JPH07169885A - 回路用チップ・パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

回路用チップ・パッケージおよびその製造方法

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JPH07169885A
JPH07169885A JP6267302A JP26730294A JPH07169885A JP H07169885 A JPH07169885 A JP H07169885A JP 6267302 A JP6267302 A JP 6267302A JP 26730294 A JP26730294 A JP 26730294A JP H07169885 A JPH07169885 A JP H07169885A
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circuit
chip package
heat
support frame
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Marino Cellai
チェッライ マリーノ
Pierangelo Magni
マグニ ピエランジェロ
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Original Assignee
STMicroelectronics SRL
SGS Thomson Microelectronics SRL
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 その信頼性と有効寿命を向上させ,延長させ
ることができ,公知の技術によってこれまでに提案され
ていたものよりさらに優れた構造的,および,機能的特
性を有する改良されたチップ・パッケージを得ることを
目的とする。 【構成】 このチップパッケージにおいては,熱分散装
置5が上記回路チップ3および上記サポート・フレーム
4に対して両方の側に分かれて配置されている。好まし
い実施例においては,この熱分散装置5は少なくとも2
つの構造的には独立した,相互に接触した熱分散素子1
5,16を有している。これら2つの熱分散要素15,
16は上記サポート・フレーム4上に配置され,上記フ
レーム4に対して左右対称に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,半導体集積回路を含む
改良型回路用チップ・パッケージおよびその製造方法に
関し,より詳細には,合成プラスチック材の本体シェル
内に,チップ・サポート・フレーム上に搭載された半導
体集積回路チップと,該回路と接触する熱分散素子とを
組み込んだ回路用チップ・パッケージおよびその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】周知のように,本発明の適用分野におい
て,チップ・パッケージに関連して,通常,回路チップ
において発生する熱を分散させるために,回路チップを
熱分散装置により取り囲む必要性がある。
【0003】この熱分散装置は,回路チップの重量より
決定的に大きな重量を有する金属塊,あるいは,その他
の優良な熱伝導材料により構成される。それは,回路の
動作中,熱を発散しやすくするために,回路と接触した
状態で配置される。
【0004】この熱分散装置を備えたチップ・パッケー
ジの典型的な構造にあっては,回路チップが,薄い金属
層で構成されたチップ・サポート・フレームの中央部分
に収容され,固定されている。この回路チップとフレー
ムは半導体基板の表面に沿って接触しており,一方,集
積回路は回路チップのオープン表面に露出している。フ
レームの中央のポイントは,回路チップに向いた側の熱
分散素子にも接続されている。加えて,フレームには,
基本的に,生産プロセスの完了後,回路チップをプリン
トされた電子回路基板上に搭載し,接続できるようにす
るためのコンタクト・ピンを含む複数のコネクタが形成
されている。
【0005】また,この回路チップの周辺には予め決め
られたコンタクト・ポイント(パッド)が設けられてお
り,そこに回路構成端末(terminations) が接続されて
いる。上記パッドと対応するピンの内部端の間には細い
ワイヤが接続され,さらに,金属フレーム,集積回路チ
ップ,および,熱分散素子は,電気絶縁性材料,例え
ば,エポキシ樹脂などの射出成型により作成される一体
的な本体シェル内に配置されるものである。
【0006】こうした一連の処理の最終的な結果を図9
に示す。図9は,従来技術にしたがって構成されたチッ
プ・パッケージの拡大断面図を示している。図9におい
て,2は本体(樹脂)シェル,3は回路チップ,4はフ
レーム,5は熱分散素子,6は,熱分散素子5を載置す
るために凹状に形成されたフレームの中央部分を示して
いる。図9において,熱分散素子5の主表面が本体(樹
脂)シェル2の表面に接触している。
【0007】本発明の各種側面をさらに明確にするため
に,チップ・パッケージの製造に関連した「ドロップ−
イン・プロセス(drop-in process)」という名称で知ら
れている公知の方法のいくつかの局面について簡単に説
明する。このプロセスは,図10,図11および図12
に示されている。なお,図9に示した要素と,同じ要素
については同じ参照番号を付す。
【0008】図10に示されているように,熱分散素子
5は熱硬化性樹脂射出成型物の下側半分につくられてい
る凹部の底部に落とし込まれ,収容される。図11は,
次の工程を示しており,この工程において,(チップ・
サポート・)フレーム4が,その少し下がった中央部分
が熱分散素子5と接触するような状態で,その凹部の縁
に載置させられている。最後に,この成型物の上部半分
は,図12に示すように,下側半分の上方に配置され,
樹脂の射出およびチップ・パッケージの製造を可能にし
ている。
【0009】こうしたプロセスの1つのバリエーション
にあっては,熱分散素子5は,回路チップ3およびピン
の間に伝導(金属)ワイヤ9を接着する前に,また,樹
脂射出前に接続される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,すべて
の場合に,成型チップ・パッケージは,図13にその断
面で示されているような形状となり,製造プロセスに関
与する異なった素材に影響を及ぼす異なった引っ張り応
力は,矢印Cにより示されている方向への曲がりを引き
起こす。基本的に,チップ・サポート・フレーム4によ
り占有され,軸A−A’を通過している理想面は曲がり
を受ける。その結果,信頼性と回路チップの有効寿命に
非常に重大な影響を及ぼす場合があった。
【0011】実際,こうした引っ張り応力のために,回
路チップ3は破壊され,役に立たなくなってしまう場合
がある。あるいは,チップ・サポート・フレーム4と熱
分散素子5との間の接触が破壊され,熱分散の効率を低
下させてしまい,その結果,回路チップの寿命を短くし
てしまう場合があった。
【0012】本発明は,その信頼性と有効寿命を向上さ
せ,延長させることができ,公知の技術によってこれま
でに提案されていたものよりさらに優れた構造的,およ
び,機能的特性を有する改良されたチップ・パッケージ
を得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,請求項1に係る回路用チップ・パッケージは,合成
プラスチック材料による本体シェルと,半導体チップ,
回路チップ上に作られ,チップ・サポート・フレーム上
に搭載された少なくとも1つの電子回路と,前記回路チ
ップと接触している熱分散装置とを備え,前記熱分散装
置が,相互に接触する少なくとも2つの構造的に独立し
た熱分散素子を有するものである。
【0014】また,請求項2に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記熱分散素子が,前記チップ・サポート・
フレームの向き合った両側に配置されているものであ
る。
【0015】また,請求項3に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記熱分散素子が,前記チップ・サポート・
フレームに対して左右対称に配置されているものであ
る。
【0016】また,請求項4に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記熱分散素子が,スペーシング・ポストに
よって分離可能に接続されているものである。
【0017】また,請求項5に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記スペーシング・ポストが,成型され,前
記熱分散素子からそれぞれ突き出た接合端を有する向き
合ったハーフ・ポストを有するものである。
【0018】また,請求項6に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記ハーフ・ポストが,それぞれ対応する前
記熱分散素子内で一体的に形成されているものである。
【0019】また,請求項7に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記スペーシング・ポストが,前記チップ・
サポート・フレームを介してつくられた穴を横断してい
るものである。
【0020】また,請求項8に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記スペーシング・ポストが,前記2つの熱
分散素子のうちの少なくとも1つにより一体的に形成さ
れているものである。
【0021】また,請求項9に係る回路用チップ・パッ
ケージは,前記ハーフ・ポストが,補足的な形で成型さ
れたセルフ・センタリング端部をそれぞれ有しているも
のである。
【0022】また,請求項10に係る回路用チップ・パ
ッケージは,本体シェルと,半導体材料によるチップ上
につくられた集積電子回路と,前記集積電子回路のチッ
プ用のチップ・サポート・フレームと,前記回路チップ
と電子的に接触し,前記チップ・サポート・フレームの
両側に配置されるように置かれている熱分散装置とを具
備するものである。
【0023】また,請求項11に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記熱分散装置が,前記チップ・サポート
・フレームに対して左右対称に配置されているものであ
る。
【0024】また,請求項12に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記熱分散装置が,前記チップ・サポート
・フレームの向き合った両側に配置された第1および第
2の熱分散素子を含んでいるものである。
【0025】また,請求項13に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1および第2の熱分散素子が,前記
チップ・サポート・フレームに対して左右対称に配置さ
れているものである。
【0026】また,請求項14に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1および第2の熱分散素子が,スペ
ーシング・ポストによって分離可能に接続されているも
のである。
【0027】また,請求項15に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記スペーシング・ポストが,それぞれ前
記第1と第2の熱分散素子から突き出ている第1および
第2の対応するハーフ・ポストにより構成されているも
のである。
【0028】また,請求項16に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1の熱分散素子のハーフ・ポストと
前記第2の熱分散素子の前記ハーフ・ポストに対応する
ハーフ・ポストがセルフ・センタリングされるものであ
る。
【0029】また,請求項17に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1および第2のハーフ・ポストが,
それぞれ前記第1および第2の熱分散素子と一体的に形
成されているものである。
【0030】また,請求項18に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記スペーシング・ポストが,前記第1の
熱分散素子から突き出ているものである。
【0031】また,請求項19に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記スペーシング・ポストが,前記チップ
・サポート・フレームを介してつくられた穴を横断して
いるものである。
【0032】また,請求項20に係る回路用チップ・パ
ッケージは,本体シェルと,半導体材料のチップ上につ
くられた集積電子回路と,前記回路チップのためのチッ
プ・サポート・フレームと,前記回路チップと電子的に
接触し,前記チップ・サポート・フレームに関して向き
合った両側に配置され,該第1および第2の熱分散素子
からそれぞれ突き出た第1および第2の対応するスペー
シング・ポストによって接続された前記第1および第2
の熱分散素子とを具備するものである。
【0033】また,請求項21に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1および第2の熱分散素子が,前記
チップ・サポート・フレームに対して左右対称に配置さ
れているものである。
【0034】また,請求項22に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1の熱分散素子のスペーシング・ポ
ストと,前記第2の熱分散素子の対応するスペーシング
・ポストがセルフ・センタリングされるものである。
【0035】また,請求項23に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記第1と第2の対応するスペーシング・
ポストが,成型された接合端部を有しているものであ
る。
【0036】また,請求項24に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記成型された接合端部が,前記第1と第
2のスペーシング・ポストにそれぞれ形成された歯およ
びシートによって構成されているものである。
【0037】また,請求項25に係る回路用チップ・パ
ッケージは,前記スペーシング・ポストの第1と第2の
ポストが,第1および第2の熱分散素子にそれぞれ形成
されているものである。
【0038】また,請求項26に係る回路用チップ.パ
ッケージは,前記第1と第2のスペーシング・ポスト
が,前記チップ・サポート・フレームを介してつくられ
ている穴を横断しているものである。
【0039】また,請求項27に係る回路用チップ・パ
ッケージの製造方法は,合成プラスチック材料のための
射出型の下側の半分につくられた凹部の底部に第1の熱
分散素子を載置する工程と,該チップ・サポート・フレ
ームの少し下がった部分が,前記第1の熱分散素子と接
触するように,前記チップ・サポート・フレームを前記
凹部の縁に載置する工程と,第2の熱分散素子を前記第
1の熱分散素子の上に載置し,前記第2の熱分散素子を
スペーシング・ポストによって前記第1の熱分散素子と
結合させる工程と,射出型の上側の半分を前記第2の熱
分散素子の上に載置し,前記射出型を閉じる工程とから
成るものである。
【0040】また,請求項28に係る回路用チップ・パ
ッケージの製造方法は,合成プラスチック材料のための
射出型の下半分につくられた凹部の底に,内部に回路チ
ップを内蔵するための形状を有する熱分散装置を配置す
る工程と,該チップ・サポート・フレームの一部が前記
熱分散装置と接触するように,前記回路チップに接続さ
れた前記チップ・サポート・フレームを配置する工程
と,前記射出型の上半分を前記熱分散装置上に載置し
て,前記射出型を閉じる工程とから成るものである。
【0041】
【作用】本発明の重要な技術的思想は,熱分散素子の存
在が,熱硬化性樹脂の硬化中に,回路チップの曲がりを
もたらす引っ張り応力の形成に決定的に関与するという
認識に基づいている。したがって,熱分散素子はチップ
・パッケージ内に別の方法で配置される必要がある。
【0042】こうした理由から,本発明によれば,チッ
プ・パッケージは合成プラスチック材料の本体シェル内
に少なくとも,チップ・サポート・フレーム上に搭載さ
れた1つの集積電子回路半導体チップと,該チップに接
触している熱分散装置を内蔵している。このパッケージ
においては,熱分散装置が上記回路チップおよびサポー
ト・フレームに対して,その両側に分散されるような形
状をなしている。好ましい実施例においては,熱分散装
置は,少なくとも2つの,かつ,相互に接触した構造的
に独立している熱分散素子を有している。これら2つの
熱分散素子は上記サポート・フレームの反対側に配置さ
れており,該フレームを中心として左右対称に配置され
ている。さらに,上記熱分散素子はセルフ・センタリン
グ・スペーシング・ポストによって分離できる形態に
て,相互に接続されている。
【0043】本発明に係る回路用チップ・フレームおよ
びその製造方法の特徴と利点は,非限定的な例として,
以下の実施例および添付図面に示されている。
【0044】
【実施例】以下,この発明に係る回路用チップ・パッケ
ージおよびその製造方法の実施例について詳細に説明す
る。図1および図2は,この発明に係るチップパケージ
の構成を示す断面図および分解斜視図であり,図1にお
いて,1はチップ・パッケージ全体を示している。ま
た,チップ・パッケージ1はそのプラスチック合成材料
による本体シェル2内に,チップ・サポート・フレーム
4上に搭載された回路チップ3上に,少なくとも1つの
電子回路およびこの回路チップ3と接触した熱分散装置
5を内蔵している。回路チップ3は薄い金属層により構
成されたチップ・サポート・フレーム4の中心部分6上
に収納され,固定されている。この回路チップ3とチッ
プ・サポート・フレーム4は半導体基板の表面に沿って
接触しており,回路は,回路チップ3のオープン表面上
に露出している。
【0045】図2において,チップ・サポート・フレー
ム4内に,基本的には,製造プロセスの最後に,プリン
トされた回路基板上に回路チップ3の搭載,接続を可能
にする接触ピン7により構成された複数のコネクタが一
体的に形成されている。回路チップ3の周囲には,回路
構造の末端が接続される予め決められた接触パッド8が
設けられている。上記接触パッド8と対応する接触ピン
7の内部末端間には細い金属ワイヤ9が接続されてい
る。
【0046】また,図1および図2の両方に示した熱分
散装置5は,少なくとも2つの構造的に独立し,相互に
接触し,図2に個別に示されている熱分散素子15およ
び16により構成されている。該熱分散素子15および
16は同じチップ・サポート・フレーム4の反対側に配
置され,特に,同じフレームに対して左右対称に配置さ
れている。
【0047】さらに,図3および図8は,2つの熱分散
素子15,16を接続する好ましい方法の詳細を示して
いる。図8は断面図であり,図3は同じ断面の切り離し
た部分を示す説明図である。図3,図8において,熱分
散装置5を構成する熱分散素子15および16は,チッ
プ・サポート・フレーム4を介して形成された穴10
(図2参照)を横断するスペーシング・ポスト11によ
って分離可能に,相互に接続されている。このポスト1
1はそれぞれ組み合ったハーフ・ポスト,すなわち,成
型された接合端を有するハーフ・ポスト12および13
を備えている。これらハーフ・ポスト12および13
は,それぞれ熱分散素子15,16から突き出ており,
対応する熱分散素子と共に一体的に形成される。
【0048】好ましくは,図3に示されているように,
ハーフ・ポスト12は尖っており,嵌合用の歯を備えた
端部14を有している。上記端部14は,それを受け入
れるためのシート17を有し,対応する,かつ,向き合
ったハーフ・ポスト13と結合されている。こうした構
造上の特徴が,ハーフ・ポスト12および13がセンル
フ・センタリングされ,その後,その端部が嵌合される
と,自動アラインメント線の方向に傾斜するになってい
る。
【0049】上記のとおり,実施例において,ハーフ・
ポスト12は熱分散素子15上で十分な数だけ一体形成
され,対応するハーフ・ポスト13は熱分散素子16内
に形成されている。もちろん,一方または他方の熱分散
素子15,16上につくられるハーフ・ポストのタイプ
を修正してはならない理由はまったくない。
【0050】次に,本発明に係るチップ・パッケージの
製造方法(工程)について図4,図5,図6,図7およ
び図8を用いて説明する。第1の熱分散素子15は,図
4に示されている熱硬化樹脂成型加工物の下側の半型2
0内に作られる凹部19の底部18に収容されている。
この回路チップ3を支えるためのチップ・サポート・フ
レーム4は,回路チップ3の少し下がった中央部分6
が,図5に示されているように熱分散素子15と接触す
るように,凹部19の縁に配置されている。
【0051】また,図6に示されているように,第2の
熱分散素子16は,第1の熱分散素子の上方に置かれ
る。この位置合わせは,それぞれハーフ・ポスト12お
よび13が係合して(図8参照)スペーシング・ポスト
11を形成するように行われる。最後に,上側の半型2
1は下側の半型20上に置かれ,熱分散素子16の上部
表面22上に配置される。このようにして閉じられた型
は,図7に示されているように図1に示したチップ・パ
ッケージ1の熱硬化性の射出および製造に使うことがで
きる。
【0052】
【発明の効果】以上,説明したように,本発明に係る回
路用チップ・パッケージおよびその製造方法にあって
は,上記目的を達成し,その熱分散素子がチップ・サポ
ート・フレームを中心として基本的に左右対称な構造を
有していることをはじめとする種々の利点を得ることが
できる。これにより,熱硬化樹脂の硬化の過程で回路チ
ップを破損してしまう可能性のある引っ張り応力を回避
することができる。
【0053】本発明に係るチップ・パッケージの構造
は,また,先行技術によって作られた装置より,さらに
熱分散に貢献する。
【0054】さらに別の重要な利点は,結合素子,すな
わち,上記に説明した,2つの向き合った熱分散素子の
間に図示したスペーシング・ポストが,樹脂射出型を形
成する2つの半型の閉じ合わせを改良し,熱分散素子の
外部表面にときどき見られる樹脂の張り出しを防止する
ことである。
【0055】本発明に係るチップ・パッケージおよびそ
の製造方法に対しては,本発明の範囲内において修正や
バリエーションが可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るチップ・パッケージの構成を示す
拡大縦方向断面図である。
【図2】本発明に係るチップ・パッケージの構成を示す
分解斜視図である。
【図3】ハーフ・ポストの構成を示す部分断面図であ
る。
【図4】本発明に係るチップ・パッケージの生産プロセ
スにおける個別フェーズでのチップ・パッケージの構成
を示す断面図である。
【図5】本発明に係るチップ・パッケージの生産プロセ
スにおける個別フェーズでのチップ・パッケージの構成
を示す断面図である。
【図6】本発明に係るチップ・パッケージの生産プロセ
スにおける個別フェーズでのチップ・パッケージの構成
を示す断面図である。
【図7】本発明に係るチップ・パッケージの生産プロセ
スにおける個別フェーズでのチップ・パッケージの構成
を示す断面図である。
【図8】図7に示した一部分の詳細を示す拡大図であ
る。
【図9】従来におけるチップ・パッケージの構成を示す
拡大縦方向断面図である。
【図10】図9に示したチップ・パッケージの製造に導
く,公知のタイプの製造プロセスのいくつかのフェーズ
を示す断面図である。
【図11】図9に示したチップ・パッケージの製造に導
く,公知のタイプの製造プロセスのいくつかのフェーズ
を示す断面図である。
【図12】図9に示したチップ・パッケージの製造に導
く,公知のタイプの製造プロセスのいくつかのフェーズ
を示す断面図である。
【図13】図9に示したチップ・パッケージの構造的な
問題を示す説明図である。
【符号の説明】
1 チップ・パッケージ 2 本体シェル 3 回路チップ 4 チップ・サポート・フレーム 5 熱分散装置 6 中央部分 7 接触ピン 8 接触パッド 9 金属ワイヤ 10 穴 11 スペーシング・ポスト 12 ハーフ・ポスト 13 ハーフ・ポスト 14 端部 15 熱分散素子 16 熱分散素子 17 シート 18 底部 19 凹部 20 下側の半型 21 上側の半型 22 上部表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピエランジェロ マグニ イタリア国,イ−20058 ミラノ,ビッラ サンタ,ビア ベンティクワルテジモ マ ッジオ,9

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 合成プラスチック材料による本体シェル
    と,半導体チップ,回路チップ上に作られ,チップ・サ
    ポート・フレーム上に搭載された少なくとも1つの電子
    回路と,前記回路チップと接触している熱分散装置とを
    備え,前記熱分散装置が,相互に接触する少なくとも2
    つの構造的に独立した熱分散素子を有することを特徴と
    する回路用チップ・パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記熱分散素子が,前記チップ・サポー
    ト・フレームの向き合った両側に配置されていることを
    特徴とする請求項1記載の回路用チップ・パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記熱分散素子が,前記チップ・サポー
    ト・フレームに対して左右対称に配置されていることを
    特徴とする請求項1記載の回路用チップ・パッケージ。
  4. 【請求項4】 前記熱分散素子が,スペーシング・ポス
    トによって分離可能に接続されていることを特徴とする
    請求項1記載の回路用チップ・パッケージ。
  5. 【請求項5】 前記スペーシング・ポストが,成型さ
    れ,前記熱分散素子からそれぞれ突き出た接合端を有す
    る向き合ったハーフ・ポストを有することを特徴とする
    請求項4記載の回路用チップ・パッケージ。
  6. 【請求項6】 前記ハーフ・ポストが,それぞれ対応す
    る前記熱分散素子内で一体的に形成されていることを特
    徴とする請求項5記載の回路用チップ・パッケージ。
  7. 【請求項7】 前記スペーシング・ポストが,前記チッ
    プ・サポート・フレームを介してつくられた穴を横断し
    ていることを特徴とする請求項4記載の回路用チップ・
    パッケージ。
  8. 【請求項8】 前記スペーシング・ポストが,前記2つ
    の熱分散素子のうちの少なくとも1つにより一体的に形
    成されていることを特徴とする請求項4記載の回路用チ
    ップ・パッケージ。
  9. 【請求項9】 前記ハーフ・ポストが,補足的な形で成
    型されたセルフ・センタリング端部をそれぞれ有してい
    ることを特徴とする請求項5記載の回路用チップ・パッ
    ケージ。
  10. 【請求項10】 本体シェルと,半導体材料によるチッ
    プ上につくられた集積電子回路と,前記集積電子回路の
    チップ用のチップ・サポート・フレームと,前記回路チ
    ップと電子的に接触し,前記チップ・サポート・フレー
    ムの両側に配置されるように置かれている熱分散装置と
    を具備することを特徴とする回路用チップ・パッケー
    ジ。
  11. 【請求項11】 前記熱分散装置が,前記チップ・サポ
    ート・フレームに対して左右対称に配置されていること
    を特徴とする請求項10記載の回路用チップ・パッケー
    ジ。
  12. 【請求項12】 前記熱分散装置が,前記チップ・サポ
    ート・フレームの向き合った両側に配置された第1およ
    び第2の熱分散素子を含んでいることを特徴とする請求
    項10記載の回路用チップ・パッケージ。
  13. 【請求項13】 前記第1および第2の熱分散素子が,
    前記チップ・サポート・フレームに対して左右対称に配
    置されていることを特徴とする請求項11記載の回路用
    チップ・パッケージ。
  14. 【請求項14】 前記第1および第2の熱分散素子が,
    スペーシング・ポストによって分離可能に接続されてい
    ることを特徴とする請求項11記載の回路用チップ・パ
    ッケージ。
  15. 【請求項15】 前記スペーシング・ポストが,それぞ
    れ前記第1と第2の熱分散素子から突き出ている第1お
    よび第2の対応するハーフ・ポストにより構成されてい
    ることを特徴とする請求項14記載の回路用チップ・パ
    ッケージ。
  16. 【請求項16】 前記第1の熱分散素子のハーフ・ポス
    トと前記第2の熱分散素子の前記ハーフ・ポストに対応
    するハーフ・ポストがセルフ・センタリングされること
    を特徴とする請求項15記載の回路用チップ・パッケー
    ジ。
  17. 【請求項17】 前記第1および第2のハーフ・ポスト
    が,それぞれ前記第1および第2の熱分散素子と一体的
    に形成されていることを特徴とする請求項15記載の回
    路用チップ・パッケージ。
  18. 【請求項18】 前記スペーシング・ポストが,前記第
    1の熱分散素子から突き出ていることを特徴とする請求
    項14記載の回路用チップ・パッケージ。
  19. 【請求項19】 前記スペーシング・ポストが,前記チ
    ップ・サポート・フレームを介してつくられた穴を横断
    していることを特徴とする請求項14記載の回路用チッ
    プ・パッケージ。
  20. 【請求項20】 本体シェルと,半導体材料のチップ上
    につくられた集積電子回路と,前記回路チップのための
    チップ・サポート・フレームと,前記回路チップと電子
    的に接触し,前記チップ・サポート・フレームに関して
    向き合った両側に配置され,該第1および第2の熱分散
    素子からそれぞれ突き出た第1および第2の対応するス
    ペーシング・ポストによって接続された前記第1および
    第2の熱分散素子とを具備することを特徴とする回路用
    チップ・パッケージ。
  21. 【請求項21】 前記第1および第2の熱分散素子が,
    前記チップ・サポート・フレームに対して左右対称に配
    置されていることを特徴とする請求項20記載の回路用
    のチップ・パッケージ。
  22. 【請求項22】 前記第1の熱分散素子のスペーシング
    ・ポストと,前記第2の熱分散素子の対応するスペーシ
    ング・ポストがセルフ・センタリングされることを特徴
    とする請求項20記載の回路用チップ・パッケージ。
  23. 【請求項23】 前記第1と第2の対応するスペーシン
    グ・ポストが,成型された接合端部を有していることを
    特徴とする請求項20記載の回路用チップ・パッケー
    ジ。
  24. 【請求項24】 前記成型された接合端部が,前記第1
    と第2のスペーシング・ポストにそれぞれ形成された歯
    およびシートによって構成されていることを特徴とする
    請求項23記載の回路用チップ・パッケージ。
  25. 【請求項25】 前記スペーシング・ポストの第1と第
    2のポストが,第1および第2の熱分散素子にそれぞれ
    形成されていることを特徴とする請求項20記載の回路
    用チップ・パッケージ。
  26. 【請求項26】 前記第1と第2のスペーシング・ポス
    トが,前記チップ・サポート・フレームを介してつくら
    れている穴を横断していることを特徴とする請求項20
    記載の回路用チップ・パッケージ。
  27. 【請求項27】 合成プラスチック材料のための射出型
    の下側の半分につくられた凹部の底部に第1の熱分散素
    子を載置する工程と,該チップ・サポート・フレームの
    少し下がった部分が,前記第1の熱分散素子と接触する
    ように,前記チップ・サポート・フレームを前記凹部の
    縁に載置する工程と,第2の熱分散素子を前記第1の熱
    分散素子の上に載置し,前記第2の熱分散素子をスペー
    シング・ポストによって前記第1の熱分散素子と結合さ
    せる工程と,射出型の上側の半分を前記第2の熱分散素
    子の上に載置し,前記射出型を閉じる工程とから成るこ
    とを特徴とする回路用チップ・パッケージの製造方法。
  28. 【請求項28】 合成プラスチック材料のための射出型
    の下半分につくられた凹部の底に,内部に回路チップを
    内蔵するための形状を有する熱分散装置を配置する工程
    と,該チップ・サポート・フレームの一部が前記熱分散
    装置と接触するように,前記回路チップに接続された前
    記チップ・サポート・フレームを配置する工程と,前記
    射出型の上半分を前記熱分散装置上に載置して,前記射
    出型を閉じる工程とから成ることを特徴とする回路用チ
    ップパケージの製造方法。
JP6267302A 1993-10-29 1994-10-31 回路用チップ・パッケージおよびその製造方法 Pending JPH07169885A (ja)

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100214549B1 (ko) * 1996-12-30 1999-08-02 구본준 버텀리드 반도체 패키지
US5982639A (en) * 1997-11-04 1999-11-09 Power Integrations, Inc. Two switch off-line switching converter
US6876181B1 (en) 1998-02-27 2005-04-05 Power Integrations, Inc. Off-line converter with digital control
US6226190B1 (en) 1998-02-27 2001-05-01 Power Integrations, Inc. Off-line converter with digital control
US6107851A (en) 1998-05-18 2000-08-22 Power Integrations, Inc. Offline converter with integrated softstart and frequency jitter
US6525514B1 (en) 2000-08-08 2003-02-25 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for reducing audio noise in a switching regulator
US7084494B2 (en) 2004-06-18 2006-08-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package having integrated metal parts for thermal enhancement
US7233504B2 (en) 2005-08-26 2007-06-19 Power Integration, Inc. Method and apparatus for digital control of a switching regulator
US8018694B1 (en) 2007-02-16 2011-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation Over-current protection for a power converter
US7719243B1 (en) 2007-11-21 2010-05-18 Fairchild Semiconductor Corporation Soft-start system and method for power converter
US7872883B1 (en) 2008-01-29 2011-01-18 Fairchild Semiconductor Corporation Synchronous buck power converter with free-running oscillator
US7723972B1 (en) 2008-03-19 2010-05-25 Fairchild Semiconductor Corporation Reducing soft start delay and providing soft recovery in power system controllers
DE102012209034A1 (de) * 2012-05-30 2013-12-05 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Elektronikmoduls, sowie elektronisches Steuergerät mit einem solchen Elektronikmodul
CN105932003B (zh) * 2016-06-20 2018-04-24 东莞市轩华电子有限公司 一种方便封装的集成电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066839A (en) * 1972-11-16 1978-01-03 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. Molded body incorporating heat dissipator
JPH0427145A (ja) * 1990-05-22 1992-01-30 Seiko Epson Corp 半導体装置

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DE69330249T2 (de) 2001-12-06

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