JPH07176019A - 扁形磁気抵抗ヘッド - Google Patents
扁形磁気抵抗ヘッドInfo
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- JPH07176019A JPH07176019A JP6267923A JP26792394A JPH07176019A JP H07176019 A JPH07176019 A JP H07176019A JP 6267923 A JP6267923 A JP 6267923A JP 26792394 A JP26792394 A JP 26792394A JP H07176019 A JPH07176019 A JP H07176019A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
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- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報の読み出しに必要な高感度と情報の書き
込みに必要な高磁場との両者を備えた高密度記録用の磁
気ヘッドを提供すること 【構成】 磁気媒体の上方に位置決めされる基板に結合
されたヨークおよびギャップ構造を備えた磁気ヘッドを
提供する。そのギャップ構造には、１つ以上のリップ
と、第１および第２強磁極と、磁気抵抗素子とが含まれ
る。その磁気抵抗素子は、磁気ヘッドの空気軸受面以外
の場所に移される。リップを２つ有する実施例では、そ
の２つのリップによりヘッドギャップが規定される。各
強磁極は各リップに１つずつ接続される。２つの磁極は
前記ギャップ長より長い距離だけ隔置され、その各磁極
の厚さは各リップよりも厚くなっている。ＭＲＥは、２
つの磁極がギャップ長を越える距離だけ隔置された位置
でそれら２つの磁極に実質的に磁気的に結合されるが電
気的には結合されない。
込みに必要な高磁場との両者を備えた高密度記録用の磁
気ヘッドを提供すること 【構成】 磁気媒体の上方に位置決めされる基板に結合
されたヨークおよびギャップ構造を備えた磁気ヘッドを
提供する。そのギャップ構造には、１つ以上のリップ
と、第１および第２強磁極と、磁気抵抗素子とが含まれ
る。その磁気抵抗素子は、磁気ヘッドの空気軸受面以外
の場所に移される。リップを２つ有する実施例では、そ
の２つのリップによりヘッドギャップが規定される。各
強磁極は各リップに１つずつ接続される。２つの磁極は
前記ギャップ長より長い距離だけ隔置され、その各磁極
の厚さは各リップよりも厚くなっている。ＭＲＥは、２
つの磁極がギャップ長を越える距離だけ隔置された位置
でそれら２つの磁極に実質的に磁気的に結合されるが電
気的には結合されない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に磁気ヘッドに関
し、特に扁形磁気抵抗ヘッドに関する。
し、特に扁形磁気抵抗ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気媒体上に記録される情報の密度を増
大させる努力が絶えず行われている。密度が増大する
と、それに対応して、媒体との間で情報の読み出しおよ
び書き込みを行う磁気ヘッドを縮小する必要がある。
大させる努力が絶えず行われている。密度が増大する
と、それに対応して、媒体との間で情報の読み出しおよ
び書き込みを行う磁気ヘッドを縮小する必要がある。
【０００３】磁気ヘッドを縮小するために、種々の異な
る方法が採用されてきた。常に変わらない主題は、ヘッ
ドギャップのサイズを縮小することであるが、ヘッドの
Ｓ／Ｎ比に関する問題が依然として残っている。ヘッド
ギャップとは、磁気媒体内の磁気遷移の励磁および検知
を行うためにその磁気媒体上方の空気軸受面（ＡＢＳ）
上に位置決めされたギャップのことである。
る方法が採用されてきた。常に変わらない主題は、ヘッ
ドギャップのサイズを縮小することであるが、ヘッドの
Ｓ／Ｎ比に関する問題が依然として残っている。ヘッド
ギャップとは、磁気媒体内の磁気遷移の励磁および検知
を行うためにその磁気媒体上方の空気軸受面（ＡＢＳ）
上に位置決めされたギャップのことである。
【０００４】従来の方法の１つに、エッジ部のうちの１
つがＡＢＳに位置する磁気抵抗素子（ＭＲＥ）を使用し
て磁気媒体から磁気信号を検知するものがある。残念な
がら、この構成はＭＲＥを磨耗および腐食にさらすもの
となる。更に、ＭＲＥは通常は、Tsang等著の「Gigabit
Density Recording Using Dual-Element MR/Inductive
Heads on Thin-Film Disks」（IEEE Transactions on
Magnetics, Volume26,No.5, September 1990）に記載さ
れているように、非対称のトラック交差プロフィールを
呈するものである。ＭＲＥをＡＢＳ外へと移動して非対
称性を修正するために、様々な試みがなされてきた。
つがＡＢＳに位置する磁気抵抗素子（ＭＲＥ）を使用し
て磁気媒体から磁気信号を検知するものがある。残念な
がら、この構成はＭＲＥを磨耗および腐食にさらすもの
となる。更に、ＭＲＥは通常は、Tsang等著の「Gigabit
Density Recording Using Dual-Element MR/Inductive
Heads on Thin-Film Disks」（IEEE Transactions on
Magnetics, Volume26,No.5, September 1990）に記載さ
れているように、非対称のトラック交差プロフィールを
呈するものである。ＭＲＥをＡＢＳ外へと移動して非対
称性を修正するために、様々な試みがなされてきた。
【０００５】従来の方法の１つに、デュアルトラックヘ
ッドにおける磁気ヨークの２つのアームを跨いでＭＲＥ
を橋絡することによりＭＲＥをＡＢＳ外へと移すものが
ある。書込コイルを有する磁気ヨークは情報の書き込み
用のものであり、ＭＲＥは情報の読出用のものである。
この方法では、薄膜強磁性材料がヨークとして基板上に
堆積され、次いで薄膜Nan-Yeh型ＭＲＥがそのヨークの
ヘッドギャップから離して堆積される。この構造が薄膜
によるものであるため、比較的高い磁気抵抗の経路がヘ
ッドギャップからＭＲＥへと生成される。この方法で
は、読出動作中のヨーク内の漏れ磁束を低減させるため
に、ヨークがバックギャップを有している。しかし、こ
のような構造は、ヘッド近傍の漂遊磁束に対するヘッド
の感受性を高くするものとなる。漂遊磁束による影響を
低減させるために、磁気シールドが付加される。一方、
そのシールドは、それが薄膜ヨークおよびＭＲＥの近傍
にあるため、漏れ磁束を増大させるものとなる。高磁気
抵抗経路およびシールドは、双方とも読出感度を低下さ
せるものとなる。
ッドにおける磁気ヨークの２つのアームを跨いでＭＲＥ
を橋絡することによりＭＲＥをＡＢＳ外へと移すものが
ある。書込コイルを有する磁気ヨークは情報の書き込み
用のものであり、ＭＲＥは情報の読出用のものである。
この方法では、薄膜強磁性材料がヨークとして基板上に
堆積され、次いで薄膜Nan-Yeh型ＭＲＥがそのヨークの
ヘッドギャップから離して堆積される。この構造が薄膜
によるものであるため、比較的高い磁気抵抗の経路がヘ
ッドギャップからＭＲＥへと生成される。この方法で
は、読出動作中のヨーク内の漏れ磁束を低減させるため
に、ヨークがバックギャップを有している。しかし、こ
のような構造は、ヘッド近傍の漂遊磁束に対するヘッド
の感受性を高くするものとなる。漂遊磁束による影響を
低減させるために、磁気シールドが付加される。一方、
そのシールドは、それが薄膜ヨークおよびＭＲＥの近傍
にあるため、漏れ磁束を増大させるものとなる。高磁気
抵抗経路およびシールドは、双方とも読出感度を低下さ
せるものとなる。
【０００６】別の従来の方法では、シリコン扁形ヘッド
のヘッドギャップを縮小し、次いでＡＢＳの反対側のギ
ャップを跨いでＭＲＥを配置して、ＭＲＥをＡＢＳから
離すようにしている。しかし、高分解能を得るためにヘ
ッドギャップのサイズが縮小されているので、そのヘッ
ドギャップを通る漏れ磁束が大幅に増大する。更に、漂
遊磁束はＭＲＥを通過する傾向にあり、読出中のノイズ
が増大することになる。この漏れ磁束および漂遊磁束の
増大もまた、読出感度を低下させるものとなる。
のヘッドギャップを縮小し、次いでＡＢＳの反対側のギ
ャップを跨いでＭＲＥを配置して、ＭＲＥをＡＢＳから
離すようにしている。しかし、高分解能を得るためにヘ
ッドギャップのサイズが縮小されているので、そのヘッ
ドギャップを通る漏れ磁束が大幅に増大する。更に、漂
遊磁束はＭＲＥを通過する傾向にあり、読出中のノイズ
が増大することになる。この漏れ磁束および漂遊磁束の
増大もまた、読出感度を低下させるものとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述説明から明らかな
ように、高密度記録に伴う上記問題を有することのない
磁気ヘッドが依然として必要とされている。
ように、高密度記録に伴う上記問題を有することのない
磁気ヘッドが依然として必要とされている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、高密度磁気媒
体に対して情報の読み出しおよび書き込みを行う扁形磁
気ヘッドを提供するものである。この磁気ヘッドは、情
報の読み出しに必要な高感度と、情報の書き込みに必要
な高磁場という利点を結合させたものである。更に、本
発明は、漏れ磁束、直列の高磁気抵抗、及び漂遊磁束に
起因するノイズといった問題を低減させるものである。
体に対して情報の読み出しおよび書き込みを行う扁形磁
気ヘッドを提供するものである。この磁気ヘッドは、情
報の読み出しに必要な高感度と、情報の書き込みに必要
な高磁場という利点を結合させたものである。更に、本
発明は、漏れ磁束、直列の高磁気抵抗、及び漂遊磁束に
起因するノイズといった問題を低減させるものである。
【０００９】一実施例では、磁気ヘッドは、強磁性ヨー
クおよびギャップ構造を有しており、その双方とも基板
上に製造される。そのギャップ構造は、第１リップと、
第１および第２強磁極と、その２つの磁極を橋絡するＭ
ＲＥとを備えたものである。
クおよびギャップ構造を有しており、その双方とも基板
上に製造される。そのギャップ構造は、第１リップと、
第１および第２強磁極と、その２つの磁極を橋絡するＭ
ＲＥとを備えたものである。
【００１０】第１リップはヘッドギャップに隣接してい
る。ヘッドギャップは所定のギャップ長を有している。
る。ヘッドギャップは所定のギャップ長を有している。
【００１１】第１強磁極はリップに接続されている。２
つの磁極は前記ギャップ長よりも長い距離だけ隔置さ
れ、各磁極はリップの厚さよりも大きな厚さを有してい
る。ヘッドギャップが小さいことにより、磁気媒体に対
して読み出しを行う際の分解能が改善されると共に、２
つの磁極間の距離が大きいことにより、磁極を横切る漏
れ磁束が最小限に抑えられる。
つの磁極は前記ギャップ長よりも長い距離だけ隔置さ
れ、各磁極はリップの厚さよりも大きな厚さを有してい
る。ヘッドギャップが小さいことにより、磁気媒体に対
して読み出しを行う際の分解能が改善されると共に、２
つの磁極間の距離が大きいことにより、磁極を横切る漏
れ磁束が最小限に抑えられる。
【００１２】ＭＲＥは、２つの磁極がギャップ長を越え
る距離だけ隔置された位置で、その２つの磁極を磁気的
に橋絡するが、電気的には橋絡しない。その隔置距離が
大きいことにより、ＭＲＥの長さが長くなり、ひいては
読出感度が高くなる。
る距離だけ隔置された位置で、その２つの磁極を磁気的
に橋絡するが、電気的には橋絡しない。その隔置距離が
大きいことにより、ＭＲＥの長さが長くなり、ひいては
読出感度が高くなる。
【００１３】強磁性ヨークは、第１側部ギャップにより
第１磁極から隔置された第１端部を有している。第１側
部ギャップを通る磁気抵抗よりもヨークを通る磁気抵抗
の方が低いので、その第１側部ギャップにより、ＭＲＥ
内の漂遊磁束が低減される。
第１磁極から隔置された第１端部を有している。第１側
部ギャップを通る磁気抵抗よりもヨークを通る磁気抵抗
の方が低いので、その第１側部ギャップにより、ＭＲＥ
内の漂遊磁束が低減される。
【００１４】本発明のその他の態様および利点は、本発
明の原理を一例として示した図面を参照して行う下記の
詳細な説明から明らかとなろう。
明の原理を一例として示した図面を参照して行う下記の
詳細な説明から明らかとなろう。
【００１５】
【実施例】図１ないし図４における同一符号は、全ての
図面における同様の要素を示している。本発明の実施例
を図１ないし図４を参照して以下に説明することとす
る。しかし、それら図面を参照して以下で行う詳細な説
明は単に例示を目的とするものであり、本発明はそれら
限定的な実施例を越えて実施可能なものである、という
ことが当業者家には容易に理解されよう。
図面における同様の要素を示している。本発明の実施例
を図１ないし図４を参照して以下に説明することとす
る。しかし、それら図面を参照して以下で行う詳細な説
明は単に例示を目的とするものであり、本発明はそれら
限定的な実施例を越えて実施可能なものである、という
ことが当業者家には容易に理解されよう。
【００１６】図１は、本発明の扁形磁気ヘッドの第１の
好適実施例100の一部を示す断面図である。この磁気ヘ
ッドは、シリコン等の基板（図示せず）上に構成され
る。ここでは詳細には説明しないが、本発明を製造する
のと同様の製造ステップは当業者には周知のものであ
り、例えば、Jean-Pierre Lazzariによる米国特許第4,9
49,207号明細書「Planar Structure Thin Film Magneti
c Head」に記載されている。なお、上記引用をもってそ
の文献の開示内容を本明細書に包含させたものとし、そ
の詳細な説明は省略することとする。
好適実施例100の一部を示す断面図である。この磁気ヘ
ッドは、シリコン等の基板（図示せず）上に構成され
る。ここでは詳細には説明しないが、本発明を製造する
のと同様の製造ステップは当業者には周知のものであ
り、例えば、Jean-Pierre Lazzariによる米国特許第4,9
49,207号明細書「Planar Structure Thin Film Magneti
c Head」に記載されている。なお、上記引用をもってそ
の文献の開示内容を本明細書に包含させたものとし、そ
の詳細な説明は省略することとする。
【００１７】本発明の磁気ヘッドは、磁気ヘッドの製造
に従来必要とされた研磨やダイシングを必要とすること
なく標準的な半導体製造技術により製造可能であるとい
った、低コストという重要な利点を有するものである。
に従来必要とされた研磨やダイシングを必要とすること
なく標準的な半導体製造技術により製造可能であるとい
った、低コストという重要な利点を有するものである。
【００１８】好適実施例では、磁気ヘッド100は、ギャ
ップ構造150およびヨーク102を有している。代表的に
は、ヘッド100は上方から下方へと製造される。即ち、
ヨーク102がギャップ構造150の前に形成される。ヨーク
102は高い透磁率を有する強磁性材料である。導体から
なる巻線（符号104,106,108等）がヨーク102の周囲に巻
き付けられて書込コイル105が形成される。書込コイル1
05内を流れる電流により、ヨーク102を通る磁束が生成
される。
ップ構造150およびヨーク102を有している。代表的に
は、ヘッド100は上方から下方へと製造される。即ち、
ヨーク102がギャップ構造150の前に形成される。ヨーク
102は高い透磁率を有する強磁性材料である。導体から
なる巻線（符号104,106,108等）がヨーク102の周囲に巻
き付けられて書込コイル105が形成される。書込コイル1
05内を流れる電流により、ヨーク102を通る磁束が生成
される。
【００１９】ヨーク102は、符号122,124等の１つ以上の
側部ギャップによりギャップ構造150から隔置されてい
る。この第１実施例では、２つの側部ギャップが存在す
るが、磁気ヘッドの別の実施例では、側部ギャップは１
つだけでもよい。この側部ギャップは、二酸化ケイ素等
の非磁性材料により充填される。１つ以上の側部ギャッ
プにより、低磁気抵抗のヨークは、符号112,114等の充
分な量の漂遊磁束をギャップ構造150から離すように案
内する。この好適な案内経路が存在するのは、漂遊磁束
が、側部ギャップを通る一層高い磁気抵抗の経路ではな
く、強磁性ヨークの一層低い磁気抵抗の経路を通過する
傾向があるからである。
側部ギャップによりギャップ構造150から隔置されてい
る。この第１実施例では、２つの側部ギャップが存在す
るが、磁気ヘッドの別の実施例では、側部ギャップは１
つだけでもよい。この側部ギャップは、二酸化ケイ素等
の非磁性材料により充填される。１つ以上の側部ギャッ
プにより、低磁気抵抗のヨークは、符号112,114等の充
分な量の漂遊磁束をギャップ構造150から離すように案
内する。この好適な案内経路が存在するのは、漂遊磁束
が、側部ギャップを通る一層高い磁気抵抗の経路ではな
く、強磁性ヨークの一層低い磁気抵抗の経路を通過する
傾向があるからである。
【００２０】ギャップ構造150は、符号154A,154B等の１
つ以上の強磁性リップと、第１および第２強磁極156A,1
56Bと、第１および第２強磁性リード158A,158Bと、ＭＲ
Ｅ162とを備えている。
つ以上の強磁性リップと、第１および第２強磁極156A,1
56Bと、第１および第２強磁性リード158A,158Bと、ＭＲ
Ｅ162とを備えている。
【００２１】第１実施例では、２つのリップが存在す
る。一対のリップ154A,154Bがヘッドギャップ164を規定
する。ヘッドギャップ164は、図示のようにｘ方向に沿
って測定されたギャップ長166を有している。別の実施
例ではリップは１つしか存在しない。この場合には、リ
ップおよび第１強磁極がヘッドギャップを規定する。
る。一対のリップ154A,154Bがヘッドギャップ164を規定
する。ヘッドギャップ164は、図示のようにｘ方向に沿
って測定されたギャップ長166を有している。別の実施
例ではリップは１つしか存在しない。この場合には、リ
ップおよび第１強磁極がヘッドギャップを規定する。
【００２２】第１実施例では、２つの強磁極は好適には
低磁気抵抗を有するべきである。１つの強磁極は１つの
リップに接続され、例えば、磁極156Aはリップ154Aに接
続される。２つの磁極はギャップ長166よりも大きい距
離だけ互いに隔置される。例えば、それら磁極は少なく
とも距離168だけ隔置される。更に、各磁極は、図１に
示すように各リップよりも厚いものとする。
低磁気抵抗を有するべきである。１つの強磁極は１つの
リップに接続され、例えば、磁極156Aはリップ154Aに接
続される。２つの磁極はギャップ長166よりも大きい距
離だけ互いに隔置される。例えば、それら磁極は少なく
とも距離168だけ隔置される。更に、各磁極は、図１に
示すように各リップよりも厚いものとする。
【００２３】ヘッドギャップ164が小さいことにより、
磁気媒体に対して読み出しを行う際の分解能が改善さ
れ、一方、２つの磁極間の隔離距離が大きいことによ
り、磁極を横切る漏れ磁束が最小限になる。高記録密度
でのＳ／Ｎ比を維持するために、漏れ磁束に起因する信
号レベルでの損失を最小限にすべきである。符号112等
の漂遊磁束に起因するノイズもまた最小限にすべきであ
る。ギャップ長166が短くなる程、側部ギャップの重要
性が高くなる。符号112等の高漂遊磁束は、これを側部
ギャップによりＭＲＥから離れる方向に向けなければ、
ＭＲＥに相当なノイズを生成し得るものとなる。
磁気媒体に対して読み出しを行う際の分解能が改善さ
れ、一方、２つの磁極間の隔離距離が大きいことによ
り、磁極を横切る漏れ磁束が最小限になる。高記録密度
でのＳ／Ｎ比を維持するために、漏れ磁束に起因する信
号レベルでの損失を最小限にすべきである。符号112等
の漂遊磁束に起因するノイズもまた最小限にすべきであ
る。ギャップ長166が短くなる程、側部ギャップの重要
性が高くなる。符号112等の高漂遊磁束は、これを側部
ギャップによりＭＲＥから離れる方向に向けなければ、
ＭＲＥに相当なノイズを生成し得るものとなる。
【００２４】ＭＲＥ162は、ギャップ長166を越える距離
だけ２つの磁極が隔置された位置でその２つの磁極を磁
気的に橋絡するが、電気的には橋絡しない。ヘッドギャ
ップ164が磁気媒体152に近接している場合には、媒体か
らの磁束のほとんどが一方の磁極からＭＲＥを介して他
方の磁極へと伝搬する。磁極156A,156Bが１つ以上の側
部ギャップによりヨーク102から隔置されているので、
最小限の量の磁束しかヨークには伝搬しない。ギャップ
長166を越える距離を有する位置にＭＲＥを配置する更
なる利点の１つに、ＭＲＥの能動長(active length)189
が増大することがある。ＭＲＥ162の能動長189は、２つ
の磁極間に架設されたＭＲＥの長さにほぼ等しい。この
能動長が大きいと、通常は読出信号レベルが高くなる。
だけ２つの磁極が隔置された位置でその２つの磁極を磁
気的に橋絡するが、電気的には橋絡しない。ヘッドギャ
ップ164が磁気媒体152に近接している場合には、媒体か
らの磁束のほとんどが一方の磁極からＭＲＥを介して他
方の磁極へと伝搬する。磁極156A,156Bが１つ以上の側
部ギャップによりヨーク102から隔置されているので、
最小限の量の磁束しかヨークには伝搬しない。ギャップ
長166を越える距離を有する位置にＭＲＥを配置する更
なる利点の１つに、ＭＲＥの能動長(active length)189
が増大することがある。ＭＲＥ162の能動長189は、２つ
の磁極間に架設されたＭＲＥの長さにほぼ等しい。この
能動長が大きいと、通常は読出信号レベルが高くなる。
【００２５】別の種類のＭＲＥを使用することも可能で
ある。その一例としては、パターン形成されたニッケル
−鉄薄膜がある。第１実施例では、ＭＲＥは、Nan-Yeh
により発明された「Narrow Track Magnetoresistive Tr
ansducer Assembly」と題する米国特許第4,356,523号明
細書に記載されている形式のものである。なお、上記引
用をもってその文献の開示内容を本明細書に包含させた
ものとし、その詳細な説明は省略することとする。Nan-
Yeh型ＭＲＥは、非強磁性の薄層によって隔置された２
つの強磁性薄膜から構成されるものである。これは、本
質的に極めて安定しており、バルクハウゼンノイズの影
響を比較的受けないものである。Nan-Yeh型のＭＲＥは
また、ヘッドが読み出しを行っている際にそのＭＲＥの
抵抗変化を検知するために検知電流が能動長に沿って流
れることを可能にする。これは有利なことである。なぜ
なら、ＭＲＥをｘ方向に沿って極めて長く形成して、磁
極との重複部分を大きくし、これにより磁極とＭＲＥと
の間の磁気抵抗を低減させることができるからである。
ある。その一例としては、パターン形成されたニッケル
−鉄薄膜がある。第１実施例では、ＭＲＥは、Nan-Yeh
により発明された「Narrow Track Magnetoresistive Tr
ansducer Assembly」と題する米国特許第4,356,523号明
細書に記載されている形式のものである。なお、上記引
用をもってその文献の開示内容を本明細書に包含させた
ものとし、その詳細な説明は省略することとする。Nan-
Yeh型ＭＲＥは、非強磁性の薄層によって隔置された２
つの強磁性薄膜から構成されるものである。これは、本
質的に極めて安定しており、バルクハウゼンノイズの影
響を比較的受けないものである。Nan-Yeh型のＭＲＥは
また、ヘッドが読み出しを行っている際にそのＭＲＥの
抵抗変化を検知するために検知電流が能動長に沿って流
れることを可能にする。これは有利なことである。なぜ
なら、ＭＲＥをｘ方向に沿って極めて長く形成して、磁
極との重複部分を大きくし、これにより磁極とＭＲＥと
の間の磁気抵抗を低減させることができるからである。
【００２６】ＭＲＥのための別の好適な材料としては、
例えば、下記の３つの文献に記載されているような巨大
(giant)磁気抵抗素子（ＧＭＲＥ）がある。即ち、第１
の文献は、Dieny等により発明されたスピンバルブ(spin
-valve)型ＧＭＲＥに関する「Magnetoresistive Sensor
Based on the Spin Valve Effect」と題する米国特許
第5,206,590号明細書であり、第２の文献は、Gruenberg
により発明された多層ベースのＧＭＲＥに関する「Magn
etic Field Sensor With Ferromagnetic ThinLayers Ha
ving Magnetically Antiparallel Polarized Component
s」と題する米国特許第4,949,039号明細書であり、第３
の文献は、粒状材料のＧＭＲＥに関するBerkowitz著の
「Giant Magnetoresistance in Heterogeneous Cu-Co A
lloys」(Phisical Review Letters、 第68巻、第3745〜
3748頁、1992年刊）である。ＧＭＲＥに関するこれら３
つの参考文献については、上記引用をもってそれらの開
示内容を本明細書中に全て包含させたものとし、その詳
細な説明は省略する。
例えば、下記の３つの文献に記載されているような巨大
(giant)磁気抵抗素子（ＧＭＲＥ）がある。即ち、第１
の文献は、Dieny等により発明されたスピンバルブ(spin
-valve)型ＧＭＲＥに関する「Magnetoresistive Sensor
Based on the Spin Valve Effect」と題する米国特許
第5,206,590号明細書であり、第２の文献は、Gruenberg
により発明された多層ベースのＧＭＲＥに関する「Magn
etic Field Sensor With Ferromagnetic ThinLayers Ha
ving Magnetically Antiparallel Polarized Component
s」と題する米国特許第4,949,039号明細書であり、第３
の文献は、粒状材料のＧＭＲＥに関するBerkowitz著の
「Giant Magnetoresistance in Heterogeneous Cu-Co A
lloys」(Phisical Review Letters、 第68巻、第3745〜
3748頁、1992年刊）である。ＧＭＲＥに関するこれら３
つの参考文献については、上記引用をもってそれらの開
示内容を本明細書中に全て包含させたものとし、その詳
細な説明は省略する。
【００２７】第１の好適実施例では、磁極間の間隔を大
きくするために、磁極に付加的なノッチや面取り部その
他の湾曲構造が設けられている。図１は、各磁極に付加
的なノッチを１つずつ示したものであり、例えば、磁極
156Aにはノッチ172が設けられている。この磁極のノッ
チは、２つの磁極間の隔置距離を更に延長させるものと
なる。この延長により、磁極間の漏れ磁束が更に低減
し、ＭＲＥの能動長189が長くなり、ひいては読出感度
が高くなる。
きくするために、磁極に付加的なノッチや面取り部その
他の湾曲構造が設けられている。図１は、各磁極に付加
的なノッチを１つずつ示したものであり、例えば、磁極
156Aにはノッチ172が設けられている。この磁極のノッ
チは、２つの磁極間の隔置距離を更に延長させるものと
なる。この延長により、磁極間の漏れ磁束が更に低減
し、ＭＲＥの能動長189が長くなり、ひいては読出感度
が高くなる。
【００２８】リップ及びノッチ付きの磁極は、好適には
標準的な写真製版技術により製造される。このような技
術は当業者には周知のものものであり、本明細書では詳
述しないこととする。
標準的な写真製版技術により製造される。このような技
術は当業者には周知のものものであり、本明細書では詳
述しないこととする。
【００２９】ＭＲＥ162と２つの磁極156A,156Bとの間に
は、強磁性リード158A,158Bが挿入される。ＭＲＥの各
端部上に１つずつ配設されたこれらの２つのリードによ
り、磁気媒体152から情報を読み出すために検知電流が
ＭＲＥを通ることが可能になる。これらのリードは、磁
極とＭＲＥとの間の磁気抵抗を低減させるために高透磁
率を有する強磁性材料から構成することが好ましい。磁
気抵抗を更に低減させるために、各リードは実質的にそ
れら磁極の近傍領域を１つずつ占有すべきである。
は、強磁性リード158A,158Bが挿入される。ＭＲＥの各
端部上に１つずつ配設されたこれらの２つのリードによ
り、磁気媒体152から情報を読み出すために検知電流が
ＭＲＥを通ることが可能になる。これらのリードは、磁
極とＭＲＥとの間の磁気抵抗を低減させるために高透磁
率を有する強磁性材料から構成することが好ましい。磁
気抵抗を更に低減させるために、各リードは実質的にそ
れら磁極の近傍領域を１つずつ占有すべきである。
【００３０】別の好適実施例では、リードは、ＭＲＥと
磁極との間ではなくＭＲＥの上方に配設される。この構
成では、リードを非磁性材料から成るものとすることが
できる。
磁極との間ではなくＭＲＥの上方に配設される。この構
成では、リードを非磁性材料から成るものとすることが
できる。
【００３１】好適には、検知電流を２つの磁極156A,156
Bから絶縁するために、ＭＲＥ162と各磁極との間に薄い
絶縁層が設けられ、例えば、リード158Aと磁極156Aとの
間に絶縁層176Aが、リード158Bと磁極156Bとの間に絶縁
層176Bが設けられる。
Bから絶縁するために、ＭＲＥ162と各磁極との間に薄い
絶縁層が設けられ、例えば、リード158Aと磁極156Aとの
間に絶縁層176Aが、リード158Bと磁極156Bとの間に絶縁
層176Bが設けられる。
【００３２】第１の好適実施例では、ＭＲＥ162は、非
強磁性金属薄膜により強磁性リードから隔置されてい
る。例えば、第１リード158Aは、第１の非強磁性薄膜16
0AによりＭＲＥ162から隔置され、第２リード158Bは、
第２の非強磁性薄膜160BによりＭＲＥ162から隔置され
ている。これら２つの薄膜は、リードとＭＲＥとの間の
強磁性交換(ferromagnetic exchange)を実質的に除去す
るものとなる。リードとＭＲＥとの間の電気的接触を維
持するために、その薄膜は導電性を有するものである。
更に、磁極156A,156BからＭＲＥ162への低磁気抵抗の経
路を維持するために、薄膜は好適には、強磁性交換を遮
断するのに充分な厚さのものとすべきである。
強磁性金属薄膜により強磁性リードから隔置されてい
る。例えば、第１リード158Aは、第１の非強磁性薄膜16
0AによりＭＲＥ162から隔置され、第２リード158Bは、
第２の非強磁性薄膜160BによりＭＲＥ162から隔置され
ている。これら２つの薄膜は、リードとＭＲＥとの間の
強磁性交換(ferromagnetic exchange)を実質的に除去す
るものとなる。リードとＭＲＥとの間の電気的接触を維
持するために、その薄膜は導電性を有するものである。
更に、磁極156A,156BからＭＲＥ162への低磁気抵抗の経
路を維持するために、薄膜は好適には、強磁性交換を遮
断するのに充分な厚さのものとすべきである。
【００３３】図２は、磁気ヘッド100の第１実施例のギ
ャップ構造150の一部を示す斜視図である。磁気ヘッド1
00はトラック幅140を有しており、このトラック幅140
は、トラック交差方向、即ちｚ方向に沿った幅である。
ャップ構造150の一部を示す斜視図である。磁気ヘッド1
00はトラック幅140を有しており、このトラック幅140
は、トラック交差方向、即ちｚ方向に沿った幅である。
【００３４】通常の読出動作または書込動作では、ギャ
ップ構造150は磁気媒体152の上方に位置し、その磁気媒
体152はトラック方向、即ちｘ方向に沿って移動する。
ップ構造150は磁気媒体152の上方に位置し、その磁気媒
体152はトラック方向、即ちｘ方向に沿って移動する。
【００３５】書込動作では、書込コイル105に書込電流
が供給されて、ヨーク102およびギャップ構造150内に磁
束が生成される。ギャップ164を横切る磁束によって、
情報が磁気媒体152に書き込まれる。
が供給されて、ヨーク102およびギャップ構造150内に磁
束が生成される。ギャップ164を横切る磁束によって、
情報が磁気媒体152に書き込まれる。
【００３６】読出動作では、検知電流IがＭＲＥへと供
給される。その結果として生じた信号電圧が、読出チャ
ネルの電子回路（図示せず）により測定される。
給される。その結果として生じた信号電圧が、読出チャ
ネルの電子回路（図示せず）により測定される。
【００３７】図３(a)〜(c)は、異なる状態におけるNan-
Yeh型ＭＲＥの各磁性薄膜の磁化方向Mを示すものであ
り、記号Ｈは外部から印加された磁界を表している。図
３(a)〜(c)において、実線と共に示す添字1は第１薄膜
を表し、点線と共に示す添字2は第２薄膜を表してい
る。図３(a)は、M1,M2についての検知電流による作用を
示している。図３(b)は、M1,M2についての更なるバイア
ス電流による作用を示し、図３(c)は、書込動作中のM1,
M2の方向を示している。
Yeh型ＭＲＥの各磁性薄膜の磁化方向Mを示すものであ
り、記号Ｈは外部から印加された磁界を表している。図
３(a)〜(c)において、実線と共に示す添字1は第１薄膜
を表し、点線と共に示す添字2は第２薄膜を表してい
る。図３(a)は、M1,M2についての検知電流による作用を
示している。図３(b)は、M1,M2についての更なるバイア
ス電流による作用を示し、図３(c)は、書込動作中のM1,
M2の方向を示している。
【００３８】図３(a)では、外部から供給された検知電
流Iが第１および第２薄膜内でI1,I2に分割されて、磁界
H1,H2がそれぞれ生成される。磁界と薄膜の磁気的な異
方性とを組み合わせた作用により、一組の逆平行のM1,M
2が生成され、その両者は、ＭＲＥの磁化容易軸、即ち
ｚ方向に沿った方向を指すものとなる。この磁化構成
は、磁束が良好に密閉された安定した状態を有するもの
となる。
流Iが第１および第２薄膜内でI1,I2に分割されて、磁界
H1,H2がそれぞれ生成される。磁界と薄膜の磁気的な異
方性とを組み合わせた作用により、一組の逆平行のM1,M
2が生成され、その両者は、ＭＲＥの磁化容易軸、即ち
ｚ方向に沿った方向を指すものとなる。この磁化構成
は、磁束が良好に密閉された安定した状態を有するもの
となる。
【００３９】図３(b)では、検知電流に加えてバイアス
電流が書込コイル105に供給されて、バイアス磁界Hbが
生成される。このバイアス磁界により、M1,M2がその逆
平行方向から回転してバイアス角θ1,θ2をそれぞれ有
するようになる。このバイアス角は、ＭＲＥの感度を高
くするものであり、好適には約45°となるべきである。
バイアス電流は、異方性、磁界H1,H2、エッジによる消
磁作用、および、先行の書込動作に起因する残留磁気を
考慮に入れたものとすべきである。
電流が書込コイル105に供給されて、バイアス磁界Hbが
生成される。このバイアス磁界により、M1,M2がその逆
平行方向から回転してバイアス角θ1,θ2をそれぞれ有
するようになる。このバイアス角は、ＭＲＥの感度を高
くするものであり、好適には約45°となるべきである。
バイアス電流は、異方性、磁界H1,H2、エッジによる消
磁作用、および、先行の書込動作に起因する残留磁気を
考慮に入れたものとすべきである。
【００４０】図３(c)は、書込コイル105を流れる書込電
流による作用を示している。書込電流は大きな書込磁界
Hwを生成する。書込磁界が大きいので、M1,M2が回転し
てほぼｘ方向に沿った方向を指すようになる。
流による作用を示している。書込電流は大きな書込磁界
Hwを生成する。書込磁界が大きいので、M1,M2が回転し
てほぼｘ方向に沿った方向を指すようになる。
【００４１】第１の好適実施例では、書込電流が中断し
ている際に検知電流IがＭＲＥ中を流れる。書込電流が
中断されると、検知電流Iによる磁界H1,H2がM1,M2を案
内してそれぞれのバイアス角θ1,θ2へと戻す。従っ
て、検知電流Iは、M1,M2の不確定な回転を実質的に防止
するものとなる。検知電流Iはまた、ＭＲＥ内での磁区
形成を防止し、ひいては後続の読出動作におけるバルク
ハウゼンノイズを低減させる。
ている際に検知電流IがＭＲＥ中を流れる。書込電流が
中断されると、検知電流Iによる磁界H1,H2がM1,M2を案
内してそれぞれのバイアス角θ1,θ2へと戻す。従っ
て、検知電流Iは、M1,M2の不確定な回転を実質的に防止
するものとなる。検知電流Iはまた、ＭＲＥ内での磁区
形成を防止し、ひいては後続の読出動作におけるバルク
ハウゼンノイズを低減させる。
【００４２】検知電流Iは、読出動作中に、また好適に
は書込電流が中断されている際に存在する。必要とあら
ば、検知電流を常時流すことも可能である。好適には、
残留磁気が予測可能なものとなるように書込電流が常に
同じ極性で中断し、必要なバイアス電流を一層正確に決
定することを可能とする。
は書込電流が中断されている際に存在する。必要とあら
ば、検知電流を常時流すことも可能である。好適には、
残留磁気が予測可能なものとなるように書込電流が常に
同じ極性で中断し、必要なバイアス電流を一層正確に決
定することを可能とする。
【００４３】図４は、本発明の第２の好適実施例のギャ
ップ構造200の一部を示す斜視図である。この実施例で
は、ヨークおよび側部ギャップは、第１実施例100とほ
ぼ同様のものであり、図示しないこととする。ＭＲＥは
好適には、第１強磁極204および第２強磁極206から絶縁
された一片の強磁性材料となる。この絶縁は、第１実施
例の層176Aと同様に、ＭＲＥ202と磁極との間の絶縁薄
層により達成することができる。第２実施例では、第１
および第２強磁性リードは必要ない。ＭＲＥ202を流れ
る検知電流は、ｚ方向に沿って、またはｚ方向と僅かに
角度をなす方向に沿って、ＭＲＥの一端202Aから他端20
2Bへと横切る。
ップ構造200の一部を示す斜視図である。この実施例で
は、ヨークおよび側部ギャップは、第１実施例100とほ
ぼ同様のものであり、図示しないこととする。ＭＲＥは
好適には、第１強磁極204および第２強磁極206から絶縁
された一片の強磁性材料となる。この絶縁は、第１実施
例の層176Aと同様に、ＭＲＥ202と磁極との間の絶縁薄
層により達成することができる。第２実施例では、第１
および第２強磁性リードは必要ない。ＭＲＥ202を流れ
る検知電流は、ｚ方向に沿って、またはｚ方向と僅かに
角度をなす方向に沿って、ＭＲＥの一端202Aから他端20
2Bへと横切る。
【００４４】ＭＲＥの磁化容易軸は、実質的にｚ方向に
沿った方向を指すものとなる。バイアス電流が書込コイ
ル105を流れてＭＲＥ内にバイアス磁界が生成される。
このバイアス磁界により、ＭＲＥの磁化方向が回転して
ｚ方向と角度206（例えば45°）をなす方向を指すよう
になる。当業者には自明のように、別の角度も可能であ
り、これに関しては、Bhattacharyya等著の「Bias Sche
me Analysis of Shielded MR Heads for Rigid Disk Re
cording」(Jounal of Applied Physics、第61巻(8)、19
87年刊）に記載されている。なお、上記引用をもってそ
の開示内容を本明細書中に包含させたものとし、その詳
細な説明は省略する。構造的には、ＭＲＥ202は、ＭＲ
Ｅと磁極との間の磁気抵抗を低減させるために磁極204,
206と重複している。しかし、ｘ方向に沿った過度の重
複は、読出動作の信号レベルを低下させるものとなる。
沿った方向を指すものとなる。バイアス電流が書込コイ
ル105を流れてＭＲＥ内にバイアス磁界が生成される。
このバイアス磁界により、ＭＲＥの磁化方向が回転して
ｚ方向と角度206（例えば45°）をなす方向を指すよう
になる。当業者には自明のように、別の角度も可能であ
り、これに関しては、Bhattacharyya等著の「Bias Sche
me Analysis of Shielded MR Heads for Rigid Disk Re
cording」(Jounal of Applied Physics、第61巻(8)、19
87年刊）に記載されている。なお、上記引用をもってそ
の開示内容を本明細書中に包含させたものとし、その詳
細な説明は省略する。構造的には、ＭＲＥ202は、ＭＲ
Ｅと磁極との間の磁気抵抗を低減させるために磁極204,
206と重複している。しかし、ｘ方向に沿った過度の重
複は、読出動作の信号レベルを低下させるものとなる。
【００４５】
【用例】本発明は、純粋にその用例であることを意図し
た下記の実施例を検討することにより、更に明確となろ
う。
た下記の実施例を検討することにより、更に明確となろ
う。
【００４６】第１実施例の一用例としては、以下の各パ
ラメータを有するものがある。即ちヨーク102と磁極156
A,156Bと強磁性リード158A,158Bとがパーマロイ(NiFe)
からなり、絶縁層176A,176Bが二酸化ケイ素からなり、
非強磁性薄膜160A,160Bがタンタルからなり、ＭＲＥがN
an-Yeh型であり、側部ギャップ122,124が二酸化ケイ素
により充填される。側部ギャップの長さ166は約0.2μm
であり、２つの磁極間の長さ168は約0.6μmであり、各
磁極の対応するリップから第１ノッチまでの各磁極の長
さ182は約７μmであり、各強磁性リードの長さ186は約
４μmであり、各非強磁性薄膜および各絶縁層の長さは
約５μmであり、ＭＲＥの長さ188は約３μmである。ま
た各リップの厚さは約0.1μmであり、第１ノッチの厚さ
190は約１μmであり、各磁極の厚さ192は約２μmであ
り、絶縁層176Aの厚さは約0.15μmであり、強磁性リー
ド158Aの厚さは約0.2μmであり、非強磁性薄膜160Aの厚
さは約4nmであり、ＭＲＥの厚さは約0.05μmであり、側
部ギャップ122の高さ121は約0.75μmである。磁極156A
とヨーク102の端部102Aとの重複部の長さは約４μmであ
る。書込コイルを備えたヨーク102は、約10回巻きしか
必要ない点を除き、前述のLazzariの特許におけるヨー
クと同様のものである。また、書込電流は約400mAt（ミ
リアンペアターン）であり、検知電流は約15mAであり、
バイアス電流は約６mAtである。上記の例は、約２μmと
いうトラック幅140で磁気媒体に対して書き込みおよび
読み出しを行うことが可能なものであり、これにより、
約1Gbit/inch2という面積密度が可能となる。
ラメータを有するものがある。即ちヨーク102と磁極156
A,156Bと強磁性リード158A,158Bとがパーマロイ(NiFe)
からなり、絶縁層176A,176Bが二酸化ケイ素からなり、
非強磁性薄膜160A,160Bがタンタルからなり、ＭＲＥがN
an-Yeh型であり、側部ギャップ122,124が二酸化ケイ素
により充填される。側部ギャップの長さ166は約0.2μm
であり、２つの磁極間の長さ168は約0.6μmであり、各
磁極の対応するリップから第１ノッチまでの各磁極の長
さ182は約７μmであり、各強磁性リードの長さ186は約
４μmであり、各非強磁性薄膜および各絶縁層の長さは
約５μmであり、ＭＲＥの長さ188は約３μmである。ま
た各リップの厚さは約0.1μmであり、第１ノッチの厚さ
190は約１μmであり、各磁極の厚さ192は約２μmであ
り、絶縁層176Aの厚さは約0.15μmであり、強磁性リー
ド158Aの厚さは約0.2μmであり、非強磁性薄膜160Aの厚
さは約4nmであり、ＭＲＥの厚さは約0.05μmであり、側
部ギャップ122の高さ121は約0.75μmである。磁極156A
とヨーク102の端部102Aとの重複部の長さは約４μmであ
る。書込コイルを備えたヨーク102は、約10回巻きしか
必要ない点を除き、前述のLazzariの特許におけるヨー
クと同様のものである。また、書込電流は約400mAt（ミ
リアンペアターン）であり、検知電流は約15mAであり、
バイアス電流は約６mAtである。上記の例は、約２μmと
いうトラック幅140で磁気媒体に対して書き込みおよび
読み出しを行うことが可能なものであり、これにより、
約1Gbit/inch2という面積密度が可能となる。
【００４７】図４に示した第２実施例についての一用例
は、ＭＲＥが、磁化容易軸が電流と平行に位置決めされ
た単一のパーマロイ薄膜である点を除き、第１実施例と
同様の特徴を有するものであり、ＭＲＥ202の幅212は約
４μm、ＭＲＥ202の厚さは約25nmである。
は、ＭＲＥが、磁化容易軸が電流と平行に位置決めされ
た単一のパーマロイ薄膜である点を除き、第１実施例と
同様の特徴を有するものであり、ＭＲＥ202の幅212は約
４μm、ＭＲＥ202の厚さは約25nmである。
【００４８】上記説明より、高密度記録用の扁形磁気ヘ
ッドが発明されたことが理解されよう。この磁気ヘッド
は、磁気の漏れ損失が小さく、Ｓ／Ｎ比の高いものとな
る。本発明は、実質的に対称のトラック交差応答を呈す
るものである。更に、本発明の磁気ヘッドは、その近傍
の漂遊磁束による影響を実質的に受けないものである。
従って、この磁気ヘッドには漂遊磁束に対する磁気シー
ルドは必要ない。ＭＲＥまたはＧＭＲＥは、それを磨耗
および腐食から実質的に保護するためにＡＢＳから隔置
される。磁気ヘッドについてＭＲＥおよびＧＭＲＥの例
を説明したが、その他の高感度材料もまた本発明に適用
することが可能である。
ッドが発明されたことが理解されよう。この磁気ヘッド
は、磁気の漏れ損失が小さく、Ｓ／Ｎ比の高いものとな
る。本発明は、実質的に対称のトラック交差応答を呈す
るものである。更に、本発明の磁気ヘッドは、その近傍
の漂遊磁束による影響を実質的に受けないものである。
従って、この磁気ヘッドには漂遊磁束に対する磁気シー
ルドは必要ない。ＭＲＥまたはＧＭＲＥは、それを磨耗
および腐食から実質的に保護するためにＡＢＳから隔置
される。磁気ヘッドについてＭＲＥおよびＧＭＲＥの例
を説明したが、その他の高感度材料もまた本発明に適用
することが可能である。
【００４９】当業者であれば、本明細書、即ちこれまで
開示してきた本発明の実施例を考察することにより、本
発明の他の実施例が明らかとなろう。本明細書および実
施例は単に例示を目的としたものであり、本発明の真の
範囲および思想は、特許請求の範囲に記載されている。
開示してきた本発明の実施例を考察することにより、本
発明の他の実施例が明らかとなろう。本明細書および実
施例は単に例示を目的としたものであり、本発明の真の
範囲および思想は、特許請求の範囲に記載されている。
【００５０】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【００５１】１．基板に結合されたギャップ構造を備え
た磁気ヘッドであって、前記ギャップ構造が、所定ギャ
ップ長を有するヘッドギャップに隣接する第１強磁性リ
ップと、第１および第２強磁極であって、前記第１磁極
が前記第１リップに接続され、前記２つの磁極が前記ギ
ャップ長よりも長い距離だけ隔置されており、それらの
各磁極の厚さが前記リップの厚さよりも厚い、前記第１
および第２強磁極と、前記２つの磁極が前記ギャップ長
を越える距離だけ隔置された位置でそれら２つの磁極を
実質的に磁気的に橋絡するが電気的には橋絡しない磁気
抵抗素子とを備えていることを特徴とする、磁気ヘッ
ド。
た磁気ヘッドであって、前記ギャップ構造が、所定ギャ
ップ長を有するヘッドギャップに隣接する第１強磁性リ
ップと、第１および第２強磁極であって、前記第１磁極
が前記第１リップに接続され、前記２つの磁極が前記ギ
ャップ長よりも長い距離だけ隔置されており、それらの
各磁極の厚さが前記リップの厚さよりも厚い、前記第１
および第２強磁極と、前記２つの磁極が前記ギャップ長
を越える距離だけ隔置された位置でそれら２つの磁極を
実質的に磁気的に橋絡するが電気的には橋絡しない磁気
抵抗素子とを備えていることを特徴とする、磁気ヘッ
ド。
【００５２】２．前記第２強磁極に接続された第２リッ
プを更に備え、それら２つのリップにより前記ヘッドギ
ャップが規定される、前項１記載の磁気ヘッド。
プを更に備え、それら２つのリップにより前記ヘッドギ
ャップが規定される、前項１記載の磁気ヘッド。
【００５３】３．前記基板に結合された強磁性ヨークを
更に備え、そのヨークが、第１側部ギャップにより前記
第１磁極から隔置された第１端部を有している、前項１
記載の磁気ヘッド。
更に備え、そのヨークが、第１側部ギャップにより前記
第１磁極から隔置された第１端部を有している、前項１
記載の磁気ヘッド。
【００５４】４．前記ヨークが、第２側部ギャップによ
り前記第２磁極から隔置された第２端部を更に備えてい
る、前項３記載の磁気ヘッド。
り前記第２磁極から隔置された第２端部を更に備えてい
る、前項３記載の磁気ヘッド。
【００５５】５．前記磁気抵抗素子が第１端部および第
２端部を有しており、磁気ヘッドが、前記第１および第
２端部にそれぞれ電気的に接続された第１および第２強
磁性リードを更に備えている、前項１記載の磁気ヘッ
ド。
２端部を有しており、磁気ヘッドが、前記第１および第
２端部にそれぞれ電気的に接続された第１および第２強
磁性リードを更に備えている、前項１記載の磁気ヘッ
ド。
【００５６】６．前記第１強磁性リードと前記磁気抵抗
素子との間に配設された第１非強磁性薄膜と、前記第２
強磁性リードと前記磁気抵抗素子との間に配設された第
２非強磁性薄膜とを更に備えている、前項５記載の磁気
ヘッド。
素子との間に配設された第１非強磁性薄膜と、前記第２
強磁性リードと前記磁気抵抗素子との間に配設された第
２非強磁性薄膜とを更に備えている、前項５記載の磁気
ヘッド。
【００５７】７．前記磁気ヘッドがトラック交差方向を
有し、前記磁気抵抗素子がNan-Yeh型のものであって、
前記トラック交差方向にほぼ沿った方向を指す磁化容易
軸を有している、前項１記載の磁気ヘッド。
有し、前記磁気抵抗素子がNan-Yeh型のものであって、
前記トラック交差方向にほぼ沿った方向を指す磁化容易
軸を有している、前項１記載の磁気ヘッド。
【００５８】８．前記磁気媒体に情報を書き込むために
前記磁気ヘッドに接続された書込電流と、前記磁気ヘッ
ドに接続されたバイアス電流であって、そのバイアス電
流の一部が、前記ヨークに残っている残留磁気が前記磁
気媒体に情報を書き込むのを無効にする、前記バイアス
電流とを更に備えている、前項７記載の磁気ヘッド。
前記磁気ヘッドに接続された書込電流と、前記磁気ヘッ
ドに接続されたバイアス電流であって、そのバイアス電
流の一部が、前記ヨークに残っている残留磁気が前記磁
気媒体に情報を書き込むのを無効にする、前記バイアス
電流とを更に備えている、前項７記載の磁気ヘッド。
【００５９】９．前記磁気媒体への情報の書き込みが中
断している際に前記磁気ヘッドに接続される検知電流を
更に備えている、前項７記載の磁気ヘッド。
断している際に前記磁気ヘッドに接続される検知電流を
更に備えている、前項７記載の磁気ヘッド。
【００６０】１０．前記各々の強磁極が、それら２つの
磁極間の距離を延長させるための１つ以上のノッチを備
えている、前項１記載の磁気ヘッド。
磁極間の距離を延長させるための１つ以上のノッチを備
えている、前項１記載の磁気ヘッド。
【００６１】１１．前記磁気抵抗素子が所定の能動長を
有し、前記磁気抵抗素子の前記能動長が長くなるように
前記各々の強磁極が１つ以上のノッチを備えている、前
項１記載の磁気ヘッド。
有し、前記磁気抵抗素子の前記能動長が長くなるように
前記各々の強磁極が１つ以上のノッチを備えている、前
項１記載の磁気ヘッド。
【００６２】１２．前記磁気ヘッドがトラック交差方向
を有し、そのトラック交差方向と鋭角をなす方向に沿っ
た方向を指す磁化容易軸を前記磁気抵抗素子が有してい
る、前項１記載の磁気ヘッド。
を有し、そのトラック交差方向と鋭角をなす方向に沿っ
た方向を指す磁化容易軸を前記磁気抵抗素子が有してい
る、前項１記載の磁気ヘッド。
【００６３】１３．前記鋭角が約４５°である、前項１
２記載の磁気ヘッド。
２記載の磁気ヘッド。
【００６４】１４．前記磁気ヘッドがトラック交差方向
を有し、そのトラック横断方向にほぼ沿った方向を指す
磁化容易軸を前記磁気抵抗素子が有し、前記磁気ヘッド
が、少なくとも読出感度を高くするよう磁化方向を回転
させるために前記磁気ヘッドに接続されたバイアス電流
を更に備えている、前項１記載の磁気ヘッド。
を有し、そのトラック横断方向にほぼ沿った方向を指す
磁化容易軸を前記磁気抵抗素子が有し、前記磁気ヘッド
が、少なくとも読出感度を高くするよう磁化方向を回転
させるために前記磁気ヘッドに接続されたバイアス電流
を更に備えている、前項１記載の磁気ヘッド。
【００６５】１５．前記磁気ヘッドがトラック交差方向
を有し、前記磁気抵抗素子が巨大磁気抵抗素子である、
前項１記載の磁気ヘッド。
を有し、前記磁気抵抗素子が巨大磁気抵抗素子である、
前項１記載の磁気ヘッド。
【００６６】１６．前記磁気ヘッドが前記磁気媒体に対
して情報の読み出しおよび書き込みを行い、前記磁気ヘ
ッドが、前記ヨークに残っている残留磁気が前記磁気媒
体に情報を書き込むのを無効にするために前記磁気ヘッ
ドに接続されたバイアス電流を更に備えている、前項３
記載の磁気ヘッド。
して情報の読み出しおよび書き込みを行い、前記磁気ヘ
ッドが、前記ヨークに残っている残留磁気が前記磁気媒
体に情報を書き込むのを無効にするために前記磁気ヘッ
ドに接続されたバイアス電流を更に備えている、前項３
記載の磁気ヘッド。
【００６７】１７．図１ないし図３に示した構成要素を
備えていることを特徴とする磁気ヘッド。
備えていることを特徴とする磁気ヘッド。
【００６８】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、情
報の読み出しに必要な高感度と情報の書き込みに必要な
高磁場との両者を備えた高密度記録用の磁気ヘッドを提
供することができる。
報の読み出しに必要な高感度と情報の書き込みに必要な
高磁場との両者を備えた高密度記録用の磁気ヘッドを提
供することができる。
【図１】本発明の第１好適実施例のギャップ構造の一部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第１好適実施例のギャップ構造の一部
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】(a)ないし(c)は、本発明のNan-Yeh型ＭＲＥの
各磁性薄膜における磁化方向Mを異なる状態で示す説明
図である。
各磁性薄膜における磁化方向Mを異なる状態で示す説明
図である。
【図４】本発明の別の好適実施例のギャップ構造の一部
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
100 扁形磁気ヘッド 102 ヨーク 104,106,108 巻線 105 書込コイル 112,114 漂遊磁束 122,124 側部ギャップ 150 ギャップ構造 154A,154B 強磁性リップ 156A,156B 第１および第２強磁極 158A,158B 第１および第２強磁性リード 162 ＭＲＥ 164 ヘッドギャップ 166 ギャップ長 189 ＭＲＥの能動長
Claims (1)
- 【請求項１】基板に結合されたギャップ構造を備えた磁
気ヘッドであって、前記ギャップ構造が、 所定ギャップ長を有するヘッドギャップに隣接する第１
強磁性リップと、 第１および第２強磁極であって、前記第１磁極が前記第
１リップに接続され、前記２つの磁極が前記ギャップ長
よりも長い距離だけ隔置されており、それらの各磁極の
厚さが前記リップの厚さよりも厚い、前記第１および第
２強磁極と、 前記２つの磁極が前記ギャップ長を越える距離だけ隔置
された位置でそれら２つの磁極を実質的に磁気的に橋絡
するが電気的には橋絡しない磁気抵抗素子とを備えてい
ることを特徴とする、磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14625593A | 1993-11-01 | 1993-11-01 | |
| US146255 | 1993-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176019A true JPH07176019A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=22516531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6267923A Pending JPH07176019A (ja) | 1993-11-01 | 1994-11-01 | 扁形磁気抵抗ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5491606A (ja) |
| EP (1) | EP0651374A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07176019A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3267046B2 (ja) * | 1994-04-21 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気記憶装置 |
| FR2727778B1 (fr) * | 1994-12-02 | 1997-01-03 | Commissariat Energie Atomique | Codeur magnetique pour la lecture de marques sur une piste magnetique associee |
| FR2744554B1 (fr) * | 1996-02-02 | 1998-04-10 | Silmag Sa | Tete magnetique a element magnetoresistant enterre dans l'entrefer et procede de realisation |
| FR2746572B1 (fr) * | 1996-03-19 | 1998-07-24 | Silmag Sa | Tete magnetique a forte reluctance |
| FR2747499B1 (fr) * | 1996-04-12 | 1998-07-17 | Silmag Sa | Tete magnetique horizontale a magnetoresistance perfectionnee |
| US5747997A (en) * | 1996-06-05 | 1998-05-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
| US6166539A (en) * | 1996-10-30 | 2000-12-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
| US6055138A (en) * | 1998-05-06 | 2000-04-25 | Read-Rite Corporation | Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip |
| JP2002074623A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 水平ヨーク型磁気ヘッドおよび磁気記録装置ならびに磁気再生装置 |
| US6985330B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-01-10 | Hitachi Global Technologies Netherlands B.V. | High efficiency side-by-side thin film head utilizing canted shield yokes |
| US7414816B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-08-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Planar magnetic thin film head |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2461995A1 (fr) * | 1979-07-20 | 1981-02-06 | Lcc Cice Cie Europ Compo Elect | Transducteur magneto-electrique pour systeme d'enregistrement magnetique, et systeme d'enregistrement comportant un tel transducteur |
| US4356523A (en) * | 1980-06-09 | 1982-10-26 | Ampex Corporation | Narrow track magnetoresistive transducer assembly |
| EP0326192A3 (en) * | 1984-02-28 | 1989-09-06 | International Business Machines Corporation | Magneto resistive coupled thin films for magnetic flux sensing |
| US4626946A (en) * | 1984-02-28 | 1986-12-02 | International Business Machines Corporation | Twin track vertical read-write head structure |
| JPS61107520A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4698711A (en) * | 1985-10-02 | 1987-10-06 | International Business Machines Corporation | Simplified, shielded twin-track read/write head structure |
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62134814A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| FR2604021B1 (fr) * | 1986-09-17 | 1988-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de tetes magnetiques en couches minces et a structure planaire et tete obtenue par ce procede |
| AU1628188A (en) * | 1987-04-01 | 1988-11-02 | Digital Equipment Corporation | Magneto-resistive thin film head for digital magnetic storage device |
| NL8701663A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Dunne film magneetkop met een magnetoweerstandselement. |
| JPS6488911A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head |
| US4881143A (en) * | 1988-01-19 | 1989-11-14 | Hewlett-Packard Company | Compensated magneto-resistive read head |
| DE3806808A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Vorrichtung zur feststellung von magnetisierten bereichen |
| DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| FR2645314B1 (fr) * | 1989-03-29 | 1991-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance pour enregistrement longitudinal et procede de realisation d'une telle tete |
| FR2665010B1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-09-18 | Thomson Csf | Dispositif magnetique de lecture a reseau matriciel de tetes de lecture. |
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| JP3200060B2 (ja) * | 1990-09-12 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5304975A (en) * | 1991-10-23 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor |
| JP3394549B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2003-04-07 | 富士通株式会社 | ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
-
1994
- 1994-10-25 EP EP94307844A patent/EP0651374A3/en not_active Withdrawn
- 1994-11-01 JP JP6267923A patent/JPH07176019A/ja active Pending
-
1995
- 1995-03-27 US US08/410,382 patent/US5491606A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0651374A2 (en) | 1995-05-03 |
| US5491606A (en) | 1996-02-13 |
| EP0651374A3 (en) | 1995-09-06 |
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