JPH07168040A - 半導体レーザー集光装置 - Google Patents

半導体レーザー集光装置

Info

Publication number
JPH07168040A
JPH07168040A JP34351893A JP34351893A JPH07168040A JP H07168040 A JPH07168040 A JP H07168040A JP 34351893 A JP34351893 A JP 34351893A JP 34351893 A JP34351893 A JP 34351893A JP H07168040 A JPH07168040 A JP H07168040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
semiconductor laser
optical
emitting sources
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34351893A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirofumi Imai
浩文 今井
Masahiro Daimon
正博 大門
Kenji Ueda
健司 植田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP34351893A priority Critical patent/JPH07168040A/ja
Publication of JPH07168040A publication Critical patent/JPH07168040A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の発光源を有する半導体レーザーまたは
一個の発光源を有する複数の半導体レーザーからの出射
光密度を有効に高めること。 【構成】 複数の発光源を有する半導体レーザーまたは
一個の発光源を有する複数の半導体レーザーと、一方の
端面に該発光源と同数の入力ポートを有し、他方の端面
に設けられた唯一つの出力ポートに向かって全てが合流
するように作られた光導波路とが、前記発光源の各々か
らの出射光が前記光導波路の入力ポートの各々に光学的
に結合されるように組み合わせられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザーの集光装置に
関する。本発明はより特定的には複数の発光源を有する
半導体レーザーにおいてその光密度を有効に高める手段
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザーは最も小型のレーザーで
ありしかも発振効率が50%を越す高効率であり産業上の
利用価値が高い。近年CDや光ディスクあるいは光通信な
ど主に情報処理産業の分野において重要な役割を果たし
てきているところである。しかしながら、より古くから
のレーザーの応用分野である加工の分野においては半導
体レーザーは全く用いられていない。これは半導体レー
ザーは確かに高効率ではあるが一つの発光源の大きさは
大きな物でもせいぜい1mm 以下であり極めて小さいため
にそこから放出される光出力は制限され、一個の発光源
を有する半導体レーザー単体では高々数W の光出力しか
出せないことによる。しかし上述のごとく半導体レーザ
ーは発振効率が非常に高いので高出力の光源として潜在
的な可能性を有していることは確かである。最近半導体
レーザーの室温高出力動作の技術が進歩したことに伴い
半導体レーザーが固体レーザーの励起光源として注目さ
れ、半導体レーザーからますます高出力の光出力を得る
技術が発展してきている。この目的のために多くの半導
体レーザーメーカーは複数の半導体レーザーを一次元あ
るいは二次元的に配列した構造をとり発光源の数を増や
すことにより一つのデバイスから多くの光出力を得る方
法をとっている。しかしながら、このようなデバイスか
ら放射されるレーザー光は各々の発光源が全く独立に発
振しているためにコヒーレンスが悪い。すなわち一つの
大きな光出力を持ったレーザー光線と見なすことはでき
ない。したがって、レーザー光線の重要な利点である一
点への集光性、これに伴う高いエネルギー密度の達成に
よる物体の加工の可能性という特徴が失われている。こ
のため、このような高出力半導体レーザーを加工に応用
したり固体レーザー励起の効率を高めるためにできるだ
け光密度を向上させる必要に迫られている当業者にとっ
ては、各々がばらばらに発光していて線状光源あるいは
面状光源に過ぎない複数の発光源からの複数の出射光を
できるだけ小さなスポットに集光する技術を開発するこ
とが必要となっている。ベイアー等は複数の半導体レー
ザーが一次元的に配列されたレーザーダイオードアレー
からの出射光をアレーと平行に配置されたファイバーレ
ンズにより一括してアレーと垂直な方向について集光
し、各々の集光点においてそれぞれ対応する光ファイバ
ーに光結合し、これらの全ての光ファイバーを他端にお
いて束ねて疑似的に一つの光源とする方式を考案した
(特開平5-93828 号公報参照)。しかしながら、この方
法ではレーザーダイオードアレーを構成する発光源の数
が多くなればなるほど光ファイバーの束が大きくなり一
点への集光という点で甚だ困難を生じることになる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる状況
に鑑みてなされたもので、各々が独立に発光していて線
状光源あるいは面状光源に過ぎない複数の発光源を有す
る半導体レーザーの複数の出射光の光密度を有効に高め
る装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、複数の発光源を有する半導体レ
ーザーまたは一つの発光源を有する複数の半導体レーザ
ーと、一方の端面に該発光源と同数の入力ポートを有
し、他方の端面に設けられた唯一つの出力ポートに向か
って全てが合流するように作られた光導波路とが、前記
発光源の各々からの出射光が前記光導波路の入力ポート
の各々に光学的に結合されるように組み合せられている
ことを特徴とする半導体レーザー装置を提供するもので
ある。また前記半導体レーザーと光導波路との光結合が
光ファイバーを介していてもよい。
【0005】
【作用】ここで本発明の基本概念を説明する。発明者等
は複数の発光源を有する半導体レーザーからの出射光を
いかにしてできるだけ小さなスポットに集光するかにつ
いて考察と実験をした結果、いわば光導波路において形
成される光分岐器状の導波路構造を逆方向に用いること
によってこの目的が有効に達成し得ることを見出した。
ここで、光分岐器とは典型的には図4に示すような導波
構造をしている。図4において斜線部分で示す導波路は
周囲部分の基板より屈折率が大きく作られておりこの中
を通る光は全反射によって導波路内に閉じ込められて伝
播する。光分岐器は通常一つの信号源から複数の光ファ
イバーに光信号を分配するために用いられる。つまり光
分岐器においては入力ポートは一つで途中から複数の導
波路に分岐し複数の出力ポートに分かれる。図4に示す
光分岐器の一例は一つの入力ポートから四つの出力ポー
トに分岐するものである。このような形状で作られた光
分岐器を逆方向に用いると多くの支流が集まって本流を
作り出すような格好で複数の導波路が一本に収束するよ
うになる。すなわち、それぞれの出力ポートから複数の
発光源を有する半導体レーザーの各々の発光源からの出
射光を入力してやれば入力ポートにおいて光密度を有効
に高めることができる。光分岐器を形成する導波路は当
然のことながらこれを通す半導体レーザーの波長におい
て光吸収のない素材で作らなければならない。そうしな
いと複数の導波路からの光が合流する入力ポートにおい
て発熱による破壊を起こすであろう。さて次にどのよう
にして光分岐器に個々の発光源からの出射光を入力する
かという問題に移る。これには大別して二通りのやり方
がある。ひとつはバットカップリングまたはレンズによ
り光結合する方法である。このためには個々の発光源と
対応する光分岐器の各々の出力ポートとの位置関係が機
械的に極めて良い精度で決められていなければならな
い。これは通常の機械加工では相当に困難であるが、光
導波路の製造技術はリソグラフィーを基盤にしているの
で非常に良い再現性で精度の良い決った間隔の導波路を
作成することが可能であるから同じくリソグラフィーに
よって形成される一次元アレイ型半導体レーザーとの位
置合わせは比較的容易に達成できる。複数の素子が二次
元的に積層された半導体レーザーの場合には光結合器の
方も同様に積層することにより対処できる。もう一つは
複数の半導体レーザーからの出射光を各々一旦光ファイ
バーに導光して一本ずつ光結合器の出力ポートの内の一
つに光結合させるやり方である。一つ一つの発光素子を
光ファイバーに光結合させるのは相当に面倒な作業では
あるが、例えば一次元アレイ型半導体レーザーの場合シ
リコンの異方性エッチングで作ったV 溝等を利用して位
置合わせをすれば比較的能率がよい。この方法は単体で
機能する半導体レーザーが複数ある場合にも有用であ
る。
【0006】このようにすれば、各々がばらばらに発光
していて線状光源あるいは面状光源に過ぎない複数の発
光源を有する半導体レーザーの複数の出射光の光密度を
有効に高めることができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面に基
づいて詳しく説明する。図1は、本発明が適用された第
1の実施例における複数の発光源を有する半導体レーザ
ーを一本に集光するための装置の構成を示す模式的斜視
図である。本実施例での半導体レーザー1aは複数の発
光源が一次元的に等間隔で配置されているものである。
これらの発光源の間隔は500 μm である。素材はGaAlAs
であり860nm 近傍で発振する。また本実施例における光
分岐器2aはこの波長において吸収のないLiNbO3基板上
にTi拡散により周囲より屈折率を高く形成した光導波路
からなる。半導体レーザー1aと光分岐器2aとの光結
合は両者を突き合わせたバットカップリングによってい
る。半導体レーザーのそれぞれの発光源から出射した光
は突き合わせられた導波路に直接光結合する。その後隣
り合う導波路と緩やかな角度で一つずつ合流して最終的
に一本になる。このようにして各々がばらばらに発光し
ていて線状光源に過ぎない複数の発光源を有する半導体
レーザーの複数の出射光の光密度が有効に高められる。
同業者はこの出射光をレンズで集光したり光ファイバー
に導光すれば一本の高出力の半導体レーザービームとし
て加工などに有用な光源となることに気づくであろう。
【0008】図2は本発明が適用された第2の実施例を
示す模式図である。本実施例での半導体レーザー1bは
複数の発光源が一次元的に等間隔で配置されているもの
をさらに二次元的に積層したものである。縦方向の発光
源間隔は1mm である。光分岐器2b1 ,2b2 は横方向
と縦方向の二段階に分けて用意した。半導体レーザー1
bおよび光分岐器2b1 ,2b2 の素材は第1の実施例
と同じである。半導体レーザー1bと光分岐器2b1
2b2 との光結合はバットカップリングによっている。
まず横方向を収束させる。横方向を収束させる光分岐器
は一つの横の列についてみると第1の実施例と同様であ
り、これらを半導体レーザー1bの積層の数だけ縦に積
層してある。各光分岐器の出口では各横方向の光が収束
され、全体では横方向に収束された光が縦方向に一列に
列ぶことになる。次に縦に一列にならんだ収束光に合わ
せて縦方向収束用の光分岐器を配置し縦方向の収束を行
う。このようにして各々がばらばらに発光していて面状
光源に過ぎない複数の発光源を有する半導体レーザーの
複数の出射光の光密度が有効に高められる。なお、入口
の導波路の間隔ピッチを少し変更することで縦方向と横
方向の収束の順番を逆にすることも可能である。
【0009】図3は本発明が適用された第3の実施例を
示す模式図である。本実施例での半導体レーザー1cは
一個の発光源を有するものであり、これが複数個ある。
半導体レーザー1cの素材は第1の実施例と同じであ
る。光分岐器2cはシリコン基板上にシリカガラスの導
波路を形成したものである。それぞれの半導体レーザー
1cからの出射光は光ファイバー3の一方の端にバット
カップリングされる。各光ファイバー3の他端は、分布
屈折率型のマイクロレンズを光分岐器2cの入口の間隔
ピッチとおなじ間隔ピッチで配列したレンズ群4によっ
て光分岐器2cの入口の内の一つに光結合されている。
あとは第1の実施例と同様にして各導波路に導かれた全
ての光が一本に収束される。
【0010】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明による複数の発光源からの光を一点に集光するための
装置によれば、複数の発光源を有する半導体レーザーま
たは一個の発光源を有する複数の半導体レーザーからの
出射光の光密度を有効に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用された第1の実施例における複数
の発光源を有する半導体レーザーを一点に集光するため
の装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図2】本発明が適用された第2の実施例の構成を示す
斜視的模式図である。
【図3】本発明が適用された第3の実施例の構成を示す
斜視的模式図である。
【図4】光分岐器の説明図である。
【符号の説明】
1a,1b,1c 半導体レーザー 2a,2b1 ,2b2 ,2c 光分岐器 3 光ファイバー 4 マイクロレンズ群
フロントページの続き (72)発明者 植田 健司 神奈川県相模原市淵野辺5丁目10番1号 新日本製鐵株式会社エレクトロニクス研究 所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の発光源を有する半導体レーザーま
    たは一つの発光源を有する複数の半導体レーザーと、 一方の端面に該発光源と同数の入力ポートを有し、他方
    の端面に設けられた唯一つの出力ポートに向かって全て
    が合流するように作られた光導波路とが、 前記発光源の各々からの出射光が前記光導波路の入力ポ
    ートの各々に光学的に結合されるように組み合せられて
    いることを特徴とする半導体レーザー集光装置。
  2. 【請求項2】 前記発光源と光導波路との光結合が光フ
    ァイバーを介していることを特徴とする請求項1に記載
    の半導体レーザー集光装置。
JP34351893A 1993-12-14 1993-12-14 半導体レーザー集光装置 Withdrawn JPH07168040A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34351893A JPH07168040A (ja) 1993-12-14 1993-12-14 半導体レーザー集光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34351893A JPH07168040A (ja) 1993-12-14 1993-12-14 半導体レーザー集光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07168040A true JPH07168040A (ja) 1995-07-04

Family

ID=18362138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34351893A Withdrawn JPH07168040A (ja) 1993-12-14 1993-12-14 半導体レーザー集光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07168040A (ja)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048495A3 (de) * 1997-04-18 1999-01-28 Siemens Ag Laservorrichtung
JPH1174588A (ja) * 1997-07-21 1999-03-16 Lucent Technol Inc 光ファイバ・レーザをポンピングする装置
JP2000028838A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Showa Optronics Kk 送受信用光学モジュール
JP2000271267A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Takasago Electric Ind Co Ltd シンボル可変表示遊技機
JP2000299001A (ja) * 1999-04-14 2000-10-24 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 端面発光素子
JP2001244571A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 高出力レーザ装置
JP2001330763A (ja) * 2000-03-15 2001-11-30 Hoya Corp 集光部品並びにこれを用いた光源モジュール、レーザー装置及び光信号増幅装置
WO2001073902A3 (en) * 2000-03-31 2002-02-28 Aegis Semiconductor An optical communication device including a semitransparent optical detector
JP2003133254A (ja) * 2001-08-10 2003-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザーアニ−ル装置及びそれを用いた薄膜トランジスタの作製方法
US6670599B2 (en) 2000-03-27 2003-12-30 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making
JP2004029570A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Toyoda Mach Works Ltd 積層型光導波路及びレーザ発光装置
JP2004071694A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Nichia Chem Ind Ltd 高出力半導体レーザ装置
JP2004325954A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toyota Motor Corp レーザ集光装置
US6879014B2 (en) 2000-03-20 2005-04-12 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making
EP1577993A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-21 Yamazaki Mazak Kabushiki Kaisha Laser beam generating unit
JP2005286310A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Yamazaki Mazak Corp レーザ光発生装置
US6973234B2 (en) 2002-05-29 2005-12-06 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Optical circuit for condensing laser beams, and light source device
US7002697B2 (en) 2001-08-02 2006-02-21 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable optical instruments
JP2007096275A (ja) * 2005-09-02 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US7221827B2 (en) 2003-09-08 2007-05-22 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable dispersion compensator
JP2009164637A (ja) * 2001-08-10 2009-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及びレーザー照射装置
JP2013076893A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 多層導波路型光入出力端子
US20140133798A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-15 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light source using laser diodes
CN103823306A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光输出装置
JP2019095485A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 日本電信電話株式会社 ハイブリッド光回路
WO2019176953A1 (ja) 2018-03-12 2019-09-19 古河電気工業株式会社 ビーム重ね機構を備えた光ファイババンドル
JP2019186341A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 三菱電機株式会社 波長多重通信モジュール
DE102020125510A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP2022184729A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 Tdk株式会社 集積光源モジュール

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048495A3 (de) * 1997-04-18 1999-01-28 Siemens Ag Laservorrichtung
JPH1174588A (ja) * 1997-07-21 1999-03-16 Lucent Technol Inc 光ファイバ・レーザをポンピングする装置
JP2000028838A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Showa Optronics Kk 送受信用光学モジュール
JP2000271267A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Takasago Electric Ind Co Ltd シンボル可変表示遊技機
JP2000299001A (ja) * 1999-04-14 2000-10-24 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 端面発光素子
JP2001244571A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 高出力レーザ装置
JP2001330763A (ja) * 2000-03-15 2001-11-30 Hoya Corp 集光部品並びにこれを用いた光源モジュール、レーザー装置及び光信号増幅装置
US6879014B2 (en) 2000-03-20 2005-04-12 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making
US6670599B2 (en) 2000-03-27 2003-12-30 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making
WO2001073902A3 (en) * 2000-03-31 2002-02-28 Aegis Semiconductor An optical communication device including a semitransparent optical detector
US7002697B2 (en) 2001-08-02 2006-02-21 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable optical instruments
JP2003133254A (ja) * 2001-08-10 2003-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザーアニ−ル装置及びそれを用いた薄膜トランジスタの作製方法
US7863541B2 (en) 2001-08-10 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2009164637A (ja) * 2001-08-10 2009-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及びレーザー照射装置
US6973234B2 (en) 2002-05-29 2005-12-06 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Optical circuit for condensing laser beams, and light source device
JP2004029570A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Toyoda Mach Works Ltd 積層型光導波路及びレーザ発光装置
JP2004071694A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Nichia Chem Ind Ltd 高出力半導体レーザ装置
JP2004325954A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toyota Motor Corp レーザ集光装置
US7221827B2 (en) 2003-09-08 2007-05-22 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable dispersion compensator
EP1577993A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-21 Yamazaki Mazak Kabushiki Kaisha Laser beam generating unit
US7248614B2 (en) 2004-02-24 2007-07-24 Yamazaki Mazak Kabushiki Kaisha Laser beam generating unit
JP2005286310A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Yamazaki Mazak Corp レーザ光発生装置
JP2007096275A (ja) * 2005-09-02 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2013076893A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 多層導波路型光入出力端子
US20140133798A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-15 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light source using laser diodes
US8948552B2 (en) * 2012-11-15 2015-02-03 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light source using laser diodes
CN103823306A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光输出装置
JP2019095485A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 日本電信電話株式会社 ハイブリッド光回路
WO2019176953A1 (ja) 2018-03-12 2019-09-19 古河電気工業株式会社 ビーム重ね機構を備えた光ファイババンドル
US11287574B2 (en) 2018-03-12 2022-03-29 Furukawa Electric Co., Ltd. Optical fiber bundle with beam overlapping mechanism
JP2019186341A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 三菱電機株式会社 波長多重通信モジュール
DE102020125510A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP2022184729A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 Tdk株式会社 集積光源モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07168040A (ja) 半導体レーザー集光装置
US7668214B2 (en) Light source
US5299222A (en) Multiple diode laser stack for pumping a solid-state laser
US5263036A (en) Pump system for waveguide lasers or amplifiers
JP4790209B2 (ja) 表面プラズモンに基づいた光ルータ
US20100111468A1 (en) Optical integrated circuit and optical integrated circuit module
JP2000056146A (ja) 自己導波光回路
JP2000019362A (ja) アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置
JP2000147309A (ja) ハイブリッド光導波装置
JP3932982B2 (ja) 集光用光回路及び光源装置
JP2009175504A (ja) 光ファイバ構造体
JPH1172743A5 (ja) 集光装置及び光学板
JP2004213003A (ja) 光ファイバ結合器及びその製作方法
JPH08201648A (ja) 光導波回路
JP2001230476A (ja) 光増幅器
US6941046B2 (en) Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup
JP2000141073A (ja) Ldアレイ光導波器
JPH11346028A (ja) アレイ式半導体レーザ用光結合装置及び該装置を含むスタック型半導体レーザ用光結合装置
JP2965203B1 (ja) プリズムを用いたレーザ装置
JP2002062460A (ja) 集光装置
JP2004361655A (ja) レーザ集光装置
JP2002374031A (ja) 半導体レーザ用集光系
JP5900043B2 (ja) 光結合構造およびアレイ光増幅モジュール
CN119165600B (zh) 一种低成本800g 2xfr4硅光光引擎
JPH02116809A (ja) 光結合器

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010306