JPH07169746A - 低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置 - Google Patents
低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置Info
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- JPH07169746A JPH07169746A JP5342496A JP34249693A JPH07169746A JP H07169746 A JPH07169746 A JP H07169746A JP 5342496 A JP5342496 A JP 5342496A JP 34249693 A JP34249693 A JP 34249693A JP H07169746 A JPH07169746 A JP H07169746A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 次世代あるいは次々世代の半導体素子の製造
やマイクロマシニングに有効な微細加工技術を実現する
ため、高密度、低エネルギーで指向性の高い中性粒子線
を発生させ、この中性粒子線と反応性ガスとの相乗効果
により微細加工を可能とする微細加工装置を提供する。 【構成】 高密度プラズマを生成するプラズマ室１と、
プラズマ室１から低エネルギーのイオンビームを引き出
す電極４と、反応性ガスを供給しイオンビームと接触さ
せて電荷交換を行い中和する中和室５と、中和室５で生
成された中性粒子線を被加工物に導く電極７とを備え
た。
やマイクロマシニングに有効な微細加工技術を実現する
ため、高密度、低エネルギーで指向性の高い中性粒子線
を発生させ、この中性粒子線と反応性ガスとの相乗効果
により微細加工を可能とする微細加工装置を提供する。 【構成】 高密度プラズマを生成するプラズマ室１と、
プラズマ室１から低エネルギーのイオンビームを引き出
す電極４と、反応性ガスを供給しイオンビームと接触さ
せて電荷交換を行い中和する中和室５と、中和室５で生
成された中性粒子線を被加工物に導く電極７とを備え
た。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は半導体素子の製造やマイ
クロマシニングに適用される微細加工技術において、低
エネルギーの中性粒子線を用いた微細加工装置に係わ
り、被加工物に低エネルギーの中性粒子線とハロゲン系
の反応性ガスを同時に照射することにより被加工物のダ
メージを低減し、かつ線幅が、例えば０．３μm 以下の
微細加工を精密に行うための微細加工装置に関するもの
である。
クロマシニングに適用される微細加工技術において、低
エネルギーの中性粒子線を用いた微細加工装置に係わ
り、被加工物に低エネルギーの中性粒子線とハロゲン系
の反応性ガスを同時に照射することにより被加工物のダ
メージを低減し、かつ線幅が、例えば０．３μm 以下の
微細加工を精密に行うための微細加工装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】現在では半導体素子などの微細加工にお
いては、一般に、プラズマやイオン等の荷電粒子を用い
たドライエッチングが主流となっている。このドライエ
ッチング技術の進歩と相まって、半導体素子の集積度も
増し、回路寸法もより微細なものが要求されるようにな
ってきた。この要求に対して、従来から用いられてきた
プラズマや荷電粒子によるドライエッチングの方法で
は、次に挙げるような問題点が指摘されはじめている。
第一には荷電粒子の持つ電荷が被加工物表面に帯電をも
たらし、その結果、後続の荷電粒子の軌道が曲げられ、
精度の高い加工ができなくなることである。
いては、一般に、プラズマやイオン等の荷電粒子を用い
たドライエッチングが主流となっている。このドライエ
ッチング技術の進歩と相まって、半導体素子の集積度も
増し、回路寸法もより微細なものが要求されるようにな
ってきた。この要求に対して、従来から用いられてきた
プラズマや荷電粒子によるドライエッチングの方法で
は、次に挙げるような問題点が指摘されはじめている。
第一には荷電粒子の持つ電荷が被加工物表面に帯電をも
たらし、その結果、後続の荷電粒子の軌道が曲げられ、
精度の高い加工ができなくなることである。
【０００３】第二には横方向の微細化に伴い酸化膜のよ
うな絶縁層の厚さも薄くなり、そのため荷電粒子の電荷
による表面の帯電によって絶縁層の破壊が起こり易くな
ることである。
うな絶縁層の厚さも薄くなり、そのため荷電粒子の電荷
による表面の帯電によって絶縁層の破壊が起こり易くな
ることである。
【０００４】第三には高エネルギーの荷電粒子によって
被加工物表面がダメージを受けることである。これらは
素子の集積度の向上を妨げる重大な問題となっている。
被加工物表面がダメージを受けることである。これらは
素子の集積度の向上を妨げる重大な問題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
るため各種多様な方法が試みられているが、微細加工に
電荷を持った荷電粒子を用いる限り根本的な解決手段に
はならない。そうした背景をもとに、近年、中性粒子を
用いた微細加工が検討され始めている。たとえば加熱し
た気体分子をノズルから噴出させることにより中性粒子
線を形成する方法がある。しかし、この方法においては
気体分子を加熱するため炉材料と気体分子の反応が大き
な問題となることや、大口径化が困難であることなどの
問題点がある。
るため各種多様な方法が試みられているが、微細加工に
電荷を持った荷電粒子を用いる限り根本的な解決手段に
はならない。そうした背景をもとに、近年、中性粒子を
用いた微細加工が検討され始めている。たとえば加熱し
た気体分子をノズルから噴出させることにより中性粒子
線を形成する方法がある。しかし、この方法においては
気体分子を加熱するため炉材料と気体分子の反応が大き
な問題となることや、大口径化が困難であることなどの
問題点がある。
【０００６】さらに最近、マイクロ波と磁場との共鳴を
利用したＥＣＲ放電を用いた中性粒子発生源の報告もな
されているが、ＥＣＲ放電では高い磁場強度を必要とす
るため装置が大型になること、また均一なプラズマを発
生させるためには複数の磁場を配置するなどの工夫が必
要であり、装置が複雑化するなどの問題点がある。また
従来のＥＣＲ装置ではプラズマ中の電離度が高いため、
中性粒子とともにイオンも放出されることや放出される
中性粒子の方向が揃っていないなどの問題もある。
利用したＥＣＲ放電を用いた中性粒子発生源の報告もな
されているが、ＥＣＲ放電では高い磁場強度を必要とす
るため装置が大型になること、また均一なプラズマを発
生させるためには複数の磁場を配置するなどの工夫が必
要であり、装置が複雑化するなどの問題点がある。また
従来のＥＣＲ装置ではプラズマ中の電離度が高いため、
中性粒子とともにイオンも放出されることや放出される
中性粒子の方向が揃っていないなどの問題もある。
【０００７】本発明は上記従来技術の問題点を解決し、
次世代あるいは次々世代の半導体素子の製造やマイクロ
マシニングに有効な微細加工技術を実現するため、高密
度、低エネルギーで指向性の高い中性粒子線を発生さ
せ、この中性粒子線と反応性ガスとの相乗効果により微
細加工を可能とする微細加工装置を提供することを目的
とするものである。
次世代あるいは次々世代の半導体素子の製造やマイクロ
マシニングに有効な微細加工技術を実現するため、高密
度、低エネルギーで指向性の高い中性粒子線を発生さ
せ、この中性粒子線と反応性ガスとの相乗効果により微
細加工を可能とする微細加工装置を提供することを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、高密度プラズマを生成するプラズマ室と、該プラ
ズマ室から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極
と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと接触させて
電荷交換を行い中和する中和室と、該中和室で生成され
た中性粒子線を被加工物に導く電極とを備えたことを特
徴とするものである。
ため、高密度プラズマを生成するプラズマ室と、該プラ
ズマ室から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極
と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと接触させて
電荷交換を行い中和する中和室と、該中和室で生成され
た中性粒子線を被加工物に導く電極とを備えたことを特
徴とするものである。
【０００９】
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、放電に
より生じた高密度プラズマからイオン成分のみを効果的
に引き出し、中和させて運動方向の揃った中性粒子線を
形成し、この中性粒子線とハロゲン系の反応性ガスとの
相乗効果によって微細加工を実現する。
より生じた高密度プラズマからイオン成分のみを効果的
に引き出し、中和させて運動方向の揃った中性粒子線を
形成し、この中性粒子線とハロゲン系の反応性ガスとの
相乗効果によって微細加工を実現する。
【００１０】中性粒子線発生源は、高密度のプラズマを
発生させる手段と、そのプラズマ内からイオンを引き出
し電気的に中和させ、中性粒子線を発生させる手段によ
って構成される。上記構成において、高密度プラズマの
発生はプラズマ室において、熱フィラメント放電、ホロ
ーカソード放電、ＬａＢ6 陰極放電、高周波放電、ある
いはマイクロ波放電等を用いて行うことができる。
発生させる手段と、そのプラズマ内からイオンを引き出
し電気的に中和させ、中性粒子線を発生させる手段によ
って構成される。上記構成において、高密度プラズマの
発生はプラズマ室において、熱フィラメント放電、ホロ
ーカソード放電、ＬａＢ6 陰極放電、高周波放電、ある
いはマイクロ波放電等を用いて行うことができる。
【００１１】これらの方法によって生成されたプラズマ
の空間電位は数十Ｖ程度である。またプラズマ室には放
電用のガスが供給できるようにガス導入口が設けられて
いる。プラズマ室の出口にはプラズマを遮蔽するための
遮蔽電極、プラズマ中からイオンビームを引き出すため
の引き出し電極、引き出されたイオンを中和するための
中和室、さらに中和された中性粒子線の運動方向を揃え
るための調整電極が設置される。引き出し電極と調整電
極の間にはハロゲン系の反応性ガスが供給できる構造と
なっている。
の空間電位は数十Ｖ程度である。またプラズマ室には放
電用のガスが供給できるようにガス導入口が設けられて
いる。プラズマ室の出口にはプラズマを遮蔽するための
遮蔽電極、プラズマ中からイオンビームを引き出すため
の引き出し電極、引き出されたイオンを中和するための
中和室、さらに中和された中性粒子線の運動方向を揃え
るための調整電極が設置される。引き出し電極と調整電
極の間にはハロゲン系の反応性ガスが供給できる構造と
なっている。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る低エネルギー中性粒子線
を用いた微細加工装置の一実施例を図１乃至図４を参照
して説明する。図１は微細加工装置の全体構成を示す図
であり、図１において、符号１はプラズマ室であり、プ
ラズマ室１にはガス導入口２が開口している。ガス導入
口２は流量制御バルブ１３を介して放電用のガスボンベ
１５に接続されている。
を用いた微細加工装置の一実施例を図１乃至図４を参照
して説明する。図１は微細加工装置の全体構成を示す図
であり、図１において、符号１はプラズマ室であり、プ
ラズマ室１にはガス導入口２が開口している。ガス導入
口２は流量制御バルブ１３を介して放電用のガスボンベ
１５に接続されている。
【００１３】また、符号３は遮蔽電極であり、この遮蔽
電極３に隣接して引き出し電極４が設置され、更に引き
出し電極４に隣接して調整電極７が設置されている。
電極３に隣接して引き出し電極４が設置され、更に引き
出し電極４に隣接して調整電極７が設置されている。
【００１４】図３（図３（ａ）は正面図、図３（ｂ）は
側面図）は、遮蔽電極３及び引き出し電極４の構造を示
す図であり、本実施例では直径Ｄ＝２００ｍｍ、厚さｔ
＝０．５ｍｍの円板形の電極であり、無数の細孔が形成
されている。図４（図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は
側面図）は、調整電極７の構造を示す図であり、本実施
例では直径Ｄ＝２００ｍｍ、厚さｔ＝１ｍｍの円板形の
電極であり、無数の細孔が形成されている。そして、引
き出し電極４と調整電極７との間に中和室５が形成され
ており、この中和室５には反応性ガス導入口６が開口し
ている。反応性ガス導入口６は流量制御バルブ１４を介
して反応性ガスボンベ１６に接続されている。
側面図）は、遮蔽電極３及び引き出し電極４の構造を示
す図であり、本実施例では直径Ｄ＝２００ｍｍ、厚さｔ
＝０．５ｍｍの円板形の電極であり、無数の細孔が形成
されている。図４（図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は
側面図）は、調整電極７の構造を示す図であり、本実施
例では直径Ｄ＝２００ｍｍ、厚さｔ＝１ｍｍの円板形の
電極であり、無数の細孔が形成されている。そして、引
き出し電極４と調整電極７との間に中和室５が形成され
ており、この中和室５には反応性ガス導入口６が開口し
ている。反応性ガス導入口６は流量制御バルブ１４を介
して反応性ガスボンベ１６に接続されている。
【００１５】真空容器１７内には試料台８が設置されて
おり、この試料台８上には被加工物１０を試料台８に密
着させるための静電チャック９が設置されている。また
試料台８内は温度制御回路を内蔵した冷媒循環装置１１
に連通されており、試料台８は常温から−２００℃程度
まで冷却可能になっており、被加工物１０の温度は上記
温度範囲内で一定温度に保たれるようになっている。ま
た試料台８は、被加工物１０に中性粒子線が均一に照射
されるようにモータ１２により一定速度で回転できる構
造になっている。
おり、この試料台８上には被加工物１０を試料台８に密
着させるための静電チャック９が設置されている。また
試料台８内は温度制御回路を内蔵した冷媒循環装置１１
に連通されており、試料台８は常温から−２００℃程度
まで冷却可能になっており、被加工物１０の温度は上記
温度範囲内で一定温度に保たれるようになっている。ま
た試料台８は、被加工物１０に中性粒子線が均一に照射
されるようにモータ１２により一定速度で回転できる構
造になっている。
【００１６】図２は遮蔽電極３、引き出し電極４及び調
整電極７の配置関係及び電位関係を示す図である。図２
において、符号１８はケーシングであり、ケーシング１
８は接地されている。またケーシング１８の内壁には絶
縁材１９が配設されている。引き出し電極４は引き出し
電極用電源２０に接続されている。
整電極７の配置関係及び電位関係を示す図である。図２
において、符号１８はケーシングであり、ケーシング１
８は接地されている。またケーシング１８の内壁には絶
縁材１９が配設されている。引き出し電極４は引き出し
電極用電源２０に接続されている。
【００１７】次に前述のように構成された微細加工装置
の動作を説明する。放電用ガスボンベ１５よりプラズマ
室１に流量制御バルブ１３を介して放電用ガスが供給さ
れ、前述のプラズマ発生方法のいずれかによって高密度
のプラズマが生成される。この場合、プラズマ室１に供
給するガスはハロゲン系の反応性ガス、あるいはＡｒガ
スのような不活性ガスなどである。
の動作を説明する。放電用ガスボンベ１５よりプラズマ
室１に流量制御バルブ１３を介して放電用ガスが供給さ
れ、前述のプラズマ発生方法のいずれかによって高密度
のプラズマが生成される。この場合、プラズマ室１に供
給するガスはハロゲン系の反応性ガス、あるいはＡｒガ
スのような不活性ガスなどである。
【００１８】高密度のプラズマが生成されると、遮蔽電
極３はプラズマに接触するため、電気的には浮いた状態
となる。この時プラズマに接する遮蔽電極３の表面には
イオンシースが形成され、プラズマは引き出し電極４よ
り遮蔽される。同時に引き出し電極４には負の電圧が印
加され、遮蔽されたプラズマからイオン成分のみが引き
出される。このとき、イオン成分はプラズマの持つ空間
電位と、引き出し電極４に印加された負の電位差のエネ
ルギーまで加速され、運動方向の揃ったイオンビームと
なって中和室５に入射する。この場合、引き出し電極４
に印加する電圧を変えると、イオンビームのエネルギー
を変化させることができる。
極３はプラズマに接触するため、電気的には浮いた状態
となる。この時プラズマに接する遮蔽電極３の表面には
イオンシースが形成され、プラズマは引き出し電極４よ
り遮蔽される。同時に引き出し電極４には負の電圧が印
加され、遮蔽されたプラズマからイオン成分のみが引き
出される。このとき、イオン成分はプラズマの持つ空間
電位と、引き出し電極４に印加された負の電位差のエネ
ルギーまで加速され、運動方向の揃ったイオンビームと
なって中和室５に入射する。この場合、引き出し電極４
に印加する電圧を変えると、イオンビームのエネルギー
を変化させることができる。
【００１９】中和室５に入射したイオンビームは、反応
性ガス導入口６より流量制御バルブ１４を介して反応性
ガスボンベ１６より供給される反応性ガスと衝突し、電
荷を交換して運動エネルギーは保ったまま中性粒子線と
なる。この中性粒子線は接地電位に保たれた調整電極７
を通過する際に方向が選別され、直進方向成分を持った
もののみ中性粒子線源より放出される。
性ガス導入口６より流量制御バルブ１４を介して反応性
ガスボンベ１６より供給される反応性ガスと衝突し、電
荷を交換して運動エネルギーは保ったまま中性粒子線と
なる。この中性粒子線は接地電位に保たれた調整電極７
を通過する際に方向が選別され、直進方向成分を持った
もののみ中性粒子線源より放出される。
【００２０】このようにして低エネルギーでかつ指向性
の良い中性粒子線が得られる。また、このとき電荷交換
を行った反応性ガスは熱運動速度程度のイオンとなる
が、調整電極７の近傍の２次電子等と再結合し、中性ガ
ス、あるいはラジカルとなる。これらの反応性ガスは中
性粒子線源外部に設置された、試料台８上の冷却された
被加工物１０の表面に到達し、表面吸着反応を起こして
反応生成物を形成する。この反応は弱い化学反応である
ため、形成された反応生成物は被加工物表面よりほとん
ど脱離できないが、このとき同時に前述の運動エネルギ
ーを持った中性粒子線が被加工物１０に照射されるた
め、これによる衝撃によって反応生成物が表面より脱離
してゆく。このように中性ガス、ラジカルと冷却された
表面との吸着反応及びそれに続く中性粒子線の表面衝撃
が繰り返し起こりエッチングが進行する。
の良い中性粒子線が得られる。また、このとき電荷交換
を行った反応性ガスは熱運動速度程度のイオンとなる
が、調整電極７の近傍の２次電子等と再結合し、中性ガ
ス、あるいはラジカルとなる。これらの反応性ガスは中
性粒子線源外部に設置された、試料台８上の冷却された
被加工物１０の表面に到達し、表面吸着反応を起こして
反応生成物を形成する。この反応は弱い化学反応である
ため、形成された反応生成物は被加工物表面よりほとん
ど脱離できないが、このとき同時に前述の運動エネルギ
ーを持った中性粒子線が被加工物１０に照射されるた
め、これによる衝撃によって反応生成物が表面より脱離
してゆく。このように中性ガス、ラジカルと冷却された
表面との吸着反応及びそれに続く中性粒子線の表面衝撃
が繰り返し起こりエッチングが進行する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
密度のプラズマ源より低エネルギーのイオンビームを引
き出し、中和室において反応性ガスを供給することによ
ってイオンビームを中和し、低エネルギーで運動方向の
揃った中性粒子線を効果的に生成し、かつ供給した反応
性ガスを被加工物表面に積極的に吸着させることと、運
動エネルギーを持った中性粒子線による表面衝撃との相
乗効果によってエッチングを進行させることができる。
密度のプラズマ源より低エネルギーのイオンビームを引
き出し、中和室において反応性ガスを供給することによ
ってイオンビームを中和し、低エネルギーで運動方向の
揃った中性粒子線を効果的に生成し、かつ供給した反応
性ガスを被加工物表面に積極的に吸着させることと、運
動エネルギーを持った中性粒子線による表面衝撃との相
乗効果によってエッチングを進行させることができる。
【００２２】この方法においては、エッチングの進行
は、中性粒子の衝撃によって支援されるものであるた
め、被加工物表面での帯電を防止することができる。そ
のためプラズマや荷電粒子を用いた場合に生ずる形状異
常、絶縁破壊といった問題点が克服され、微細加工が実
現できる。また中性粒子線のエネルギーは１００ｅＶ程
度以下に制御できるため、被加工物に及ぼすダメージも
低減できる。
は、中性粒子の衝撃によって支援されるものであるた
め、被加工物表面での帯電を防止することができる。そ
のためプラズマや荷電粒子を用いた場合に生ずる形状異
常、絶縁破壊といった問題点が克服され、微細加工が実
現できる。また中性粒子線のエネルギーは１００ｅＶ程
度以下に制御できるため、被加工物に及ぼすダメージも
低減できる。
【図１】本発明に係る低エネルギー中性粒子線を用いた
微細加工装置の一実施例を示す概略断面図である。
微細加工装置の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】遮蔽電極及び引き出し電極の詳細図である。
【図４】調整電極の詳細図である。
１ プラズマ室 ２ 反応性ガス導入口 ３ 遮蔽電極 ４ 引き出し電極 ５ 中和室 ６ 反応性ガス導入口 ７ 調整電極 ８ 試料台 ９ 静電チャック １０ 被加工物 １１ 冷媒循環装置 １３ 放電用ガスボンベ １６ 反応性ガスボンベ １７ 真空容器 ２０ 引き出し電極用電源
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、高密度プラズマを生成するプラズマ室と、該プラ
ズマ室から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極
と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと接触させて
電荷交換を行い中和する中和室と、中和された中性粒子
線の運動方向を揃えるための調整電極とを備えたことを
特徴とするものである。
ため、高密度プラズマを生成するプラズマ室と、該プラ
ズマ室から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極
と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと接触させて
電荷交換を行い中和する中和室と、中和された中性粒子
線の運動方向を揃えるための調整電極とを備えたことを
特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】これらの方法によって生成されたプラズマ
の空間電位は数十Ｖ程度である。またプラズマ室には放
電用のガスが供給できるようにガス導入口が設けられて
いる。プラズマ室の出口にはプラズマを遮蔽するための
遮蔽電極、プラズマ中からイオンビームを引き出すため
の引き出し電極、引き出されたイオンを中和するための
中和室、さらに中和された中性粒子線の運動方向を揃え
るための調整電極が設置される。引き出し電極と調整電
極の間にはハロゲン系の反応性ガス及び／又は不活性ガ
スが供給できる構造となっている。
の空間電位は数十Ｖ程度である。またプラズマ室には放
電用のガスが供給できるようにガス導入口が設けられて
いる。プラズマ室の出口にはプラズマを遮蔽するための
遮蔽電極、プラズマ中からイオンビームを引き出すため
の引き出し電極、引き出されたイオンを中和するための
中和室、さらに中和された中性粒子線の運動方向を揃え
るための調整電極が設置される。引き出し電極と調整電
極の間にはハロゲン系の反応性ガス及び／又は不活性ガ
スが供給できる構造となっている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 3/02 9014−2Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 高密度プラズマを生成するプラズマ室
と、該プラズマ室から低エネルギーのイオンビームを引
き出す電極と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと
接触させて電荷交換を行い中和する中和室と、該中和室
で生成された中性粒子線を被加工物に導く電極とを備え
たことを特徴とする低エネルギー中性粒子線を用いた微
細加工装置。 - 【請求項２】 前記反応性ガスはハロゲン系のガスから
なることを特徴とする請求項１記載の微細加工装置。 - 【請求項３】 前記ハロゲン系の反応性ガスを被加工物
に吸着させるため、被加工物の温度を低温度に制御でき
る設備を備えたことを特徴とする請求項２記載の微細加
工装置。 - 【請求項４】 前記ハロゲン系の反応性ガスの表面吸着
反応と同時に、低エネルギーの中性粒子線による援助効
果によってエッチングを進行させ、微細加工を行うこと
を特徴とする請求項２記載の微細加工装置。
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|---|---|---|---|
| JP5342496A JPH07169746A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置 |
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| KR1019940034055A KR950021167A (ko) | 1993-12-14 | 1994-12-14 | 저에너지 중성입자빔을 이용한 미세처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342496A JPH07169746A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07169746A true JPH07169746A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18354203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5342496A Pending JPH07169746A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置 |
Country Status (3)
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Also Published As
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|---|---|
| EP0658917A3 (en) | 1995-06-28 |
| KR950021167A (ko) | 1995-07-26 |
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