JPH07176473A - マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法Info
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- JPH07176473A JPH07176473A JP762194A JP762194A JPH07176473A JP H07176473 A JPH07176473 A JP H07176473A JP 762194 A JP762194 A JP 762194A JP 762194 A JP762194 A JP 762194A JP H07176473 A JPH07176473 A JP H07176473A
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- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2047—X-ray beam lithography processes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクパターンシフト及びＸ線マスク基板の
変形を防いで高精度のマスクを製造すること。 【構成】 マスク基板１と耐熱ガラス製の支持枠２との
間に１０００〜１００００ボルト程度の電圧を印加しな
がら、赤外線レーザ光１３を照射する。この際、光照射
による発熱を抑えるため、冷却水を流してＸ線マスク基
板１と支持枠２を所定の常温（露光転写時のマスクの温
度付近）に保つようにする。以上の照射工程を１０分以
上続けることによりＸ線マスク基板１と支持枠２とを陽
極接着する。
変形を防いで高精度のマスクを製造すること。 【構成】 マスク基板１と耐熱ガラス製の支持枠２との
間に１０００〜１００００ボルト程度の電圧を印加しな
がら、赤外線レーザ光１３を照射する。この際、光照射
による発熱を抑えるため、冷却水を流してＸ線マスク基
板１と支持枠２を所定の常温（露光転写時のマスクの温
度付近）に保つようにする。以上の照射工程を１０分以
上続けることによりＸ線マスク基板１と支持枠２とを陽
極接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置等に用いられる
マスクの製造に関する。
マスクの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光装置に用いられるＸ線マスクの
製法は、一般にＳｉ基板にＳｉＮ，ＳｉＣ等のメンブレ
ンを形成し、その上面にＸ線吸収体であるＡｕ又はＴａ
などのパターンを形成し、Ｓｉ基板の下面をバックエッ
チングする。バックエッチングされたＳｉ基板は剛性が
低いため、耐熱ガラス等の支持枠に接着して補強する。
製法は、一般にＳｉ基板にＳｉＮ，ＳｉＣ等のメンブレ
ンを形成し、その上面にＸ線吸収体であるＡｕ又はＴａ
などのパターンを形成し、Ｓｉ基板の下面をバックエッ
チングする。バックエッチングされたＳｉ基板は剛性が
低いため、耐熱ガラス等の支持枠に接着して補強する。
【０００３】このＸ線マスクと支持枠の接着方法とし
て、エポキシ系接着剤等による接着が行なわれている
（特開平１−２６６７２２号公報、特開平３−２９３１
３号公報等）。図１３はエポキシ系接着剤によってＸ線
マスク基板と支持枠が接着されたＸ線マスクの断面図で
ある。Ｓｉ基板１に成膜されたＳｉＮメンブレン４上に
ＡｕのＸ線吸収体パターン５が形成されている。このＸ
線マスク基板は支持枠２に接着剤３により接着されてい
る。
て、エポキシ系接着剤等による接着が行なわれている
（特開平１−２６６７２２号公報、特開平３−２９３１
３号公報等）。図１３はエポキシ系接着剤によってＸ線
マスク基板と支持枠が接着されたＸ線マスクの断面図で
ある。Ｓｉ基板１に成膜されたＳｉＮメンブレン４上に
ＡｕのＸ線吸収体パターン５が形成されている。このＸ
線マスク基板は支持枠２に接着剤３により接着されてい
る。
【０００４】又、他の接着方法として陽極接着方法が知
られている（特開平４−６６０９６号報）。この陽極接
着の原理についていは、「Anodic Bonding of Imperfec
t Surfaces」Thomas R.Anthony, Jounal of Applied P
hysics.54(5) 1983 に説明されている。図１４は前記陽
極接着により接着されたＸ線マスクの断面図である。接
着剤以外は図１３のものと同じ構成をしている。Ｘ線マ
スク基板１と支持枠２を接着電圧１０００〜３０００ボ
ルトの範囲で、接着温度２００〜４００℃の範囲で１０
分以上の時間をかけて接着する。
られている（特開平４−６６０９６号報）。この陽極接
着の原理についていは、「Anodic Bonding of Imperfec
t Surfaces」Thomas R.Anthony, Jounal of Applied P
hysics.54(5) 1983 に説明されている。図１４は前記陽
極接着により接着されたＸ線マスクの断面図である。接
着剤以外は図１３のものと同じ構成をしている。Ｘ線マ
スク基板１と支持枠２を接着電圧１０００〜３０００ボ
ルトの範囲で、接着温度２００〜４００℃の範囲で１０
分以上の時間をかけて接着する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者の接
着剤を使用したＸ線マスクは、接着剤材料の硬化収縮に
よる吸収体パターンシフト及び接着剤の水分吸収による
経時変化が問題となっていた。
着剤を使用したＸ線マスクは、接着剤材料の硬化収縮に
よる吸収体パターンシフト及び接着剤の水分吸収による
経時変化が問題となっていた。
【０００６】また後者の陽極接着は、接着時にＸ線マス
ク基板と支持枠を高温にさらすため、Ｘ線マスク基板の
材質（Ｓｉ）と支持枠の材質（耐熱ガラス）の線膨張係
数は常温から高温（約４００℃）の間で特に２５０℃付
近で伸び率が逆転する。このため高温で接着されたＸ線
マスクと支持枠は高温と常温での伸び率が違うため、剛
性の小さいＸ線マスク基板が変形しパターンシフトが発
生する。
ク基板と支持枠を高温にさらすため、Ｘ線マスク基板の
材質（Ｓｉ）と支持枠の材質（耐熱ガラス）の線膨張係
数は常温から高温（約４００℃）の間で特に２５０℃付
近で伸び率が逆転する。このため高温で接着されたＸ線
マスクと支持枠は高温と常温での伸び率が違うため、剛
性の小さいＸ線マスク基板が変形しパターンシフトが発
生する。
【０００７】また、剛性の高いＳｉＣセラミックスを支
持枠とした場合、Ｓｉに対して約２倍の線膨張係数を持
つＳｉＣのため、接着後、常温に戻った際にＸ線マスク
基板が破壊されてしまう恐れがある。
持枠とした場合、Ｓｉに対して約２倍の線膨張係数を持
つＳｉＣのため、接着後、常温に戻った際にＸ線マスク
基板が破壊されてしまう恐れがある。
【０００８】この問題に対して特開平４−３３０７１１
号公報ではガラス材料を特殊な合成をすることにより、
Ｓｉ材質とほぼ同じ線膨張係数の材料が得るようにして
いる。しかし約４００℃の加熱を行なうために、Ｘ線吸
収体パターンへの影響、例えば吸収体膜の内部応力が変
化しパターンシフトする問題があった。
号公報ではガラス材料を特殊な合成をすることにより、
Ｓｉ材質とほぼ同じ線膨張係数の材料が得るようにして
いる。しかし約４００℃の加熱を行なうために、Ｘ線吸
収体パターンへの影響、例えば吸収体膜の内部応力が変
化しパターンシフトする問題があった。
【０００９】本発明は上記したような従来の技術の問題
点を解決するものであって、マスクパターンシフトやＸ
線マスク基板の変形を防いで高精度のマスクが製造でき
る製造方法や装置を提供することを目的とする。
点を解決するものであって、マスクパターンシフトやＸ
線マスク基板の変形を防いで高精度のマスクが製造でき
る製造方法や装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
する本発明の好ましい形態の一つは、マスク基板と支持
枠との間に電圧を印加しながら光を照射することによっ
て両者を陽極接着することを特徴とするマスク製造方法
である。光照射によって接合するため、高温にさらすこ
となくパターンシフト及びＸ線マスク基板と支持枠の破
壊や変形が発生しない。
する本発明の好ましい形態の一つは、マスク基板と支持
枠との間に電圧を印加しながら光を照射することによっ
て両者を陽極接着することを特徴とするマスク製造方法
である。光照射によって接合するため、高温にさらすこ
となくパターンシフト及びＸ線マスク基板と支持枠の破
壊や変形が発生しない。
【００１１】
＜実施例１＞以下、本発明の実施例を図面を用いて説明
する。図１（ａ）は第１実施例のマスク製造装置の構成
図である。１はマスク基板、２はパイレックス（登録商
標）などの耐熱ガラスからなるガラス支持枠である。マ
スク基板１の上面には材質ＳｉＮのメンブレン４が形成
され、その上にＸ線吸収体によって半導体回路等の転写
パターン５が形成されている。このマスク基板１にガラ
ス支持枠２を転写パターン５に対し高精度に位置合わせ
を行なって重ね合わせた後、導電部材１１が固定されて
いる第一ベース９ａ上にセットし、その上から第二ベー
ス１０ａを重ね合わせ固定する。３０は赤外線レーザ光
を生成する赤外線レーザ源であり、例えば炭酸ガスレー
ザなどである。４５は、マスク基板１と導電部材１１間
に数μＡの電流を流すための１０００〜１００００ボル
トの高電圧を発生する電源である。
する。図１（ａ）は第１実施例のマスク製造装置の構成
図である。１はマスク基板、２はパイレックス（登録商
標）などの耐熱ガラスからなるガラス支持枠である。マ
スク基板１の上面には材質ＳｉＮのメンブレン４が形成
され、その上にＸ線吸収体によって半導体回路等の転写
パターン５が形成されている。このマスク基板１にガラ
ス支持枠２を転写パターン５に対し高精度に位置合わせ
を行なって重ね合わせた後、導電部材１１が固定されて
いる第一ベース９ａ上にセットし、その上から第二ベー
ス１０ａを重ね合わせ固定する。３０は赤外線レーザ光
を生成する赤外線レーザ源であり、例えば炭酸ガスレー
ザなどである。４５は、マスク基板１と導電部材１１間
に数μＡの電流を流すための１０００〜１００００ボル
トの高電圧を発生する電源である。
【００１２】マスク基板１と導電部材１１間に高電圧を
印加した状態で、第二ベース１０ａに設けられた開口部
１２（本実施例では円周に沿った４か所）から、レーザ
源３０で生成された赤外線レーザ光１３をＸ線マスク基
板（Ｓｉ基板）１に向けて照射する。赤外線レーザ光１
３が照射される部分は、予めメンブレンを除去して照射
窓６としている。赤外線レーザ光１３はＳｉ製Ｘ線マス
ク基板を透過して接着部（支持枠２とのＸ線マスク基板
の境）に照射される。
印加した状態で、第二ベース１０ａに設けられた開口部
１２（本実施例では円周に沿った４か所）から、レーザ
源３０で生成された赤外線レーザ光１３をＸ線マスク基
板（Ｓｉ基板）１に向けて照射する。赤外線レーザ光１
３が照射される部分は、予めメンブレンを除去して照射
窓６としている。赤外線レーザ光１３はＳｉ製Ｘ線マス
ク基板を透過して接着部（支持枠２とのＸ線マスク基板
の境）に照射される。
【００１３】赤外線レーザ光の照射による発熱を抑える
ため、第一ベース９ａ内部の冷却管１６と第二ベース１
０ａ内部の冷却管１７には冷却水を流し、Ｘ線マスク基
板１とガラス支持枠２を所定の常温（Ｘ線マスクを使用
する露光転写時のマスク温度付近）に保つようにする。
以上の照射工程を１０分以上続けることによりＸ線マス
ク基板１とガラス支持枠２との陽極接着がなされる。
ため、第一ベース９ａ内部の冷却管１６と第二ベース１
０ａ内部の冷却管１７には冷却水を流し、Ｘ線マスク基
板１とガラス支持枠２を所定の常温（Ｘ線マスクを使用
する露光転写時のマスク温度付近）に保つようにする。
以上の照射工程を１０分以上続けることによりＸ線マス
ク基板１とガラス支持枠２との陽極接着がなされる。
【００１４】本実施例の光照射を用いた陽極接着は、Ｓ
ｉ製Ｘ線マスク基板（導電部材）と支持枠（ガラス）間
に電圧を印加しながら、同時にガラスの網目構造を弛緩
させ且つガラス中の修飾イオンの拡散を促すような光を
照射することにより、低温度でガラスの網目構造が弛緩
すると共に修飾イオンが陰極側に拡散移動し、導電部材
とガラスの間に大きな静電引力が生じて固相接着され
る。
ｉ製Ｘ線マスク基板（導電部材）と支持枠（ガラス）間
に電圧を印加しながら、同時にガラスの網目構造を弛緩
させ且つガラス中の修飾イオンの拡散を促すような光を
照射することにより、低温度でガラスの網目構造が弛緩
すると共に修飾イオンが陰極側に拡散移動し、導電部材
とガラスの間に大きな静電引力が生じて固相接着され
る。
【００１５】図１（ｂ）は前記陽極接着により接着され
たＸ線マスク基板１とガラス支持枠２が接着された４点
の接着箇所７ａから７ｄを示している。赤外線レーザ光
のビーム径２〜１０ｍｍのスポット接着であり、冷却効
率を上げるため第一ショットとして７ａ、第二ショット
として７ｃ、第三ショットとして７ｂ、第四ショットと
して７ｄという順番で対角に行なうことにより、熱をな
るべく分散するようにしているが、各接着ポイントに赤
外レーザビームを同時に照射して接着するようにしても
良い。なお本実施例では４点で接着を行なったが、第二
ベース１０ａに設けられた開口部１２のレイアウトを変
更することで、例えば１点から数１０点までの範囲で接
着箇所の数を選ぶことができる。例として、図１（ｃ）
は７ａ〜７ｃの３点で接着した例を示す。
たＸ線マスク基板１とガラス支持枠２が接着された４点
の接着箇所７ａから７ｄを示している。赤外線レーザ光
のビーム径２〜１０ｍｍのスポット接着であり、冷却効
率を上げるため第一ショットとして７ａ、第二ショット
として７ｃ、第三ショットとして７ｂ、第四ショットと
して７ｄという順番で対角に行なうことにより、熱をな
るべく分散するようにしているが、各接着ポイントに赤
外レーザビームを同時に照射して接着するようにしても
良い。なお本実施例では４点で接着を行なったが、第二
ベース１０ａに設けられた開口部１２のレイアウトを変
更することで、例えば１点から数１０点までの範囲で接
着箇所の数を選ぶことができる。例として、図１（ｃ）
は７ａ〜７ｃの３点で接着した例を示す。
【００１６】図２はＸ線マスクの変形例を示す図であ
る。Ｘ線マスク基板（Ｓｉ）１’の上面外周部の陽極接
着部を１８のごとく削り取って薄くすることにより、赤
外線レーザ光がＳｉを透過する際の吸収エネルギを低減
し、陽極接着に要する時間を更に短くしたものである。
る。Ｘ線マスク基板（Ｓｉ）１’の上面外周部の陽極接
着部を１８のごとく削り取って薄くすることにより、赤
外線レーザ光がＳｉを透過する際の吸収エネルギを低減
し、陽極接着に要する時間を更に短くしたものである。
【００１７】なお以上の説明では、予めＸ線吸収体５を
形成してあるＸ線マスク基板１を支持枠２に陽極接着す
るものであったが、Ｘ線吸収体を形成する前のＸ線マス
ク基板をガラス支持枠に陽極接着し、その後にＸ線吸収
体を形成するようにしても良い。
形成してあるＸ線マスク基板１を支持枠２に陽極接着す
るものであったが、Ｘ線吸収体を形成する前のＸ線マス
ク基板をガラス支持枠に陽極接着し、その後にＸ線吸収
体を形成するようにしても良い。
【００１８】＜実施例２＞次に上記第１実施例と同様の
赤外線レーザ光を使用した別の実施例を示す。図３
（ａ）において、第二ベース１０ｂの形状と照射窓６以
外は第１実施例と構成は同じである。第二ベース１０ｂ
は内径を大きくしてレーザに干渉しないようにし、Ｘ線
マスクに円状に赤外線レーザ光を照射する。ここでは赤
外線レーザ光を０．５〜２（時間／回転）程度のゆっく
りとした回転数で円周状にスキャンさせて、図３（ｂ）
に示す接着部８のように円環状に陽極接着する。なお赤
外線レーザ光をスキャンさせる代わりに、レーザを固定
して装置本体を回転させるようにしても良い。
赤外線レーザ光を使用した別の実施例を示す。図３
（ａ）において、第二ベース１０ｂの形状と照射窓６以
外は第１実施例と構成は同じである。第二ベース１０ｂ
は内径を大きくしてレーザに干渉しないようにし、Ｘ線
マスクに円状に赤外線レーザ光を照射する。ここでは赤
外線レーザ光を０．５〜２（時間／回転）程度のゆっく
りとした回転数で円周状にスキャンさせて、図３（ｂ）
に示す接着部８のように円環状に陽極接着する。なお赤
外線レーザ光をスキャンさせる代わりに、レーザを固定
して装置本体を回転させるようにしても良い。
【００１９】図４は上記Ｘ線マスクの変形例を示す図で
ある。この例では支持枠２にＳｉＣに使用した。Ｘ線マ
スク基板１の材質Ｓｉと支持枠２の材質ＳｉＣとは、修
飾イオンが無いため陽極接合がなされない。よって、接
着を容易にするため、ＳｉＣ支持枠２の接着面に、真空
蒸着又はスパッタ成膜により０．５〜２μｍ程度のガラ
ス膜５１を形成している。ここで、ＳｉＣとガラス膜の
密着性をより向上させるため、その間に金属、例えばＡ
ｌやＣｒなどを０．０５〜０．１μｍ程度成膜すると好
ましい。
ある。この例では支持枠２にＳｉＣに使用した。Ｘ線マ
スク基板１の材質Ｓｉと支持枠２の材質ＳｉＣとは、修
飾イオンが無いため陽極接合がなされない。よって、接
着を容易にするため、ＳｉＣ支持枠２の接着面に、真空
蒸着又はスパッタ成膜により０．５〜２μｍ程度のガラ
ス膜５１を形成している。ここで、ＳｉＣとガラス膜の
密着性をより向上させるため、その間に金属、例えばＡ
ｌやＣｒなどを０．０５〜０．１μｍ程度成膜すると好
ましい。
【００２０】＜実施例３＞図５は第３実施例のマスク製
造装置の全体図を示し、これまでの実施例と同一の符号
は同一の部材を表す。基本的には、先の図１に示した装
置を気密チャンバ４１内に収容したものである。気密チ
ャンバ４１には、チャンバ外からの赤外線レーザ１３を
照射するための窓４２を設けている。この窓４２は赤外
線の透過率の高い材質、例えば合成サファイア（Ａｌ2
Ｏ3）や無水合成石英（ＳｉＯ2）、ジンクセレン（Ｚｎ
Ｓｅ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）などがよい。気密チャ
ンバ４１の外には電圧を印加するための電源４５、接着
時の温度調整器４６、気密チャンバ４１を真空状態にす
るための真空ポンプ４７、不活性ガス導入のためのボン
ベ４８を備えている。
造装置の全体図を示し、これまでの実施例と同一の符号
は同一の部材を表す。基本的には、先の図１に示した装
置を気密チャンバ４１内に収容したものである。気密チ
ャンバ４１には、チャンバ外からの赤外線レーザ１３を
照射するための窓４２を設けている。この窓４２は赤外
線の透過率の高い材質、例えば合成サファイア（Ａｌ2
Ｏ3）や無水合成石英（ＳｉＯ2）、ジンクセレン（Ｚｎ
Ｓｅ）、臭化カリウム（ＫＢｒ）などがよい。気密チャ
ンバ４１の外には電圧を印加するための電源４５、接着
時の温度調整器４６、気密チャンバ４１を真空状態にす
るための真空ポンプ４７、不活性ガス導入のためのボン
ベ４８を備えている。
【００２１】この構成においては、チャンバ４１内を高
真空または所定圧（大気圧）不活性ガスで満たし、その
中でマスク基板１と支持枠２との陽極接着を行うこと
で、接着面の酸化を防止するようにしている。これによ
り、より一層強固な陽極接着が可能となる。
真空または所定圧（大気圧）不活性ガスで満たし、その
中でマスク基板１と支持枠２との陽極接着を行うこと
で、接着面の酸化を防止するようにしている。これによ
り、より一層強固な陽極接着が可能となる。
【００２２】＜実施例４＞図６は紫外線レーザ光を使用
した別の実施例である。本実施例では先の実施例に対し
て、マスク基板１とガラス支持枠２の関係を逆にして支
持枠２側から紫外線レーザ光を照射する。紫外線はガラ
スを透過するため、ガラス支持枠２側から紫外線を照射
することでＸ線マスク基板１との陽極接着が可能であ
る。
した別の実施例である。本実施例では先の実施例に対し
て、マスク基板１とガラス支持枠２の関係を逆にして支
持枠２側から紫外線レーザ光を照射する。紫外線はガラ
スを透過するため、ガラス支持枠２側から紫外線を照射
することでＸ線マスク基板１との陽極接着が可能であ
る。
【００２３】図６（ａ）において、３１は紫外線レーザ
光１５を生成する紫外線レーザ源である。第一ベース９
ｂには紫外線レーザ光１５の照射位置に対応して４か所
に開口穴１４が設けられている。ここで開口穴１４から
支持枠２に向けて紫外線レーザ光１５を照射しながら、
Ｘ線マスク基板１と導電部材１１間に１０００〜１００
００ボルトの高電圧を１０分以上印加する。この際、先
の実施例と同様に冷却水を流し、Ｘ線マスク基板１とガ
ラス支持枠２を所定の常温（Ｘ線マスクを使用する露光
転写時のマスク温度付近）に保つようにする。以上の照
射工程を１０分以上続けることによりＸ線マスク基板１
とガラス支持枠２との陽極接着がなされる。図６（ｂ）
は先の実施例と同じように接着箇所を示している。紫外
線レーザ光のビーム径２〜１０ｍｍのスポット接着であ
る。なお、本実施例では３点で接着を行ったが、これに
限らず１点から数１０点の範囲で接着箇所の数を選ぶこ
とができる。
光１５を生成する紫外線レーザ源である。第一ベース９
ｂには紫外線レーザ光１５の照射位置に対応して４か所
に開口穴１４が設けられている。ここで開口穴１４から
支持枠２に向けて紫外線レーザ光１５を照射しながら、
Ｘ線マスク基板１と導電部材１１間に１０００〜１００
００ボルトの高電圧を１０分以上印加する。この際、先
の実施例と同様に冷却水を流し、Ｘ線マスク基板１とガ
ラス支持枠２を所定の常温（Ｘ線マスクを使用する露光
転写時のマスク温度付近）に保つようにする。以上の照
射工程を１０分以上続けることによりＸ線マスク基板１
とガラス支持枠２との陽極接着がなされる。図６（ｂ）
は先の実施例と同じように接着箇所を示している。紫外
線レーザ光のビーム径２〜１０ｍｍのスポット接着であ
る。なお、本実施例では３点で接着を行ったが、これに
限らず１点から数１０点の範囲で接着箇所の数を選ぶこ
とができる。
【００２４】図７はＸ線マスクの変形例を示す図であ
る。支持枠２’の陽極接着部に対応した部分１９を図示
のごとく削り取って薄くすることにより、紫外線レーザ
光がガラス支持枠を透過する際の吸収エネルギを低減
し、陽極接着に要する時間を更に短くしたものである。
る。支持枠２’の陽極接着部に対応した部分１９を図示
のごとく削り取って薄くすることにより、紫外線レーザ
光がガラス支持枠を透過する際の吸収エネルギを低減
し、陽極接着に要する時間を更に短くしたものである。
【００２５】なお以上の説明では、予めＸ線吸収体５を
形成してあるＸ線マスク基板１を支持枠２に陽極接着す
るものであったが、Ｘ線吸収体を形成する前のＸ線マス
ク基板をガラス支持枠に陽極接着し、その後にＸ線吸収
体を形成するようにしても良い。
形成してあるＸ線マスク基板１を支持枠２に陽極接着す
るものであったが、Ｘ線吸収体を形成する前のＸ線マス
ク基板をガラス支持枠に陽極接着し、その後にＸ線吸収
体を形成するようにしても良い。
【００２６】＜実施例５＞次に上記第４実施例と同様の
紫外線レーザ光を使用した別の実施例を示す。図８
（ａ）において、第一ベース９ｃの形状以外は第３実施
例と構成は同じである。第一ベース９ｃは内径を大きく
してレーザに干渉しないようにし、支持枠２に円状に赤
外線レーザ光を照射する。ここでは紫外線レーザ光を
０．５〜２時間／回転、程度のゆっくりした回転数で円
周状にスキャンさせ、図８（ｂ）に示す接着部８のよう
に円環状に陽極接着する。
紫外線レーザ光を使用した別の実施例を示す。図８
（ａ）において、第一ベース９ｃの形状以外は第３実施
例と構成は同じである。第一ベース９ｃは内径を大きく
してレーザに干渉しないようにし、支持枠２に円状に赤
外線レーザ光を照射する。ここでは紫外線レーザ光を
０．５〜２時間／回転、程度のゆっくりした回転数で円
周状にスキャンさせ、図８（ｂ）に示す接着部８のよう
に円環状に陽極接着する。
【００２７】なお紫外線レーザ光をスキャンさせる代わ
りに、レーザを固定して装置本体を回転させるようにし
ても良い。
りに、レーザを固定して装置本体を回転させるようにし
ても良い。
【００２８】＜実施例６＞図９は第６実施例のマスク製
造装置の全体図を示し、これまでの実施例と同一の符号
は同一の部材を表す。基本的には、先の図６で示した装
置を気密チャンバ４１内に収容したものである。第一ベ
ース９ｂにはヒータ５５が、第二ベース１０ｃにはヒー
タ５６が設けられ、これらのヒータはヒータコントロー
ラ４９によって制御される。窓４２は紫外線レーザを透
過する材質、例えば石英ガラスでできている。
造装置の全体図を示し、これまでの実施例と同一の符号
は同一の部材を表す。基本的には、先の図６で示した装
置を気密チャンバ４１内に収容したものである。第一ベ
ース９ｂにはヒータ５５が、第二ベース１０ｃにはヒー
タ５６が設けられ、これらのヒータはヒータコントロー
ラ４９によって制御される。窓４２は紫外線レーザを透
過する材質、例えば石英ガラスでできている。
【００２９】本実施例においては、ヒータ５５、５６に
よって、Ｘ線マスク基板１（Ｓｉ）と支持枠２（耐熱ガ
ラス）を線膨張係数による変形の発生の小さい温度（例
えば１００〜２００℃程度）まで加熱しながら、数μＡ
の電流が流れる電圧印加と紫外線レーザの照射により陽
極接着を行う。この低温加熱により、ガラス中の修飾イ
オンが更に拡散を促し、より強固な陽極接着が可能とな
る。
よって、Ｘ線マスク基板１（Ｓｉ）と支持枠２（耐熱ガ
ラス）を線膨張係数による変形の発生の小さい温度（例
えば１００〜２００℃程度）まで加熱しながら、数μＡ
の電流が流れる電圧印加と紫外線レーザの照射により陽
極接着を行う。この低温加熱により、ガラス中の修飾イ
オンが更に拡散を促し、より強固な陽極接着が可能とな
る。
【００３０】＜実施例７＞次に上記説明したマスクを用
いた微小デバイス（半導体装置、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシンなど）製造用の露光装置の実施例を説明す
る。図１０は本実施例のＸ線露光装置の構成を示す図で
ある。図中、ＳＲ放射源２０から放射されたシートビー
ム形状のシンクロトロン放射光２１を、凸面ミラー２２
によって放射光軌道面に対して垂直な方向に拡大する。
凸面ミラー２２で反射拡大した放射光は、シャッタ２３
によって照射領域内での露光量が均一となるように調整
し、シャッタ２３を経た放射光はＸ線マスク２４に導か
れる。Ｘ線マスク２４は上記説明したいずれか実施例で
説明した製造装置及び製造方法によって製造されたもの
である。Ｘ線マスク２４に形成されている露光パターン
を、ステップ＆リピート方式やスキャニング方式などに
よってウエハ２５上に露光転写する。
いた微小デバイス（半導体装置、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシンなど）製造用の露光装置の実施例を説明す
る。図１０は本実施例のＸ線露光装置の構成を示す図で
ある。図中、ＳＲ放射源２０から放射されたシートビー
ム形状のシンクロトロン放射光２１を、凸面ミラー２２
によって放射光軌道面に対して垂直な方向に拡大する。
凸面ミラー２２で反射拡大した放射光は、シャッタ２３
によって照射領域内での露光量が均一となるように調整
し、シャッタ２３を経た放射光はＸ線マスク２４に導か
れる。Ｘ線マスク２４は上記説明したいずれか実施例で
説明した製造装置及び製造方法によって製造されたもの
である。Ｘ線マスク２４に形成されている露光パターン
を、ステップ＆リピート方式やスキャニング方式などに
よってウエハ２５上に露光転写する。
【００３１】＜実施例８＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１１
は一例として半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）などの製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料
を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステ
ップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１１
は一例として半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）などの製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料
を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステ
ップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
【００３２】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、マスクパターンシフト
やマスク基板の変形を防いで高精度のマスクを得ること
ができる。また、このマスクを用いれば高精度のデバイ
スを製造することができる。
やマスク基板の変形を防いで高精度のマスクを得ること
ができる。また、このマスクを用いれば高精度のデバイ
スを製造することができる。
【図１】第１実施例の説明図である。
【図２】マスクの変形例の説明図である。
【図３】第２実施例の説明図である。
【図４】マスクの変形例の説明図である。
【図５】第３実施例の説明図である。
【図６】第４実施例の説明図である。
【図７】マスクの変形例の説明図である。
【図８】第５実施例の説明図である。
【図９】第６実施例の説明図である。
【図１０】Ｘ線露光装置の実施例の説明図である。
【図１１】半導体デバイスの製造フローを示す図であ
る。
る。
【図１２】ウエハプロセスのフローを示す図である。
【図１３】従来例の説明図である。
【図１４】別の従来例の説明図である。
１、１′ Ｘ線マスク基板 ２、２′ 耐熱ガラス支持枠 ３ 接着剤 ４ メンブレン ５ Ｘ線吸収体 ６ 窓 ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，８ 陽極接着部 ９ａ，９ｂ，９ｃ 第一ベース １０ａ，１０ｂ，１０ｃ 第二ベース １１ 導電部材 １２，１４ 開口部 １３ 赤外線レーザ光 １５ 紫外線レーザ光 １６，１７ 冷却水管 １８，１９ 凹部 ３０ 赤外線レーザ源 ３１ 紫外線レーザ源 ４５ 高電圧電源
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク基板と支持枠との間に電圧を印加
しながら光を照射することによって両者を陽極接着する
ことを特徴とするマスク製造方法。 - 【請求項２】 陽極接着中は、前記マスク基板と前記支
持枠の温度を管理することを特徴とする請求項１記載の
マスク製造方法。 - 【請求項３】 マスク基板と支持枠とが光陽極接着で接
合されていることを特徴とするマスク。 - 【請求項４】 前記マスクはＸ線露光用のＸ線マスクで
ある請求項３記載のマスク。 - 【請求項５】 請求項３記載のマスクを用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項６】 マスク基板と支持枠との間に電圧を印加
する電圧印加手段と、電圧が印加された状態で両者の間
に光を照射する照射手段とを有することを特徴とするマ
スク製造装置。 - 【請求項７】 前記マスク基板と支持枠を収容する真空
チャンバを有する請求項６記載のマスク製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP762194A JP3083037B2 (ja) | 1993-03-16 | 1994-01-27 | マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法 |
| US08/884,622 US5861603A (en) | 1993-03-16 | 1997-06-27 | Mask structure and method of making the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5585093 | 1993-03-16 | ||
| JP5-55850 | 1993-03-16 | ||
| JP762194A JP3083037B2 (ja) | 1993-03-16 | 1994-01-27 | マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176473A true JPH07176473A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3083037B2 JP3083037B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=26341955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP762194A Expired - Fee Related JP3083037B2 (ja) | 1993-03-16 | 1994-01-27 | マスク製造方法及び製造装置、ならびにこれを用いて作製されたマスクと、該マスクを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5861603A (ja) |
| JP (1) | JP3083037B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051370A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 |
| KR100615536B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-08-25 | 알투스주식회사 | 열 인가 스트레칭 마스크 제조 방법 및 장치 |
| US8017886B2 (en) | 2005-04-21 | 2011-09-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser welding system |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020036694A1 (en) | 2018-08-16 | 2020-02-20 | Applied Materials, Inc. | Photomask laser etch |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4278867A (en) * | 1978-12-29 | 1981-07-14 | International Business Machines Corporation | System for chip joining by short wavelength radiation |
| US4294602A (en) * | 1979-08-09 | 1981-10-13 | The Boeing Company | Electro-optically assisted bonding |
| US4632871A (en) * | 1984-02-16 | 1986-12-30 | Varian Associates, Inc. | Anodic bonding method and apparatus for X-ray masks |
| US4680243A (en) * | 1985-08-02 | 1987-07-14 | Micronix Corporation | Method for producing a mask for use in X-ray photolithography and resulting structure |
| US4862490A (en) * | 1986-10-23 | 1989-08-29 | Hewlett-Packard Company | Vacuum windows for soft x-ray machines |
| US4957835A (en) * | 1987-05-15 | 1990-09-18 | Kevex Corporation | Masked electron beam lithography |
| JPH01196133A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Hitachi Ltd | 基板の接合方法 |
| JPH01266722A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH07120623B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1995-12-20 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JP2531858B2 (ja) * | 1991-01-31 | 1996-09-04 | ホーヤ株式会社 | Ｘ線マスク材料 |
| US5194710A (en) * | 1991-05-22 | 1993-03-16 | Cray Research, Inc. | Method and apparatus for laser masking of lead bonding |
| JP3367977B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 光照射を用いた陽極接合法及び装置及び製造物 |
| US5370842A (en) * | 1991-11-29 | 1994-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample measuring device and sample measuring system |
-
1994
- 1994-01-27 JP JP762194A patent/JP3083037B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-27 US US08/884,622 patent/US5861603A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051370A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 |
| US7582393B2 (en) | 2002-12-03 | 2009-09-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer mask blank, transfer mask, and transfer method using the transfer mask |
| KR100615536B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-08-25 | 알투스주식회사 | 열 인가 스트레칭 마스크 제조 방법 및 장치 |
| US8017886B2 (en) | 2005-04-21 | 2011-09-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser welding system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5861603A (en) | 1999-01-19 |
| JP3083037B2 (ja) | 2000-09-04 |
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