JPH07169678A - クラスタ型ホトリソグラフィシステム - Google Patents
クラスタ型ホトリソグラフィシステムInfo
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- JPH07169678A JPH07169678A JP6165361A JP16536194A JPH07169678A JP H07169678 A JPH07169678 A JP H07169678A JP 6165361 A JP6165361 A JP 6165361A JP 16536194 A JP16536194 A JP 16536194A JP H07169678 A JPH07169678 A JP H07169678A
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- robot
- photolithography system
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- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
- H10P72/0454—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハのコーティング及び/又は現像を行な
うための極めて小型でコスト効率的なホトリソグラフィ
システム及び方法を提供する。 【構成】 基板ホトリソグラフィシステムは、固定点周
りを回動し且つホトレジストコーティングユニットと、
現像ユニットと、加熱/冷却ユニットとの間で基板を移
送する基板操作ロボットを有している。これらの全ての
ユニットはロボットの周りにクラスタ状に配設されてい
る。ロボットの端部エフェクタが垂直方向及び水平方向
に移動可能であり、従って加熱/冷却ユニットの個々の
モジュールを積層させることが可能である。
うための極めて小型でコスト効率的なホトリソグラフィ
システム及び方法を提供する。 【構成】 基板ホトリソグラフィシステムは、固定点周
りを回動し且つホトレジストコーティングユニットと、
現像ユニットと、加熱/冷却ユニットとの間で基板を移
送する基板操作ロボットを有している。これらの全ての
ユニットはロボットの周りにクラスタ状に配設されてい
る。ロボットの端部エフェクタが垂直方向及び水平方向
に移動可能であり、従って加熱/冷却ユニットの個々の
モジュールを積層させることが可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はホトリソグラフィシステ
ムに関するものであって、更に詳細には、例えば、ホト
レジスト、ポリイミド又はスピンオングラス等の液体物
質からなる層を付与し且つ該層を現像して基板の表面上
にマスクを形成する過程において基板を操作するシステ
ム即ち装置及び方法に関するものである。
ムに関するものであって、更に詳細には、例えば、ホト
レジスト、ポリイミド又はスピンオングラス等の液体物
質からなる層を付与し且つ該層を現像して基板の表面上
にマスクを形成する過程において基板を操作するシステ
ム即ち装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ上にホトレジストマスクを
形成するプロセスでは、最初に、ウエハをホトレジスト
の薄い層でコーティングし、次いでそのホトレジストを
所望のパターンで露光する。次いで、そのホトレジスト
層を現像する。この場合に、多数の加熱ステップ及び冷
却ステップが関与する。典型的なプロセスにおいては、
清浄なウエハを100乃至150℃の温度で脱水化ベー
キングを行なって蓄積されている湿気を除去し、その際
にホトレジストのウエハに対する接着を促進させる。更
に、ホトレジストとウエハとの間の接着を改善するため
に、この時点において、例えばヘキサメチルジシラザン
(HMDS)等の化学物質を使用することが可能であ
る。次いで、スピニングによってウエハへ薄い層のホト
レジストを付与する。ウエハを90−120℃の温度に
おいてソフトベークを行ない、ホトレジストとの間に強
力な結合を発生させ、且つホトレジスト溶媒を除去する
ことによってホトレジストを乾燥させる。次いで、ウエ
ハを露光システムへ移送させることが可能である。
形成するプロセスでは、最初に、ウエハをホトレジスト
の薄い層でコーティングし、次いでそのホトレジストを
所望のパターンで露光する。次いで、そのホトレジスト
層を現像する。この場合に、多数の加熱ステップ及び冷
却ステップが関与する。典型的なプロセスにおいては、
清浄なウエハを100乃至150℃の温度で脱水化ベー
キングを行なって蓄積されている湿気を除去し、その際
にホトレジストのウエハに対する接着を促進させる。更
に、ホトレジストとウエハとの間の接着を改善するため
に、この時点において、例えばヘキサメチルジシラザン
(HMDS)等の化学物質を使用することが可能であ
る。次いで、スピニングによってウエハへ薄い層のホト
レジストを付与する。ウエハを90−120℃の温度に
おいてソフトベークを行ない、ホトレジストとの間に強
力な結合を発生させ、且つホトレジスト溶媒を除去する
ことによってホトレジストを乾燥させる。次いで、ウエ
ハを露光システムへ移送させることが可能である。
【0003】ホトレジストの露光を行なった後に、ウエ
ハを60−120℃において露光後ベークを行なって、
パターンを固化させ、次いでホトレジストを現像し、ウ
エハの表面上にパターンを形成する。この現像ステップ
に続いて、ウエハを130−160℃の温度でハードベ
ークを行なってウエハを乾燥させ且つホトレジストのシ
リコン表面に対する接着力を増加させる。前述したベー
クステップの各々の後に、一様なプロセスを確保するた
めに、ウエハは18−25℃へ冷却される。
ハを60−120℃において露光後ベークを行なって、
パターンを固化させ、次いでホトレジストを現像し、ウ
エハの表面上にパターンを形成する。この現像ステップ
に続いて、ウエハを130−160℃の温度でハードベ
ークを行なってウエハを乾燥させ且つホトレジストのシ
リコン表面に対する接着力を増加させる。前述したベー
クステップの各々の後に、一様なプロセスを確保するた
めに、ウエハは18−25℃へ冷却される。
【0004】これらのステップの全ては、温度及び湿度
が制御されており且つ実質的に塵埃がなく且つその他の
粒子物質が存在しないクリーンルーム内において実施さ
れねばならない。現在のところ、このプロセスを実施す
る最も一般的なシステムでは、プロセスの相次ぐステー
ジへウエハを搬送するためにトラックを使用している。
トラックシステムは、ウエハが固定した順番にロックさ
れるので、柔軟性に欠けている。それ程一般的ではない
タイプの構成においては、種々の処理モジュールが中央
トラックの両側に配置され、且つウエハは中央トラック
に沿って前後移動するロボットによって1つのモジュー
ルから別のモジュールへ搬送される。このような構成は
極めて床面積を浪費するものである。何故ならば、中央
トラック区域において何等処理が行なわれないからであ
る。更に、この構成の処理能力は、ロボットがシステム
の一端から多他端へ移動する速度によって制限されてい
る。
が制御されており且つ実質的に塵埃がなく且つその他の
粒子物質が存在しないクリーンルーム内において実施さ
れねばならない。現在のところ、このプロセスを実施す
る最も一般的なシステムでは、プロセスの相次ぐステー
ジへウエハを搬送するためにトラックを使用している。
トラックシステムは、ウエハが固定した順番にロックさ
れるので、柔軟性に欠けている。それ程一般的ではない
タイプの構成においては、種々の処理モジュールが中央
トラックの両側に配置され、且つウエハは中央トラック
に沿って前後移動するロボットによって1つのモジュー
ルから別のモジュールへ搬送される。このような構成は
極めて床面積を浪費するものである。何故ならば、中央
トラック区域において何等処理が行なわれないからであ
る。更に、この構成の処理能力は、ロボットがシステム
の一端から多他端へ移動する速度によって制限されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した如
き従来技術の欠点を解消し、著しい床面積を必要とする
ことのないホトリソグラフィシステム及び方法を提供す
ることを目的とする。
き従来技術の欠点を解消し、著しい床面積を必要とする
ことのないホトリソグラフィシステム及び方法を提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上述し
た従来技術の目的は、クラスタ型のホトリソグラフィシ
ステムを提供することによって解消される。本発明のホ
トリソグラフィシステムにおいては、ウエハ操作ロボッ
トが固定位置に装着されており且つ一群のウエハ処理モ
ジュールによって取囲まれている。ロボットは固定点周
りに回動し、且つ任意の方向において横方向及び垂直方
向に(即ち、自由度3)ウエハを搬送することが可能で
ある。この構成は、システムの柔軟性を増加させてい
る。何故ならば、各ウエハは、別のウエハの処理が完了
するのを待つことなしに、必要に応じて、1つのモジュ
ールへ又はそれから移動させることが可能だからであ
る。更に、ロボットはウエハを垂直方向に搬送すること
が可能であるので、モジュールを互いに積層させること
が可能であり、それによってシステムによって占有され
る床面積を最小としている。
た従来技術の目的は、クラスタ型のホトリソグラフィシ
ステムを提供することによって解消される。本発明のホ
トリソグラフィシステムにおいては、ウエハ操作ロボッ
トが固定位置に装着されており且つ一群のウエハ処理モ
ジュールによって取囲まれている。ロボットは固定点周
りに回動し、且つ任意の方向において横方向及び垂直方
向に(即ち、自由度3)ウエハを搬送することが可能で
ある。この構成は、システムの柔軟性を増加させてい
る。何故ならば、各ウエハは、別のウエハの処理が完了
するのを待つことなしに、必要に応じて、1つのモジュ
ールへ又はそれから移動させることが可能だからであ
る。更に、ロボットはウエハを垂直方向に搬送すること
が可能であるので、モジュールを互いに積層させること
が可能であり、それによってシステムによって占有され
る床面積を最小としている。
【0007】
【実施例】本発明を半導体ウエハホトリソグラフィシス
テムに関連して説明するが、本発明はそのような特定な
システムに限定されるべきものではなく、任意のタイプ
の基板ホトリソグラフィシステムに適用可能なものであ
ることに注意すべきである。
テムに関連して説明するが、本発明はそのような特定な
システムに限定されるべきものではなく、任意のタイプ
の基板ホトリソグラフィシステムに適用可能なものであ
ることに注意すべきである。
【0008】図1は本発明に基づいて構成された半導体
ウエハホトリソグラフィシステム10の概略平面図であ
る。システム10はウエハコーティングセクション11
とウエハ現像セクション12とを有している。コーティ
ングセクション11の中央にはウエハ操作ロボット13
が設けられている。ロボット13は、アメリカ合衆国カ
リフォルニア州マウンテンビューのイクイップテクノロ
ジィズ社によって製造されているモデルATM100と
することが可能であり、それは自由度3ロボットであっ
て、ウエハを円筒座標系における任意の位置に配置させ
る能力を有している。それは2つのウエハを同時的に操
作することの可能な端部エフェクタ14を有している。
それはコーティングセクション11のほぼ中央における
軸15の周りに回動する。同様のロボット16が現像セ
クション12の中央位置に設けられている。
ウエハホトリソグラフィシステム10の概略平面図であ
る。システム10はウエハコーティングセクション11
とウエハ現像セクション12とを有している。コーティ
ングセクション11の中央にはウエハ操作ロボット13
が設けられている。ロボット13は、アメリカ合衆国カ
リフォルニア州マウンテンビューのイクイップテクノロ
ジィズ社によって製造されているモデルATM100と
することが可能であり、それは自由度3ロボットであっ
て、ウエハを円筒座標系における任意の位置に配置させ
る能力を有している。それは2つのウエハを同時的に操
作することの可能な端部エフェクタ14を有している。
それはコーティングセクション11のほぼ中央における
軸15の周りに回動する。同様のロボット16が現像セ
クション12の中央位置に設けられている。
【0009】ロボット13及び16の周りにクラスタ状
に一連の処理モジュールが設けられている。コーティン
グセクション11においては、加熱/冷却ユニット17
は3段の高さに積層されたモジュール170A,170
B,170Cを有している。図2は加熱/冷却ユニット
17の概略側面図を示している。図1及び2に示した如
く、モジュール170A−170Cの各々は、2つのオ
ーブンの間に設けた中央冷却プレートを有している。モ
ジュール170A−170Cの各々は、本願と同時出願
された本願出願人の特許出願に記載されている種類のも
のとすることが可能である。同様の加熱/冷却ユニット
18が現像セクション12内に設けられている。
に一連の処理モジュールが設けられている。コーティン
グセクション11においては、加熱/冷却ユニット17
は3段の高さに積層されたモジュール170A,170
B,170Cを有している。図2は加熱/冷却ユニット
17の概略側面図を示している。図1及び2に示した如
く、モジュール170A−170Cの各々は、2つのオ
ーブンの間に設けた中央冷却プレートを有している。モ
ジュール170A−170Cの各々は、本願と同時出願
された本願出願人の特許出願に記載されている種類のも
のとすることが可能である。同様の加熱/冷却ユニット
18が現像セクション12内に設けられている。
【0010】コーティングセクション11はカセット入
力/出力(I/O)ユニット19及び20を有してい
る。各カセットI/Oユニットは、図3に側面図で示し
たような複数個のウエハを収容するカセットを保持し、
且つそれらは、ウエハがホトリソグラフィシステム10
内へ導入され且つそれから引出される手段を与えてい
る。カセットI/Oユニット19及び20は後退位置
(ユニット19参照)と操作位置(ユニット20参照)
との間で移動することが可能であり、操作位置にある場
合には、カセットはロボット13の軸に対面する。両方
のユニットはシステム10の正面からアクセスされる。
カセットI/Oユニット19及び20の各々は、本願出
願と同時に出願された本願出願人の特許出願に記載され
ている種類のものとすることが可能である。
力/出力(I/O)ユニット19及び20を有してい
る。各カセットI/Oユニットは、図3に側面図で示し
たような複数個のウエハを収容するカセットを保持し、
且つそれらは、ウエハがホトリソグラフィシステム10
内へ導入され且つそれから引出される手段を与えてい
る。カセットI/Oユニット19及び20は後退位置
(ユニット19参照)と操作位置(ユニット20参照)
との間で移動することが可能であり、操作位置にある場
合には、カセットはロボット13の軸に対面する。両方
のユニットはシステム10の正面からアクセスされる。
カセットI/Oユニット19及び20の各々は、本願出
願と同時に出願された本願出願人の特許出願に記載され
ている種類のものとすることが可能である。
【0011】コーティングセクション11はスピンコー
ティングユニット21を有しており、且つ現像セクショ
ン12は2つの現像ユニット22及び23を有してい
る。コーティングセクション11と現像セクション12
との間でのウエハの送給を行なうために、中央ウエハ通
過バッファ24が設けられており、且つオプションとし
て、ウエハを隣接する露光システム(不図示)へ通過さ
せるためにステッパバッファ25を設けることが可能で
ある。
ティングユニット21を有しており、且つ現像セクショ
ン12は2つの現像ユニット22及び23を有してい
る。コーティングセクション11と現像セクション12
との間でのウエハの送給を行なうために、中央ウエハ通
過バッファ24が設けられており、且つオプションとし
て、ウエハを隣接する露光システム(不図示)へ通過さ
せるためにステッパバッファ25を設けることが可能で
ある。
【0012】ホトリソグラフィシステム10の構成要素
はメインシステムコントローラ26によって制御され
る。加熱/冷却モジュール170A−170Cは個々の
マイクロコントローラ(不図示)を有している。同様
に、コーティングユニット21はマイクロコントローラ
21Cを有しており、且つ現像ユニット22及び23は
それぞれマイクロコントローラ22C及び23Cを有し
ている。これらのマイクロコントローラの各々はマスタ
・スレーブ関係でシステムコントローラ26へ接続して
おり、且つそれは例えば空気シリンダの動作、モータの
制御、センサのモニタ、化学物質の供給等の機能を実行
する。システムコントローラ26は個々のマイクロコン
トローラヘハイレベルのコマンドを供給し且つ個々のマ
イクロコントローラからハイレベルのステータス情報を
受取る。
はメインシステムコントローラ26によって制御され
る。加熱/冷却モジュール170A−170Cは個々の
マイクロコントローラ(不図示)を有している。同様
に、コーティングユニット21はマイクロコントローラ
21Cを有しており、且つ現像ユニット22及び23は
それぞれマイクロコントローラ22C及び23Cを有し
ている。これらのマイクロコントローラの各々はマスタ
・スレーブ関係でシステムコントローラ26へ接続して
おり、且つそれは例えば空気シリンダの動作、モータの
制御、センサのモニタ、化学物質の供給等の機能を実行
する。システムコントローラ26は個々のマイクロコン
トローラヘハイレベルのコマンドを供給し且つ個々のマ
イクロコントローラからハイレベルのステータス情報を
受取る。
【0013】システム10の動作態様は、使用される特
定の処理シーケンスに依存しそれは当業者にとって明ら
かである。例えば、ロボット13は、最初に、カセット
I/Oユニット19からウエハをとり且つそれを初期の
脱水化加熱を行なうためにモジュール170Aにおける
オーブンへ移送させることが可能である。脱水化加熱が
完了すると、モジュール170Aにおけるマイクロコン
トローラがコントローラ26に対して命令を与え、且つ
ロボット13はオーブンからウエハをモジュール170
Aの冷却プレートへ移送させる。冷却処理が完了する
と、コントローラ26は再度命令を受け、ロボット13
はウエハをスピンコーティングユニット21へ移送し、
そこでホトレジストが付与される。次いで、ロボット1
3はウエハをスピンコーティングユニット21からソフ
トベークを行なうため加熱/冷却ユニット17内のオー
ブンへ移送し冷却を行なうために冷却プレートへ移送さ
せる。
定の処理シーケンスに依存しそれは当業者にとって明ら
かである。例えば、ロボット13は、最初に、カセット
I/Oユニット19からウエハをとり且つそれを初期の
脱水化加熱を行なうためにモジュール170Aにおける
オーブンへ移送させることが可能である。脱水化加熱が
完了すると、モジュール170Aにおけるマイクロコン
トローラがコントローラ26に対して命令を与え、且つ
ロボット13はオーブンからウエハをモジュール170
Aの冷却プレートへ移送させる。冷却処理が完了する
と、コントローラ26は再度命令を受け、ロボット13
はウエハをスピンコーティングユニット21へ移送し、
そこでホトレジストが付与される。次いで、ロボット1
3はウエハをスピンコーティングユニット21からソフ
トベークを行なうため加熱/冷却ユニット17内のオー
ブンへ移送し冷却を行なうために冷却プレートへ移送さ
せる。
【0014】コーティングプロセスが完了し且つウエハ
がソフトベークされ且つ冷却された後に、ロボット13
はウエハを通過バッファ24へ移送し、そこでロボット
16が引継ぐ。ロボット16は、外部露光ユニットへ移
送するためにウエハをステッパバッファ25へ送給し、
露光後ベークを行なうために加熱/冷却ユニット18に
おけるオーブンへ帰還させ、且つ次いでユニット18に
おける冷却プレートへ移送させる。このことは、ユニッ
ト18におけるマイクロコントローラ及びシステムコン
トローラ26の制御下において行なわれる。ウエハが適
切に冷却されると、それは現像ユニット22又は23の
1つへ転送される。現像が行なわれた後に、ウエハはハ
ードベークを行なうために加熱/冷却ユニット18にお
けるオーブンへ移送され、次いで加熱/冷却ユニット1
8における冷却プレートへ移送される。ウエハが冷却さ
れた後に、通過バッファ24及びロボット13を介して
ウエハはカセットI/Oユニツト19又は20の1つへ
移送させることが可能である。
がソフトベークされ且つ冷却された後に、ロボット13
はウエハを通過バッファ24へ移送し、そこでロボット
16が引継ぐ。ロボット16は、外部露光ユニットへ移
送するためにウエハをステッパバッファ25へ送給し、
露光後ベークを行なうために加熱/冷却ユニット18に
おけるオーブンへ帰還させ、且つ次いでユニット18に
おける冷却プレートへ移送させる。このことは、ユニッ
ト18におけるマイクロコントローラ及びシステムコン
トローラ26の制御下において行なわれる。ウエハが適
切に冷却されると、それは現像ユニット22又は23の
1つへ転送される。現像が行なわれた後に、ウエハはハ
ードベークを行なうために加熱/冷却ユニット18にお
けるオーブンへ移送され、次いで加熱/冷却ユニット1
8における冷却プレートへ移送される。ウエハが冷却さ
れた後に、通過バッファ24及びロボット13を介して
ウエハはカセットI/Oユニツト19又は20の1つへ
移送させることが可能である。
【0015】上述した説明は、ウエハのコーティング及
び現像を行なうための非常に小型でコストが効率的なシ
ステムである。ロボット13及び16は、ある従来のシ
ステムにおいて使用されている自由度6の比較的複雑な
ロボットではなく、自由度3のロボットである。図4の
側面図に示した如く、ロボット13は、加熱/冷却ユニ
ット17における積層型モジュール170A−170C
のいずれかのモジュールの冷却セクションへウエハを送
給するか又はそれからウエハを回収することが可能であ
る。ロボット16は、同様に、加熱/冷却ユニット18
におけるモジュールのうちのいずれにもアクセスするこ
とが可能である。ロボット13及び16の周りの「デッ
ドスペース」即ち無駄空間の大きさは最小とされてお
り、且つ加熱及び冷却モジュールによって占有される空
間もそれらを積層させることによって最小とされてい
る。実際に、システム10の1実施例では全体で29.
5平方フィートの面積を必要とするに過ぎない。
び現像を行なうための非常に小型でコストが効率的なシ
ステムである。ロボット13及び16は、ある従来のシ
ステムにおいて使用されている自由度6の比較的複雑な
ロボットではなく、自由度3のロボットである。図4の
側面図に示した如く、ロボット13は、加熱/冷却ユニ
ット17における積層型モジュール170A−170C
のいずれかのモジュールの冷却セクションへウエハを送
給するか又はそれからウエハを回収することが可能であ
る。ロボット16は、同様に、加熱/冷却ユニット18
におけるモジュールのうちのいずれにもアクセスするこ
とが可能である。ロボット13及び16の周りの「デッ
ドスペース」即ち無駄空間の大きさは最小とされてお
り、且つ加熱及び冷却モジュールによって占有される空
間もそれらを積層させることによって最小とされてい
る。実際に、システム10の1実施例では全体で29.
5平方フィートの面積を必要とするに過ぎない。
【0016】本発明の技術的範囲を逸脱することなしに
種々の変形を行なうことが可能であることは勿論であ
る。その幾つかの変形実施例を図5A乃至5Dに示して
ある。図5Aは単一の加熱/冷却ユニット51及びコー
ティング用又は現像用のいずれかとすることが可能なユ
ニット52及び53を有するホトリソグラフィシステム
を示している。この実施例の好適な形態においては、加
熱/冷却ユニット51は単一のモジュール(モジュール
170Cに類似したモジュール)のみを有している。一
対のカセットI/Oユニット54及び55も設けられて
いる。この実施例の接地面積は17.1平方フィート程
度である。図5Bは、カセットI/Oユニット55が省
略されている点を除いて、図5Aに示したものと類似の
システムを示している。この場合の接地面積は15.2
平方フィート程度である。図5CはカセットI/Oユニ
ット54及び55がシステムへの正面からのアクセスを
行なうために設けられており、コーティング及び現像用
のユニット52及び53が反対側に設けられている点を
除いて、図5Aにおけるものに類似したシステムを示し
ている。この場合の接地面積は17.1平方フィート程
度である。図5DはカセットI/Oユニット20が第二
スピンコーティングユニット56によって置換されてい
る点を除いて、図1に示したシステム10と類似したシ
ステムを示している。この場合の接地面積は29.5平
方フィート程度である。
種々の変形を行なうことが可能であることは勿論であ
る。その幾つかの変形実施例を図5A乃至5Dに示して
ある。図5Aは単一の加熱/冷却ユニット51及びコー
ティング用又は現像用のいずれかとすることが可能なユ
ニット52及び53を有するホトリソグラフィシステム
を示している。この実施例の好適な形態においては、加
熱/冷却ユニット51は単一のモジュール(モジュール
170Cに類似したモジュール)のみを有している。一
対のカセットI/Oユニット54及び55も設けられて
いる。この実施例の接地面積は17.1平方フィート程
度である。図5Bは、カセットI/Oユニット55が省
略されている点を除いて、図5Aに示したものと類似の
システムを示している。この場合の接地面積は15.2
平方フィート程度である。図5CはカセットI/Oユニ
ット54及び55がシステムへの正面からのアクセスを
行なうために設けられており、コーティング及び現像用
のユニット52及び53が反対側に設けられている点を
除いて、図5Aにおけるものに類似したシステムを示し
ている。この場合の接地面積は17.1平方フィート程
度である。図5DはカセットI/Oユニット20が第二
スピンコーティングユニット56によって置換されてい
る点を除いて、図1に示したシステム10と類似したシ
ステムを示している。この場合の接地面積は29.5平
方フィート程度である。
【0017】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。例えば、加熱/冷却ユニットにおけるモジュールは
3段以外の積層構成とすることが可能であることは勿論
である。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。例えば、加熱/冷却ユニットにおけるモジュールは
3段以外の積層構成とすることが可能であることは勿論
である。
【図1】 本発明に基づいて構成されたクラスタ型半導
体ウエハホトリソグラフィシステムを示した概略平面
図。
体ウエハホトリソグラフィシステムを示した概略平面
図。
【図2】 加熱/冷却ユニットの概略正面図。
【図3】 ウエハカセットの概略平面図。
【図4】 加熱/冷却ユニット及びロボットの概略側面
図。
図。
【図5A】 本発明の別の実施例を示した概略平面図。
【図5B】 本発明の別の実施例を示した概略平面図。
【図5C】 本発明の別の実施例を示した概略平面図。
【図5D】 本発明の別の実施例を示した概略平面図。
10 半導体ウエハホトリソグラフィシステム 11 コーティングセクション 12 現像セクション 13 ウエハ操作ロボット 14 端部エフェクタ 15 軸 16 ウエハ操作ロボット 17,18 加熱/冷却ユニット 19,20 カセット入力/出力(I/O)ユニット 21 スピンコーティングユニット 22,23 現像ユニット 24 通過バッファ 25 ステッパバッファ 26 メインシステムコントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 A (72)発明者 マイケル アール. ビッシュ アメリカ合衆国, カリフォルニア 94587, ユニオン シティー, シーサ イド コート 5153
Claims (10)
- 【請求項1】 ホトリソグラフィシステムにおいて、 少なくとも1個のスピンコーティングユニット、 少なくとも1個のベーキングユニット、 固定軸周りに回動可能であり且つ前記少なくとも1個の
スピンコーティングユニット及び前記少なくとも1個の
ベーキングユニットへ基板を送給するか又はそれから基
板を回収することの可能な少なくとも1個の基板操作ロ
ボット、を有することを特徴とするホトリソグラフィシ
ステム。 - 【請求項2】 請求項1において、前記少なくとも1個
のロボットが自由度3を有していることを特徴とするホ
トリソグラフィシステム。 - 【請求項3】 請求項2において、前記少なくとも1個
のロボットが二重端エフェクタを有することを特徴とす
るホトリソグラフィシステム。 - 【請求項4】 請求項1において、少なくとも1個の現
像ユニットを有することを特徴とホトリソグラフィシス
テム。 - 【請求項5】 請求項1において、少なくとも1個の基
板冷却手段を有することを特徴とするホトリソグラフィ
システム。 - 【請求項6】 請求項1において、加熱/冷却ユニット
を有しており、前記加熱/冷却ユニットが複数個の積層
モジュールを有していることを特徴とするホトリソグラ
フィシステム。 - 【請求項7】 請求項6において、前記積層モジュール
の各々がオーブン及び冷却プレートを有していることを
特徴とするホトリソグラフィシステム。 - 【請求項8】 請求項1において、少なくとも1個の基
板カセット入力/出力ユニットを有していることを特徴
とするホトリソグラフィシステム。 - 【請求項9】 ホトリソグラフィシステムにおいて、 少なくとも1個の現像ユニット、 少なくとも1個のベーキングユニット、 固定軸周りに回動可能であり且つ前記少なくとも1個の
現像ユニット及び前記少なくとも1個のベーキングユニ
ットへ基板を送給するか又はそれから回収することの可
能な少なくとも1個の基板操作ロボット、を有すること
を特徴とするホトリソグラフィシステム。 - 【請求項10】 スピンコーティング装置からベーキン
グユニットへ基板を移送する方法において、 固定軸周りに回転可能であり且つ基板を上昇又は下降す
ることの可能なアームを具備するロボットを用意し、 前記ロボットをして前記スピンコーティング装置から基
板を回収させ、 前記ロボットをして前記固定軸周りに回転させ、 前記ロボットをして前記基板を前記ベーキングユニット
内に配置させる、上記各ステップを有することを特徴と
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US9350593A | 1993-07-16 | 1993-07-16 | |
| US93505 | 1993-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169678A true JPH07169678A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=22239332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6165361A Pending JPH07169678A (ja) | 1993-07-16 | 1994-07-18 | クラスタ型ホトリソグラフィシステム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5651823A (ja) |
| EP (1) | EP0634699A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07169678A (ja) |
| KR (1) | KR950004376A (ja) |
| DE (1) | DE634699T1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034870A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008034869A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008072140A (ja) * | 2007-11-21 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008103762A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015159296A (ja) * | 2011-06-15 | 2015-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク |
Families Citing this family (85)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5826129A (en) * | 1994-06-30 | 1998-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
| US5993081A (en) * | 1995-10-24 | 1999-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | In-line processing system |
| US6062798A (en) * | 1996-06-13 | 2000-05-16 | Brooks Automation, Inc. | Multi-level substrate processing apparatus |
| US5779799A (en) * | 1996-06-21 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Substrate coating apparatus |
| KR100545601B1 (ko) * | 1996-07-18 | 2006-06-21 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성수지조성물 |
| JP3779393B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2006-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP3566475B2 (ja) * | 1996-12-03 | 2004-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| GB2320135A (en) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | Smiths Industries Plc | Semiconductor wafer processing apparatus |
| JP3926890B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| DE19725866C1 (de) * | 1997-06-18 | 1999-04-22 | Ivoclar Ag | Brennofen |
| WO1999040615A1 (en) | 1998-02-04 | 1999-08-12 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for low-temperature annealing of metallization micro-structures in the production of a microelectronic device |
| US7244677B2 (en) | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
| US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| US6565729B2 (en) | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
| US6079927A (en) * | 1998-04-22 | 2000-06-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment |
| US6497801B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
| US6178361B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-01-23 | Karl Suss America, Inc. | Automatic modular wafer substrate handling device |
| US6616394B1 (en) | 1998-12-30 | 2003-09-09 | Silicon Valley Group | Apparatus for processing wafers |
| US6075334A (en) * | 1999-03-15 | 2000-06-13 | Berkeley Process Control, Inc | Automatic calibration system for wafer transfer robot |
| WO2000055074A1 (en) | 1999-03-18 | 2000-09-21 | Pri Automation, Inc. | Person-guided vehicle |
| US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US6916412B2 (en) | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
| TW527444B (en) | 1999-04-13 | 2003-04-11 | Semitool Inc | System for electrochemically processing a workpiece |
| US7264698B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7189318B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7020537B2 (en) | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7585398B2 (en) | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7438788B2 (en) | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| TW451274B (en) * | 1999-06-11 | 2001-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
| US6402400B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US6443359B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-09-03 | Diebold, Incorporated | Automated transaction system and method |
| US6402508B2 (en) * | 1999-12-09 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system |
| SG106599A1 (en) * | 2000-02-01 | 2004-10-29 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6780374B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-08-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperature |
| US6471913B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-10-29 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece including an apparatus and method for executing a processing step at an elevated temperature |
| EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
| US6544338B1 (en) * | 2000-02-10 | 2003-04-08 | Novellus Systems, Inc. | Inverted hot plate cure module |
| AU2001282879A1 (en) | 2000-07-08 | 2002-01-21 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
| EP1356499A2 (en) | 2000-07-10 | 2003-10-29 | Temptronic Corporation | Wafer chuck with interleaved heating and cooling elements |
| US7390458B2 (en) * | 2000-10-13 | 2008-06-24 | Irm Llc | High throughput processing system and method of using |
| US6754975B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-06-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Microelectronic substrate retainer apparatus providing reduced microelectronic substrate damage |
| US6529686B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-03-04 | Fsi International, Inc. | Heating member for combination heating and chilling apparatus, and methods |
| AU2002343330A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-10 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US6515261B1 (en) | 2002-03-06 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Enhanced lift pin |
| JP4274736B2 (ja) | 2002-03-28 | 2009-06-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4342147B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| KR100490175B1 (ko) * | 2002-07-04 | 2005-05-17 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조장치의 컨트롤러 모듈 |
| JP4233285B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-03-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US6817821B2 (en) * | 2002-10-21 | 2004-11-16 | Robert D. Henderson | Wafer handling for a reflow tool |
| US7384484B2 (en) * | 2002-11-18 | 2008-06-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system |
| US6939403B2 (en) * | 2002-11-19 | 2005-09-06 | Blue29, Llc | Spatially-arranged chemical processing station |
| TWI220052B (en) * | 2002-11-25 | 2004-08-01 | Au Optronics Corp | Plasma display panel having shared data electrodes |
| US7274429B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Integrated lithographic fabrication cluster |
| DE102004019732A1 (de) * | 2004-04-20 | 2005-11-17 | Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh | Vorrichtung und Verfahren für die Bearbeitung eines Substrats in der Halbleitertechnik sowie System, das eine Vorrichtung für die Bearbeitung eines Substrats umfasst |
| JP4343151B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム |
| US7601934B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-10-13 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with a temperature controlled surface |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| US7741585B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-06-22 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with two-axis movement |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7297906B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-11-20 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with two-axis movement |
| US7288746B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-10-30 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having laterally adjacent bake and chill plates on different planes |
| US7282675B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-10-16 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with a temperature controlled surface |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| WO2006069256A2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit |
| KR100637717B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
| US20080028360A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Picciotto Carl E | Methods and systems for performing lithography, methods for aligning objects relative to one another, and nanoimprinting molds having non-marking alignment features |
| US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
| US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
| US20080203083A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Wirth Paul Z | Single wafer anneal processor |
| JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP5128918B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
| US7798487B2 (en) * | 2008-06-27 | 2010-09-21 | Eastman Kodak Company | Print plate handling system |
| JP5306908B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送モジュール |
| US8847122B2 (en) * | 2009-06-08 | 2014-09-30 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for transferring substrate |
| US8936994B2 (en) * | 2011-04-28 | 2015-01-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method of processing a substrate in a lithography system |
| CN102402133B (zh) * | 2011-11-12 | 2013-09-18 | 哈尔滨工业大学 | 基于并联机构的双工件台同相位回转交换方法与装置 |
| CN103199032A (zh) * | 2012-01-04 | 2013-07-10 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种集束式结构的涂胶显影设备 |
| US9281251B2 (en) * | 2013-08-09 | 2016-03-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate backside texturing |
| CN105789085B (zh) * | 2014-12-24 | 2018-08-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种兼容多种工艺硅片的物料传输系统 |
| JP2024068862A (ja) * | 2022-11-09 | 2024-05-21 | 株式会社レゾナック | 基板ホルダ、基板保持方法、及び成膜装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US762888A (en) * | 1904-01-15 | 1904-06-21 | Augustin Decker | Label-cabinet. |
| US2165122A (en) * | 1938-02-08 | 1939-07-04 | Ray S Ashbery | Cabinet |
| FR922144A (fr) * | 1945-12-17 | 1947-05-30 | Dispositif pour le classement de fiches rectangulaires | |
| US3854605A (en) * | 1974-02-25 | 1974-12-17 | Ibm | Article conveying |
| GB1590089A (en) * | 1977-10-20 | 1981-05-28 | Tool Production & Design Co Lt | Workpiece feed mechanism |
| NL8201532A (nl) * | 1982-04-13 | 1983-11-01 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het controleren van de aanwezigheid respectievelijk afwezigheid van een voorwerp op het uiteinde van een vacuuem-opnemer. |
| AU548550B2 (en) * | 1983-03-01 | 1985-12-19 | Dart Industries Inc. | Extensible workpiece manipulator |
| US4971515A (en) * | 1985-06-03 | 1990-11-20 | Roberts Corporation | Apparatus for moving individual sheets from a stack of sheets |
| US4786569A (en) * | 1985-09-04 | 1988-11-22 | Ciba-Geigy Corporation | Adhesively bonded photostructurable polyimide film |
| JPS636857A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハ移し替え装置 |
| US4808059A (en) * | 1986-07-15 | 1989-02-28 | Peak Systems, Inc. | Apparatus and method for transferring workpieces |
| FR2605834B1 (fr) * | 1986-11-05 | 1989-01-06 | Pellenc & Motte | Machine robotisee, notamment pour la recolte de fruits |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| US4842683A (en) * | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| US5193972A (en) * | 1987-02-09 | 1993-03-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Wafer handling system |
| US5202716A (en) * | 1988-02-12 | 1993-04-13 | Tokyo Electron Limited | Resist process system |
| KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
| US5061144A (en) * | 1988-11-30 | 1991-10-29 | Tokyo Electron Limited | Resist process apparatus |
| EP0408216A3 (en) * | 1989-07-11 | 1991-09-18 | Hitachi, Ltd. | Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same |
| JP2905857B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
| US5037676A (en) * | 1989-12-27 | 1991-08-06 | Xerox Corporation | Method and apparatus for cleaning, coating and curing receptor substrates in an enclosed planetary array |
| CA2017719C (en) * | 1990-05-29 | 1999-01-19 | Zarlink Semiconductor Inc. | Moisture-free sog process |
| JP2704309B2 (ja) * | 1990-06-12 | 1998-01-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板の熱処理方法 |
| JPH0810686B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1996-01-31 | 株式会社東芝 | 半導体基板エッチング処理装置 |
| US5180276A (en) * | 1991-04-18 | 1993-01-19 | Brooks Automation, Inc. | Articulated arm transfer device |
| US5171393A (en) * | 1991-07-29 | 1992-12-15 | Moffat William A | Wafer processing apparatus |
| JP2867194B2 (ja) * | 1992-02-05 | 1999-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
1994
- 1994-06-15 EP EP94201723A patent/EP0634699A1/en not_active Withdrawn
- 1994-06-15 DE DE0634699T patent/DE634699T1/de active Pending
- 1994-07-16 KR KR1019940017257A patent/KR950004376A/ko not_active Ceased
- 1994-07-18 JP JP6165361A patent/JPH07169678A/ja active Pending
-
1995
- 1995-03-29 US US08/412,650 patent/US5651823A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034870A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008034869A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008072140A (ja) * | 2007-11-21 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008103762A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015159296A (ja) * | 2011-06-15 | 2015-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5651823A (en) | 1997-07-29 |
| EP0634699A1 (en) | 1995-01-18 |
| KR950004376A (ko) | 1995-02-17 |
| DE634699T1 (de) | 1996-02-15 |
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