JPH07176403A - Thick film circuit and manufacturing method thereof - Google Patents
Thick film circuit and manufacturing method thereofInfo
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- JPH07176403A JPH07176403A JP5320213A JP32021393A JPH07176403A JP H07176403 A JPH07176403 A JP H07176403A JP 5320213 A JP5320213 A JP 5320213A JP 32021393 A JP32021393 A JP 32021393A JP H07176403 A JPH07176403 A JP H07176403A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】所望の周波数帯域、特に例えば１ＧＨｚ以上の
高周波帯域で所望のインピーダンスを有する厚膜回路、
およびその製造方法を提供する。
【構成】厚膜抵抗体による抵抗とともに、その厚膜抵抗
体の両端電極の容量結合によるキャパシタを形成し、抵
抗体をトリミングして特性インピーダンスを調整する。
(57) [Abstract] [Purpose] A thick film circuit having a desired impedance in a desired frequency band, particularly, for example, a high frequency band of 1 GHz or more,
And a method for manufacturing the same. [Structure] A resistor is formed by a thick film resistor and a capacitor is formed by capacitive coupling of both electrodes of the thick film resistor, and the resistor is trimmed to adjust the characteristic impedance.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板等の
誘電体基板上に形成された厚膜回路およびその製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film circuit formed on a dielectric substrate such as a ceramic substrate and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より誘電体基板上に厚膜法により回
路が形成された回路基板が、特にマイクロ波帯等の高周
波信号を扱う電子回路等に広く使用されている。図６
は、誘電体基板上に厚膜法により形成された、従来の抵
抗回路の一例を示す斜視図である。2. Description of the Related Art Conventionally, a circuit board in which a circuit is formed on a dielectric substrate by a thick film method has been widely used especially for an electronic circuit which handles a high frequency signal such as a microwave band. Figure 6
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a conventional resistance circuit formed on a dielectric substrate by a thick film method.
【０００３】誘電体基板１の表面に導体２，３が印刷，
焼成され、それら導体２，３を接続するように抵抗体４
が印刷，焼成されている。また誘電体基板１の裏面に
は、その全面に導体５が印刷，焼成されている。ここ
で、導体２，３や抵抗体４は、マイクロストリップライ
ン，コプレイナライン等、インピーダンスコントロール
された伝送経路として形成されている。Conductors 2 and 3 are printed on the surface of the dielectric substrate 1,
The resistor 4 is fired so that the conductors 2 and 3 are connected.
Is printed and baked. A conductor 5 is printed and baked on the entire surface of the back surface of the dielectric substrate 1. Here, the conductors 2 and 3 and the resistor 4 are formed as impedance-controlled transmission paths such as microstrip lines and coplanar lines.
【０００４】このとき、図６に示すように抵抗体４の幅
をＷ，長さをＬ，膜厚をｔとし、その抵抗率をＰとした
とき、抵抗値Ｒは、 Ｒ＝（Ｐ／ｔ）（Ｌ／Ｗ） である。図７は、誘電体基板上に厚膜法により形成され
た、従来の抵抗回路の他の例を示す斜視図である。At this time, as shown in FIG. 6, when the width of the resistor 4 is W, the length is L, the film thickness is t, and its resistivity is P, the resistance value R is R = (P / t) (L / W). FIG. 7 is a perspective view showing another example of a conventional resistance circuit formed on a dielectric substrate by a thick film method.
【０００５】この例では、誘電体基板１上に、先ず抵抗
体４が印刷，焼成され、次に導体２，３が印刷，焼成さ
れている。このように、抵抗体４と導体２，３は、いず
れを上に重ねても抵抗回路が形成される（例えば、
「Ｃ．Ａ．Ｈａｒｐｅｒ “Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ
Ｔｈｉｃｋ Ｆｉｌｍ Ｈｙｂｒｉｄ Ｍｉｃｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”ＭｃＧＲＡＷ−ＨＩＬＬ １９７
４ ｐ．１−１１７（Ｔｈｉｃｋ Ｆｉｌｍ Ｌａｙｏ
ｕｔ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）」参照）。In this example, the resistor 4 is first printed and fired on the dielectric substrate 1, and then the conductors 2 and 3 are printed and fired. In this way, the resistor 4 and the conductors 2 and 3 form a resistance circuit regardless of which is overlaid (for example,
"CA Harper" Handbook of
Thick Film Hybrid Microel
electronics "McGRAW-HILL 197
4 p. 1-117 (Thick Film Layo)
ut Generation) ”).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】１ＧＨｚ以上の高周波
帯域では、導体金属の表皮効果や導体損失、誘電体の誘
電損失等に起因した損失（ロス）が生じ、厚膜抵抗体の
低周波帯域での抵抗設計値との誤差が増加し、リアクタ
ンス成分、特にインダクタンス成分として、上記のロス
が増大するという問題がある。その理由としては、例え
ば厚膜抵抗体には、酸化ルテニウム系が使用されてお
り、これにバインダとしてガラスが含まれており、この
ため高周波帯域での種々のロスが複雑に影響し、低周波
帯域での抵抗値とはズレが生じ、位相の変化を伴う複素
インピーダンスに変貌してしまうことが挙げられる。In the high frequency band of 1 GHz or higher, a loss due to the skin effect of the conductor metal, the conductor loss, the dielectric loss of the dielectric material, etc. occurs, and in the low frequency band of the thick film resistor. There is a problem that the error with respect to the resistance design value of 1 increases, and the above loss increases as a reactance component, particularly as an inductance component. The reason for this is that, for example, a thick film resistor uses a ruthenium oxide-based material, which contains glass as a binder, and therefore various losses in the high frequency band have a complicated influence, resulting in low frequency. There is a deviation from the resistance value in the band, and it may be transformed into a complex impedance with a change in phase.
【０００７】これに対し、薄膜抵抗は、ニッケルクロム
（ＮｉＣｒ）や窒化タンタル（ＴａＮ）の１μｍ程度以
下の薄膜であり、ガラス成分は含まれておらず、また特
にＮｉＣｒ抵抗は金属薄膜であるので、表皮効果を考慮
して設計すれば、厚膜抵抗に比較して、より正確な安定
した抵抗値を得ることが可能である。しかし薄膜抵抗
は、製造プロセスの違いにより厚膜抵抗より高価とな
り、また、高周波回路の開発は何回か作り直して所望の
特性を得る傾向が強い中で、薄膜抵抗等の回路の作り直
しを何回も行うことはさらに高価となるという問題があ
る。On the other hand, the thin-film resistance is a thin film of nickel chromium (NiCr) or tantalum nitride (TaN) of about 1 μm or less, contains no glass component, and in particular, the NiCr resistance is a metal thin film. By designing in consideration of the skin effect, it is possible to obtain a more accurate and stable resistance value as compared with the thick film resistance. However, thin-film resistors are more expensive than thick-film resistors due to differences in the manufacturing process, and while high-frequency circuits tend to be remade several times to obtain the desired characteristics, it is necessary to remake circuits such as thin-film resistors many times. However, there is a problem that it is more expensive to perform.
【０００８】本発明は、上記事情に鑑み、所望の周波数
帯域、特に例えば１ＧＨｚ以上の高周波帯域で所望のイ
ンピーダンスを有する厚膜回路、およびその製造方法を
提供することを目的とする。In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a thick film circuit having a desired impedance in a desired frequency band, particularly a high frequency band of, for example, 1 GHz or more, and a manufacturing method thereof.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜回路は、誘
電体基板上に、厚膜抵抗体と、その厚膜抵抗体を介在さ
せて対峙する両端電極とを有し、それら両端電極どうし
の間に、厚膜抵抗体による抵抗と、その抵抗と等価的に
並列なキャパシタとが形成されてなることを特徴とする
ものである。A thick film circuit of the present invention has a thick film resistor on a dielectric substrate and both end electrodes facing each other with the thick film resistor interposed therebetween. It is characterized in that a resistance by a thick film resistor and a capacitor equivalent to the resistance in parallel are formed between them.
【００１０】また本発明の厚膜回路の製造方法は、誘電
体基板上に、厚膜抵抗体とその厚膜抵抗体を介在させて
対峙する両端電極を、それら両端電極どうしの間に、厚
膜抵抗体による抵抗と、その抵抗と等価的に並列なキャ
パシタとが形成されるように、印刷・焼成し、所望の周
波数帯域内における上記両端電極どうしの間のインピー
ダンスを測定しながら、上記厚膜抵抗体を、そのインピ
ーダンスが所望のインピーダンスになるようにトリミン
グすることを特徴とするものである。Further, according to the method of manufacturing a thick film circuit of the present invention, a thick film resistor and both end electrodes facing each other with the thick film resistor interposed therebetween are provided on the dielectric substrate. While measuring the impedance between the electrodes at both ends in a desired frequency band by printing and firing so that a resistance by the film resistor and a capacitor equivalent to the resistance in parallel are formed, It is characterized in that the membrane resistor is trimmed so that its impedance becomes a desired impedance.
【００１１】[0011]
【作用】本発明の厚膜回路は、厚膜抵抗体による抵抗と
ともに、その厚膜抵抗体の両端電極の容量結合によるキ
ャパシタが形成されたものであるため、このキャパシタ
を、上述したロス成分を補うように高周波信号が通過
し、これにより、例えば１ＧＨｚ以上の高周波帯域の信
号であってもロス分が増加することなく、所望のインピ
ーダンスをもった厚膜回路となる。In the thick film circuit of the present invention, a resistor is formed by the thick film resistor and a capacitor is formed by capacitive coupling of the electrodes on both ends of the thick film resistor. A high-frequency signal passes through as a supplement, whereby a thick-film circuit having a desired impedance can be obtained without increasing loss even for a signal in a high-frequency band of 1 GHz or higher, for example.
【００１２】またその厚膜回路を製造するにあたって
は、その抵抗体を何度も作り直すことなく、トリミング
により、容易に所望のインピーダンスに調整された厚膜
回路が製造される。Further, in manufacturing the thick film circuit, the thick film circuit whose resistance is adjusted to a desired impedance is easily manufactured by trimming the resistor without remaking the resistor many times.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の厚膜回路の一実施態様の、製造の途中段
階（トリミング前）の状態を示す斜視図、図２はその等
価回路図、図３は、トリミングの様子を示した斜視図で
ある。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a thick film circuit of the present invention in a state in the middle of manufacturing (before trimming), FIG. 2 is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 3 is a perspective view showing a state of trimming. It is a figure.
【００１４】図１には、誘電体基板１の表面に導体２が
印刷，焼成され、その上に抵抗体４が印刷，焼成され、
さらにその上に導体３が印刷，焼成されている。また誘
電体基板１の裏面には、その全面に導体５が印刷，焼成
されている。また、導体２，３、抵抗体４は、マイクロ
ストリップラインやコプレイナライン等、インピーダン
スコントロールされた伝送経路として形成されている。
但し、抵抗体４は、後述するようにしてトリミングする
ために、所望のインピーダンスに対応した幅よりも多少
幅広に形成されている。In FIG. 1, a conductor 2 is printed and fired on the surface of a dielectric substrate 1, and a resistor 4 is printed and fired on it.
Further, the conductor 3 is printed and fired on it. A conductor 5 is printed and baked on the entire surface of the back surface of the dielectric substrate 1. The conductors 2 and 3 and the resistor 4 are formed as impedance-controlled transmission paths such as microstrip lines and coplanar lines.
However, the resistor 4 is formed to be slightly wider than the width corresponding to the desired impedance for trimming as described later.
【００１５】図１のような厚膜回路の、ＧＨｚ帯域の等
価回路は、図２のように示される。この等価回路図中、
高周波でのロス成分はインダクタンスＬM ，ＬR で示さ
れる。そこで、例えば図１に示すように、導体２，３
を、抵抗体４を挾んで互いに近接して配置することによ
り、その抵抗体４の抵抗Ｒと並列に等価的に容量Ｃを形
成し、この容量Ｃでロス成分を補うように高周波信号を
ハイパスさせ、これにより、高周波数帯域までロスの少
ない厚膜回路が実現する。An equivalent circuit in the GHz band of the thick film circuit as shown in FIG. 1 is shown in FIG. In this equivalent circuit diagram,
Loss components at high frequencies are indicated by the inductances L M and L R. Therefore, for example, as shown in FIG.
By arranging the resistors 4 close to each other with the resistor 4 interposed therebetween, a capacitance C is equivalently formed in parallel with the resistance R of the resistor 4, and the high frequency signal is high-passed so that the capacitance C compensates for the loss component. As a result, a thick film circuit with a small loss up to a high frequency band is realized.
【００１６】図１に示すような厚膜回路を製造した後、
次に、図３に示すように、その厚膜回路にインピーダン
ス測定回路６を接続し、そのインピーダンス測定回路６
により、所望の周波数の信号を印加してその周波数にお
ける厚膜回路のインピーダンスを測定しながら、レーザ
光７により、そのインピーダンスが所望のインピーダン
スとなるようにトリミングする。このトリミングの際、
場合によってはレーザ光７で導体電極ごと切断する。こ
れにより、所望の周波数において所望のインピーダンス
を有する厚膜回路が実現する。After manufacturing a thick film circuit as shown in FIG.
Next, as shown in FIG. 3, the impedance measuring circuit 6 is connected to the thick film circuit, and the impedance measuring circuit 6 is connected.
Thus, while applying a signal of a desired frequency and measuring the impedance of the thick film circuit at that frequency, the laser light 7 trims the impedance to a desired impedance. During this trimming
In some cases, the conductor electrode is cut with the laser beam 7. This provides a thick film circuit with the desired impedance at the desired frequency.
【００１７】図４，図５は、本発明の厚膜回路の他の各
実施態様の、トリミング前の状態を示す斜視図である。
図４，図５に示す各厚膜回路は、図６に示す厚膜回路と
同様に、誘電体基板１の表面に先ず導体２，３が印刷，
焼成され、次にそれらの導体２，３をつなぐように抵抗
体４が印刷，焼成されて形成されている。但し、図４，
図５に示す厚膜回路は図６に示す厚膜回路とは異なり、
導体２，３の間に容量Ｃ（図２参照）が形成されるよう
にそれらの導体２，３が極めて近接して配置されてい
る。図４に示す厚膜回路では導体２，３の対向面積を増
やすために対向する部分が互いに嵌合する形状に形成さ
れており、図４に示す厚膜回路では、導体２，３の対向
する部分は直線的に形成されている。FIG. 4 and FIG. 5 are perspective views showing other embodiments of the thick film circuit of the present invention before trimming.
In the thick film circuits shown in FIGS. 4 and 5, similarly to the thick film circuit shown in FIG. 6, first, the conductors 2 and 3 are printed on the surface of the dielectric substrate 1.
The resistor 4 is formed by firing and then printing and firing so as to connect the conductors 2 and 3. However, in FIG.
The thick film circuit shown in FIG. 5 differs from the thick film circuit shown in FIG.
The conductors 2, 3 are arranged very close to each other so that a capacitance C (see FIG. 2) is formed between the conductors 2, 3. In the thick film circuit shown in FIG. 4, facing portions are formed in a shape that fits with each other in order to increase the facing area of the conductors 2 and 3. In the thick film circuit shown in FIG. 4, the conductors 2 and 3 face each other. The part is formed linearly.
【００１８】これら図４，図５に示すように、どの周波
数帯でどのようなインピーダンスを所望するかに応じ、
図１に示すように、導体２，３を、抵抗体４を挾んで上
下に重ねてもよく、図４，図５に示すように、導体２，
３を、側面どうしが対向するように同一面上に形成して
もよい。ここでは、図１に示すように、抵抗体４を挾ん
で導体２，３を、上下に重ねたサンプル（サンプル１）
を作成した。誘電体基板１として、Ａｌ2 Ｏ3 ９９．５
％、厚さ０．２５ｍｍのアルミナ基板を用意し、導体
２，３，５の材料としてＤＰ５７１５を用い、アルミナ
基板表面にマイクロストリップパターン（導体２）、裏
面にはその全面にグラウンド（導体５）を印刷，焼成し
た。As shown in FIGS. 4 and 5, depending on what frequency band and what impedance is desired,
As shown in FIG. 1, the conductors 2 and 3 may be stacked on top of each other with the resistor 4 interposed therebetween. As shown in FIGS.
3 may be formed on the same surface such that the side surfaces face each other. Here, as shown in FIG. 1, a sample in which a resistor 4 is sandwiched and conductors 2 and 3 are vertically stacked (Sample 1)
It was created. As the dielectric substrate 1, Al 2 O 3 99.5 is used.
%, An alumina substrate having a thickness of 0.25 mm is prepared, DP5715 is used as a material for the conductors 2, 3 and 5, and a microstrip pattern (conductor 2) is provided on the surface of the alumina substrate and a ground (conductor 5) is provided on the entire back surface thereof. Was printed and baked.
【００１９】次に、抵抗体４の材料として、ＤＰ１４１
０とＤＰ１４２０をブレンドした、シート抵抗が５０Ω
／□（乾燥膜厚２５μｍ、焼成後膜厚１２〜１４μｍ）
のものを用い、その抵抗体ペーストを印刷し、焼成し
た。さらに、導体２との間に抵抗体４を挾むようにマイ
クロストリップパターン（導体３）を印刷，焼成した。
またもう１つのサンプル（サンプル２）として、図４に
示すように、抵抗体４の両電極パターンとしての一層目
の導体２，３が容量結合するように、それらの導体２，
３を印刷，焼成し、次に抵抗体４を印刷，焼成した。Next, as the material of the resistor 4, DP141
0 and DP1420 blended, sheet resistance is 50Ω
/ □ (25 μm dry film thickness, 12-14 μm film thickness after firing)
The resistor paste was printed and fired. Further, a microstrip pattern (conductor 3) was printed and baked so as to sandwich the resistor 4 between the conductor 2 and the conductor 2.
As another sample (Sample 2), as shown in FIG. 4, the conductors 2 and 3 of the first layer as the two electrode patterns of the resistor 4 are capacitively coupled so as to be capacitively coupled to each other.
3 was printed and fired, and then the resistor 4 was printed and fired.
【００２０】これらのサンプル１，２では、厚膜抵抗体
４をその幅方向に広めなパターンに形成しておき、図３
に示すように、所望の周波数帯での特性インピーダンス
を測定しながらレーザトリミングでトリミングし、所望
の特性インピーダンスに合致させた。その結果を表１に
示す。In these samples 1 and 2, the thick film resistor 4 is formed in a pattern wider in the width direction, and
As shown in, the laser was trimmed by laser trimming while measuring the characteristic impedance in the desired frequency band to match the desired characteristic impedance. The results are shown in Table 1.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】この表１に示すように、本発明によれば、
設計値に十分に近似した特性インピーダンスを有する厚
膜回路が形成される。尚、ここでは２例のみデータを示
したが、パターン構造を変更することにより容量値を変
更することができ、種々の所望の特性インピーダンスを
有する厚膜回路を形成することができる。As shown in Table 1, according to the present invention,
A thick film circuit having a characteristic impedance sufficiently close to the design value is formed. Although only two examples of data are shown here, the capacitance value can be changed by changing the pattern structure, and a thick film circuit having various desired characteristic impedances can be formed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１ＧＨｚ以上の高周波帯域においてもロス分がコントロ
ールされた厚膜回路を形成することができる。従来、膜
厚抵抗は、マイクロストリップラインあるいはコプレイ
ナライン構造を採用してインピーダンスをコントロール
しても、６〜８ＧＨｚ程度を越えるとロスが厳しく実用
に耐えず、したがってせいぜい６〜８ＧＨｚ程度までし
か使用することができなかったが、本発明を採用するこ
とにより、１０ＧＨｚあるいはそれ以上の高周波帯域ま
で厚膜抵抗を利用することができる。このため、このよ
うな高周波帯域で従来使用されていた薄膜抵抗を本発明
を採用した厚膜抵抗に置き換えることができ、コストの
低減化を図ることができ、また薄膜抵抗に比し、より高
電力を取り扱うことができる。As described above, according to the present invention,
It is possible to form a thick film circuit in which the loss is controlled even in a high frequency band of 1 GHz or higher. Conventionally, even if the film thickness resistance employs a microstrip line or a coplanar line structure to control the impedance, the loss is severe and cannot be put to practical use when it exceeds 6 to 8 GHz. Therefore, it is used only up to 6 to 8 GHz. However, by adopting the present invention, the thick film resistor can be used up to a high frequency band of 10 GHz or higher. Therefore, the thin film resistor that has been conventionally used in such a high frequency band can be replaced with the thick film resistor adopting the present invention, and the cost can be reduced. It can handle electric power.
【図１】本発明の厚膜回路の一実施態様の、製造の途中
段階（トリミング前）の状態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a state of an embodiment of a thick film circuit of the present invention during a manufacturing stage (before trimming).
【図２】図１に示す厚膜回路の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the thick film circuit shown in FIG.
【図３】図１に示す厚膜回路のトリミングの様子を示す
斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a trimming state of the thick film circuit shown in FIG.
【図４】本発明の厚膜回路のもう１つの各実施態様の、
トリミング前の状態を示す斜視図である。FIG. 4 of another embodiment of the thick film circuit of the present invention,
It is a perspective view showing a state before trimming.
【図５】本発明の厚膜回路の他の各実施態様の、トリミ
ング前の状態を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a state before trimming of each of other embodiments of the thick film circuit of the present invention.
【図６】誘電体基板上に厚膜法により形成された、従来
の抵抗回路の一例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an example of a conventional resistance circuit formed on a dielectric substrate by a thick film method.
【図７】誘電体基板上に厚膜法により形成された、従来
の抵抗回路の他の例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing another example of a conventional resistance circuit formed on a dielectric substrate by a thick film method.
１ 誘電体基板 ２，３ 導体 ４ 抵抗体 ５ 導体 ６ インピーダンス測定回路 ７ レーザ光 1 Dielectric Substrate 2, 3 Conductor 4 Resistor 5 Conductor 6 Impedance Measuring Circuit 7 Laser Light
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/01 ３２１ Ｈ０５Ｋ 1/16 Ａ 6921−4Ｅ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 27/01 321 H05K 1/16 A 6921-4E
Claims (2)
抵抗体を介在させて対峙する両端電極とを有し、該両端
電極どうしの間に、該厚膜抵抗体による抵抗と、該抵抗
と等価的に並列なキャパシタとが形成されてなることを
特徴とする厚膜回路。1. A thick film resistor and a both-end electrode facing each other with the thick-film resistor interposed therebetween on a dielectric substrate, and a resistance provided by the thick-film resistor between the both-end electrodes. And a capacitor that is equivalently parallel to the resistor and is formed.
抗体を介在させて対峙する両端電極を、該両端電極どう
しの間に、該厚膜抵抗体による抵抗と、該抵抗と等価的
に並列なキャパシタとが形成されるように、印刷・焼成
し、 所望の周波数帯域内における前記両端電極どうしの間の
インピーダンスを測定しながら、前記厚膜抵抗体を、前
記インピーダンスが所望のインピーダンスになるように
トリミングすることを特徴とする厚膜回路の製造方法。2. A thick film resistor and two end electrodes facing each other with the thick film resistor interposed therebetween on a dielectric substrate, and a resistance by the thick film resistor and a resistance between the both end electrodes. Is printed and fired to form a capacitor equivalent in parallel with, and while measuring the impedance between the electrodes at both ends in a desired frequency band, the thick film resistor is set to the desired impedance. A method for manufacturing a thick film circuit, which is characterized in that trimming is performed so that the impedance becomes equal to.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320213A JPH07176403A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thick film circuit and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320213A JPH07176403A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thick film circuit and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176403A true JPH07176403A (en) | 1995-07-14 |
Family
ID=18118986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5320213A Withdrawn JPH07176403A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thick film circuit and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176403A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500844A (en) * | 2006-08-22 | 2010-01-07 | イー．エム．ダブリュ．アンテナ カンパニー リミテッド | Transmission line |
| JP2010507321A (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-04 | イーエムダブリュ カンパニー リミテッド | Interdigital capacitors, inductors, transmission lines and couplers using them |
| JP2016208032A (en) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | エイブイエックス コーポレイション | Wire bond transmission line RC circuit |
| CN116885418A (en) * | 2023-08-08 | 2023-10-13 | 南京鼎仪电子科技有限公司 | A wideband amplitude equalizer based on high-precision MIM capacitor |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5320213A patent/JPH07176403A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500844A (en) * | 2006-08-22 | 2010-01-07 | イー．エム．ダブリュ．アンテナ カンパニー リミテッド | Transmission line |
| JP4815535B2 (en) * | 2006-08-22 | 2011-11-16 | イーエムダブリュ カンパニー リミテッド | Transmission line |
| JP2010507321A (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-04 | イーエムダブリュ カンパニー リミテッド | Interdigital capacitors, inductors, transmission lines and couplers using them |
| JP2016208032A (en) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | エイブイエックス コーポレイション | Wire bond transmission line RC circuit |
| JP2020170848A (en) * | 2015-04-20 | 2020-10-15 | エイブイエックス コーポレイション | Wire-bond transmission line rc circuit |
| US10879865B2 (en) | 2015-04-20 | 2020-12-29 | Avx Corporation | Wire-bond transmission line RC circuit |
| JP2023015397A (en) * | 2015-04-20 | 2023-01-31 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | Wire-bond transmission line rc circuit |
| CN116885418A (en) * | 2023-08-08 | 2023-10-13 | 南京鼎仪电子科技有限公司 | A wideband amplitude equalizer based on high-precision MIM capacitor |
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