JPH07167741A - 半導体レーザの劣化検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体レーザの発光出力と駆動電流との関係を
示す駆動効率に基づいて、半導体レーザにおける劣化の
発生を早期に検出する。 【構成】半導体レーザ１を駆動制御するＡＰＣ回路５に
異なる発光出力範囲を設定する出力設定パルスＰ１〜Ｐ
４を出力する劣化検出制御回路６と、発光出力Ｑ１，Ｑ
２及びＱ３，Ｑ４での半導体レーザ１の駆動電流に相当
する電圧を保持するコンデンサＣ１，Ｃ２と、一方の発
光出力範囲（Ｑ１〜Ｑ２）の間におけるコンデンサＣ
１，Ｃ２の充電電圧差を保持するコンデンサＣ３、及
び、他方の発光出力範囲（Ｑ３〜Ｑ４）におけるコンデ
ンサＣ1 ，Ｃ２の充電電圧差を保持するコンデンサＣ４
と、を設け、コンデンサＣ３の充電電圧とコンデンサＣ
４の充電電圧との差が基準値以下であるか否かを差動増
幅回路８および比較回路９で判断し、両者の差が基準値
を超えた時、半導体レーザ１に劣化を生じたと判断す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、バーコードリーダや
ディジタル光ディスク装置などに使用される半導体レー
ザの劣化状態を検出する劣化検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】バーコードリーダやディジタル光ディス
ク装置では一般に、半導体レーザから発光されたレーザ
光をバーコードや光ディスクに照射してデータの読取処
理又は書込処理を行っている。かかる装置においてデー
タを正確に読取処理又は書込処理するためには、半導体
レーザの発光出力を一定に維持する必要があるが、この
発光出力を一定に維持するための駆動電流は半導体レー
ザの劣化が進むにつれて高くなり、これを放置すると過
電流による半導体レーザの損傷を招く。このため、劣化
を生じた半導体レーザは速やかに新しい半導体レーザと
交換しなければならない。ところが、劣化の進行状態に
は固体差があり、半導体レーザの交換時期は一定でな
い。そこで、特公平５−４４６２７号公報に開示された
装置では、半導体レーザの発光出力を第１および第２の
レベルとしたときの駆動電流の差を測定し、この駆動電
流差が所定値に一致しなくなった際に半導体レーザに劣
化を生じたと判断するようにしている。これによって、
光ディスクに対してデータを正常に書き込むことができ
なくなる前に、半導体レーザが劣化したことを検出でき
るようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザの劣化検出装置では、予め定められた
第１および第２のレベルの発光出力を得るための駆動電
流を検出し、両者の差を適正な状態での値と比較するこ
とによって劣化を生じたか否かの判別を行うようにして
いたため、比較的低い発光出力範囲における同一の温度
環境での比較では変化が現れない程度の初期の半導体レ
ーザの劣化状態を検出することができなかった。このた
め、半導体レーザの急激な劣化に対応することができ
ず、バーコードリーダや光ディスク装置におけるデータ
の読取処理や書込処理にエラーを生じる問題があり、ま
た半導体レーザの劣化特性を把握しながら使用すること
ができず、劣化状態に合わせて交換作業の準備を行うこ
とができない問題があった。

【０００４】この発明の目的は、劣化を生じた半導体レ
ーザにおける発光出力と駆動電流との関係が、環境温度
および発光出力の両方の要因によって変化することに着
目し、環境温度または発光出力範囲の少なくとも一方が
異なる２種類の条件下において、発光出力と駆動電流と
の関係を表す駆動効率を検出し、両者を比較することに
より、半導体レーザの劣化を極めて早期に発見すること
ができ、半導体レーザの急激な劣化にも対応することが
できる劣化検出装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
の劣化検出装置は、駆動電流および環境温度に応じて変
化する半導体レーザの特定の発光出力を実現する駆動電
流値を検出する駆動電流検出手段と、特定の発光出力範
囲における発光出力と駆動電流検出手段の検出結果との
関係を駆動効率として検出する駆動効率検出手段と、発
光出力範囲または環境温度の少なくとも一方が異なる２
種類の駆動条件下における駆動効率を比較し、両者の差
が所定値を超えた際に半導体レーザが劣化したと判断す
る駆動効率比較手段と、を設けたことを特徴とする。

【０００６】前記駆動効率比較手段は、同一の環境温度
において発光出力範囲を変化させた際の２種類の駆動効
率を比較するものとすることができる。

【０００７】また、前記駆動効率比較手段は、同一の発
光出力範囲において環境温度を変化させた際の２種類の
駆動効率を比較するものとすることができる。

【０００８】さらに、前記駆動効率比較手段は、発光出
力範囲および環境温度の両方を変化させた際の２種類の
駆動効率を比較するものとすることができる。

【０００９】また、前記半導体レーザの近傍の環境温度
を変化させる温度変化手段を設けてもよい。

【００１０】

【作用】図１（Ａ）および（Ｂ）は、同一の半導体レー
ザについて未使用の状態および初期の劣化を生じた状態
において発光出力Ｑ（ｍＷ）と駆動電流Ｉ（ｍＡ）との
関係を実験的に測定した結果を示している。半導体レー
ザの発光出力Ｑ（ｍＷ）と駆動電流Ｉ（ｍＡ）との関係
は、正常な半導体レーザでは図１（Ａ）における線分ａ
の傾きと線分ｂの傾きとの対比により明らかなように、
一定発光出力以上の範囲では発光出力Ｑの値および環境
温度に関わらず略一定である。これに対して、劣化を生
じた半導体レーザの発光出力と駆動電流との関係は同図
（Ｂ）における線分ｃの傾きと線分ｄの傾きとの対比、
及び、線分ｃの傾きと線分ｅの傾きとの対比により明ら
かなように、環境温度が一定で発光出力範囲を変えた場
合、および、発光出力範囲を一定にして環境温度を変え
た場合のいずれにおいても変化を生じる。

【００１１】そこで、本願発明では発光出力範囲または
環境温度の少なくとも一方が異なる２種類の駆動条件下
において駆動効率を検出し、この２種類の駆動効率が一
致しなくなった際に半導体レーザが劣化を生じたと判断
する。従って、図１（Ｂ）に示すような初期の劣化を生
じた半導体レーザについても、低温時または発光出力の
低レベル時における駆動効率と、高温時または発光出力
の高レベル時における駆動効率とが比較され、半導体レ
ーザにおいて劣化を生じたことが極めて初期の段階で早
期に検出される。

【００１２】また、発光出力と環境温度の両方を変化さ
せた際の２種類の駆動効率を比較することにより、劣化
により生じた両者の差異をより顕著に検出でき、半導体
レーザの劣化の発生がより早期に検出される。

【００１３】さらに、温度変化手段を設けると半導体レ
ーザの近傍の環境温度を変化させることができ、低温時
と高温時との２種類の駆動条件下における駆動効率が短
時間に検出される。

【００１４】

【実施例】図２は、この発明の実施例である半導体レー
ザの劣化検出装置の構成を示す回路図である。半導体レ
ーザ１はＡＰＣ（自動パワー制御）回路５により駆動さ
れる。半導体レーザ１の発光出力はフォトダイオード２
によりモニタされる。ＡＰＣ回路５にはフォトダイオー
ド２がモニタした半導体レーザ１の発光出力がＩ／Ｖ変
換回路４から入力される。ＡＰＣ回路５はこの発光出力
の電圧値が一定になるように半導体レーザ１に供給する
駆動電流をフィードバック制御する。これら半導体レー
ザ１、フォトダイオード２、Ｉ／Ｖ変換回路４およびＡ
ＰＣ回路５は半導体レーザ装置に一般的な構成である。

【００１５】この発明の実施例に係る劣化検出装置１０
は、半導体レーザ１の駆動電流をＩ／Ｖ変換回路３によ
り検出し、この値をスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介してコ
ンデンサＣ１，Ｃ２において保持し、差動増幅回路７に
おいてコンデンサＣ１，Ｃ２に蓄えられている電圧の差
を増幅する。差動増幅回路７の出力はスイッチＳＷ３，
ＳＷ４を介してコンデンサＣ３，Ｃ４において保持され
る。さらに、差動増幅回路８においてコンデンサＣ３，
Ｃ４に蓄えられている電圧の差を増幅する。差動増幅回
路８の出力は比較回路９において基準値Ｖｒｅｆと比較
され、スイッチＳＷ５を介して出力される。

【００１６】また、ＡＰＣ回路５には劣化検出制御回路
６から出力設定パルスＰ１〜Ｐ４が入力される。出力設
定パルスＰ１〜Ｐ４の各パルス幅は、ＡＰＣ回路５が半
導体レーザ１の発光出力を安定させるために十分な時間
ｔにされている。出力設定パルスＰ１，Ｐ３はこれと同
時にスイッチＳＷ１にも供給され、スイッチＳＷ１は出
力設定パルスＰ１またはＰ３のいずれかが入力されてい
る間においてＩ／Ｖ変換回路３とコンデンサＣ１との間
を閉成する。また、出力設定パルスＰ２，Ｐ４はスイッ
チＳＷ２にも供給される。スイッチＳＷ２は出力設定パ
ルスＰ２またはＰ４のいずれかが入力されている間にお
いてＩ／Ｖ変換回路３とコンデンサＣ２との間を閉成す
る。

【００１７】さらに、出力設定パルスＰ２，Ｐ４はそれ
ぞれスイッチＳＷ３，ＳＷ４にも供給される。スイッチ
ＳＷ３，ＳＷ４は、出力設定パルスＰ２，Ｐ４が入力さ
れている間に差動増幅回路７とコンデンサＣ３，Ｃ４と
の間を閉成する。なお、コンデンサＣ１，Ｃ２には図外
の放電回路が備えられており、劣化検出制御回路６から
出力される信号Ｒが供給されると、放電回路はコンデン
サＣ１，Ｃ２に充電されている電圧を放電する。また、
比較回路９の後段に接続されたスイッチＳＷ５は、劣化
検出制御回路６から出力される信号Ｓの供給を受けて比
較回路９と出力端子との間を閉成する。この出力端子
は、例えば半導体レーザ１の劣化状態を表示する図外の
表示灯または警告を発生する警告装置に入力される。

【００１８】図３は、上記半導体レーザの劣化検出装置
における信号のタイミングチャートである。なお、半導
体レーザの発光出力Ｑ１〜Ｑ４と駆動電流とは図４に示
す関係にある。この図４において、線図４１は常温状態
の関係を示し、線図４２は高温状態の関係を示してい
る。

【００１９】半導体レーザ装置に時刻ｔ０で電源が投入
されると、時刻ｔ１において劣化検出制御回路６から出
力設定パルスＰ１が出力される。ＡＰＣ回路５はこの出
力設定パルスＰ１が入力されている間において半導体レ
ーザ１の発光出力を１番目の設定値Ｑ１に制御する。ま
た、この間にスイッチＳＷ１はＩ／Ｖ変換回路３とコン
デンサＣ１との間を閉成し、このときの半導体レーザ１
の駆動電流値Ｉ１に対応する電圧がコンデンサＣ１に充
電される。

【００２０】次いで、時刻ｔ２において劣化検出制御回
路６から出力設定パルスＰ２が出力される。この間にお
いてＡＰＣ回路５は半導体レーザ１の発光出力を第２の
出力値Ｑ２に制御する。この間にスイッチＳＷ２および
ＳＷ３がＩ／Ｖ変換回路３とコンデンサＣ２との間およ
び差動増幅回路７とコンデンサＣ３との間を閉成し、そ
のときの半導体レーザ１の駆動電流Ｉ２に相当する電圧
がコンデンサＣ２に充電されるとともに、コンデンサＣ
１の充電電圧とコンデンサＣ２の充電電圧の差、即ち図
４に示す駆動電流差（Ｉ２−Ｉ１）に相当する電圧がコ
ンデンサＣ３に充電される。また、時刻ｔ３で劣化検出
制御回路６からリセット信号Ｒが出力される。これによ
って図外の放電回路において放電用スイッチＤＳが閉成
され、コンデンサＣ１，Ｃ２の充電電圧が放電される。

【００２１】この後、時刻ｔ４で劣化検出制御回路６か
ら出力設定パルスＰ３が出力される。出力設定パルスＰ
３が出力されている間においてＡＰＣ回路５は、半導体
レーザ１の発光出力を設定値Ｑ３に維持するとともに、
このときの駆動電流Ｉ３に対応する電圧がスイッチＳＷ
１を経由してコンデンサＣ１に充電される。さらに、時
刻ｔ５において劣化検出制御回路６から出力設定パルス
Ｐ４が出力される。出力設定パルスＰ４が出力されてい
る間においてＡＰＣ回路５は、半導体レーザ１の発光出
力を設定値Ｑ４に維持し、このときの駆動電流Ｉ４に対
応する電圧がスイッチＳＷ２を介してコンデンサＣ２に
充電される。

【００２２】また、コンデンサＣ３の充電電圧とコンデ
ンサＣ４の充電電圧との差、すなわち駆動電流差（Ｉ４
−Ｉ３）に対応する電圧がスイッチＳＷ４を介してコン
デンサＣ４に充電される。コンデンサＣ３の充電電圧と
コンデンサＣ４の充電電圧との差は差動増幅回路８から
コンパレータ９に入力され、両者の差が基準値と比較さ
れる。時刻ｔ６において劣化検出制御回路６から信号Ｓ
が出力されると、スイッチＳＷ５が閉成され、比較回路
９におけるコンデンサＣ３，Ｃ４の充電電圧の差と基準
値との比較結果が出力される。

【００２３】以上のようにしてこの実施例によれば、半
導体レーザ１の発光出力を図４に示すＱ１からＱ２に変
化させた場合の駆動電流差（Ｉ２−Ｉ１）と、発光出力
をＱ３からＱ４に変化させた場合の駆動電流差（Ｉ４−
Ｉ３）とを求め、両方の駆動電流差の差が比較回路９に
おける基準電圧Ｖｒｅｆで表される基準値を超える場合
に、半導体レーザ１において劣化を生じたと判断する。
このように、本実施例では半導体レーザ１の発光出力を
異なる２つの駆動電流範囲において変化させ、それぞれ
の範囲における駆動効率が略一致するか否かを判断する
ことによって半導体レーザ１の劣化状態を検出する。

【００２４】図５は、請求項５に記載した発明を含む請
求項３に記載した発明の実施例に係る半導体レーザの劣
化検出装置の回路図である。図２に示した実施例の構成
との相違は、半導体レーザ１の近傍に環境温度を上昇さ
せるヒータ１１を設け、このヒータ１１の駆動信号Ｈを
劣化検出制御回路６から出力するようにしている点、劣
化検出制御回路６から出力される出力設定パルスのパル
ス数をＰ１，Ｐ２の２つにした点、及び、出力設定パル
スＰ２とヒータの駆動信号Ｈとの論理積を求めるＡＮＤ
ゲート１２，１３を設け、このＡＮＤゲート１２，１３
のそれぞれの出力をスイッチＳＷ３，ＳＷ４に供給する
ようにした点にある。

【００２５】図６（Ａ）は、上記半導体レーザ装置に設
けられるヒータの構成を示す図である。同図に示すよう
に、半導体レーザ１が設置されるヒートシンク２１に、
半導体レーザ１に接触するようにしてヒータ１１を設け
ている。このヒータ１１のオン／オフにより半導体レー
ザ１の環境温度が変化する。なお、同図（Ｂ）に示すよ
うに、半導体レーザ１が表面に設置されるヒートシンク
２１の裏面にペルチエ素子を設け、ペルチエ素子の駆動
時に半導体レーザ１の環境温度を低下するようにしても
よい。

【００２６】図７は、図５に示した劣化検出装置におけ
る各部の信号のタイミングチャートである。時刻ｔ１０
において半導体レーザ装置の電源が投入されると、時刻
ｔ１１において劣化検出制御回路６から出力設定パルス
Ｐ１が出力される。この間においてＡＰＣ回路５は半導
体レーザ１の発光出力を出力設定パルスＰ１に対応する
設定値Ｑ１に維持する。このとき、半導体レーザ１の駆
動電流Ｉ１に対応する電圧がスイッチＳＷ１を介してコ
ンデンサＣ１に充電される。

【００２７】次いで時刻ｔ１２において劣化検出制御回
路６から出力設定パルスＰ２が出力されると、この間に
おいてＡＰＣ回路５は半導体レーザ１の発光出力を出力
設定パルスＰ２に対応する設定値Ｑ２に維持する。これ
とともに、スイッチＳＷ２がＩ／Ｖ変換回路３とコンデ
ンサＣ２との間を閉成し、半導体レーザ１の駆動電流Ｉ
２に対応する電圧がコンデンサＣ２に充電される。ま
た、時刻ｔ１２においてヒータ１１の駆動信号Ｈは“Ｌ
ｏ”であり、この駆動信号Ｈの反転信号が入力されるＡ
ＮＤゲート１２を介して出力設定パルスＰ２がスイッチ
ＳＷ３に供給される。従って、出力設定パルスＰ２が出
力されている間においてスイッチＳＷ３は差動増幅回路
７とコンデンサＣ３との間を閉成し、（Ｉ２−Ｉ１）に
対応する電圧がコンデンサＣ３に充電される。

【００２８】この後、時刻ｔ１３で劣化検出制御回路６
からリセット信号Ｒが出力されると同時にヒータ１１の
駆動信号Ｈが“Ｈｉ”にされる。リセット信号Ｒの出力
によりコンデンサＣ１，コンデンサＣ２の充電電圧が放
電されるとともに、駆動信号Ｈが“Ｈｉ”にされること
により、半導体レーザ１の環境温度が上昇する。なお、
ヒータ１１は図外の駆動回路により半導体レーザ１の環
境温度を常温状態より高い所定温度の高温状態に維持す
る。

【００２９】さら時刻ｔ１４において再度劣化検出制御
回路６から出力設定パルスＰ１が出力され、この間にお
いてＡＰＣ回路５は半導体レーザ１の発光出力を設定値
Ｑ１に維持する。また、このときスイッチＳＷ１がＩ／
Ｖ変換回路３とコンデンサＣ１との間を閉成し、図４に
示す駆動電流Ｉ１３に対応する電圧がコンデンサＣ１に
充電される。次いで、時刻ｔ１５において劣化検出制御
回路６から出力設定パルスＰ２が出力される。この間に
おいてＡＰＣ回路５は半導体レーザ１の発光出力を設定
値Ｑ２に維持し、これとともにスイッチＳＷ２はＩ／Ｖ
変換回路３とコンデンサＣ２との間を閉成する。これに
よって発光出力Ｑ２を実現する駆動電流Ｉ１４に対応す
る電圧がコンデンサＣ２に充電される。

【００３０】また、このときヒータ１１の駆動信号Ｈが
入力されるＡＮＤゲート１３を介して出力設定パルスＰ
２がスイッチＳＷ４に入力され、スイッチＳＷ４は差動
増幅回路７とコンデンサＣ４との間を閉成する。これに
よって、コンデンサＣ１の充電電圧とコンデンサＣ２の
充電電圧との差、すなわち、図４に示す駆動電流差（Ｉ
１４−Ｉ１３）に対応する電圧がコンデンサＣ４に充電
される。これとともに、比較回路８においてコンデンサ
Ｃ３の充電電圧とコンデンサＣ４の充電電圧とが比較さ
れ、さらに両者の差が基準電圧Ｖｒｅｆと比較される。
この比較回路９の出力は時刻ｔ１６で劣化検出制御回路
６から信号Ｓが出力された際にスイッチＳＷ５を介して
出力端子に導かれる。

【００３１】以上のようにしてこの実施例によれば、同
一の発光出力範囲（Ｑ１〜Ｑ２）において常温における
駆動電流（Ｉ１〜Ｉ２）と高温時における駆動電流（Ｉ
１３〜Ｉ１４）とを検出し、両範囲における駆動効率が
一致しない場合に半導体レーザ１が劣化を生じたと判断
することができる。

【００３２】図８は、請求項５に記載した発明を含む請
求項４に記載した発明の実施例である半導体レーザの劣
化検出装置の構成を示す回路図である。同図に示す劣化
検出装置の構成が、図２に示した劣化検出装置の構成と
相違する点は、半導体レーザ１の近傍にヒータ１１を設
け、このヒータ１１の駆動信号Ｈを劣化検出制御回路６
から出力するようにした点である。

【００３３】図９は、図８に示した劣化検出装置におけ
る各部の信号のタイミングチャートである。同図に示す
ように、劣化検出制御回路６からリセット信号Ｒが出力
される時刻ｔ２３と信号Ｓが出力される時刻ｔ２６との
間においてヒータ１１の駆動信号Ｈを“Ｈｉ”にする。
このように構成することにより、図４において発光出力
の低レベル時（Ｑ１〜Ｑ２）の常温状態における駆動電
流変化（Ｉ２−Ｉ１）と、高温状態における発光出力の
高レベル範囲（Ｑ３〜Ｑ４）の駆動電流変化（Ｉ２４−
Ｉ２３）と、を比較することができる。

【００３４】半導体レーザ１の劣化による駆動効率の変
化は、前述の図１（Ｂ）において明らかなように、発光
出力が高レベルであるほど、また、環境温度が高温であ
るほど著しく変化する。従って、本実施例のように低温
状態の低発光出力範囲と、高温状態の高発光出力時との
駆動効率を比較することにより、より早期に半導体レー
ザ１の劣化を検出することができる。

【００３５】なお、図２または図８に示す構成において
半導体レーザ１の発光出力を最大定格レベル付近で駆動
することによって劣化状態を早期に検出することができ
るが、劣化状態の検出中において半導体レーザ１から照
射されたレーザ光がフォトダイオード２以外の外部に照
射されないように被覆するシャッタを設けることによ
り、劣化状態の検出時において半導体レーザ１を高出力
レベルで駆動した際に、装置の近傍に存在する人体への
影響を無くし、劣化状態の検出を安全に行うことができ
る。

【００３６】また、上記実施例では図２、図５及び図８
に示すようにアナログ回路によって劣化検出装置を構成
したが、ＣＰＵにおいて同様の処理を実行するディジタ
ル回路により本願発明の劣化検出装置を構成してもよ
い。

【００３７】

【発明の効果】この発明によれば、発光出力範囲または
環境温度の少なくとも一方が異なる２種類の駆動条件下
において駆動効率を測定し、両者の比較結果に基づいて
半導体レーザの劣化状態を判定することができるため、
半導体レーザの劣化を早期に検出することができるとと
もに、劣化状態に合わせて半導体レーザの交換作業を準
備できる利点がある。

【００３８】また、半導体レーザの近傍に環境温度を変
化させる温度変化手段を設けることにより、駆動条件を
大きく変化させることができ、より早期に半導体レーザ
の劣化状態を検出できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例である劣化検出装置が適用さ
れる半導体レーザの正常時および劣化時の発光出力と駆
動電流との関係を示す図である。

【図２】請求項２に記載した発明の実施例に係る劣化検
出装置の回路図である。

【図３】同劣化検出装置における信号のタイミングチャ
ートである。

【図４】同劣化検出装置において劣化状態の半導体レー
ザの発光出力と駆動電流との関係を示す図である。

【図５】請求項３に記載した発明の実施例に係る劣化検
出装置の回路図である。

【図６】同劣化検出装置の要部を示す図である。

【図７】同劣化検出装置における信号のタイミングチャ
ートである。

【図８】請求項４に記載した発明の実施例に係る劣化検
出装置の回路図である。

【図９】同劣化検出装置における信号のタイミングチャ
ートである。

【符号の説明】 １−半導体レーザ ２−フォトダイオード（発光出力検出手段） ７−差動増幅回路（駆動効率検出手段） ８−差動増幅回路（駆動効率比較手段） １１−ヒータ（温度変化手段）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】駆動電流および環境温度に応じて変化する
   半導体レーザの特定の発光出力を実現する駆動電流値を
   検出する駆動電流検出手段と、特定の発光出力範囲にお
   ける発光出力と駆動電流検出手段の検出結果との関係を
   駆動効率として検出する駆動効率検出手段と、発光出力
   範囲または環境温度の少なくとも一方が異なる２種類の
   駆動条件下における駆動効率を比較し、両者の差が所定
   値を超えた際に半導体レーザが劣化したと判断する駆動
   効率比較手段と、を設けたことを特徴とする半導体レー
   ザの劣化検出装置。
2. 【請求項２】前記駆動効率比較手段が、同一の環境温度
   において発光出力範囲を変化させた際の２種類の駆動効
   率を比較する請求項１に記載の半導体レーザの劣化検出
   装置。
3. 【請求項３】前記駆動効率比較手段が、同一の発光出力
   範囲において環境温度を変化させた際の２種類の駆動効
   率を比較する請求項１に記載の半導体レーザの劣化検出
   装置。
4. 【請求項４】前記駆動効率比較手段が、発光出力範囲お
   よび環境温度の両方を変化させた際の２種類の駆動効率
   を比較する請求項１に記載の半導体レーザの劣化検出装
   置。
5. 【請求項５】前記半導体レーザの近傍に環境温度を変化
   させる温度変化手段を設けた請求項３または４に記載の
   半導体レーザの劣化検出装置。