JPH07175249A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH07175249A JPH07175249A JP34485193A JP34485193A JPH07175249A JP H07175249 A JPH07175249 A JP H07175249A JP 34485193 A JP34485193 A JP 34485193A JP 34485193 A JP34485193 A JP 34485193A JP H07175249 A JPH07175249 A JP H07175249A
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- JP
- Japan
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- group
- compound
- layer
- aromatic
- conductive substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 導電性基板上に電荷発生層（ＣＧＬ）、正孔
輸送能を有するドナー性化合物を含有する電荷輸送層
（ＣＴＬ）を順次積層して構成される機能分離型電子写
真用感光体において、導電性基板とＣＧＬの間にアント
ラキノン系化合物を含有する下引層を設けた電子写真用
感光体。アントラキノン系化合物として下記一般式
（Ｉ）又は（II）で示される電子輸送物質が好ましい。 （式中、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香族基、複素環
基を、Ｘ、Ｙは＝Ｏ、＝Ｎ（ＣＮ）などを表わす。） 【効果】 下引層にアントラキノン系化合物を含有させ
たことから高感度で高耐久性なものである。
輸送能を有するドナー性化合物を含有する電荷輸送層
（ＣＴＬ）を順次積層して構成される機能分離型電子写
真用感光体において、導電性基板とＣＧＬの間にアント
ラキノン系化合物を含有する下引層を設けた電子写真用
感光体。アントラキノン系化合物として下記一般式
（Ｉ）又は（II）で示される電子輸送物質が好ましい。 （式中、Ｒ１及びＲ２はアルキル基、芳香族基、複素環
基を、Ｘ、Ｙは＝Ｏ、＝Ｎ（ＣＮ）などを表わす。） 【効果】 下引層にアントラキノン系化合物を含有させ
たことから高感度で高耐久性なものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真プロセスを用い
た複写機、プリンター等に用いられる電子写真用感光体
に関するものである。
た複写機、プリンター等に用いられる電子写真用感光体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真プロセスは静電気力による潜像
の可視化を基本原理として用いたものであるため、その
プロセスに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電
性と光照射による迅速な表面電位の減衰が必要となる。
これらプロセス上必要な特性は、固有物性値である暗抵
抗の高さと、電荷担体生成の良好な量子効率、高い電荷
移動度に還元される。
の可視化を基本原理として用いたものであるため、その
プロセスに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電
性と光照射による迅速な表面電位の減衰が必要となる。
これらプロセス上必要な特性は、固有物性値である暗抵
抗の高さと、電荷担体生成の良好な量子効率、高い電荷
移動度に還元される。
【０００３】これらの物性値を満足するものとして、従
来、セレン、セレン−テルル合金、砒素セレン等の無機
化合物から構成された感光体が採用され、多くの複写機
で用いられてきた。しかしながら、これらの材料は、毒
性が強い、アモルファス状態で用いられるため取扱いが
厄介である、蒸着法等により数１０μｍの膜厚にする必
要があるためコストが高くなる等の欠点があり、感光体
の必要機能を十分に満足していえるとは言えないもので
あった。
来、セレン、セレン−テルル合金、砒素セレン等の無機
化合物から構成された感光体が採用され、多くの複写機
で用いられてきた。しかしながら、これらの材料は、毒
性が強い、アモルファス状態で用いられるため取扱いが
厄介である、蒸着法等により数１０μｍの膜厚にする必
要があるためコストが高くなる等の欠点があり、感光体
の必要機能を十分に満足していえるとは言えないもので
あった。
【０００４】これらの欠点を改良するため、有機材料を
用いた電子写真用感光体（ＯＰＣ）の開発が積極的にな
され、実用に供されるようになってきた。実用化された
ＯＰＣのほとんどは導電性基板上に電荷発生機能を有す
る層（ＣＧＬ）と電荷輸送機能を有する層（ＣＴＬ）と
を積層した構成の機能分離型感光体であり、機能を分離
することにより材料の選択幅も拡がり、電子写真感度、
繰返し安定性、機械的強度等の特性も向上し、複写基、
プリンター等に数多く搭載されるようになってきた。し
かし、このようなＯＰＣにおいて導電性基板上に直接感
光層を設けた場合、導電性基板の欠陥、即ち傷、不純
物、腐食物といった表面欠陥が画像にそのまま反映し、
黒ポチや白抜けという異常画像の原因となる場合が多
い。特に機能分離型感光体におけるＣＧＬは通常数μｍ
以下の薄膜にする必要があり、基板表面の欠陥を拾いや
すく、塗膜欠陥が生じやすく、生産性を低下させてい
る。また、導電性基板と感光層との接着性が悪い場合も
多くみられ、小さな感光層の傷から全体が剥がれてしま
う場合もある。
用いた電子写真用感光体（ＯＰＣ）の開発が積極的にな
され、実用に供されるようになってきた。実用化された
ＯＰＣのほとんどは導電性基板上に電荷発生機能を有す
る層（ＣＧＬ）と電荷輸送機能を有する層（ＣＴＬ）と
を積層した構成の機能分離型感光体であり、機能を分離
することにより材料の選択幅も拡がり、電子写真感度、
繰返し安定性、機械的強度等の特性も向上し、複写基、
プリンター等に数多く搭載されるようになってきた。し
かし、このようなＯＰＣにおいて導電性基板上に直接感
光層を設けた場合、導電性基板の欠陥、即ち傷、不純
物、腐食物といった表面欠陥が画像にそのまま反映し、
黒ポチや白抜けという異常画像の原因となる場合が多
い。特に機能分離型感光体におけるＣＧＬは通常数μｍ
以下の薄膜にする必要があり、基板表面の欠陥を拾いや
すく、塗膜欠陥が生じやすく、生産性を低下させてい
る。また、導電性基板と感光層との接着性が悪い場合も
多くみられ、小さな感光層の傷から全体が剥がれてしま
う場合もある。
【０００５】それらを防止する目的で、多くの感光体で
はバリヤー層、接着層として導電性基板と感光層との間
に下引層を設けている。下引層としては、主に絶縁性高
分子材料がサブミクロンの膜厚の薄膜で設けられている
が、絶縁性であるため、感度の低下、残留電位の増加を
引き起こすという致命的な欠点を有している。これらを
防ぐ目的で種々の方法が提案されている。一つは下引層
中に無機導電性フィラーを分散させる方法、また一つは
イオン導電性っ高分子を下引層中に含有させる方法、ま
た一つはアクセプター性の電子輸送物質を下引層中に含
有させる方法である。無機導電性フィラーとしては、酸
化チタンや酸化スズが用いられるが（特公昭６３−１９
８６９号）、これらは下引層塗布液中に分散させる必要
があり、その分散液の調整や、ポットライフに技術的な
困難を伴う。イオン導電性高分子としては、例えば可溶
性ナイロン、ポリアミド等の高分子が用いられるが（特
開昭５２−２５６３８号、特開昭５８−３０７５７
号）、導電率が低いため問題点を解消するには至ってい
ない。さらにこれらにアクセプター性の電子輸送物質を
含有させるのが３番目の方法であり、例えば、トリニト
ロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン等のアクセ
プター性化合物が用いられるが、これらは安全性、安定
性、相溶性等に問題がある。このように、下引層を設け
た場合、感度、耐久性の低下という重要な問題点が残さ
れており、これらを改良した高性能な電子写真用感光体
の開発が当該技術分野で強く要望されているのが実情で
ある。
はバリヤー層、接着層として導電性基板と感光層との間
に下引層を設けている。下引層としては、主に絶縁性高
分子材料がサブミクロンの膜厚の薄膜で設けられている
が、絶縁性であるため、感度の低下、残留電位の増加を
引き起こすという致命的な欠点を有している。これらを
防ぐ目的で種々の方法が提案されている。一つは下引層
中に無機導電性フィラーを分散させる方法、また一つは
イオン導電性っ高分子を下引層中に含有させる方法、ま
た一つはアクセプター性の電子輸送物質を下引層中に含
有させる方法である。無機導電性フィラーとしては、酸
化チタンや酸化スズが用いられるが（特公昭６３−１９
８６９号）、これらは下引層塗布液中に分散させる必要
があり、その分散液の調整や、ポットライフに技術的な
困難を伴う。イオン導電性高分子としては、例えば可溶
性ナイロン、ポリアミド等の高分子が用いられるが（特
開昭５２−２５６３８号、特開昭５８−３０７５７
号）、導電率が低いため問題点を解消するには至ってい
ない。さらにこれらにアクセプター性の電子輸送物質を
含有させるのが３番目の方法であり、例えば、トリニト
ロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン等のアクセ
プター性化合物が用いられるが、これらは安全性、安定
性、相溶性等に問題がある。このように、下引層を設け
た場合、感度、耐久性の低下という重要な問題点が残さ
れており、これらを改良した高性能な電子写真用感光体
の開発が当該技術分野で強く要望されているのが実情で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、かか
る課題を解決するものとして、画像欠陥の生じにくい下
引層を有する電子写真用感光体において、電子輸送能の
有る特定の化合物を下引層に含有させ、高感度、高耐久
性の電子写真用感光体を提供することにある。
る課題を解決するものとして、画像欠陥の生じにくい下
引層を有する電子写真用感光体において、電子輸送能の
有る特定の化合物を下引層に含有させ、高感度、高耐久
性の電子写真用感光体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意検討した結果、導電性基板と感光層との
間にアントラキノン系化合物好ましくは下記一般式
（Ｉ）又は（II）で示される化合物を含有する下引層を
設けることにより、上記課題が解決できることを見出
し、本発明に至った。
解決すべく鋭意検討した結果、導電性基板と感光層との
間にアントラキノン系化合物好ましくは下記一般式
（Ｉ）又は（II）で示される化合物を含有する下引層を
設けることにより、上記課題が解決できることを見出
し、本発明に至った。
【化１】
【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2はアルキル基、芳香族基、複素環基
を表わす。Ｒ1、Ｒ2は互いに環を形成してもよい。Ｘ、
Ｙは＝Ｏ、＝Ｎ（ＣＮ）、＝Ｎ−（Ｃ6Ｈ4)(Ｒ3)n、又
は＝Ｃ（Ａ)(Ｂ）を表わす。ここに、Ｒ3は、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、芳香族基、アシル基、
アルコキシ基、エステル基、アミド基、シアノ基、ニト
ロ基、スルホン基又はスルホンアミド基を表わす。ｎは
１〜３の整数を表わす。Ａ、Ｂは水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、Ｒ4置換フェニル基、−ＣＯＯＲ5の各基
を表わす。ここにＲ4は、水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、芳香族基、アシル基、アルコキシ基、エステ
ル基、アミド基、シアノ基、ニトロ基、スルホン基又は
スルホンアミド基を表わす。Ｒ5はアルキル基又は芳香
族基を表わす。） すなわち、本発明によれば、導電性基板上に電荷発生層
（ＣＧＬ）、正孔輸送能を有するドナー性化合物を含有
する電荷輸送層（ＣＴＬ）を順次積層して構成される機
能分離型電子写真用感光体において、該導電性基板と該
ＣＧＬの間にアントラキノン系化合物を含有する下引層
を設けたことを特徴とする電子写真用感光体が提供され
る。
を表わす。Ｒ1、Ｒ2は互いに環を形成してもよい。Ｘ、
Ｙは＝Ｏ、＝Ｎ（ＣＮ）、＝Ｎ−（Ｃ6Ｈ4)(Ｒ3)n、又
は＝Ｃ（Ａ)(Ｂ）を表わす。ここに、Ｒ3は、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、芳香族基、アシル基、
アルコキシ基、エステル基、アミド基、シアノ基、ニト
ロ基、スルホン基又はスルホンアミド基を表わす。ｎは
１〜３の整数を表わす。Ａ、Ｂは水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、Ｒ4置換フェニル基、−ＣＯＯＲ5の各基
を表わす。ここにＲ4は、水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、芳香族基、アシル基、アルコキシ基、エステ
ル基、アミド基、シアノ基、ニトロ基、スルホン基又は
スルホンアミド基を表わす。Ｒ5はアルキル基又は芳香
族基を表わす。） すなわち、本発明によれば、導電性基板上に電荷発生層
（ＣＧＬ）、正孔輸送能を有するドナー性化合物を含有
する電荷輸送層（ＣＴＬ）を順次積層して構成される機
能分離型電子写真用感光体において、該導電性基板と該
ＣＧＬの間にアントラキノン系化合物を含有する下引層
を設けたことを特徴とする電子写真用感光体が提供され
る。
【０００８】本発明の前記一般式（Ｉ）及び（II）のＲ
1及びＲ2において、アルキル基とはメチル基、ｔ−ブチ
ル基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペン
チル基などのシクロアルキル基、トリフルオリメチル
基、ブロモオクチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチル基、２，２−ジフルオロ−２−トリフ
ルオロメチル−エチル基などのハロゲン置換アルキル
基、２−メトキシエチル基、２，２−ジエトキシエチル
基などのアルコキシ置換のアルキル基、４−ヘキシルオ
キシカルボニルヘキシル基、ブトキシカルボニルメチル
基などのアルコキシカルボニルアルキル基、ベンジル
基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基などを表わ
す。
1及びＲ2において、アルキル基とはメチル基、ｔ−ブチ
ル基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペン
チル基などのシクロアルキル基、トリフルオリメチル
基、ブロモオクチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチル基、２，２−ジフルオロ−２−トリフ
ルオロメチル−エチル基などのハロゲン置換アルキル
基、２−メトキシエチル基、２，２−ジエトキシエチル
基などのアルコキシ置換のアルキル基、４−ヘキシルオ
キシカルボニルヘキシル基、ブトキシカルボニルメチル
基などのアルコキシカルボニルアルキル基、ベンジル
基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基などを表わ
す。
【０００９】また、芳香族基とはフェニル基、ピレン
基、フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェ
ニル基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチ
ルアントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブ
トキシフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基
などのアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニ
ルフェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基など
のアルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニ
ル基などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェ
ニル置換芳香族基などを表わす。
基、フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェ
ニル基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチ
ルアントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブ
トキシフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基
などのアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニ
ルフェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基など
のアルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニ
ル基などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェ
ニル置換芳香族基などを表わす。
【００１０】また、複素環基とは、ピロール基、カルバ
ゾール基、インドール基、ピリジン基、モルホリン基、
チアジン基、ピペリジン基、ピロリジン基、イミダゾー
ル基などを表わす。
ゾール基、インドール基、ピリジン基、モルホリン基、
チアジン基、ピペリジン基、ピロリジン基、イミダゾー
ル基などを表わす。
【００１１】また、本発明の一般式（Ｉ）及び（II）に
おいて、Ｒ3及びＲ4において、ハロゲン原子とはフッ
素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を、アルキル基と
はメチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、シクロヘ
キシル基、シクロペンチル基などのシクロアルキル基、
トリフルオロメチル基、ブロモオクチル基、２，２，
３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、２，２−ジ
フルオロ−２−トリフルオロメチル−エチル基などのハ
ロゲン置換アルキル基、２−メトキシエチル基、２，２
−ジエトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル
基、４−ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキ
シカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアル
キル基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキ
ル基などを意味する。
おいて、Ｒ3及びＲ4において、ハロゲン原子とはフッ
素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を、アルキル基と
はメチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、シクロヘ
キシル基、シクロペンチル基などのシクロアルキル基、
トリフルオロメチル基、ブロモオクチル基、２，２，
３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、２，２−ジ
フルオロ−２−トリフルオロメチル−エチル基などのハ
ロゲン置換アルキル基、２−メトキシエチル基、２，２
−ジエトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル
基、４−ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキ
シカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアル
キル基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキ
ル基などを意味する。
【００１２】また、芳香族基とはフェニル基、ピレン
基、フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェ
ニル基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチ
ルアントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブ
トキシフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基
などのアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニ
ルフェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基など
のアルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニ
ル基などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェ
ニル置換芳香族基などを表わす。
基、フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェ
ニル基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチ
ルアントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブ
トキシフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基
などのアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニ
ルフェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基など
のアルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニ
ル基などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェ
ニル置換芳香族基などを表わす。
【００１３】また、アシル基とは、アセチル基、オクチ
ルカルボニル基などを指し、アルコキシル基とは、メト
キシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基などを指し、エ
ステル基とはブトキシカルボニル基、フェノキシカルボ
ニル基、アセトキシル基などを、アミド基とはＮ，Ｎ−
ジトリルアミド基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミド
基、Ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基などを、スルホン
アミド基とはＮ，Ｎ−ジヘキシルスルホンアミド基、Ｎ
−メトキシスルホニルアミノ基などを表わす。
ルカルボニル基などを指し、アルコキシル基とは、メト
キシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基などを指し、エ
ステル基とはブトキシカルボニル基、フェノキシカルボ
ニル基、アセトキシル基などを、アミド基とはＮ，Ｎ−
ジトリルアミド基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミド
基、Ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基などを、スルホン
アミド基とはＮ，Ｎ−ジヘキシルスルホンアミド基、Ｎ
−メトキシスルホニルアミノ基などを表わす。
【００１４】また、Ｒ5において、アルキル基とは、メ
チル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシ
ル基、シクロペンチル基などのシクロアルキル基、トリ
フルオリメチル基、ブロモオクチル基、２，２，３，
４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、２，２−ジフル
オロ−２−トリフルオロメチル−エチル基などのハロゲ
ン置換アルキル基、２−メトキシエチル基、２，２−ジ
エトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、
４−ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカ
ルボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル
基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基
などを意味し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、
フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェニル
基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチルア
ントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブトキ
シフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基など
のアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニルフ
ェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基などのア
ルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニル基
などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェニル
置換芳香族基などを表わす。
チル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシ
ル基、シクロペンチル基などのシクロアルキル基、トリ
フルオリメチル基、ブロモオクチル基、２，２，３，
４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、２，２−ジフル
オロ−２−トリフルオロメチル−エチル基などのハロゲ
ン置換アルキル基、２−メトキシエチル基、２，２−ジ
エトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、
４−ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカ
ルボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル
基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基
などを意味し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、
フェナントレン基などの芳香族基、４−クロロフェニル
基、１−ブロモナフチル基、２−トリフルオロメチルア
ントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、４−ブトキ
シフェニル基、２，６−ジヘキサオキシナフチル基など
のアルコキシ置換芳香族基、３−メトキシカルボニルフ
ェニル基、４−ブトキシカルボニルナフチル基などのア
ルコキシカルボニル芳香族基、４−アセチルフェニル基
などのアシル置換芳香族基、ジフェニルなどのフェニル
置換芳香族基などを表わす。
【００１５】以下、本発明で好ましく用いられる一般式
（Ｉ）及び（II）で表されるアントラキノン系化合物の
具体例を示す。
（Ｉ）及び（II）で表されるアントラキノン系化合物の
具体例を示す。
【００１６】なお、本発明の電子写真用感光体は、下引
層にアントラキノン系化合物を含有させたことから高感
度で耐久性に優れたものである。
層にアントラキノン系化合物を含有させたことから高感
度で耐久性に優れたものである。
【００１７】
【表１−（１）】
【００１８】
【表１−（２）】
【００１９】
【表２−（１）】
【００２０】
【表２−（２）】
【００２１】
【表２−（２）】
【００２２】前記一般式（Ｉ）又は（II）で示されるア
ントラキノン系化合物は電子輸送能を有し、多くの溶剤
に可溶である。このような溶剤としては、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
系溶剤、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、ク
ロロホルム等のハロゲン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、ギ酸エチル等のエステル系溶剤、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン系溶剤、ジエチルーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル系溶剤、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール系溶剤、及びジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド等が挙げられる。
ントラキノン系化合物は電子輸送能を有し、多くの溶剤
に可溶である。このような溶剤としては、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
系溶剤、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、ク
ロロホルム等のハロゲン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、ギ酸エチル等のエステル系溶剤、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン系溶剤、ジエチルーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル系溶剤、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール系溶剤、及びジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド等が挙げられる。
【００２３】本発明の電子写真用感光体は導電性基板上
に好ましくは前記一般式（Ｉ）又は（II）で示されるア
ントラキノン系化合物を結着樹脂中に含有させた下引層
を設け、次いで電荷発生層、電荷輸送層を順次積層する
ことにより作製される。
に好ましくは前記一般式（Ｉ）又は（II）で示されるア
ントラキノン系化合物を結着樹脂中に含有させた下引層
を設け、次いで電荷発生層、電荷輸送層を順次積層する
ことにより作製される。
【００２４】本発明で使用される導電性基板としては、
アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属板、
金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化錫、ヨウ
化銅等の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあるいは
ガラス等が挙げられる。本発明の下引層に使用される結
着樹脂は、特に限定されることはなく、例えばポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ブチラール樹脂、ポリアミド樹
脂、弗化ビニリデン樹脂、シリコーン樹脂、繊維素系樹
脂、シアノエチルプルラン、フェノール樹脂、メラミン
樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの繰返
し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂等が挙げら
れ、単独もしくは２種以上のものを混合して用いること
ができる。
アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属板、
金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化錫、ヨウ
化銅等の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあるいは
ガラス等が挙げられる。本発明の下引層に使用される結
着樹脂は、特に限定されることはなく、例えばポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ブチラール樹脂、ポリアミド樹
脂、弗化ビニリデン樹脂、シリコーン樹脂、繊維素系樹
脂、シアノエチルプルラン、フェノール樹脂、メラミン
樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの繰返
し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂等が挙げら
れ、単独もしくは２種以上のものを混合して用いること
ができる。
【００２５】一般式（Ｉ）又は（II）で示される化合物
の使用量はこれらの結着樹脂に対して１〜５０重量％、
好ましくは２〜３０重量％である。１重量％以下である
と効果が少なく、また５０重量％以上だと帯電性が悪く
なる。下引層の膜厚は０．１〜２．０μｍが好ましい。
の使用量はこれらの結着樹脂に対して１〜５０重量％、
好ましくは２〜３０重量％である。１重量％以下である
と効果が少なく、また５０重量％以上だと帯電性が悪く
なる。下引層の膜厚は０．１〜２．０μｍが好ましい。
【００２６】本発明の電荷発生層は電荷発生物質を結着
樹脂に分散し塗布するか、蒸着することにより設けるこ
とができる。電荷発生物質としては、ビスアゾ色素、ト
リスアゾ色素、フタロシアニン色素、キナクリドン色
素、ペリレン色素、多環キノン色素、インジゴ色素、シ
アニン色素、ピリリウム色素、ビスベンズイミダゾール
色素、インダンスロン色素、トリアリールメタン色素、
チアジン色素、オキソジン色素、スクアリリウム色素、
アントラキノン色素、キサンテン色素等の有機色素、セ
レン、セレン合金、硫化カドミウム、硫セレン化カドミ
ウム、アモルファスシリコン等の無機化合物が挙げら
れ、結着樹脂とともに用いる場合は、電荷発生物質１０
０重量部に対して結着樹脂は１０〜４００重量部、好ま
しくは２５〜１００重量部である。また、電荷発生層の
膜厚は０．０５〜１０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍ
である。
樹脂に分散し塗布するか、蒸着することにより設けるこ
とができる。電荷発生物質としては、ビスアゾ色素、ト
リスアゾ色素、フタロシアニン色素、キナクリドン色
素、ペリレン色素、多環キノン色素、インジゴ色素、シ
アニン色素、ピリリウム色素、ビスベンズイミダゾール
色素、インダンスロン色素、トリアリールメタン色素、
チアジン色素、オキソジン色素、スクアリリウム色素、
アントラキノン色素、キサンテン色素等の有機色素、セ
レン、セレン合金、硫化カドミウム、硫セレン化カドミ
ウム、アモルファスシリコン等の無機化合物が挙げら
れ、結着樹脂とともに用いる場合は、電荷発生物質１０
０重量部に対して結着樹脂は１０〜４００重量部、好ま
しくは２５〜１００重量部である。また、電荷発生層の
膜厚は０．０５〜１０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍ
である。
【００２７】本発明の電荷輸送層は少なくとも正孔輸送
物質、及び結着樹脂とからなり、必要に応じ、添加剤を
加えることができる。正孔輸送物質としては、分子中に
トリフェニルアミン部位を有する化合物、ヒドラゾン化
合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、カルバ
ゾール基を含む化合物、スチリル化合物、ブタジエン化
合物、ポリシラン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ピレン−ホルマリン縮合物等のドナー性化合物を単
独もしくは複数で使用することができる。電荷輸送層の
構成は、結着樹脂１００重量部に対して、正孔輸送物質
は２５〜４００重量部、好ましくは５０〜２００重量部
である。また、電荷輸送層の膜厚は５〜６０μｍ、好ま
しくは１０〜３０μｍである。また、必要に応じて用い
られる添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、接着補助
剤、可塑剤等を挙げることができる。電荷発生層及び電
荷輸送層の結着樹脂は下引層で使用される樹脂を使用す
ることができる。
物質、及び結着樹脂とからなり、必要に応じ、添加剤を
加えることができる。正孔輸送物質としては、分子中に
トリフェニルアミン部位を有する化合物、ヒドラゾン化
合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、カルバ
ゾール基を含む化合物、スチリル化合物、ブタジエン化
合物、ポリシラン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ピレン−ホルマリン縮合物等のドナー性化合物を単
独もしくは複数で使用することができる。電荷輸送層の
構成は、結着樹脂１００重量部に対して、正孔輸送物質
は２５〜４００重量部、好ましくは５０〜２００重量部
である。また、電荷輸送層の膜厚は５〜６０μｍ、好ま
しくは１０〜３０μｍである。また、必要に応じて用い
られる添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、接着補助
剤、可塑剤等を挙げることができる。電荷発生層及び電
荷輸送層の結着樹脂は下引層で使用される樹脂を使用す
ることができる。
【００２８】本発明の電子写真用感光体は公知の塗布方
法、例えばディッピングコーター、カレンダーコータ
ー、キスコーター、グラビアコーター、ブレードコータ
ー、スプレーコーター、スピンコーター等で作製するこ
とができる。
法、例えばディッピングコーター、カレンダーコータ
ー、キスコーター、グラビアコーター、ブレードコータ
ー、スプレーコーター、スピンコーター等で作製するこ
とができる。
【００２９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の態様が限定されるわけではない。
により本発明の態様が限定されるわけではない。
【００３０】実施例１ 例示化合物Ｎｏ．１ １ｇ、ナイロン樹脂（ＣＭ８００
０ 東レ（株）製）５ｇをエチルアルコール９４ｇに溶
解し、アルミニウムを１０００Åの厚さに蒸着した７５
μｍ厚のポリエステルフィルム上にドクターブレードに
て塗布し、乾燥後の膜厚が０．５μｍの下引層を設け
た。次に下記構造式のビスアゾ顔料１ｇをブチラール樹
脂（エスレックＢＬ−Ｓ積水化学（株）製）の５重量％
テトラヒドロフラン溶液１０ｇおよびテトラヒドロフラ
ン９ｇとともにボールミリングし、ミリング後テトラヒ
ドロフランを加え、２重量％に希釈し、下引層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が１．０μｍの
電荷発生層を設けた。次に下記構造式の正孔輸送物質で
あるトリフェイルアミン系化合物６ｇ、ポリカーボネー
トＺ（帝人化成（株）製）９ｇ、シリコンオイル（ＫＦ
５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテトラヒドロ
フラン８５ｇに溶解し、電荷発生層上に塗布し、乾燥後
の膜厚が２０μｍの電荷輸送層を設け、導電性基板上に
下引層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した電子写
真用感光体を作製した。
０ 東レ（株）製）５ｇをエチルアルコール９４ｇに溶
解し、アルミニウムを１０００Åの厚さに蒸着した７５
μｍ厚のポリエステルフィルム上にドクターブレードに
て塗布し、乾燥後の膜厚が０．５μｍの下引層を設け
た。次に下記構造式のビスアゾ顔料１ｇをブチラール樹
脂（エスレックＢＬ−Ｓ積水化学（株）製）の５重量％
テトラヒドロフラン溶液１０ｇおよびテトラヒドロフラ
ン９ｇとともにボールミリングし、ミリング後テトラヒ
ドロフランを加え、２重量％に希釈し、下引層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が１．０μｍの
電荷発生層を設けた。次に下記構造式の正孔輸送物質で
あるトリフェイルアミン系化合物６ｇ、ポリカーボネー
トＺ（帝人化成（株）製）９ｇ、シリコンオイル（ＫＦ
５０ 信越化学（株）製）０．００９ｇをテトラヒドロ
フラン８５ｇに溶解し、電荷発生層上に塗布し、乾燥後
の膜厚が２０μｍの電荷輸送層を設け、導電性基板上に
下引層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した電子写
真用感光体を作製した。
【化２】
【化３】
【００３１】実施例２ 下引層に含有させる化合物である例示化合物Ｎｏ．１を
例示化合物Ｎｏ．１０に代えた以外は実施例１と同様の
条件で電子写真用感光体を作製した。
例示化合物Ｎｏ．１０に代えた以外は実施例１と同様の
条件で電子写真用感光体を作製した。
【００３２】実施例３ 下引層に含有させる化合物である例示化合物Ｎｏ．１を
例示化合物Ｎｏ．２２に代え、電荷発生物質としてＸ型
無金属フタロシアニン（Ｆａｓｔｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ
８１２０ＢＳ 大日本インキ（株）製）を用いた以外は
実施例１と同様の条件で電子写真用感光体を作製した。
例示化合物Ｎｏ．２２に代え、電荷発生物質としてＸ型
無金属フタロシアニン（Ｆａｓｔｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ
８１２０ＢＳ 大日本インキ（株）製）を用いた以外は
実施例１と同様の条件で電子写真用感光体を作製した。
【００３３】比較例 下引層を設けない以外は実施例１と同様の条件で電子写
真用感光体を作製した。
真用感光体を作製した。
【００３４】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機（株）製の静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２
８）を用い、−６ＫＶでコロナ放電を２０秒間行なって
帯電し、さらに２０秒間暗減衰させ、その後感光体表面
の照度が２０ルックスになるようにタングステン光を３
０秒間照射した。以上の条件で連続５００回の測定を行
ない、２０秒間帯電後の表面電位Ｖｓ（Ｖ）、２０秒間
暗減衰後の表面電位Ｖｏ（Ｖ）、Ｖｏが１／１０になる
のに要する露光量Ｅ1/10（ルックス・秒）及び３０秒間
露光後の表面電位Ｖ30（Ｖ）を測定した。測定結果を表
３に示す。
を川口電機（株）製の静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２
８）を用い、−６ＫＶでコロナ放電を２０秒間行なって
帯電し、さらに２０秒間暗減衰させ、その後感光体表面
の照度が２０ルックスになるようにタングステン光を３
０秒間照射した。以上の条件で連続５００回の測定を行
ない、２０秒間帯電後の表面電位Ｖｓ（Ｖ）、２０秒間
暗減衰後の表面電位Ｖｏ（Ｖ）、Ｖｏが１／１０になる
のに要する露光量Ｅ1/10（ルックス・秒）及び３０秒間
露光後の表面電位Ｖ30（Ｖ）を測定した。測定結果を表
３に示す。
【００３５】
【表３】
【００３６】
【発明の効果】本発明の電子写真用感光体は、下引層に
アントラキノン系化合物を含有させたことから高感度で
高耐久性なものである。
アントラキノン系化合物を含有させたことから高感度で
高耐久性なものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基板上に電荷発生層（ＣＧＬ）、
正孔輸送能を有するドナー性化合物を含有する電荷輸送
層（ＣＴＬ）を順次積層して構成される機能分離型電子
写真用感光体において、該導電性基板と該ＣＧＬの間に
アントラキノン系化合物を含有する下引層を設けたこと
を特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】 アントラキノン系化合物が下記一般式
（Ｉ）又は（II）で示される電子輸送物質であることを
特徴とする請求項１記載の電子写真用感光体。 【化１】 【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2はアルキル基、芳香族基、複素環基
を表わす。Ｒ1、Ｒ2は互いに環を形成してもよい。Ｘ、
Ｙは＝Ｏ、＝Ｎ（ＣＮ）、＝Ｎ−（Ｃ6Ｈ4)(Ｒ3)n、又
は＝Ｃ（Ａ)(Ｂ）を表わす。ここに、Ｒ3は、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、芳香族基、アシル基、
アルコキシ基、エステル基、アミド基、シアノ基、ニト
ロ基、スルホン基又はスルホンアミド基を表わす。ｎは
１〜３の整数を表わす。Ａ、Ｂは水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、Ｒ4置換フェニル基、−ＣＯＯＲ5の各基
を表わす。ここにＲ4は、水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、芳香族基、アシル基、アルコキシ基、エステ
ル基、アミド基、シアノ基、ニトロ基、スルホン基又は
スルホンアミド基を表わす。Ｒ5はアルキル基又は芳香
族基を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34485193A JPH07175249A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34485193A JPH07175249A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175249A true JPH07175249A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18372479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34485193A Pending JPH07175249A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07175249A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097950B2 (en) | 2004-05-27 | 2006-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| JP2008065173A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| CN100390670C (zh) * | 2004-07-16 | 2008-05-28 | 富士施乐株式会社 | 成像设备和处理盒 |
| US7561828B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-07-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-forming apparatus including an electrophotographic photoreceptor having an undercoat layer |
| US7592112B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US7763406B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-07-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, process cartidge and electrophotographic apparatus |
| US8802337B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-08-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP34485193A patent/JPH07175249A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097950B2 (en) | 2004-05-27 | 2006-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US7452644B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| EP2264539A1 (en) | 2004-05-27 | 2010-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| CN100390670C (zh) * | 2004-07-16 | 2008-05-28 | 富士施乐株式会社 | 成像设备和处理盒 |
| US7561828B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-07-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-forming apparatus including an electrophotographic photoreceptor having an undercoat layer |
| US7592112B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US7702256B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-04-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-forming apparatus including an electrophotographic photoreceptor having an undercoat layer with metal oxide particles and an acceptor compound |
| US7763406B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-07-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, process cartidge and electrophotographic apparatus |
| JP2008065173A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| US8802337B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-08-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge |
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