JPH07176262A - 含浸形陰極構造体とその製造方法 - Google Patents

含浸形陰極構造体とその製造方法

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JPH07176262A
JPH07176262A JP18028892A JP18028892A JPH07176262A JP H07176262 A JPH07176262 A JP H07176262A JP 18028892 A JP18028892 A JP 18028892A JP 18028892 A JP18028892 A JP 18028892A JP H07176262 A JPH07176262 A JP H07176262A
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JP
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sleeve
opening
cathode
cathode active
active material
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JP18028892A
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Hwan-Chul Rho
盧煥哲
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Samsung Display Devices Co Ltd
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Publication date
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    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/14Solid thermionic cathodes characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J9/04Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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    • H01J1/28Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid Thermionic Cathode (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】高負荷においても電子放出が適正水準に抑制が
でき、陰極の表面から放出される電子が最高の密度及び
最小の放出直径を有することにより、高解像度陰極線管
に求められる小さい直径のビームスポットを具現する陰
極構造体とその製造方法を提供すること。 【構成】上端が截錐形となりその中心に所定の直径を有
する開口を有するスリーブと、該スリーブの内部に充填
されて前記開口を通じ頂部が露出される円錐形を含む形
状となる陰極活性物質と、前記陰極活性物質を充填する
ために前記スリーブの内側を区画して設けた充填室と、
前記スリーブの内側を区画して設けた前記充填室の形成
のための仕切り板と、前記仕切り板の下方に設けたヒー
ターとで構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管の電子銃に用い
られる陰極構造体に係り、より詳しくは電子ビームの直
径を著しく縮小させることができる含浸形陰極構造体と
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】含浸形陰極はタングステン粉末から成る
多孔質タングステン成形体に電子放出活性化物質を含浸
させた後、該多孔質タングステン成形体を高融点金属で
つくられた貯蔵槽に収納し、電子放射面に白金族元素を
被覆させた構成を有するものであり、従来の炭酸塩によ
る陰極活性物質(いわゆる陰極酸化物)より寿命が長く
特性がすぐれた長所があるものとして知られている。
【0003】前述した含浸形陰極はプレスあるいは焼結
を通じてつくられる多孔質タングステン基体にバリウム
を主成分とする電子放出活性化物質を含浸させてその多
孔質の空間に電子放出活性化物質がしみ込んで充填され
るようにした後、多孔質タングステン基体の電子放射面
となる一側面の含浸残留物を除去しモリブデン材収容室
に収容した後、収容室から露出された多孔質タングステ
ン基体の表面に白金族元素を被覆した構造となってい
る。
【0004】前記のような工程を通じて得られる含浸形
陰極構造体は多孔質タングステンがヒータにより100
0〜1200℃で加熱されるとき、多孔質タングステン
に含浸されたバリウム系電子放出活性化物質の酸化バリ
ウムからバリウムが遊離還元されて自由バリウムとな
り、該自由バリウムが陰極の多孔質タングステン基体の
表面に拡散移動されることにより電子が放出されるよう
になる。
【0005】含浸形陰極による電子放出現象は、伝導帯
と充満帯との間で過剰のバリウムが不純物として作用し
てドナー準位を形成することに従い充満台の電子を容易
に伝導帯に引き上げて電子が放出されるようにする半導
体的な理論あるいは高エネルギーを有する硫化バリウム
電子が酸化バリウム状態で酸素による低いポテンシャル
を通じて放出されるようにする放出中心の理論にしたが
うものであるが、いずれにしても、電子放出の効率性を
大きく左右するのは電子放出面のバリウム濃度であるこ
とは同様である。
【0006】この種類の含浸形陰極構造体の例は、米国
特許第4,417,173号及び第4,379,979
号に開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
カラー陰極線管の中において、特に高精細陰極線管は電
子ビームが画面に形成するビームスポットの直径を可及
的に縮小し画面の鮮明度を大幅向上させることができる
機能が求められている。
【0008】ビームスポットの直径の縮小のためには、
電流密度がすぐれた含浸形陰極を用い、さらに、制御電
極(第1グリッド)のアパチャー直径を従来の0.6m
mφから例えば0.3mmφとすることになるが、この
場合、制御電極の直径が小さいほど陰極に印加される負
荷も増加せざるを得ないし、かつ、このときの高負荷に
より陰極における電子放出が必要以上に急に増加してそ
の使用寿命が著しく短くなるという問題点が生じる。
【0009】したがって、本発明の目的は高い電流密度
を現わす構造であり、さらに、高負荷においても電子放
出量を一定水準に抑制することができる含浸形陰極構造
体を提供することである。
【0010】さらに、本発明は前述した含浸形陰極構造
体の製造に最も適合した方法を提供することをも目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係る含浸形陰極構造体は、上端が截錐形であ
り上端に所定の開口4を有するスリーブ2と、該スリー
ブ2の内部に充填されて前記開口4から頂部が露出する
と共に截錐形を含む形状となる陰極活性物質14と、前
記陰極活性物質14を充填するために前記スリーブ2の
内側を区画し設けた充填室10と、前記充填室10の区
画のための仕切り板6と、前記仕切り板6の後方に設け
たヒータ20と、を含むことを特徴とする。
【0012】陰極活性物質の前記開口4から露出する部
分(頂部)は、好ましくは、円錐状突出部を成す。
【0013】さらに、前記スリーブの開口に露出ないし
突出する陰極活性物質の頂部には耐火性金属(Mo、W
等)あるいは白金族元素からなる被覆層が、好ましくは
蒸着によって、被着形成される。
【0014】さらに、本発明において、被覆層はOs、
Ir、Ruの中から選択された1種以上から成ることが
好ましい。
【0015】さらに、本発明に係る陰極構造体におい
て、スリーブは截錐形の上端部を含む単一の形態に成形
するかあるいは截錐形キャップに円筒状管体を溶接連結
させた構成となることもできる。また、スリーブ上端の
開口は好ましくは上端部中心に所定の直径をもって設け
る。
【0016】本発明に係る陰極構造体の製造方法は、次
の各工程(1)〜(3)を含むことを特徴とする。
【0017】(1)先端に開口を有する截錐形部分を含
むスリーブを、その開口側がエゼクタピンの錐形凹部に
支持されるようにダイに装入し、前記スリーブの内部に
粉末状多孔質タングステンを適当量投入しパンチでプレ
スして、前記多孔質タングステンが前記開口から頂部が
露出するよう加圧成形し、その後、前記ダイからスリー
ブを取出すプレス工程と、(2)取出されたスリーブの
内側に電子放出活性化物質を装入して多孔質タングステ
ンと接触せしめ、還元雰囲気下において電子放出活性化
物質の溶融温度以上に加熱し多孔質タングステンに電子
放出活性化物質を溶融含浸する陰極活性物質形成工程
と、(3)得られた陰極活性物質の底面に仕切り板をス
リーブに固着して配設し陰極活性物質の充填室とヒータ
用空間とを区画する空間区画工程。
【0018】
【作用】本発明に係る陰極構造体によると、ヒータの動
作により始まる電子放出が、スリーブの上端部にあけら
れた開口の断面積に限定して行われるため、陰極活性物
質が高負荷状態にあっても過度な電子放出が生ぜず、高
精細(高解像度)陰極線管に必要な適当量に抑制され
る。
【0019】陰極活性物質の電子放出活性に有効に作用
する部分はまた、スリーブの内部の広い断面積を有する
主体部分に広がって存在しており、このように過度な電
子放出を抑制する結果、多孔質タングステンに含浸され
た電子放出活性物質の放出持続時間が従来より非常に長
くなるため、高負荷状態においても寿命が長期化され
る。
【0020】さらに、本発明に係る陰極構造体は、陰極
活性物質が截錐形ないし円錐形に形成されているため頂
部に行くほどその断面積がだんだん狭くなり、さらに、
円錐形の頂部の一部を除いてはすべての外周面がスリー
ブの截錐形構造物によりシールドされるため多孔質タン
グステンから遊離還元される自由バリウムは開口から突
出する頂部付近に集中され、しかもこの部分は陰極活性
物質の体積が最も少ない部分であり自由バリウムの密度
は最高の領域となる。
【0021】したがって、本発明に係る陰極構造体にお
いて、スリーブの上端開口を通じて放出されるバリウム
電子束は最小の放出直径を有しながらも、最大の電流密
度を維持する。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。本発明に係る含浸形陰極構造体は、図1に
示すように上面が円錐形をなす独特な形状に構成され
る。
【0023】モリブデンのように高融点金属からなるス
リーブ2の上部はその上端の中心に所定の直径Rを有す
る開口4があけられている截錐形であり、さらに、その
内側は最後に設けられる仕切り板(バッキングプラグ)
6により内部が二つに区画されて、上方は多孔質タング
ステン8が充填される充填室となる。
【0024】前記多孔質タングステン8は、仕切り板6
が設けられる前に粉末状にスリーブ2の内側に装入され
るものであり、装入の後はプレスされて頂点が開口4か
ら露出する円錐形を有する形状に加圧成形される。
【0025】前記のように円錐形を有する形状に加圧成
形された多孔質タングステン8にバリウム系電子放出活
性化物質12が含浸されることにより、陰極活性物質1
4となる。
【0026】電子放出活性化物質12は、仕切り板6が
取付けられる前にスリーブ2に充填される。
【0027】前記開口4を通じて露出する陰極活性物質
(ないし酸化物)14の表面には白金族元素からなる被
覆層16が蒸着される。
【0028】被覆層16に用いられる白金族元素として
はOs、Ir、Ruなどがある。最後に設けられる仕切
り板6によりスリーブ2の内部は上下に区画され、さら
に、下側の空間18には通常のヒータ20が設けられて
全体として陰極構造体をなすようになる。
【0029】この実施例において、陰極活性物質14が
円錐形になるようにするため、スリーブ2の形態が上端
の中心に開口4があけられた截錐形に一体化された例を
示しているが、本発明は例示したスリーブ2の形状に限
定されず、たとえ、示すスリーブ2の上端部と同様な形
状の截錐形キャップを別途に用意しておき、該截錐形キ
ャップに円筒状の筒体を溶接連結させた構造のスリーブ
に代替しても、本発明において要求するような円錐形の
端部を有する陰極を得ることができる。
【0030】前記のように構成された本発明によると、
ヒータ20の動作により始まる電子放出が、スリーブ2
の上端部にあけられた開口4の断面積に限定して生ずる
ため、陰極活性物質14が高負荷状態にあっても過度な
電子放出が生じないように一定水準に抑制される。
【0031】このように過度な電子放出を抑制すること
により多孔質タングステン8に含浸された電子放出活性
化物質12の放出持続時間が、従来の陰極構造体よりず
っと長くなって高負荷状態においても寿命が長期化され
る。
【0032】さらに、本発明の陰極構造体は、陰極活性
物質14が円錐形に形成されているため、その断面積が
上端に向ってだんだん狭くなり、しかも該円錐形の頂点
は一部を除いてはすべての外周面がスリーブ2の截錐形
構造物によりシールドされるため多孔質タングステン8
から遊離還元される自由バリウムは開口4により露出さ
れた頂点付近に集中される。したがって、陰極活性物質
14はその頂点付近は最も少ない体積でありながらも自
由バリウムの密度は最高の領域となる。
【0033】前記のように、頂部付近の自由バリウムの
密度が最高になることによりスリーブ2の上端開口4を
通じ放出されるバリウム電子束は最小の直径を有しかつ
最大の電流密度を維持するようになって高精細(高解像
度)陰極線管に求められる最小のビームスポット径を得
ることができる。
【0034】前述したように構成された陰極構造体は、
次に説明する工程を経て製造される。
【0035】図2は本発明に係る含浸形陰極構造体の製
造例を示す工程図である。
【0036】(プレス工程)スリーブ2は適当なダイ2
2に装入され上面に対応する円錐形の凹部24が刻まれ
ているエゼクタピン26の上面にその截錐形の上端開口
4が載置される。
【0037】スリーブ2の内部に粉末状多孔質タングス
テン8を適当量装入し、パンチ28を下降して500〜
600kg/cm2に圧縮して多孔質タングステン8を
固形体に加圧成形する。
【0038】プレス工程を経ると多孔質タングステン8
はスリーブ2の開口4から頂部が突出する円錐形上端部
を有する形状の加圧成形 基体となる。
【0039】(陰極形成工程)加圧成形された多孔質タ
ングステン基体8にバリウムカルシウムアルミネート
(この詳細は米国特許第4,417,173号参照)か
らなる電子放出活性化物質12を載せ、真空(ないし非
酸化性雰囲気)あるいは水素などの還元雰囲気で150
0〜1800℃に加熱すると、前記電子放出活性化物質
12が溶融により多孔質タングステン8に含浸されて陰
極活性物質14が形成される。
【0040】このような含浸工程が済むと、開口4に露
出された陰極の表面に被覆層16を蒸着形成する。
【0041】(空間区画工程)次に、スリーブ2の内側
に仕切り板6を入れて陰極活性物質14の底面と接触す
るようにした状態でスリーブ2と溶接連結させて陰極活
性物質14を受容保存することができる充填室を上方に
形成し、下方の残余空間にはヒータ20を収容すること
により所望の陰極構造体を得る。
【0042】なお陰極活性物質の材質としては、上記の
例の外、米国特許第4,417,173号に開示の熱イ
オン電子放出活性化物質を用いることができる。これに
は例えば、原子的に粗な(atomically rough)合金(M
o/Os,Ir/Ta,W/Re,Nb/Rh,Nb/
Ir,Rh/Ta等の二元合金(好ましくはσ-相)な
いし三元合金等とアルカリ土類金属からなる活性化剤
(アクチベイタ)との組合せ等がある。さらに陰極活性
物質の表面被覆の構造は、米国特許第4,379,97
9号に記載のような、ミクロンサイズの連通孔を有する
ものとすることもでき、これは必須ではないが、所定の
分だけ制御に寄与する。被覆は、その他の多孔度制御膜
(CPD)方式としてもよい。
【0043】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る陰極構造体
において、スリーブの上端開口を通じて放出されるバリ
ウム電子束は最小の放出直径を有しながらも、最大の電
流密度を維持するようになり高精細(高解像度)陰極線
管が求める諸要求特性をそろって満たすという長所を有
する。
【0044】さらに、本発明は過度な電子放出を抑制す
る結果多孔質タングステン基体に含浸された電子放出活
性化物質の放出持続時間が従来より非常に長くなるた
め、高負荷状態においても寿命が長期化されるという効
果を有する。なお、請求項2〜4の構成によれば上記本
発明の効果を実現する上で、さらに有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る含浸形陰極構造体のスリーブを示
す斜視図
【図2】本発明に係る含浸形陰極構造体の製造方法を示
す斜視図
【符号の説明】
2…スリーブ 4…開口 6…仕切り板 8…多孔質タングステン(基体) 10…充填室 12…電子放出活性化物質 14…陰極活性物質 16…被覆層 18…空間 20…ヒータ 24…凹部 26…エゼクタピン 28…パンチ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上端が截錐形であり上端に所定の開口4を
    有するスリーブ2と、 該スリーブ2の内部に充填されて前記開口4から頂部が
    露出すると共に截錐形を含む形状となる陰極活性物質1
    4と、 前記陰極活性物質14を充填するために前記スリーブ2
    の内側を区画して設けた充填室10と、前記充填室10
    の区画のための仕切り板6と、前記仕切り板6の後方に
    設けたヒータ20と、 を含むことを特徴とする含浸形陰極構造体。
  2. 【請求項2】陰極活性物質の前記開口4から露出する頂
    部が、円錐状突出部を成すことを特徴とする請求項1記
    載の含浸形陰極構造体。
  3. 【請求項3】前記スリーブ2の開口に露出する陰極活性
    物質14の頂部に白金族元素からなる被覆層16が被着
    形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
    含浸形陰極構造体。
  4. 【請求項4】白金族元素はオスミウム、イリジウム、ル
    テニウムの中から選択された1種以上であることを特徴
    とする請求項3記載の含浸形陰極構造体。
  5. 【請求項5】(1)先端に開口4を有する截錐形部分を
    含むスリーブ2をその開口4側がエゼクタピン26の截
    錐形凹部24に支持されるようにダイ22に装入し、前
    記スリーブ2の内部に粉末状多孔質タングステン8を適
    当量投入しパンチ28でプレスして、前記多孔質タング
    ステン8が前記開口4から頂部が露出するよう加圧成形
    し、その後、前記ダイ22からスリーブ2を取出すプレ
    ス工程と、 (2)取出されたスリーブ2の内側に電子放出活性化物
    質12を装入して多孔質タングステン8と接触せしめ、
    真空又は還元雰囲気下において電子放出活性化物質12
    の溶融温度以上に加熱し多孔質タングステン8に電子放
    出活性化物質12を溶融含浸する陰極活性物質形成工程
    と、 (3)前記陰極活性物質14の底面に仕切り板6をスリ
    ーブ2に固着して配設し陰極活性物質14の充填室10
    とヒータ20用空間18とに区画する空間区画工程とを
    含むことを特徴とする含浸形陰極構造体の製造方法。
JP18028892A 1991-06-13 1992-06-15 含浸形陰極構造体とその製造方法 Pending JPH07176262A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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KR1019910009767A KR930008611B1 (ko) 1991-06-13 1991-06-13 함침형 음극구조체와 그 제조방법
KR1991-9767 1991-06-13

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