JPH0716950B2 - タブレツトの製造方法 - Google Patents
タブレツトの製造方法Info
- Publication number
- JPH0716950B2 JPH0716950B2 JP61106069A JP10606986A JPH0716950B2 JP H0716950 B2 JPH0716950 B2 JP H0716950B2 JP 61106069 A JP61106069 A JP 61106069A JP 10606986 A JP10606986 A JP 10606986A JP H0716950 B2 JPH0716950 B2 JP H0716950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molding
- processing means
- temperature
- tablet
- molded body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B11/00—Making preforms
- B29B11/06—Making preforms by moulding the material
- B29B11/12—Compression moulding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路等（以下ICと記す）を封止す
る樹脂からなるタブレツトの製造方法の改良に関するも
のである。
る樹脂からなるタブレツトの製造方法の改良に関するも
のである。
第５図ないし第７図は、例えば特開昭59−139633号公報
に示された従来の真空タブレツト成形機および成形物を
示す断面図で、図において、（１）は主にエポキシ樹脂
と無機質充てん剤の混合物粒子である粉末樹脂、（２）
はシリンダ、（３）は粉末樹脂（１）を圧縮するための
ピストン、（４）はこのピストン（３）外周とシリンダ
（２）内周とを封止するピストンリング、（５）はピス
トン（３）で圧縮された後に、後述するタブレツト
（６）をシリンダ（２）外へ押出すための圧送ピスト
ン、（７）はこの圧送ピストン（６）外周とシリンダ
（２）内周との間を封止するピストンリング、（８）は
粉末樹脂（１）をシリンダ（２）内へ注入するためのホ
ツパ、（９）はシリンダ（２）内に排気口（10）を介し
て真空を導入する真空ポンプ、（６）は粉末樹脂を圧縮
硬化して成形された軟化温度が80℃〜100℃のタブレツ
トで円柱状に成形されている。（11）は粉末樹脂（４）
の粒子部分における粒子間の粒子空間、（12）はタブレ
ツト（６）中の粒子空間（11）に含まれる粒子間空気で
ある。
に示された従来の真空タブレツト成形機および成形物を
示す断面図で、図において、（１）は主にエポキシ樹脂
と無機質充てん剤の混合物粒子である粉末樹脂、（２）
はシリンダ、（３）は粉末樹脂（１）を圧縮するための
ピストン、（４）はこのピストン（３）外周とシリンダ
（２）内周とを封止するピストンリング、（５）はピス
トン（３）で圧縮された後に、後述するタブレツト
（６）をシリンダ（２）外へ押出すための圧送ピスト
ン、（７）はこの圧送ピストン（６）外周とシリンダ
（２）内周との間を封止するピストンリング、（８）は
粉末樹脂（１）をシリンダ（２）内へ注入するためのホ
ツパ、（９）はシリンダ（２）内に排気口（10）を介し
て真空を導入する真空ポンプ、（６）は粉末樹脂を圧縮
硬化して成形された軟化温度が80℃〜100℃のタブレツ
トで円柱状に成形されている。（11）は粉末樹脂（４）
の粒子部分における粒子間の粒子空間、（12）はタブレ
ツト（６）中の粒子空間（11）に含まれる粒子間空気で
ある。
次にタブレツトの製造工程について説明する。まず、ピ
ストン（３）をホツパ（８）の位置よりも後方に位置さ
せて、必要量計量した粉末樹脂（１）をホツパ（８）に
注入し、シリンダ（２）内へ粉末樹脂（１）を挿入す
る。次にピストン（３）を第６図のようにホツパ（８）
の位置よりも前方に位置させて停止させ、真空ポンプ
（９）を運転させる。この真空ポンプ（９）の運転によ
つてシリンダ（２）内の空気や、粉末樹脂（１）内に存
在する空気が外部へ排気され、シリンダ（２）内や粉末
樹脂（１）の粒子間が真空にされる。ここで、再びピス
トン（20）を前進させ、粉末樹脂（１）を1000kg/cm2程
度の圧力で圧縮する。この圧力で粉末樹脂（１）は粒子
の間の粒子空間（11）が押しつぶされ、粒子間の粒子空
間（11）が極めて小となる。シリンダ（２）内は真空状
態であるため、粒子間空気（12）も外部へ排気され、粒
子空間（11）もシリンダ（２）内も真空状態で維持さ
れ、粉末樹脂（１）の粒子空間（11）には空気は全く、
存在せず、真空状態のタブレツト（６）が成形される。
ストン（３）をホツパ（８）の位置よりも後方に位置さ
せて、必要量計量した粉末樹脂（１）をホツパ（８）に
注入し、シリンダ（２）内へ粉末樹脂（１）を挿入す
る。次にピストン（３）を第６図のようにホツパ（８）
の位置よりも前方に位置させて停止させ、真空ポンプ
（９）を運転させる。この真空ポンプ（９）の運転によ
つてシリンダ（２）内の空気や、粉末樹脂（１）内に存
在する空気が外部へ排気され、シリンダ（２）内や粉末
樹脂（１）の粒子間が真空にされる。ここで、再びピス
トン（20）を前進させ、粉末樹脂（１）を1000kg/cm2程
度の圧力で圧縮する。この圧力で粉末樹脂（１）は粒子
の間の粒子空間（11）が押しつぶされ、粒子間の粒子空
間（11）が極めて小となる。シリンダ（２）内は真空状
態であるため、粒子間空気（12）も外部へ排気され、粒
子空間（11）もシリンダ（２）内も真空状態で維持さ
れ、粉末樹脂（１）の粒子空間（11）には空気は全く、
存在せず、真空状態のタブレツト（６）が成形される。
従来のタブレツトの製造方法では、タブレツトには真空
状態では全く空気が存在することがないが、タブレツト
は固形粉末を機械的に圧縮することにより粒子間が密着
しているだけであり、このタブレツトを大気中に取り出
した場合、内部の粒子空間と外部の粒子空間とが小さな
隙間で連通しているため、内部の粒子空間に直ちに空気
が侵入し、ICをこのタブレツトで封止した場合、ICの内
部に粒子間空気が混入し、ICの内部や表面にボイドが発
生し、ICの製造歩留りが低下するという問題点があつ
た。
状態では全く空気が存在することがないが、タブレツト
は固形粉末を機械的に圧縮することにより粒子間が密着
しているだけであり、このタブレツトを大気中に取り出
した場合、内部の粒子空間と外部の粒子空間とが小さな
隙間で連通しているため、内部の粒子空間に直ちに空気
が侵入し、ICをこのタブレツトで封止した場合、ICの内
部に粒子間空気が混入し、ICの内部や表面にボイドが発
生し、ICの製造歩留りが低下するという問題点があつ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ICの封止時に粒子間空気がICの内部に混入す
ることを防止できるタブレツトの製造方法を得ることを
目的とする。
たもので、ICの封止時に粒子間空気がICの内部に混入す
ることを防止できるタブレツトの製造方法を得ることを
目的とする。
この発明に係るタブレットの製造方法は、加熱手段を備
え粉末状または粒状の成形用樹脂を真空中で加圧成形す
る加工手段を、成形用樹脂の軟化温度よりも低いがこの
軟化温度に近接する温度に昇温する工程と、成形用樹脂
を加工手段に投入する工程と、加工手段を真空吸引する
工程と、加工手段に投入された成形用樹脂を成形体に加
圧成形し、この成形体の内部が密封されるように成形時
の加圧状態でかつ加工手段の上記温度で成形体の外周表
面層が自己融着するまで保持する工程と、を備えたもの
である。
え粉末状または粒状の成形用樹脂を真空中で加圧成形す
る加工手段を、成形用樹脂の軟化温度よりも低いがこの
軟化温度に近接する温度に昇温する工程と、成形用樹脂
を加工手段に投入する工程と、加工手段を真空吸引する
工程と、加工手段に投入された成形用樹脂を成形体に加
圧成形し、この成形体の内部が密封されるように成形時
の加圧状態でかつ加工手段の上記温度で成形体の外周表
面層が自己融着するまで保持する工程と、を備えたもの
である。
また、粉末状または粒状の成形用樹脂を、この成形用樹
脂の軟化温度よりも低いがこの軟化温度に近接する温度
に昇温する工程と、昇温された成形用樹脂を、真空中で
加圧成形する加工手段に投入する工程と、加工手段を真
空吸引する工程と、成形用樹脂を脱気し加工手段で成形
体に加圧成形するとともにこの成形体の内部が密封され
るようにその外周表面層が自己融着するまで加圧保持す
る工程と、を備えたものである。
脂の軟化温度よりも低いがこの軟化温度に近接する温度
に昇温する工程と、昇温された成形用樹脂を、真空中で
加圧成形する加工手段に投入する工程と、加工手段を真
空吸引する工程と、成形用樹脂を脱気し加工手段で成形
体に加圧成形するとともにこの成形体の内部が密封され
るようにその外周表面層が自己融着するまで加圧保持す
る工程と、を備えたものである。
この発明におけるタブレツトの製造方法は、真空容器内
に真空下で収容された粉状又は粒状の半導体封止用樹脂
が真空容器内で加熱圧縮されて粒子間が融着され、粒子
間空気が除去された状態で維持される。
に真空下で収容された粉状又は粒状の半導体封止用樹脂
が真空容器内で加熱圧縮されて粒子間が融着され、粒子
間空気が除去された状態で維持される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ないし第４図において、（20）はシリンダ室（Ａ）を
有するシリンダ、（21）はこのシリンダ（20）にボルト
（22）を介して結合された上部カバーで、弁座（21a）
と真空導入室（Ｂ）を有している。（23）は真空導入室
（Ｂ）に排気口（24）を介して真空を導入する真空ポン
プ、（25）はシリンダ（20）内を摺動するピストン、
（26）はピストン（25）とシリンダ（20）間を封止する
ピストンリング、（27）は弁座（21a）に離接する排気
弁、（28）はこの排気弁（27）と弁座（21a）間を封止
する弁リング、（29）は排気弁（27）と上部カバー（2
1）との間を封止する排気リング、（30）はシリンダ（2
0）と上部カバー（21）とを封止する封止リング、（3
1）はシリンダ（20）の外周に配置され、シリンダ（2
0）等を加熱するヒータ、（32）は上記のシリンダ（2
0），上部カバー（21），ピストン（25）等により構成
されるタブレツト成形機、（33）は直径が0.1〜2mmの粒
子が混合された軟化温度が80℃〜100℃の粉末樹脂、（3
4）は粉末樹脂（33）の粒子相互間の接触海面に形成さ
れる粒子空間、（35）は粉末樹脂（33）の外周部がタブ
レツト成形機（32）の熱により自己融着された融着層、
（36）はタブレツトである。
図ないし第４図において、（20）はシリンダ室（Ａ）を
有するシリンダ、（21）はこのシリンダ（20）にボルト
（22）を介して結合された上部カバーで、弁座（21a）
と真空導入室（Ｂ）を有している。（23）は真空導入室
（Ｂ）に排気口（24）を介して真空を導入する真空ポン
プ、（25）はシリンダ（20）内を摺動するピストン、
（26）はピストン（25）とシリンダ（20）間を封止する
ピストンリング、（27）は弁座（21a）に離接する排気
弁、（28）はこの排気弁（27）と弁座（21a）間を封止
する弁リング、（29）は排気弁（27）と上部カバー（2
1）との間を封止する排気リング、（30）はシリンダ（2
0）と上部カバー（21）とを封止する封止リング、（3
1）はシリンダ（20）の外周に配置され、シリンダ（2
0）等を加熱するヒータ、（32）は上記のシリンダ（2
0），上部カバー（21），ピストン（25）等により構成
されるタブレツト成形機、（33）は直径が0.1〜2mmの粒
子が混合された軟化温度が80℃〜100℃の粉末樹脂、（3
4）は粉末樹脂（33）の粒子相互間の接触海面に形成さ
れる粒子空間、（35）は粉末樹脂（33）の外周部がタブ
レツト成形機（32）の熱により自己融着された融着層、
（36）はタブレツトである。
次に動作について説明する。まず、第１図のようにヒー
タ（31）に通電してタブレツト成形機（32）を粒末樹脂
（33）の融着温度よりも低い温度60℃に加温し、このタ
ブレツト成形機（32）のシリンダ（20）内に粉末樹脂
（33）を注入し、第２図のようにシリンダ（20）と上部
カバー（21）とをボルト（22）で結合して密閉する。次
に、ピストン（25）の位置調整した後、排気弁（27）を
下方に動かし、弁座（21a）と排気弁（27）とを十分に
開放し、真空ポンプ（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）
及び真空導入室（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排
気し、各室（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、この真空
度は２〜３秒程度で0.5Torr以下になるので、排気弁（2
7）を上方向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（2
7）と上部カバー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シ
リンダ室（Ａ）内を真空保持する。ここで、第３図のよ
うにピストン（25）を上方に移動させ、排気弁（27）と
ピストン（25）とシリンダ（20）とで粉末樹脂（33）を
1000kg/cm2程度の圧力で圧縮する。粉末樹脂（33）にで
きていた粒子空間（34）はこの圧力によつて小となる
が、例えば外部の粒子空間とは連通している。ところ
が、圧縮を10秒以上継続すると、シリンダ（20），ピス
トン（25），排気弁（27）に接触している部分から粉末
樹脂（33）がこの圧力と温度によつて、第４図のように
周囲に融着層（35）が形成される。次に、上部カバー
（21）を取りはずしてピストン（25）を上昇させ、完成
したタブレツト（36）を取り出す。このように、タブレ
ツト（36）の外周には融着層（35）が形成されているた
め、内部の粒子空間（34）は真空状態で維持される。こ
のタブレツト（36）をIC封止用として用いた場合には、
IC封入時に粒子間空気がICに混入することが防止され、
ICの内部や表面にボイドが発生することが防止されるこ
とになる。
タ（31）に通電してタブレツト成形機（32）を粒末樹脂
（33）の融着温度よりも低い温度60℃に加温し、このタ
ブレツト成形機（32）のシリンダ（20）内に粉末樹脂
（33）を注入し、第２図のようにシリンダ（20）と上部
カバー（21）とをボルト（22）で結合して密閉する。次
に、ピストン（25）の位置調整した後、排気弁（27）を
下方に動かし、弁座（21a）と排気弁（27）とを十分に
開放し、真空ポンプ（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）
及び真空導入室（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排
気し、各室（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、この真空
度は２〜３秒程度で0.5Torr以下になるので、排気弁（2
7）を上方向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（2
7）と上部カバー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シ
リンダ室（Ａ）内を真空保持する。ここで、第３図のよ
うにピストン（25）を上方に移動させ、排気弁（27）と
ピストン（25）とシリンダ（20）とで粉末樹脂（33）を
1000kg/cm2程度の圧力で圧縮する。粉末樹脂（33）にで
きていた粒子空間（34）はこの圧力によつて小となる
が、例えば外部の粒子空間とは連通している。ところ
が、圧縮を10秒以上継続すると、シリンダ（20），ピス
トン（25），排気弁（27）に接触している部分から粉末
樹脂（33）がこの圧力と温度によつて、第４図のように
周囲に融着層（35）が形成される。次に、上部カバー
（21）を取りはずしてピストン（25）を上昇させ、完成
したタブレツト（36）を取り出す。このように、タブレ
ツト（36）の外周には融着層（35）が形成されているた
め、内部の粒子空間（34）は真空状態で維持される。こ
のタブレツト（36）をIC封止用として用いた場合には、
IC封入時に粒子間空気がICに混入することが防止され、
ICの内部や表面にボイドが発生することが防止されるこ
とになる。
なお、上記実施例では、室温の粉末樹脂（33）を加温さ
れたシリンダ（20）に注入するもので説明したが、特に
これに限定されるものではなく、例えば、投入する粉末
樹脂（33）の温度を自己融着温度まで加温し、その後シ
リンダ（20）内に投入して圧縮する工程でも同様の効果
が得られる。
れたシリンダ（20）に注入するもので説明したが、特に
これに限定されるものではなく、例えば、投入する粉末
樹脂（33）の温度を自己融着温度まで加温し、その後シ
リンダ（20）内に投入して圧縮する工程でも同様の効果
が得られる。
また、上記実施例では、融着層（35）をタブレツト（3
6）の外周部のみに形成するもので説明したが、自己融
着温度で粉末樹脂（33）を加圧すれば良く、例えば融着
層（35）が全周であつても、内部まで形成されても良
く、更には、部分的に形成された場合でも効果を奏する
ものである。
6）の外周部のみに形成するもので説明したが、自己融
着温度で粉末樹脂（33）を加圧すれば良く、例えば融着
層（35）が全周であつても、内部まで形成されても良
く、更には、部分的に形成された場合でも効果を奏する
ものである。
また、粒子の直径が0.1〜2mmの粉末樹脂で説明したが、
この粒子はこの寸法よりも大であつてもよく、また、そ
の形状は特に限定するものではない。
この粒子はこの寸法よりも大であつてもよく、また、そ
の形状は特に限定するものではない。
以上のようにこの発明は、加工手段を成形用樹脂の軟化
温度よりも低いがこの軟化温度に近接する温度に昇温
し、加工手段に投入された成形用樹脂を真空中で成形体
に加圧成形し、この成形体の内部が密封されるように成
形時の加圧状態でかつ加工手段の上記温度で成形体の外
周表面層が自己融着するまで保持する、また、成形用樹
脂を、成形用趣旨の軟化温度よりも低いがこの軟化温度
に近接する温度に昇温し、この昇温された成形用樹脂
を、加工手段に投入し、真空中で成形用樹脂を脱気し成
形体に加圧成形するとともにこの成形体の内部が密封さ
れるようにその外周表面層が自己融着するまで加圧保持
するようにしたので、タブレツトの全周に融着層が形成
され、タブレツトの内部を外気から遮断でき、タブレツ
トの内部の粒子間が脱気されたままの真空状態で維持さ
れ、成形後のタブレツトを長期間空気中に放置しても、
空気の侵入を防止できることになり、ICの封止時に封止
樹脂内に空気が混入することが防止され、ICの内部や表
面にボイドが発生することを防止でき、ICの信頼性向上
や外観不良の発生を確実に防止できる効果がある。
温度よりも低いがこの軟化温度に近接する温度に昇温
し、加工手段に投入された成形用樹脂を真空中で成形体
に加圧成形し、この成形体の内部が密封されるように成
形時の加圧状態でかつ加工手段の上記温度で成形体の外
周表面層が自己融着するまで保持する、また、成形用樹
脂を、成形用趣旨の軟化温度よりも低いがこの軟化温度
に近接する温度に昇温し、この昇温された成形用樹脂
を、加工手段に投入し、真空中で成形用樹脂を脱気し成
形体に加圧成形するとともにこの成形体の内部が密封さ
れるようにその外周表面層が自己融着するまで加圧保持
するようにしたので、タブレツトの全周に融着層が形成
され、タブレツトの内部を外気から遮断でき、タブレツ
トの内部の粒子間が脱気されたままの真空状態で維持さ
れ、成形後のタブレツトを長期間空気中に放置しても、
空気の侵入を防止できることになり、ICの封止時に封止
樹脂内に空気が混入することが防止され、ICの内部や表
面にボイドが発生することを防止でき、ICの信頼性向上
や外観不良の発生を確実に防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はそ
の動作工程を示す断面図、第３図は他の動作工程を示す
断面図、第４図はこの発明により成形されたタブレツト
を示す断面図、第５図は従来装置の断面図、第６図は第
５図の動作工程を示す断面図、第７図は従来のタブレツ
トを示す断面図である。図中、（20）はシリンダ、（2
1）は上部カバー、（23）は真空ポンプ、（25）はピス
トン、（31）はヒータ、（33）は粉末樹脂、（36）はタ
ブレツトである。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の動作工程を示す断面図、第３図は他の動作工程を示す
断面図、第４図はこの発明により成形されたタブレツト
を示す断面図、第５図は従来装置の断面図、第６図は第
５図の動作工程を示す断面図、第７図は従来のタブレツ
トを示す断面図である。図中、（20）はシリンダ、（2
1）は上部カバー、（23）は真空ポンプ、（25）はピス
トン、（31）はヒータ、（33）は粉末樹脂、（36）はタ
ブレツトである。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】加熱手段を備え粉末状または粒状の成形用
樹脂を真空中で加圧成形する加工手段を、上記加熱手段
を用い上記成形用樹脂の軟化温度よりも低いがこの軟化
温度に近接する温度に昇温する工程と、 上記成形用樹脂を上記加工手段に投入する工程と、 上記加工手段を真空吸引する工程と、 上記加工手段に投入された上記成形用樹脂を成形体に加
圧成形し、この成形体の内部が密封されるように成形時
の加圧状態でかつ加工手段の上記温度で上記成形体の外
周表面層が自己融着するまで保持する工程と、 を備えたタブレットの製造方法。 - 【請求項２】上記成形体が自己融着するのは外周表面層
のみであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のタブレットの製造方法。 - 【請求項３】粉末状または粒状の成形用樹脂を、この成
形用樹脂の軟化温度よりも低いがこの軟化温度に近接す
る温度に昇温する工程と、 上記温度に昇温された上記成形用樹脂を、真空中で加圧
成形する加工手段に投入する工程と、 上記加工手段を真空吸引する工程と、 上記温度に昇温された上記成形用樹脂を脱気し上記加工
手段で成形体に加圧成形するとともにこの成形体の内部
が密封されるようにその外周表面層が自己融着するまで
加圧保持する工程と、 を備えたタブレットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106069A JPH0716950B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | タブレツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106069A JPH0716950B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | タブレツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261405A JPS62261405A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH0716950B2 true JPH0716950B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=14424309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106069A Expired - Lifetime JPH0716950B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | タブレツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0716950B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4826931A (en) * | 1986-10-09 | 1989-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tablet for resin-molding semiconductor devices |
| JP2006167953A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyo Seiki Seisakusho:Kk | 再生用合成樹脂熱圧着方法及びその装置 |
| JP4569296B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-10-27 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂タブレットの製造方法および樹脂成形体の製造方法 |
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-
1986
- 1986-05-07 JP JP61106069A patent/JPH0716950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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