JPH07169720A - Dicing machine - Google Patents
Dicing machineInfo
- Publication number
- JPH07169720A JPH07169720A JP34301493A JP34301493A JPH07169720A JP H07169720 A JPH07169720 A JP H07169720A JP 34301493 A JP34301493 A JP 34301493A JP 34301493 A JP34301493 A JP 34301493A JP H07169720 A JPH07169720 A JP H07169720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- blade
- moving table
- cutting
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハを移動テーブルから取り外すことなく
ブレードの目立てを行うことができるダイシング装置を
提供すること。
【構成】 ウエハ10を搭載して所定の位置に移動させ
るための移動テーブル2と、移動テーブル2上に搭載さ
れたウエハ10をストリートに沿って切断するためのブ
レード3と、ブレード3の目立てを行うための目立て手
段とを備えたダイシング装置1で、目立て手段として、
移動テーブル2と隣接して設けられこの移動テーブル2
と連動する保持台21と、保持台21上に搭載される目
立て用基板22とから構成するダイシング装置1でもあ
る。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a dicing device capable of sharpening a blade without removing a wafer from a moving table. [Structure] A moving table 2 for mounting a wafer 10 and moving it to a predetermined position, a blade 3 for cutting the wafer 10 mounted on the moving table 2 along a street, and a sharpening of the blade 3. In the dicing device 1 provided with a setting means for performing, as the setting means,
This moving table 2 is provided adjacent to the moving table 2.
It is also a dicing apparatus 1 including a holding table 21 that interlocks with the table 21 and a dressing substrate 22 mounted on the holding table 21.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハをストリートに
沿って切断してチップ状に分割するダイシング装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing apparatus for cutting a wafer along a street and dividing it into chips.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、種々の薄膜
形成等を行ってウエハ上に半導体素子を複数形成した
後、ダイシング装置を用いてこのウエハを切断してチッ
プ状に分割するダイシング工程を行っている。ダイシン
グ装置は、主としてウエハを載置した状態で所定の位置
へ移動する移動テーブルと、ウエハをストリートに沿っ
て切断するためのブレードとを備えており、例えばブレ
ードを回転させた状態で移動テーブルを所定方向に移動
させることでウエハの切断処理を行う。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, various thin films are formed to form a plurality of semiconductor elements on a wafer, and then a dicing device is used to cut the wafer to divide it into chips. Is going. The dicing device is mainly provided with a moving table that moves to a predetermined position with the wafer placed thereon, and a blade for cutting the wafer along the streets. For example, the moving table can be used while rotating the blade. The wafer is cut by moving it in a predetermined direction.
【0003】ダイシング装置に使用されるブレードは、
例えばダイアモンド砥石にて構成されており、厚さ10
μm〜30μm程度の円板状に形成されたものである。
このブレードを回転させながらウエハに接触させること
でウエハを所定の大きさに切断している。The blade used in the dicing machine is
For example, it is composed of a diamond grindstone and has a thickness of 10
It is formed in a disk shape of about 30 μm to 30 μm.
The wafer is cut into a predetermined size by contacting the wafer while rotating this blade.
【0004】近年では、チップ内素子の高密度化が図ら
れるようになり、ダイシング工程においてウエハを途中
まで切断するいわゆるセミフルカットダイシングでは対
応しにくい状況となり、ウエハを完全に切断するいわゆ
るフルカットダイシングが一般的な切断方法となってい
る。図4は従来例を説明する図で、(a)はダイシング
状態を示す断面図、(b)は切断溝を示す平面図であ
る。In recent years, the density of elements in a chip has been increased, and it is difficult to deal with so-called semi-full-cut dicing which cuts the wafer halfway in the dicing process, and so-called full-cut dicing which completely cuts the wafer. Is a common cutting method. 4A and 4B are views for explaining a conventional example, FIG. 4A is a sectional view showing a dicing state, and FIG. 4B is a plan view showing cutting grooves.
【0005】図4(a)では、回転するブレード3を用
いてウエハ10を完全に切断するいわゆるフルカットダ
イシングを行った状態を示している。ダイシングした
際、分割されたチップが分離しないようウエハ10は接
着剤12aを介して樹脂製のテープ12に接着されてお
り、この状態で移動テーブル2に載置されている。そし
て、ブレード3を回転させながらウエハ10に接触させ
るとともに、移動テーブル2を所定方向に移動してウエ
ハ10とブレード3との相対的な位置を変えてウエハ1
0を順次切断していく。この切断による切断溝10aを
格子状に形成することでウエハ10を四角形のチップに
分割する。FIG. 4A shows a state in which the so-called full-cut dicing for completely cutting the wafer 10 by using the rotating blade 3 is performed. The wafer 10 is adhered to the resin tape 12 via the adhesive 12a so as not to separate the divided chips when dicing, and is placed on the moving table 2 in this state. Then, the blade 3 is brought into contact with the wafer 10 while rotating, and the moving table 2 is moved in a predetermined direction to change the relative position between the wafer 10 and the blade 3 so that the wafer 1
0 is cut off sequentially. The wafer 10 is divided into square chips by forming the cutting grooves 10a by this cutting in a grid pattern.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
ダイシング工程においてウエハをいわゆるフルカットダ
イシングする場合、図4(a)に示すようにウエハ10
を接着保持するテープ12の途中まで切り込む必要があ
る。このためブレード3がテープ12の中程まで入り込
むことになり、ブレード3の表面にテープ12の接着剤
12aが付着して目づまりを起こすことになる。ブレー
ド3が目づまりを起こすとウエハ10の切断能力が著し
く低下し、図4(b)に示すようなチッピング10bが
発生する。チッピング10bはウエハ10の切断溝10
aに発生するいわゆる欠けであり、特にブレード3の目
づまりが激しい場合にはチッピング10bが大きくなっ
て、ウエハ10の割れやブレード3自体の破損を招くこ
とになる。However, when the wafer is subjected to so-called full cut dicing in such a dicing process, as shown in FIG.
It is necessary to cut the tape 12 for adhesively holding the tape halfway. For this reason, the blade 3 enters the middle of the tape 12, and the adhesive 12a of the tape 12 adheres to the surface of the blade 3 to cause clogging. If the blade 3 is clogged, the cutting ability of the wafer 10 is significantly reduced, and chipping 10b as shown in FIG. 4B occurs. The chipping 10b is the cutting groove 10 of the wafer 10.
This is a so-called chipping that occurs in a, and especially when the blade 3 is heavily clogged, the chipping 10b becomes large, leading to cracking of the wafer 10 and damage to the blade 3 itself.
【0007】このため、ブレード3の目づまりが発生し
た段階でダイシング装置の稼働を一旦停止してブレード
3の目立てを行う必要がある。ブレード3の目立ては、
例えば、ミラーウエハ等の目立て用基板を切断すること
でそのブレード3の再生を施しているため、移動テーブ
ル2にこの目立て用基板を搭載する必要があり、通常の
ダイシングとは異なる切断処理を行わなければならな
い。Therefore, when the blade 3 is clogged, it is necessary to temporarily stop the operation of the dicing device to dress the blade 3. The sharpening of the blade 3 is
For example, since the blade 3 is regenerated by cutting a dressing substrate such as a mirror wafer, it is necessary to mount the dressing substrate on the moving table 2, and a cutting process different from normal dicing is performed. There must be.
【0008】また、一枚のウエハ10の切断途中でブレ
ード3の目づまりが発生した場合には、切断途中のウエ
ハ10を一旦移動テーブル2から外してそこに目立て用
基板を載置しなければならず、再び切断途中のウエハ1
0を移動テーブル2に載置しても、途中まで分割された
ウエハ10の位置合わせを行うのは非常に困難である。
よって、本発明は切断対象となるウエハを移動テーブル
から取り外すことなくブレードの目立てを行うことがで
きるダイシング装置を提供することを目的とする。When the blade 3 is clogged during the cutting of one wafer 10, the wafer 10 under cutting must be temporarily removed from the moving table 2 and the dressing substrate must be placed there. No, wafer 1 being cut again
Even if 0 is placed on the moving table 2, it is very difficult to align the wafers 10 that are divided halfway.
Therefore, an object of the present invention is to provide a dicing device that can sharpen a blade without removing a wafer to be cut from a moving table.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたダイシング装置である。すな
わち、このダイシング装置は、ウエハに形成されたスト
リートに沿ってウエハを切断するダイシング装置であ
り、ウエハを搭載して所定の位置に移動させるための移
動テーブルと、移動テーブル上に搭載されたウエハをス
トリートに沿って切断するためのブレードと、ブレード
の目立てを行うための目立て手段とを備えた構成となっ
ている。また、目立て手段として、移動テーブルと隣接
して設けられこの移動テーブルと連動する保持台と、保
持台上に搭載される目立て用基板とから構成するダイシ
ング装置でもある。The present invention is a dicing apparatus made to solve such problems. That is, this dicing device is a dicing device that cuts a wafer along the streets formed on the wafer, and includes a moving table for mounting the wafer and moving it to a predetermined position, and a wafer mounted on the moving table. And a blade for cutting the blade along the street and a sharpening means for sharpening the blade. Further, it is also a dicing apparatus which is constituted by a holding table provided adjacent to the moving table and interlocking with the moving table as the setting means, and a setting substrate mounted on the holding table.
【0010】[0010]
【作用】本発明のダイシング装置は、移動テーブルとブ
レードの他にブレードの目立てを行うための目立て手段
を備えているため、移動テーブルから切断対象のウエハ
を外すことなく目立てを行うことができるようになる。
また、目立て手段を構成する保持台を移動テーブルと隣
接して設け、移動テーブルの移動と連動させることによ
り移動機構を共有できるようになる。しかも、ウエハの
切断途中において、移動テーブルのわずかな移動だけで
目立てのための処理を行うことができるようになる。Since the dicing apparatus of the present invention is provided with the moving table and the blade as well as the sharpening means for sharpening the blade, it is possible to perform the sharpening without removing the wafer to be cut from the moving table. become.
Further, the holding mechanism forming the dressing means is provided adjacent to the moving table, and the moving mechanism can be shared by interlocking with the movement of the moving table. In addition, during the cutting of the wafer, the setting process can be performed by only slightly moving the moving table.
【0011】[0011]
【実施例】以下に、本発明のダイシング装置の実施例を
図に基づいて説明する。図1は本発明のダイシング装置
を説明する図で、(a)は外観斜視図、(b)は作業部
内の模式図、また図2は移動テーブルを説明する平面図
である。図1(a)に示すように、このダイシング装置
1は、切断対象となるウエハ10をカセット11に収納
し、このカセット11を所定位置に載置した状態でウエ
ハ10を取り出して作業部1a内に導きウエハ10の切
断処理を行うものである。Embodiments of the dicing apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are views for explaining a dicing apparatus of the present invention, FIG. 1A is an external perspective view, FIG. 1B is a schematic view of a working unit, and FIG. 2 is a plan view illustrating a moving table. As shown in FIG. 1A, the dicing apparatus 1 stores a wafer 10 to be cut in a cassette 11 and takes out the wafer 10 with the cassette 11 placed at a predetermined position to remove the wafer 10 in the working unit 1a. Then, the wafer 10 is cut.
【0012】図1(b)に示すように、作業部1a内に
は主としてウエハ10を載置し所定の位置へ移動させる
ための移動テーブル2と、ウエハ10を切断するための
ブレード3とが備えられ、さらに移動テーブル2と隣接
する保持台21および保持台21上に載置される目立て
用基板22とが設けられている。また、カセット11か
ら所定位置のウエハ10を作業部1a内に導くための供
給カセットエレベータ4、ウエハ10のプリアライメン
トステージ5、ウエハ10の乾燥等を行うためのスピン
ナ部6、およびウエハ10の搬送のための搬送アーム7
も設けられている。As shown in FIG. 1B, a moving table 2 for placing the wafer 10 and moving it to a predetermined position, and a blade 3 for cutting the wafer 10 are mainly provided in the working unit 1a. The movable table 2 is provided with a holding table 21 adjacent to the moving table 2 and a dressing substrate 22 placed on the holding table 21. Further, a supply cassette elevator 4 for guiding the wafer 10 at a predetermined position from the cassette 11 into the working unit 1a, a pre-alignment stage 5 for the wafer 10, a spinner unit 6 for drying the wafer 10, and the transfer of the wafer 10. Transport arm 7 for
Is also provided.
【0013】図2に示すように、このダイシング装置1
の移動テーブル2には、目立て用基板22を載置するた
めの保持台21が隣接した状態で設けられており、図示
しない移動機構によって移動する移動テーブル2と連動
して保持台21も移動できるようになっている。As shown in FIG. 2, this dicing apparatus 1
The moving table 2 is provided with a holding table 21 for placing the setting board 22 adjacent thereto, and the holding table 21 can also be moved in association with the moving table 2 which is moved by a moving mechanism (not shown). It is like this.
【0014】次に、このダイシング装置1を用いたウエ
ハ10の切断処理を説明する。先ず、図1に示すように
切断対象となるウエハ10をカセット11に収納し、供
給カセットエレベータ4上に搭載する。図2に示すよう
に、カセット11に収納されるウエハ10は、フレーム
13にて引っ張られたテープ12上に接着剤を介して接
着保持された状態となっており、このフレーム13とと
もにカセット11内に収納される。Next, the cutting process of the wafer 10 using the dicing apparatus 1 will be described. First, as shown in FIG. 1, the wafer 10 to be cut is stored in the cassette 11 and mounted on the supply cassette elevator 4. As shown in FIG. 2, the wafer 10 accommodated in the cassette 11 is in a state of being adhered and held on the tape 12 pulled by the frame 13 via an adhesive agent, and together with the frame 13, the inside of the cassette 11 is held. Is stored in.
【0015】次に、供給カセットエレベータ4を駆動し
てカセット11の高さを制御し、図示しない搬送ベルト
等を用いて所定のウエハ10をプリアライメントステー
ジ5まで搬送する。すなわち、図1(b)で示すAの位
置からBの位置へウエハ10を搬送する。このプリアラ
イメントステージ5にてウエハ10の粗位置合わせを行
った後、搬送アーム7を用いてウエハ10を図1(b)
で示すCの位置にある移動テーブル2上に配置し、ここ
で正確なアライメントを行う。Next, the supply cassette elevator 4 is driven to control the height of the cassette 11, and a predetermined wafer 10 is transferred to the pre-alignment stage 5 by using a transfer belt or the like (not shown). That is, the wafer 10 is transferred from the position A shown in FIG. 1B to the position B. After the rough alignment of the wafer 10 is performed on the pre-alignment stage 5, the transfer arm 7 is used to move the wafer 10 to the position shown in FIG.
It is arranged on the moving table 2 at the position of C, and accurate alignment is performed here.
【0016】次に、移動テーブル2を図1(b)で示す
Dの位置まで移動し、図示しない画像処理装置を用いて
ウエハ10上のストリートを自動検出する。そして、こ
の検出結果に基づき例えば移動テーブル2の位置を制御
して、ブレード3とストリートとの相対位置を合わせ
る。この状態でモータ31の駆動によりブレード3を回
転させ、ブレード3とウエハ10とを接触させながら移
動テーブル2をX方向に移動することで、ウエハ10を
ストリートに沿って切断していく。Next, the moving table 2 is moved to the position D shown in FIG. 1B, and the street on the wafer 10 is automatically detected by using an image processing apparatus (not shown). Then, based on this detection result, for example, the position of the moving table 2 is controlled to match the relative positions of the blade 3 and the street. In this state, the motor 3 is driven to rotate the blade 3, and the moving table 2 is moved in the X direction while bringing the blade 3 and the wafer 10 into contact with each other, thereby cutting the wafer 10 along the streets.
【0017】また、隣のストリートを切断する場合に
は、ブレード3をY方向に所定量移動し、その位置でブ
レード3とウエハ10とを接触させて切断していく。そ
して、一方向のストリートの切断が完了した後、移動テ
ーブル2をθ方向に90°回転させ、切断したストリー
トと直交する方向のストリートを切断する。When cutting an adjacent street, the blade 3 is moved in the Y direction by a predetermined amount, and the blade 3 and the wafer 10 are brought into contact with each other at that position to cut. Then, after the cutting of the street in one direction is completed, the moving table 2 is rotated by 90 ° in the θ direction, and the street in the direction orthogonal to the cut street is cut.
【0018】このようにして切断は所定のピッチで格子
状に行われる。切断が終了した後、移動テーブル2を図
1(b)で示すDの位置からCの位置まで移動させ、ウ
エハ10をCの位置からEの位置に搬送する。Eの位置
はスピンナ部6であり、このスピンナ部6にてウエハ1
0を回転させることによりウエハ10の洗浄およびスピ
ン乾燥を行う。スピン乾燥を行った後、搬送アーム7に
てウエハ10をスピンナ部6から図1(b)で示すBの
位置まで搬送し、さらにAの位置まで搬送して切断処理
が成されたウエハ10をカセット11内に戻す。In this way, the cutting is performed in a grid pattern at a predetermined pitch. After the cutting is completed, the moving table 2 is moved from the position D to the position C shown in FIG. 1B, and the wafer 10 is transferred from the position C to the position E. The position of E is the spinner unit 6, and the wafer 1
The wafer 10 is washed and spin-dried by rotating 0. After spin drying, the transfer arm 7 transfers the wafer 10 from the spinner unit 6 to the position B shown in FIG. 1B, and further to the position A to cut the wafer 10. Put it back in the cassette 11.
【0019】次に、このような一連の切断処理工程の間
に、ブレード3の目づまりが発生した場合の目立て方法
を説明する。先ず、ブレード3の目づまりが発生したか
どうかを判断するには、例えば、ウエハ10のストリー
トを検出した際に用いた画像処理装置を使用する。すな
わち、ブレード3によるウエハ10の切断途中において
ストリートに沿って形成された切断溝10a(図4
(b)参照)の映像を画像処理装置にて取り込む。そし
て、この取り込み画像による検出結果に基づきチッピン
グ10b(図4(b)参照)の大きさを判定して目立て
が必要か否かの判断を行う。Next, a description will be given of a dressing method when the blade 3 is clogged during such a series of cutting processing steps. First, in order to determine whether or not the blade 3 is clogged, for example, the image processing apparatus used when the street of the wafer 10 is detected is used. That is, the cutting groove 10a formed along the street during the cutting of the wafer 10 by the blade 3 (see FIG. 4).
The image of (b)) is captured by the image processing apparatus. Then, the size of the chipping 10b (see FIG. 4B) is determined based on the detection result of the captured image to determine whether the dressing is necessary.
【0020】目立てが必要であると判断した場合には、
移動テーブル2をわずかに移動させ隣接する保持台21
上に搭載された目立て用基板22とブレード3との相対
位置が合うようにする。そして、例えばミラーウエハか
ら成る目立て用基板22を切断することでブレード3の
目立てを行う。目立てのための切断は、例えば0.3m
m程度のピッチで行えばよい。なお、目立て用基板22
が移動テーブル2と隣接して配置されているため、目立
ての際に移動テーブル2からウエハ10を取り外す必要
はない。また一枚のウエハ10の切断途中であっても必
要に応じて目立てを行うことができる。When it is judged that the sharpening is necessary,
The movable table 2 is slightly moved to adjoin the holding table 21.
The relative position of the dressing substrate 22 mounted on the blade and the blade 3 is adjusted. Then, the blade 3 is dressed by cutting the dressing substrate 22 made of, for example, a mirror wafer. Cutting for sharpening is, for example, 0.3 m
The pitch may be about m. In addition, the setting board 22
Is arranged adjacent to the moving table 2, it is not necessary to remove the wafer 10 from the moving table 2 for dressing. Moreover, even if the wafer 10 is being cut, dressing can be performed as needed.
【0021】ブレード3の目立てを行った後は、例えば
非接触式のセンサー32を用いてブレード3の高さ検出
を行い、所定の調整を行ってブレード3の先端高さが常
に一定となるようにしておく。これによってブレード3
の目づまりが解消され、ウエハ10の確実な切断を続行
することができるようになる。After the blade 3 is sharpened, the height of the blade 3 is detected by using, for example, a non-contact sensor 32, and a predetermined adjustment is performed so that the height of the tip of the blade 3 is always constant. Leave. Blade 3
The clogging of the wafer 10 is eliminated, and the reliable cutting of the wafer 10 can be continued.
【0022】先に説明したように、ブレード3の目立て
は目立て用基板22を例えば0.3mm程度のピッチで
切断することで行っている。このような細かいピッチの
切断で済むことにより、目立て用基板22としては必ず
しも大きなものを用いる必要はなく、例えば3〜4イン
チ程度のミラーウエハを用いれば足りる。As described above, the blade 3 is dressed by cutting the dressing substrate 22 at a pitch of, for example, about 0.3 mm. Since such cutting with a fine pitch is sufficient, it is not always necessary to use a large dressing substrate 22, and for example, a mirror wafer of about 3 to 4 inches is sufficient.
【0023】また、図3は、この目立て用基板22を搭
載するための保持台21の構造を説明する部分断面図で
ある。すなわち、この保持台21には吸引孔21aが設
けられており、吸引孔21aから空気を引き込むことで
目立て用基板22を保持台21上に吸着できるようにな
っている。このため、吸引孔21aからの空気の引き込
みの有無によって目立て用基板22の着脱が自在とな
り、目立て用基板22の交換作業が容易となる。FIG. 3 is a partial sectional view for explaining the structure of the holder 21 for mounting the dressing substrate 22. That is, the holding table 21 is provided with a suction hole 21a, and the dressing substrate 22 can be sucked onto the holding table 21 by drawing air from the suction hole 21a. Therefore, the setting substrate 22 can be freely attached and detached depending on whether or not air is drawn in from the suction holes 21a, which facilitates the replacement work of the setting substrate 22.
【0024】なお、本実施例においては保持台21を移
動テーブル2に隣接して設け、移動テーブル2と連動さ
せる例を説明したが、本発明はこれに限定されず移動テ
ーブル2と保持台21とが独立して移動できるものであ
ってもよい。In this embodiment, the holding table 21 is provided adjacent to the moving table 2 and interlocks with the moving table 2. However, the present invention is not limited to this, and the moving table 2 and the holding table 21 are not limited thereto. And may be independently movable.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のダイシン
グ装置によれば次のような効果がある。すなわち、ウエ
ハの切断途中でブレードに目づまりが発生した場合であ
っても移動テーブルからウエハを取り外すことなくブレ
ードの目立てを行うことが可能となる。しかも、一枚の
ウエハの切断途中であってもブレードの目立てを行うこ
とができるようになる。このため、ウエハ切断の一連の
処理の中で必要に応じて目立てを行うことが可能とな
り、ダイシング工程における生産性向上を図ることが可
能となる。As described above, the dicing apparatus of the present invention has the following effects. That is, even if the blade is clogged during the cutting of the wafer, the blade can be sharpened without removing the wafer from the moving table. Moreover, the blade can be sharpened even during the cutting of one wafer. For this reason, dressing can be performed as needed during a series of wafer cutting processes, and productivity in the dicing process can be improved.
【図1】本発明を説明する図で、(a)は外観斜視図、
(b)は作業部内の模式図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the present invention, in which (a) is an external perspective view,
(B) is a schematic diagram in a working part.
【図2】移動テーブルを説明する平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating a moving table.
【図3】保持台を説明する部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view illustrating a holding table.
【図4】従来例を説明する図で、(a)はダイシング状
態を示す断面図、(b)は切断溝を示す平面図である。4A and 4B are views for explaining a conventional example, FIG. 4A is a sectional view showing a dicing state, and FIG. 4B is a plan view showing a cutting groove.
1 ダイシング装置 1a 作業部 2 移動テーブル 3 ブレード 10 ウエハ 11 カセット 21 保持台 22 目立て用基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dicing device 1a Working part 2 Moving table 3 Blade 10 Wafer 11 Cassette 21 Holding stand 22 Substrate for dressing
Claims (2)
該ウエハを切断するダイシング装置であって、 前記ウエハを搭載して所定の位置に移動させるための移
動テーブルと、 前記移動テーブル上に搭載されたウエハを前記ストリー
トに沿って切断するためのブレードと、 前記ブレードの目立てを行うための目立て手段とを備え
ていることを特徴とするダイシング装置。1. A dicing device for cutting a wafer along a street formed on the wafer, the moving table being for mounting the wafer and moving the wafer to a predetermined position, and being mounted on the moving table. A dicing apparatus comprising: a blade for cutting the wafer along the streets; and a sharpening means for sharpening the blade.
隣接して設けられ該移動テーブルと連動する保持台と、 前記保持台上に搭載される目立て用基板とから成ること
を特徴とする請求項1記載のダイシング装置。2. The setting means includes a holding table provided adjacent to the moving table and interlocking with the moving table, and a setting board mounted on the holding table. 1. The dicing device according to 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301493A JPH07169720A (en) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | Dicing machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301493A JPH07169720A (en) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | Dicing machine |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169720A true JPH07169720A (en) | 1995-07-04 |
Family
ID=18358276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34301493A Pending JPH07169720A (en) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | Dicing machine |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169720A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111426A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing equipment |
| US7763525B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-07-27 | Denso Corporation | Method for positioning dicing line of wafer |
| JP2011009324A (en) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dress board holding table and cutting device |
| JP2012222075A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device |
| JP2014069277A (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
| JP2014087878A (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Nihon Univ | Electric discharge machine |
| JP2014205223A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | Cutting device |
| JP2016181540A (en) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 株式会社ディスコ | Workpiece cutting method |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP34301493A patent/JPH07169720A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111426A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing equipment |
| US7763525B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-07-27 | Denso Corporation | Method for positioning dicing line of wafer |
| JP2011009324A (en) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dress board holding table and cutting device |
| JP2012222075A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device |
| JP2014069277A (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
| JP2014087878A (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Nihon Univ | Electric discharge machine |
| JP2014205223A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | Cutting device |
| JP2016181540A (en) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 株式会社ディスコ | Workpiece cutting method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6332833B1 (en) | Method for fabricating silicon semiconductor discrete wafer | |
| US7462094B2 (en) | Wafer grinding method | |
| JP5064102B2 (en) | Substrate grinding method and grinding apparatus | |
| JP6608694B2 (en) | Wafer processing method | |
| EP0039209A1 (en) | Machine for grinding thin plates such as semiconductor wafers | |
| KR20080103982A (en) | Wafer processing method | |
| JP2002343756A (en) | Wafer flat surface processing equipment | |
| JP2003168655A (en) | Dicing apparatus | |
| JP2009164414A (en) | Wafer polishing method and polishing apparatus | |
| JP6633954B2 (en) | Wafer chamfering method | |
| JPH07169720A (en) | Dicing machine | |
| JP4916995B2 (en) | Wafer cleaning device and grinding device | |
| US20020052169A1 (en) | Systems and methods to significantly reduce the grinding marks in surface grinding of semiconductor wafers | |
| JP2009072851A (en) | Grinding method for plate | |
| JP2008155292A (en) | Substrate processing method and processing apparatus | |
| JP5335245B2 (en) | Wafer grinding method and grinding apparatus | |
| JP2003007649A (en) | Semiconductor wafer splitting method | |
| JP2010021330A (en) | Method of processing wafer | |
| JP4615664B2 (en) | Semiconductor wafer | |
| JP3275299B2 (en) | Dicing apparatus and dressing method for cutting blade | |
| JP4590064B2 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
| JP7765900B2 (en) | Cutting device and cutting method | |
| JP2007165802A (en) | Substrate grinding apparatus and grinding method | |
| US20010023082A1 (en) | Grind and single wafer etch process to remove metallic contamination in silicon wafers | |
| JP5264525B2 (en) | Grinding equipment |