JPH07168640A - 定電流装置 - Google Patents
定電流装置Info
- Publication number
- JPH07168640A JPH07168640A JP5316520A JP31652093A JPH07168640A JP H07168640 A JPH07168640 A JP H07168640A JP 5316520 A JP5316520 A JP 5316520A JP 31652093 A JP31652093 A JP 31652093A JP H07168640 A JPH07168640 A JP H07168640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- constant
- output
- voltage
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力電流値の設定範囲を拡大させた定電流装
置を提供する。 【構成】 出力部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジ
スタ１１の出力電流と定抵抗１５および１５と並列に配
置された分割抵抗１Ｂ，１Ｃ（分割比１Ｂ：１Ｃ＝１：
ｎ）によって生じる電位と、ＮＰＮトランジスタ１３、
１４、ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１２、ツェナ
ーダイオード１Ｄ、および定抵抗１６、１７により、出
力部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１のゲ
ート電圧を制御させる回路構成である。この場合、出力
部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１の出力
電流と定抵抗１５によって生じる電位はＮＰＮトランジ
スタのベース−エミッタ電圧の１＋ｎ倍以下の範囲で設
定でき、ｎを大きくすれば出力電流を調節する定抵抗１
５を大きくし、出力電流の設定範囲を拡大することがで
きる。
置を提供する。 【構成】 出力部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジ
スタ１１の出力電流と定抵抗１５および１５と並列に配
置された分割抵抗１Ｂ，１Ｃ（分割比１Ｂ：１Ｃ＝１：
ｎ）によって生じる電位と、ＮＰＮトランジスタ１３、
１４、ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１２、ツェナ
ーダイオード１Ｄ、および定抵抗１６、１７により、出
力部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１のゲ
ート電圧を制御させる回路構成である。この場合、出力
部であるＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１の出力
電流と定抵抗１５によって生じる電位はＮＰＮトランジ
スタのベース−エミッタ電圧の１＋ｎ倍以下の範囲で設
定でき、ｎを大きくすれば出力電流を調節する定抵抗１
５を大きくし、出力電流の設定範囲を拡大することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＭＯＳ型トランジスタ
の出力電流を所定値（一定値）に制御する定電流装置に
関するものである。
の出力電流を所定値（一定値）に制御する定電流装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からレギュレータ等において、出力
部であるＭＯＳ型トランジスタの出力電流を一定にする
回路が使用されている。以下に、従来の定電流装置につ
いて説明する。図２は従来の定電流装置を示すものであ
る。図２において、２０は直流電源、２１は出力部であ
る電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ、２２
は電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ、２
３，２４は電流制御用ＮＰＮトランジスタ、２５，２
６，２７，２８，２９，２Ａは定抵抗、２Ｂはツェナー
ダイオードである。ここで、電流制御用ＮチャンネルＭ
ＯＳ型トランジスタ２２，電流制御用ＮＰＮトランジス
タ２３，２４，定抵抗２６，２７，２８，２９、ツェナ
ーダイオード２Ｂは制御回路を構成している。
部であるＭＯＳ型トランジスタの出力電流を一定にする
回路が使用されている。以下に、従来の定電流装置につ
いて説明する。図２は従来の定電流装置を示すものであ
る。図２において、２０は直流電源、２１は出力部であ
る電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ、２２
は電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ、２
３，２４は電流制御用ＮＰＮトランジスタ、２５，２
６，２７，２８，２９，２Ａは定抵抗、２Ｂはツェナー
ダイオードである。ここで、電流制御用ＮチャンネルＭ
ＯＳ型トランジスタ２２，電流制御用ＮＰＮトランジス
タ２３，２４，定抵抗２６，２７，２８，２９、ツェナ
ーダイオード２Ｂは制御回路を構成している。
【０００３】以上のように構成された定電流装置につい
て、以下その動作を説明する。電流出力用Ｎチャンネル
ＭＯＳ型トランジスタ２１の出力電流と電流−電圧変換
用定抵抗２５によって、電流−電圧変換用定抵抗２５の
両端間に電位差ＶS が生じる。この電位差ＶS がある値
以上になると、電流制御用ＮＰＮトランジスタ２３と電
流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ２２がオン
となり、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ
２１がオフとなる。つまり、電流出力用ＮチャンネルＭ
ＯＳ型トランジスタ２１の出力電流値が、ある定電流値
ＩP 以上になると、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型ト
ランジスタ２１がオフとなり、出力電流が制限され定電
流となる。なお、定電流値ＩP は電流−電圧変換用定抵
抗２５の抵抗値、つまり電流−電圧の変換比を変えるこ
とで調整できる。
て、以下その動作を説明する。電流出力用Ｎチャンネル
ＭＯＳ型トランジスタ２１の出力電流と電流−電圧変換
用定抵抗２５によって、電流−電圧変換用定抵抗２５の
両端間に電位差ＶS が生じる。この電位差ＶS がある値
以上になると、電流制御用ＮＰＮトランジスタ２３と電
流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ２２がオン
となり、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ
２１がオフとなる。つまり、電流出力用ＮチャンネルＭ
ＯＳ型トランジスタ２１の出力電流値が、ある定電流値
ＩP 以上になると、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型ト
ランジスタ２１がオフとなり、出力電流が制限され定電
流となる。なお、定電流値ＩP は電流−電圧変換用定抵
抗２５の抵抗値、つまり電流−電圧の変換比を変えるこ
とで調整できる。
【０００４】ここで、定抵抗２６，２７の抵抗値をそれ
ぞれＲ1 ，Ｒ2 とし、電流制御用ＮＰＮトランジスタ２
３，２４のベース−エミッタ電圧をそれぞれＶBE1 ，Ｖ
BE2とし、またツェナーダイオード２Ｂのツェナー電圧
をＶZ として、図２の回路の定電流状態を式で示すと、
ぞれＲ1 ，Ｒ2 とし、電流制御用ＮＰＮトランジスタ２
３，２４のベース−エミッタ電圧をそれぞれＶBE1 ，Ｖ
BE2とし、またツェナーダイオード２Ｂのツェナー電圧
をＶZ として、図２の回路の定電流状態を式で示すと、
【０００５】
【数１】
【０００６】となる。よって、電位差ＶS は、
【０００７】
【数２】
【０００８】となる。ここで、ＶBE＝ＶBE1 ＝ＶBE2 と
すると、
すると、
【０００９】
【数３】
【００１０】となる。また、定電流値ＩP を設定する電
流−電圧変換用定抵抗２５の抵抗値をＲｓとすると、
流−電圧変換用定抵抗２５の抵抗値をＲｓとすると、
【００１１】
【数４】
【００１２】または、
【００１３】
【数５】
【００１４】となる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、電位差ＶS の設定範囲が、電流制御用Ｎ
ＰＮトランジスタ２３のベース−エミッタ電圧ＶBE1 以
下の値に制限される。たとえば、電流ＩP ＝１〔Ａ〕に
設定したい場合、〔数５〕より、
来の構成では、電位差ＶS の設定範囲が、電流制御用Ｎ
ＰＮトランジスタ２３のベース−エミッタ電圧ＶBE1 以
下の値に制限される。たとえば、電流ＩP ＝１〔Ａ〕に
設定したい場合、〔数５〕より、
【００１６】
【数６】
【００１７】となる。ここで、先述より
【００１８】
【数７】
【００１９】であるので、〔数６〕は、
【００２０】
【数８】
【００２１】となる。つまり、従来例の構成では、電位
差ＶS の設定範囲が制限されているために、高い定電流
値では、電流−電圧変換用定抵抗２５の抵抗値が小さく
なり、調整できなくなり、したがって、定電流値の設定
範囲も狭いという欠点を有していた。この発明は上記従
来の問題点を解決するもので、高い定電流値でも調整可
能にし、定電流値の設定範囲を拡大することができる定
電流装置を提供することを目的とする。
差ＶS の設定範囲が制限されているために、高い定電流
値では、電流−電圧変換用定抵抗２５の抵抗値が小さく
なり、調整できなくなり、したがって、定電流値の設定
範囲も狭いという欠点を有していた。この発明は上記従
来の問題点を解決するもので、高い定電流値でも調整可
能にし、定電流値の設定範囲を拡大することができる定
電流装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明の定電流装置は、従来の定電流値を調整す
る電流−電圧変換用抵抗と並列に内部に電圧分割用抵抗
を配置し、この電圧分割用抵抗に生じた分割電圧を入力
として電流出力用ＭＯＳ型トランジスタのゲート電圧を
制御することにより電流出力用ＭＯＳ型トランジスタの
出力電流を所定値に制御するようにしている。
に、この発明の定電流装置は、従来の定電流値を調整す
る電流−電圧変換用抵抗と並列に内部に電圧分割用抵抗
を配置し、この電圧分割用抵抗に生じた分割電圧を入力
として電流出力用ＭＯＳ型トランジスタのゲート電圧を
制御することにより電流出力用ＭＯＳ型トランジスタの
出力電流を所定値に制御するようにしている。
【００２３】
【作用】この構成により、内部の電圧分割用抵抗により
電流−電圧変換用抵抗による電位差の設定範囲が拡大さ
れ、定電流値を調整する電流−電圧変換用抵抗の絶対値
を大きくでき、高い定電流値でも調整可能となり、定電
流値の設定範囲を拡大することができる。
電流−電圧変換用抵抗による電位差の設定範囲が拡大さ
れ、定電流値を調整する電流−電圧変換用抵抗の絶対値
を大きくでき、高い定電流値でも調整可能となり、定電
流値の設定範囲を拡大することができる。
【００２４】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の定電
流装置を示すものである。図１において、１０は直流電
源、１１は出力部である電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ
型トランジスタ、１２は電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ
型トランジスタ、１３，１４は電流制御用ＮＰＮトラン
ジスタ、１５，１６，１７，１８，１９，１Ａ，１Ｂ，
１Ｃは定抵抗、１Ｄはツェナーダイオードである。中
で、定抵抗１５は電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トラ
ンジスタの出力電流を所定の変換比で電圧に変換する電
流−電圧変換用定抵抗として機能し、定抵抗１Ｂ，１Ｃ
は電圧分割用定抵抗として機能する。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の定電
流装置を示すものである。図１において、１０は直流電
源、１１は出力部である電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ
型トランジスタ、１２は電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ
型トランジスタ、１３，１４は電流制御用ＮＰＮトラン
ジスタ、１５，１６，１７，１８，１９，１Ａ，１Ｂ，
１Ｃは定抵抗、１Ｄはツェナーダイオードである。中
で、定抵抗１５は電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トラ
ンジスタの出力電流を所定の変換比で電圧に変換する電
流−電圧変換用定抵抗として機能し、定抵抗１Ｂ，１Ｃ
は電圧分割用定抵抗として機能する。
【００２５】また、電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型ト
ランジスタ１２，電流制御用ＮＰＮトランジスタ１３，
１４，定抵抗１６，１７，１８，１９，ツェナーダイオ
ード１Ｄは制御回路を構成している。以上のように構成
された定電流装置について、以下その動作を説明する。
電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１の出
力電流と電流−電圧変換用定抵抗１５および電圧分割用
定抵抗１Ｂ，１Ｃによって、電流−電圧変換用定抵抗１
５の両端間に電位差ＶSOが生じる。電位差ＶSOは電圧分
割用定抵抗１Ｂと電圧分割用定抵抗１Ｃにより分割され
る。ここで、電圧分割用定抵抗１Ｂ，１Ｃの抵抗値をそ
れぞれＲB ，ＲB ×ｎとし、電圧分割用定抵抗１Ｂに生
じる電位差をＶ SPとすると、
ランジスタ１２，電流制御用ＮＰＮトランジスタ１３，
１４，定抵抗１６，１７，１８，１９，ツェナーダイオ
ード１Ｄは制御回路を構成している。以上のように構成
された定電流装置について、以下その動作を説明する。
電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１の出
力電流と電流−電圧変換用定抵抗１５および電圧分割用
定抵抗１Ｂ，１Ｃによって、電流−電圧変換用定抵抗１
５の両端間に電位差ＶSOが生じる。電位差ＶSOは電圧分
割用定抵抗１Ｂと電圧分割用定抵抗１Ｃにより分割され
る。ここで、電圧分割用定抵抗１Ｂ，１Ｃの抵抗値をそ
れぞれＲB ，ＲB ×ｎとし、電圧分割用定抵抗１Ｂに生
じる電位差をＶ SPとすると、
【００２６】
【数９】
【００２７】となる。電位差ＶSPがある値以上になる
と、電流制御用ＮＰＮトランジスタ１３と電流制御用Ｎ
チャンネルＭＯＳ型トランジスタ１２がオンとなり、電
流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１がオフ
となる。つまり、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トラ
ンジスタ１１の出力電流値が、ある定電流値ＩPO以上に
なると、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ
１１がオフとなり、出力電流が制限され定電流となる。
また、電流−電圧変換用定抵抗１５を流れる電流をＩSO
とし、電圧分割用定抵抗１Ｂと電圧分割用定抵抗１Ｃを
流れる電流をＩBCとすると、
と、電流制御用ＮＰＮトランジスタ１３と電流制御用Ｎ
チャンネルＭＯＳ型トランジスタ１２がオンとなり、電
流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ１１がオフ
となる。つまり、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トラ
ンジスタ１１の出力電流値が、ある定電流値ＩPO以上に
なると、電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ
１１がオフとなり、出力電流が制限され定電流となる。
また、電流−電圧変換用定抵抗１５を流れる電流をＩSO
とし、電圧分割用定抵抗１Ｂと電圧分割用定抵抗１Ｃを
流れる電流をＩBCとすると、
【００２８】
【数１０】
【００２９】となる。電圧分割用定抵抗１Ｂと電圧分割
用定抵抗１Ｃの抵抗値を電流−電圧変換用定抵抗１５の
抵抗値より十分大きく設定すれば、
用定抵抗１Ｃの抵抗値を電流−電圧変換用定抵抗１５の
抵抗値より十分大きく設定すれば、
【００３０】
【数１１】
【００３１】となり、電流−電圧変換用定抵抗１５の抵
抗値をＲSOとすれば、定電流値ＩPOは
抗値をＲSOとすれば、定電流値ＩPOは
【００３２】
【数１２】
【００３３】となる。ここで、先述より、
【００３４】
【数１３】
【００３５】であり、〔数９〕より、
【００３６】
【数１４】
【００３７】となる。よって、電圧ＶSOの設定範囲は従
来より（１＋ｎ）倍拡大され、定電流値ＩPOを調整する
電流−電圧変換用定抵抗１５の抵抗値ＲSOを大きくし、
高い定電流値でも調整可能とし、定電流値の設定範囲を
拡大することができる。
来より（１＋ｎ）倍拡大され、定電流値ＩPOを調整する
電流−電圧変換用定抵抗１５の抵抗値ＲSOを大きくし、
高い定電流値でも調整可能とし、定電流値の設定範囲を
拡大することができる。
【００３８】
【発明の効果】この発明によれば、従来の定電流値を調
整する電流−電圧変換用抵抗と並列に内部に電圧分割用
抵抗を配置させて、定電流値を設定する電圧範囲を拡大
し、定電流値を調整する電流−電圧変換用抵抗の抵抗値
を大きくし、定電流値の設定範囲を拡大させた定電流装
置を提供することができる。
整する電流−電圧変換用抵抗と並列に内部に電圧分割用
抵抗を配置させて、定電流値を設定する電圧範囲を拡大
し、定電流値を調整する電流−電圧変換用抵抗の抵抗値
を大きくし、定電流値の設定範囲を拡大させた定電流装
置を提供することができる。
【図１】この発明の一実施例の定電流装置の構成を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】従来の定電流装置の構成を示す回路図である。
１０ 直流電源 １１ 電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ １２ 電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ １３ 電流制御用ＮＰＮトランジスタ １４ 電流制御用ＮＰＮトランジスタ １５ 電流−電圧変換用定抵抗 １６ 定抵抗 １７ 定抵抗 １８ 定抵抗 １９ 定抵抗 １Ａ 定抵抗 １Ｂ 電圧分割用定抵抗 １Ｃ 電圧分割用定抵抗 １Ｄ ツェナーダイオード ２０ 直流電源 ２１ 電流出力用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ ２２ 電流制御用ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタ ２３ 電流制御用ＮＰＮトランジスタ ２４ 電流制御用ＮＰＮトランジスタ ２５ 電流−電圧変換用定抵抗 ２６ 定抵抗 ２７ 定抵抗 ２８ 定抵抗 ２９ 定抵抗 ２Ａ 定抵抗 ２Ｂ ツェナーダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 電流出力用ＭＯＳ型トランジスタと、こ
の電流出力用ＭＯＳ型トランジスタと直列接続されて前
記電流出力用ＭＯＳ型トランジスタの出力電流を所定の
変換比で電圧に変換する電流−電圧変換用抵抗と、この
電流−電圧変換用抵抗に並列接続した電圧分割用抵抗
と、この電圧分割用抵抗に生じた分割電圧を入力として
前記電流出力用ＭＯＳ型トランジスタのゲート電圧を制
御することにより電流出力用ＭＯＳ型トランジスタの出
力電流を所定値に制御する制御回路とを備えた定電流装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316520A JPH07168640A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 定電流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316520A JPH07168640A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 定電流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07168640A true JPH07168640A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18078030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5316520A Pending JPH07168640A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 定電流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07168640A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5092340A (en) * | 1986-10-17 | 1992-03-03 | Terumo Kabushiki Kaisha | Organism signal measuring apparatus |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP5316520A patent/JPH07168640A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5092340A (en) * | 1986-10-17 | 1992-03-03 | Terumo Kabushiki Kaisha | Organism signal measuring apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6922321B2 (en) | Overcurrent limitation circuit | |
| US20030067291A1 (en) | Bandgap reference voltage generator with a low-cost, low-power, fast start-up circuit | |
| US6384586B1 (en) | Regulated low-voltage generation circuit | |
| JP2000293248A (ja) | フィードバック制御低電圧電流シンク／ソース | |
| US8269478B2 (en) | Two-terminal voltage regulator with current-balancing current mirror | |
| US5898323A (en) | Level comparator | |
| KR0136121B1 (ko) | 과열 검출 회로 | |
| US7301322B2 (en) | CMOS constant voltage generator | |
| CN1201174A (zh) | 参考电压产生电路 | |
| US5801570A (en) | Semiconductor intergrated circuit with MOS transistors compensated of characteristic and performance deviations and deviation compensation system therein | |
| US8085006B2 (en) | Shunt regulator | |
| US6388507B1 (en) | Voltage to current converter with variation-free MOS resistor | |
| US11762410B2 (en) | Voltage reference with temperature-selective second-order temperature compensation | |
| JP2803444B2 (ja) | パワーデバイスの駆動保護回路 | |
| JP2006133916A (ja) | 基準電圧回路 | |
| JPWO2022244724A5 (ja) | ||
| US6876249B2 (en) | Circuit and method for a programmable reference voltage | |
| JP2765319B2 (ja) | 定電圧回路 | |
| JP3334707B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
| JP2002074967A (ja) | 降圧電源回路 | |
| US20040041623A1 (en) | Process-compensated CMOS current reference | |
| JP2005333736A (ja) | 過電流防止回路 | |
| US20060267568A1 (en) | Voltage regulating circuit and method thereof | |
| JPH05204480A (ja) | 定電圧回路 | |
| US5530339A (en) | Output current driver with an adaptive current source |