JPH07169871A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07169871A JPH07169871A JP5312956A JP31295693A JPH07169871A JP H07169871 A JPH07169871 A JP H07169871A JP 5312956 A JP5312956 A JP 5312956A JP 31295693 A JP31295693 A JP 31295693A JP H07169871 A JPH07169871 A JP H07169871A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント基板に高い信頼性をもって実装す
る。 【構成】 半導体素子２と、半導体素子２を保持すると
ともに半導体素子２の電極２ａに接続された複数の電極
４に対して電気的接続が成された外部電極端子５を有す
る絶縁性基体から成る半導体キャリア３とを備えた半導
体装置１において、適当な外部電極端子５の各々を１つ
の電極端子を構成した状態で複数の電極片５ａに分割し
た。又は、適当な外部電極端子の周りに補強用パッドを
設ける。又は、半導体キャリアの外周部に、半導体素子
と電気的接続がなされていない補強用パッドを設ける。
又は、半導体キャリアを、半導体素子と接続された複数
の電極を有する部分と複数の外部電極端子を有する部分
を異なる材質で構成する。
る。 【構成】 半導体素子２と、半導体素子２を保持すると
ともに半導体素子２の電極２ａに接続された複数の電極
４に対して電気的接続が成された外部電極端子５を有す
る絶縁性基体から成る半導体キャリア３とを備えた半導
体装置１において、適当な外部電極端子５の各々を１つ
の電極端子を構成した状態で複数の電極片５ａに分割し
た。又は、適当な外部電極端子の周りに補強用パッドを
設ける。又は、半導体キャリアの外周部に、半導体素子
と電気的接続がなされていない補強用パッドを設ける。
又は、半導体キャリアを、半導体素子と接続された複数
の電極を有する部分と複数の外部電極端子を有する部分
を異なる材質で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子をプリント
基板に高密度・高信頼性で実装することを可能とする半
導体装置、特に半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置に関す
るものである。
基板に高密度・高信頼性で実装することを可能とする半
導体装置、特に半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の上記半導体装置について、図８、
図９を参照しながら説明する。図８において、半導体装
置２１は、半導体素子２２を絶縁性基体から成る半導体
キャリア２３上に配置して構成されている。半導体キャ
リア２３の上面には半導体素子２２の電極２２ａに半田
若しくは導電性接着剤で接続された複数の電極２４が配
設され、底面には格子状に配置された外部電極端子２５
が配設され、かつこれら電極２４と外部電極端子２５は
電気的接続が成されている。また、半導体素子２２と半
導体キャリア２３との間の隙間および半導体素子２２の
周辺部がエポキシ系樹脂２６にて充填被覆されている。
外部電極端子２５の端面には半田バンプ２７が形成され
ている。
図９を参照しながら説明する。図８において、半導体装
置２１は、半導体素子２２を絶縁性基体から成る半導体
キャリア２３上に配置して構成されている。半導体キャ
リア２３の上面には半導体素子２２の電極２２ａに半田
若しくは導電性接着剤で接続された複数の電極２４が配
設され、底面には格子状に配置された外部電極端子２５
が配設され、かつこれら電極２４と外部電極端子２５は
電気的接続が成されている。また、半導体素子２２と半
導体キャリア２３との間の隙間および半導体素子２２の
周辺部がエポキシ系樹脂２６にて充填被覆されている。
外部電極端子２５の端面には半田バンプ２７が形成され
ている。
【０００３】なお、図８において、２８は半導体装置２
１を実装するプリント基板であり、半導体装置２１の実
装位置に外部電極端子２５に対応して格子状に電極パッ
ド２９が設けられている。そして、図９に示すように、
半導体装置２１の外部電極端子２５がプリント基板２８
の電極パッド２９に合致するように半導体装置２１をプ
リント基板２８上に積載して加熱することにより、半田
バンプ２７が溶融して外部電極端子２５と電極パッド２
７が接合される。なお、図９において、３０は電極２４
と外部電極端子２５を電気的に接続する導電性ペースト
である。
１を実装するプリント基板であり、半導体装置２１の実
装位置に外部電極端子２５に対応して格子状に電極パッ
ド２９が設けられている。そして、図９に示すように、
半導体装置２１の外部電極端子２５がプリント基板２８
の電極パッド２９に合致するように半導体装置２１をプ
リント基板２８上に積載して加熱することにより、半田
バンプ２７が溶融して外部電極端子２５と電極パッド２
７が接合される。なお、図９において、３０は電極２４
と外部電極端子２５を電気的に接続する導電性ペースト
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
構成の半導体装置２１において、半導体素子２２をフリ
ップチップ工法で実装する際の容易さから半導体キャリ
ア２３はセラミック材料で構成されていることが多く、
一方プリント基板２８はガラスエポキシ樹脂等の樹脂材
料から成る場合が多いため、この半導体装置２１をプリ
ント基板２８に実装した後、半導体キャリア２３とプリ
ント基板２８との熱膨張係数の違いにより剪断応力を受
け、図１０（ａ）に示すように半田バンプ２７にクラッ
クを生じたり、図１０（ｂ）に示すように外部電極端子
２５が剥がれたりし、信頼性の高い接合が得られないと
いう問題があった。特に、図１１にハッチングを施して
示したように、半導体キャリア２３の外周部に位置する
外部電極端子２５においてはその傾向が顕著である。
構成の半導体装置２１において、半導体素子２２をフリ
ップチップ工法で実装する際の容易さから半導体キャリ
ア２３はセラミック材料で構成されていることが多く、
一方プリント基板２８はガラスエポキシ樹脂等の樹脂材
料から成る場合が多いため、この半導体装置２１をプリ
ント基板２８に実装した後、半導体キャリア２３とプリ
ント基板２８との熱膨張係数の違いにより剪断応力を受
け、図１０（ａ）に示すように半田バンプ２７にクラッ
クを生じたり、図１０（ｂ）に示すように外部電極端子
２５が剥がれたりし、信頼性の高い接合が得られないと
いう問題があった。特に、図１１にハッチングを施して
示したように、半導体キャリア２３の外周部に位置する
外部電極端子２５においてはその傾向が顕著である。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、プリ
ント基板に高い信頼性をもって実装できる半導体装置を
提供することを目的としている。
ント基板に高い信頼性をもって実装できる半導体装置を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明の半導体
装置は、半導体素子と、半導体素子を保持するとともに
半導体素子の電極に接続された複数の電極に対して電気
的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基体から
成る半導体キャリアとを備えた半導体装置において、適
当な外部電極端子の各々を１つの電極端子を構成した状
態で複数に分割したことを特徴とする。
装置は、半導体素子と、半導体素子を保持するとともに
半導体素子の電極に接続された複数の電極に対して電気
的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基体から
成る半導体キャリアとを備えた半導体装置において、適
当な外部電極端子の各々を１つの電極端子を構成した状
態で複数に分割したことを特徴とする。
【０００７】また、第２発明の半導体装置は、適当な外
部電極端子の周りに補強用パッドを設けたことを特徴と
する。
部電極端子の周りに補強用パッドを設けたことを特徴と
する。
【０００８】また、第３発明の半導体装置は、半導体キ
ャリアの外周部に、半導体素子と電気的接続がなされて
いない補強用パッドを設けたことを特徴とする。
ャリアの外周部に、半導体素子と電気的接続がなされて
いない補強用パッドを設けたことを特徴とする。
【０００９】また、第４発明の半導体装置は、半導体キ
ャリアが、半導体素子と接続された複数の電極を有する
部分と複数の外部電極端子を有する部分が異なる材質で
構成されていることを特徴とする。
ャリアが、半導体素子と接続された複数の電極を有する
部分と複数の外部電極端子を有する部分が異なる材質で
構成されていることを特徴とする。
【００１０】また、好適には第２〜第４発明の半導体装
置において第１発明のように適当な外部電極端子が複数
に分割される。
置において第１発明のように適当な外部電極端子が複数
に分割される。
【００１１】
【作用】第１発明によれば、外部電極端子を分割された
電極で構成することにより、外部電極端子と半田バンプ
との接合面積が増加して半田バンプにクラックが入り難
くなるとともに、外部電極端子の全体が剥がれることも
なくなり、信頼性の高い接合効果を得ることができる。
電極で構成することにより、外部電極端子と半田バンプ
との接合面積が増加して半田バンプにクラックが入り難
くなるとともに、外部電極端子の全体が剥がれることも
なくなり、信頼性の高い接合効果を得ることができる。
【００１２】また第２発明によれば、外部電極端子の周
りに設けた補強用パッドにて外部電極端子に作用する剪
断応力を軽減でき、実装後の接続信頼性を高めることが
できる。
りに設けた補強用パッドにて外部電極端子に作用する剪
断応力を軽減でき、実装後の接続信頼性を高めることが
できる。
【００１３】また第３発明によれば、最大剪断応力が作
用する半導体キャリアの外周部に補強用パッドを設ける
ことによりその剪断応力の一部がこの補強用パッドで受
けられ、外部電極端子に作用する剪断応力が軽減される
ため、実装後の接続信頼性を高めることができる。
用する半導体キャリアの外周部に補強用パッドを設ける
ことによりその剪断応力の一部がこの補強用パッドで受
けられ、外部電極端子に作用する剪断応力が軽減される
ため、実装後の接続信頼性を高めることができる。
【００１４】また第４発明によれば、半導体キャリアを
半導体素子側の面と外部電極端子側の面とで異なった材
質とすることにより、例えば半導体素子側の面は半導体
素子をフリップチップ工法で実装し易いセラミック材料
とし、外部電極端子側の面はプリント基板と同じ材質、
例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料とすることで、半導体
素子の実装信頼性を確保しながら熱膨張係数の違いによ
り生じる剪断応力を低減でき、実装後の接続信頼性を高
めることができる。
半導体素子側の面と外部電極端子側の面とで異なった材
質とすることにより、例えば半導体素子側の面は半導体
素子をフリップチップ工法で実装し易いセラミック材料
とし、外部電極端子側の面はプリント基板と同じ材質、
例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料とすることで、半導体
素子の実装信頼性を確保しながら熱膨張係数の違いによ
り生じる剪断応力を低減でき、実装後の接続信頼性を高
めることができる。
【００１５】さらに、第２〜第４発明の半導体装置にお
いて第１発明のように適当な外部電極端子が複数に分割
すると、一層接続信頼性を高めることができる。
いて第１発明のように適当な外部電極端子が複数に分割
すると、一層接続信頼性を高めることができる。
【００１６】
【実施例】本発明の第１実施例について、図１〜図３を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１７】図１において、１は半導体装置で、半導体
素子２が絶縁性基体から成る半導体キャリア３上に配置
されている。半導体キャリア３の上面には半導体素子２
の電極２ａに半田若しくは導電性接着剤で接続された複
数の電極４が配設され、底面には格子状に配置された外
部電極端子５が配設され、かつこれら電極４と外部電極
端子５は電気的接続が成されている。さらに、外部電極
端子５は直径方向の分割溝にて複数の電極片５ａに分割
されている。この外部電極端子５の分割は、図１の例で
は２分割しているが、図３（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、４分割や８分割等、任意に分割することができる。
また、これら複数の電極片５ａにて１つの外部電極端子
５を構成しており、図２に示すように、各電極片５ａは
電極４と外部電極端子５を電気的に接続する導電性ペー
スト１０に接続されている。また、半導体素子２と半導
体キャリア３との間の隙間および半導体素子２の周辺部
がエポキシ系樹脂６にて充填被覆されている。外部電極
端子５上には半田バンプ７が形成されている。
素子２が絶縁性基体から成る半導体キャリア３上に配置
されている。半導体キャリア３の上面には半導体素子２
の電極２ａに半田若しくは導電性接着剤で接続された複
数の電極４が配設され、底面には格子状に配置された外
部電極端子５が配設され、かつこれら電極４と外部電極
端子５は電気的接続が成されている。さらに、外部電極
端子５は直径方向の分割溝にて複数の電極片５ａに分割
されている。この外部電極端子５の分割は、図１の例で
は２分割しているが、図３（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、４分割や８分割等、任意に分割することができる。
また、これら複数の電極片５ａにて１つの外部電極端子
５を構成しており、図２に示すように、各電極片５ａは
電極４と外部電極端子５を電気的に接続する導電性ペー
スト１０に接続されている。また、半導体素子２と半導
体キャリア３との間の隙間および半導体素子２の周辺部
がエポキシ系樹脂６にて充填被覆されている。外部電極
端子５上には半田バンプ７が形成されている。
【００１８】図２において、８は半導体装置１を実装す
るプリント基板であり、半導体装置１の実装位置に外部
電極端子５に対応して格子状に電極パッド９が設けられ
ており、半導体装置１の外部電極端子５がプリント基板
８の電極パッド９に合致するように半導体装置１をプリ
ント基板８上に積載して加熱することにより、半田バン
プ７が溶融して外部電極端子５と電極パッド９が接合さ
れる。
るプリント基板であり、半導体装置１の実装位置に外部
電極端子５に対応して格子状に電極パッド９が設けられ
ており、半導体装置１の外部電極端子５がプリント基板
８の電極パッド９に合致するように半導体装置１をプリ
ント基板８上に積載して加熱することにより、半田バン
プ７が溶融して外部電極端子５と電極パッド９が接合さ
れる。
【００１９】この実施例によれば、外部電極端子５を分
割したことにより、この外部電極端子５と半田バンプ７
との接合面積が大幅に増加してそれらの接合強度が大き
くなり、半田バンプ７にクラックが入り難くなるととも
に、外部電極端子５の全体が剥がれることもなくなり、
半導体キャリア３とプリント基板８を強固に高い信頼性
を持って接合することができる。
割したことにより、この外部電極端子５と半田バンプ７
との接合面積が大幅に増加してそれらの接合強度が大き
くなり、半田バンプ７にクラックが入り難くなるととも
に、外部電極端子５の全体が剥がれることもなくなり、
半導体キャリア３とプリント基板８を強固に高い信頼性
を持って接合することができる。
【００２０】次に、本発明の第２実施例を図４、図５を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００２１】この実施例では、図４に示すように外部電
極端子５の周りに半導体素子２と電気的導通を持たない
補強用パッド１１が形成されている。そして、図４
（ａ）に示すように、半田バンプ７は外部電極端子５と
補強用パッド１１を含めた部分に接合されており、その
接合面積が増大している。したがって、接合強度が増大
するとともに、仮に剪断応力によって補強用パッド１１
が破壊されても、半導体素子２と電気的接続を取るため
の外部電極端子５には影響を与えないので接続信頼性が
確保される。
極端子５の周りに半導体素子２と電気的導通を持たない
補強用パッド１１が形成されている。そして、図４
（ａ）に示すように、半田バンプ７は外部電極端子５と
補強用パッド１１を含めた部分に接合されており、その
接合面積が増大している。したがって、接合強度が増大
するとともに、仮に剪断応力によって補強用パッド１１
が破壊されても、半導体素子２と電気的接続を取るため
の外部電極端子５には影響を与えないので接続信頼性が
確保される。
【００２２】なお、補強用パッド１１は、図４の例では
１重であるが、図５に示すように、外部電極端子５の周
りに２重以上設けてもよい。また、補強用パッド１１
は、外部電極端子５に生じる剪断応力を軽減し、半田バ
ンプ７との接触面積を増やすことが目的であるので、導
電性ペースト１０と接触した構造としてもよい。さら
に、この実施例においてその外部電極端子５を第１実施
例のように分割構造にすることにより一層接続信頼性を
高めることができる。
１重であるが、図５に示すように、外部電極端子５の周
りに２重以上設けてもよい。また、補強用パッド１１
は、外部電極端子５に生じる剪断応力を軽減し、半田バ
ンプ７との接触面積を増やすことが目的であるので、導
電性ペースト１０と接触した構造としてもよい。さら
に、この実施例においてその外部電極端子５を第１実施
例のように分割構造にすることにより一層接続信頼性を
高めることができる。
【００２３】次に、本発明の第３実施例を図６を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２４】この実施例では最大剪断応力を受ける半導
体キャリア３の外周部に、半導体素子２とは電気的接続
を持たない補強用パッド１２が形成されている。この補
強用パッド１２をプリント基板８に半田バンプ７にて接
合することにより半導体キャリア３をプリント基板８に
強固に接続することができ、接続信頼性を高めることが
できる。さらに、この実施例においてその外部電極端子
５を第１実施例のように分割構造にすることにより一層
接続信頼性を高めることができる。
体キャリア３の外周部に、半導体素子２とは電気的接続
を持たない補強用パッド１２が形成されている。この補
強用パッド１２をプリント基板８に半田バンプ７にて接
合することにより半導体キャリア３をプリント基板８に
強固に接続することができ、接続信頼性を高めることが
できる。さらに、この実施例においてその外部電極端子
５を第１実施例のように分割構造にすることにより一層
接続信頼性を高めることができる。
【００２５】次に、本発明の第４実施例を図７を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２６】この実施例では、半導体キャリア３の半導
体素子２が接続される半導体素子側部分１３ａを、フリ
ップチップ工法により容易に半導体素子２を実装できる
ようにセラミック材料で、外部電極端子５が設けられる
外部電極端子側部分１３ｂをプリント基板８と同じガラ
スエポキシ樹脂等の樹脂材料で構成され、両部分１３
ａ、１３ｂは接着剤を介して接合されている。この半導
体装置１を図７（ｂ）に示すようにプリント基板８に実
装した後は、外部電極側部分１３ｂとプリント基板８の
材質が同一であるため、熱膨張係数の違いによる剪断応
力が半田バンプ７に作用し難く、信頼性の高い接合が行
われる。さらに、この実施例においてその外部電極端子
５を第１実施例のように分割構造にすることにより一層
接続信頼性を高めることができる。
体素子２が接続される半導体素子側部分１３ａを、フリ
ップチップ工法により容易に半導体素子２を実装できる
ようにセラミック材料で、外部電極端子５が設けられる
外部電極端子側部分１３ｂをプリント基板８と同じガラ
スエポキシ樹脂等の樹脂材料で構成され、両部分１３
ａ、１３ｂは接着剤を介して接合されている。この半導
体装置１を図７（ｂ）に示すようにプリント基板８に実
装した後は、外部電極側部分１３ｂとプリント基板８の
材質が同一であるため、熱膨張係数の違いによる剪断応
力が半田バンプ７に作用し難く、信頼性の高い接合が行
われる。さらに、この実施例においてその外部電極端子
５を第１実施例のように分割構造にすることにより一層
接続信頼性を高めることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、第１発
明によれば、外部電極端子を分割された電極で構成する
ことにより、外部電極端子と半田バンプとの接合面積が
増加し、信頼性の高い接合効果を得ることができる。
明によれば、外部電極端子を分割された電極で構成する
ことにより、外部電極端子と半田バンプとの接合面積が
増加し、信頼性の高い接合効果を得ることができる。
【００２８】また第２発明によれば、外部電極端子の周
りに設けた補強用パッドにて外部電極端子に作用する剪
断応力を軽減でき、実装後の接続信頼性を高めることが
できる。
りに設けた補強用パッドにて外部電極端子に作用する剪
断応力を軽減でき、実装後の接続信頼性を高めることが
できる。
【００２９】また第３発明によれば、最大剪断応力が作
用する半導体キャリアの外周部に補強用パッドを設ける
ことによりその剪断応力の一部がこの補強用パッドで受
けられ、外部電極端子に作用する剪断応力が軽減される
ため、実装後の接続信頼性を高めることができる。
用する半導体キャリアの外周部に補強用パッドを設ける
ことによりその剪断応力の一部がこの補強用パッドで受
けられ、外部電極端子に作用する剪断応力が軽減される
ため、実装後の接続信頼性を高めることができる。
【００３０】また第４発明によれば、半導体キャリアを
半導体素子側の面と外部電極端子側の面とで異なった材
質とし、例えば半導体素子側部分をセラミック材料と
し、外部電極端子側部分をプリント基板と同じ材質とす
ることで、半導体素子の実装信頼性を確保しながら熱膨
張係数の違いにより生じる剪断応力を低減でき、実装後
の接続信頼性を高めることができる。
半導体素子側の面と外部電極端子側の面とで異なった材
質とし、例えば半導体素子側部分をセラミック材料と
し、外部電極端子側部分をプリント基板と同じ材質とす
ることで、半導体素子の実装信頼性を確保しながら熱膨
張係数の違いにより生じる剪断応力を低減でき、実装後
の接続信頼性を高めることができる。
【００３１】さらに、第２〜第４発明の半導体装置にお
いて第１発明のように適当な外部電極端子が複数に分割
すると、一層接続信頼性を高めることができる。
いて第１発明のように適当な外部電極端子が複数に分割
すると、一層接続信頼性を高めることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体装置を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図２】同実施例における半導体装置をプリント基板に
実装した状態の要部の断面図である。
実装した状態の要部の断面図である。
【図３】同実施例における外部電極端子の他の構造例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例における半導体装置を示
し、（ａ）はプリント基板に実装した状態の要部の断面
図、（ｂ）は外部電極端子の斜視図である。
し、（ａ）はプリント基板に実装した状態の要部の断面
図、（ｂ）は外部電極端子の斜視図である。
【図５】同実施例における外部電極端子の他の構造例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施例における半導体装置の斜
視図である。
視図である。
【図７】本発明の第４の実施例における半導体装置を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）はプリント基板に実装した
状態の正面図である。
し、（ａ）は正面図、（ｂ）はプリント基板に実装した
状態の正面図である。
【図８】従来例の半導体装置を示し、（ａ）は半導体装
置とプリント基板の正面図、（ｂ）は半導体装置を斜め
下方から見た斜視図である。
置とプリント基板の正面図、（ｂ）は半導体装置を斜め
下方から見た斜視図である。
【図９】従来例の半導体装置をプリント基板に実装した
状態を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は要部の断面図で
ある。
状態を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は要部の断面図で
ある。
【図１０】従来例における問題点を説明する要部の断面
図である。
図である。
【図１１】半導体装置の最大剪断応力が作用する部分の
説明図である。
説明図である。
１ 半導体装置 ２ 半導体素子 ２ａ 電極 ３ 半導体キャリア ４ 電極 ５ 外部電極端子 ５ａ 電極片 １１ 補強用パッド １２ 補強用パッド １３ａ 半導体素子側部分 １３ｂ 外部電極端子側部分
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置におい
て、適当な外部電極端子の各々を１つの電極端子を構成
した状態で複数に分割したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置におい
て、適当な外部電極端子の周りに補強用パッドを設けた
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置におい
て、半導体キャリアの外周部に、半導体素子と電気的接
続がなされていない補強用パッドを設けたことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子と、半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て電気的接続が成された外部電極端子を有する絶縁性基
体から成る半導体キャリアとを備えた半導体装置におい
て、半導体キャリアが、半導体素子と接続された複数の
電極を有する部分と複数の外部電極端子を有する部分が
異なる材質で構成されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項５】 適当な外部電極端子の各々を１つの電極
端子を構成した状態で複数に分割したことを特徴とする
請求項２、３又は４記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312956A JPH07169871A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312956A JPH07169871A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169871A true JPH07169871A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18035511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5312956A Pending JPH07169871A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169871A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000026215A (ko) * | 1998-10-19 | 2000-05-15 | 김영환 | 반도체 버틈 리드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2006269466A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント回路基板およびその製造方法 |
| KR100752028B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-08-28 | 삼성전기주식회사 | 브릿지형 패턴을 이용한 솔더 접합 구조 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP5312956A patent/JPH07169871A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000026215A (ko) * | 1998-10-19 | 2000-05-15 | 김영환 | 반도체 버틈 리드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2006269466A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント回路基板およびその製造方法 |
| KR100752028B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-08-28 | 삼성전기주식회사 | 브릿지형 패턴을 이용한 솔더 접합 구조 |
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