のである請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 パルス状正電圧を印加するための手段
が、約10ないし約3000ヘルツで電圧を印加するも
のである請求項1記載の装置。 - 【請求項4】 パルス状正電圧を印加するための手段
が、約1ないし約50マイクロ秒の継続期間のパルスを
印加するものである請求項1記載の装置。 - 【請求項5】 排気手段および供給手段が、協働して約
10-4Torr以下のイオン化性ガス圧を真空チャンバ
内に提供するものである請求項1記載の装置。 - 【請求項6】 加工物の表面の少なくとも一部を覆うた
めのマスクをさらに有する請求項1記載の装置。 - 【請求項7】 加工物が支持体上に保持されているとき
加工物の場に指向される膨張用ノズル、 液体、固体および気体の形態の間で平衡の熱力学的三重
点を有する液体物質の加圧された供給源、および該液体
物質の供給源から該ノズルに制御可能に延びる導管をさ
らに備えた請求項1記載の装置。 - 【請求項8】 熱処理すべき加工物を受けるための支持
体、 液体流を高圧から低圧に膨張させ、その膨張された流れ
を加工物が該支持体に保持されているときに加工物へ向
けるためのノズル手段、 液体、固体および気体の形態の間で平衡の熱力学的三重
点を有する液体物質の加圧された供給源、および該液体
物質の供給源から該ノズル手段の高圧側に制御可能に延
びる導管を備えたことを特徴とする、加工物を熱処理す
るための装置。 - 【請求項9】 ノズル手段が、 液体物質が膨張されるところのノズル、および膨張した
流れを空間的分散パターンで分配するための手段を含む
請求項8記載の装置。 - 【請求項10】 真空チャンバと制御可能に連通した、
イオン化性ガスのガス源、 真空チャンバと連通し、真空チャンバ内にプラズマを生
成させるプラズマ源、 熱処理すべき加工物を受けるための支持体、およびプラ
ズマに対して正の電圧を支持体に印加するためのパルス
電源をさらに含む請求項8記載の装置。 - 【請求項11】 真空チャンバ、および該真空チャンバ
と制御可能に連通する真空ポンプをさらに含む請求項8
記載の装置。 - 【請求項12】 少なくとも1つの加工物を熱処理する
ための方法であって、 少なくとも1つの加工物の周りにイオン化性ガスのプラ
ズマを生成させる工程、 該プラズマに対して正の電圧の一連のパルスを加工物に
印加して、プラズマから少なくとも1つの加工物へ電子
を加速させて加工物を加熱する工程、および少なくとも
1つの加工物にあらかじめ選定された熱処理状態が達成
されるまで加速工程を続行する工程を包含する方法。 - 【請求項13】 イオン化性ガスが加工物と化学的に反
応性である請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 一連のパルスが、加速工程において連
続的である請求項12記載の方法。 - 【請求項15】 一連のパルスが、加速工程において不
連続的である請求項12記載の方法。 - 【請求項16】 続行工程後に、加速工程を停止する工
程、および加工物の加速された冷却を行う工程をさらに
含む請求項12記載の方法。 - 【請求項17】 加速冷却工程が、冷却剤のガスおよび
固体形態の混合物を包含する流れを加工物に向ける工程
を含む請求項16記載の方法。 - 【請求項18】 第2の冷却剤のガスおよび固体形態の
混合物を包含する第2の流れを加工物に向ける工程をさ
らに含む請求項17記載の方法。 - 【請求項19】 向ける工程が、固体状およびガス状の
二酸化炭素の混合物を包含する流れを提供する工程を含
む請求項17記載の方法。 - 【請求項20】 少なくとも2つの加工物が存在し、加
速工程および続行工程が、第1の組合せにおいて第1の
加工物における熱処理の第1の状態を達成するために用
いられ、および加速工程および続行工程が、第2の組合
せにおいて第2の加工物における熱処理の第2の状態を
達成するために同時に用いられる請求項12記載の方
法。 - 【請求項21】 加工物を加熱する工程、および固体粒
子の流れを加工物に向ける工程を包含し、該固体粒子の
流れは、 液体、固体および気体の形態の間で平衡の熱力学的三重
点を有する加圧された液体物質を供給し、 該液体物質の流れを高圧から低圧へ膨張させて固体の形
態の該物質を生成させ、および膨張した固体流を加工物
へ向けることによって生成されることを特徴とする、加
工物を熱処理する方法。 - 【請求項22】 加熱工程が、加工物の周りにプラズマ
を生成させ、該プラズマから加工物へ電子を加速させる
ことによって行われる請求項21記載の方法。 - 【請求項23】 加圧された液体物質を供給する工程
が、加圧された二酸化炭素を供給する工程を含む請求項
21記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US113550 | 1993-08-27 | ||
| US08/113,550 US5868878A (en) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166231A true JPH07166231A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=22350092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6204018A Pending JPH07166231A (ja) | 1993-08-27 | 1994-08-29 | プラズマ電子加熱および固体/気体ジェット冷却による熱処理 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5868878A (ja) |
| EP (1) | EP0645461A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07166231A (ja) |
| KR (1) | KR950006976A (ja) |
| CA (2) | CA2130413A1 (ja) |
| IL (1) | IL110762A0 (ja) |
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| JP2009263769A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Ngk Insulators Ltd | Dlc膜量産方法及びその装置 |
| JP2018109230A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | 上海頤柏熱処理設備有限公司Shanghai Yibai Industrial Furnaces Co., Ltd. | 高圧液体状態または超臨界状態の焼き入れ装置 |
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