JPH071776B2 - Pattern inspection equipment - Google Patents
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- JPH071776B2 JPH071776B2 JP58220619A JP22061983A JPH071776B2 JP H071776 B2 JPH071776 B2 JP H071776B2 JP 58220619 A JP58220619 A JP 58220619A JP 22061983 A JP22061983 A JP 22061983A JP H071776 B2 JPH071776 B2 JP H071776B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体ウェーハに形成された素子パターンの欠
陥を検査するパターン検査装置に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pattern inspection apparatus for inspecting a defect of an element pattern formed on a semiconductor wafer.
近年のIC,LSI等の半導体装置の微細化に伴ない、製造プ
ロセス途中で発生する欠陥，異物等はこれを低減する必
要がある。このためには、半導体装置の製造途中におい
てパターン外観を検査し、欠陥や異物の有無あるいはそ
のレベルを定量的に評価することが必要とされる。With the recent miniaturization of semiconductor devices such as ICs and LSIs, it is necessary to reduce defects and foreign substances generated during the manufacturing process. For this purpose, it is necessary to inspect the appearance of the pattern during the manufacturing of the semiconductor device and quantitatively evaluate the presence or absence or the level of defects or foreign matters.
このため、従来はパターン上にレーザ光を照射し、欠陥
や異物による散乱光を検出することによりパターン外観
を検査する外観検査装置が用いられていた（例えば特開
昭54-111774号公報参照）。ところが、このような自動
外観検査装置において、単一光照明でかつ隣接チップ比
較つまり形状比較である場合、パターン部位に低い段差
欠陥が生じていても検出できないことがある。また、こ
の検査装置はあくまでもパターン形状を検査するのみで
あり、半導体装置に多数形成されている薄膜の膜厚むら
まで検査することはできないことを本発明者は見い出し
た。Therefore, conventionally, an appearance inspection apparatus has been used that inspects the pattern appearance by irradiating the pattern with laser light and detecting scattered light due to defects or foreign matter (see, for example, JP-A-54-111774). . However, in such an automatic visual inspection apparatus, in the case of single light illumination and adjacent chip comparison, that is, shape comparison, even if a low step defect occurs in a pattern portion, it may not be detected. Further, the present inventor has found that this inspection device only inspects the pattern shape, and cannot inspect even the film thickness unevenness of thin films formed in large numbers in the semiconductor device.
このため、本発明者は先にカラー画像を利用してパター
ン検査を行なう方式を考察し、カラーTVカメラを使用し
てパターンを撮像しこれに基づいて薄膜の状態を検査す
る試みをなしている。即ち、薄膜は白色照明光の下では
膜厚に依存する干渉色による多彩な色を呈するため、こ
の色を検出することにより薄膜の膜厚はもとより欠陥，
異物をも検出できる。しかしながら、この方式ではカラ
ーTVの解像度に限界があってIC,LSIの微細パターンの検
査には適せず、高精度の検査を行なうことができないと
いう問題がある。そのため前述した問題を解決するため
鋭意検討した。For this reason, the present inventor first considered a method of performing a pattern inspection using a color image, and attempted to inspect the state of the thin film based on the image of the pattern captured using a color TV camera. . That is, since the thin film exhibits various colors due to the interference color depending on the film thickness under white illumination light, by detecting this color, not only the film thickness of the thin film but also the defect,
Foreign substances can also be detected. However, this method has a problem that the resolution of the color TV is limited and it is not suitable for the inspection of fine patterns of ICs and LSIs, and it is not possible to perform highly accurate inspection. Therefore, in order to solve the above-mentioned problem, earnestly studied.
本発明の目的は微細パターンのカラー検査に好適なカラ
ーセンサを使用して微細パターンを高精度に検査するこ
とのできるパターン検査技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a pattern inspection technique capable of inspecting a fine pattern with high accuracy by using a color sensor suitable for color inspection of a fine pattern.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel characteristics of the present invention are
It will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。The outline of a typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組と
してこれを複数組並列配置したカラーセンサを構成し、
パターン検査の撮像光を各組において色分解して検出で
きるように構成することにより、各色成分をビット単位
とした走査型の検査を可能にし、これにより微細パター
ンの高精度カラー検査を達成できる。That is, a color sensor is formed by arranging a plurality of image pickup devices, at least three of which are arranged in parallel.
By configuring so that the image pickup light of the pattern inspection can be color-separated and detected in each group, it is possible to perform a scanning type inspection in which each color component is a bit unit, and thereby a highly accurate color inspection of a fine pattern can be achieved.
また、カラーセンサへの結像光学系にプリズム，回折格
子，色分解フィルタ等を使用して被検査パターンの色分
解を行なう構成とすることにより、前記カラーセンサを
使用した検査装置の構成の簡易化および検査精度の向上
を達成するものである。In addition, a prism, a diffraction grating, a color separation filter or the like is used in the image forming optical system for the color sensor to perform color separation of the pattern to be inspected, thereby simplifying the structure of the inspection device using the color sensor. And the improvement of inspection accuracy.
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるパターン検査装置の全
体構成図を示し、１は被検査パターンとしての素子パタ
ーンを主面に形成した半導体ウェーハであり、XYテーブ
ル２上に水平に載置されてＸ方向およびＹ方向に移動さ
れる。３はこのXYテーブル２の斜上方に配置した照明ラ
ンプであり、前記ウェーハ１の表面を白色光で照明す
る。また、前記XYテーブル２の直上にはパターン検査部
４を配置している。[Embodiment 1] FIG. 1 is an overall configuration diagram of a pattern inspection apparatus which is an embodiment of the present invention, in which 1 is a semiconductor wafer having an element pattern as a pattern to be inspected formed on its main surface, and an XY table 2 It is placed horizontally on top and moved in the X and Y directions. An illumination lamp 3 is arranged obliquely above the XY table 2 and illuminates the surface of the wafer 1 with white light. A pattern inspection unit 4 is arranged directly above the XY table 2.
前記パターン検査部４は、対物レンズ5,プリズム6,カラ
ーセンサ７および検査回路８からなる。対物レンズ５は
ウェーハ１上のパターンをカラーセンサ７上に結像さ
せ、プリズム６は分光手段としてこの結像される光を波
長に応じて分光させる。前記カラーセンサ７は、第２図
に示すように３個の固体撮像素子7B,7G,7Rを横方向に並
べてこれを１組とし、この組を縦方向に多数組列設した
構造としている。そして、各組における素子は右からＢ
（青）,G（緑）,R（赤）の光三原色に対応する素子とし
て設けている。この結果、縦方向に列設した素子数ｎに
対応してB,G,Rの各色の素子7B,7G,7Rはｎビットの直線
状に形成されていることになる。その上で、各色の素子
7B,7G,7Rは前記プリズム６により分光された光B,G,Rの
屈折位置に対応位置されている。The pattern inspection unit 4 includes an objective lens 5, a prism 6, a color sensor 7 and an inspection circuit 8. The objective lens 5 forms an image of the pattern on the wafer 1 on the color sensor 7, and the prism 6 acts as a spectroscopic means to disperse the imaged light according to the wavelength. As shown in FIG. 2, the color sensor 7 has a structure in which three solid-state image pickup devices 7 B , 7 G , and 7 R are arranged in the horizontal direction to form one set, and a large number of these sets are arranged in the vertical direction. I am trying. The elements in each set are B from the right.
It is provided as an element corresponding to the three primary colors of light (blue), G (green), and R (red). As a result, the elements 7 B , 7 G , and 7 R of the respective colors B, G, and R corresponding to the number n of elements arranged in the vertical direction are formed in a linear form of n bits. On top of that, each color element
7 B , 7 G and 7 R are positioned corresponding to the refraction positions of the lights B, G and R split by the prism 6.
一方、検査回路８は前記各色の素子7B,7G,7R列から信号
を夫々独立するパターン抽出増幅器9B,9G,9Rと、メモリ
10B,10G,10Rと、比較器11B,11G,11Rと、判定処理器12と
を備え、前記増幅器9B,9G,9Rとメモリ10B,10G,10Rとは
切換器13B,13G,13Rによって導通がとられるようにして
いる。そして、この切換器13B,13G,13Rを作動すること
により各増幅器9B,9G,9Rの出力はメモリ10B,10G,10Rに
記憶できる。メモリ10B,10G,10Rに記憶された信号は比
較器11B,11G,11Rにおいて次に増幅器9B,9G,9Rから出力
される信号と比較される。判定処理器２は各比較器11B,
11G,11Rからの出力にもとづいてパターンにおける欠陥
や異物を検査する。On the other hand, the inspection circuit 8 includes pattern extraction amplifiers 9 B , 9 G and 9 R for individually separating signals from the respective color elements 7 B , 7 G and 7 R columns, and a memory.
10 B , 10 G , 10 R , a comparator 11 B , 11 G , 11 R, and a decision processor 12, the amplifier 9 B , 9 G , 9 R and the memory 10 B , 10 G , 10 R And the switches 13 B , 13 G and 13 R are adapted to be electrically connected. The output of the switching unit 13 B, 13 G, 13 each amplifier 9 B by activating the R, 9 G, 9 R may be stored in the memory 10 B, 10 G, 10 R . The signals stored in the memories 10 B , 10 G , 10 R are compared with the signals output from the amplifiers 9 B , 9 G , 9 R next in the comparators 11 B , 11 G , 11 R. The judgment processor 2 is provided for each comparator 11 B ,
Inspect for defects and foreign matter in the pattern based on the outputs from 11 G and 11 R.
以上の構成によれば、XYテーブル２によってウェーハ１
がＸ方向又はＹ方向に移動されれば、パターン検査部４
に対してウェーハ上のパターンが走査される。この走査
により照明ランプ３からの白色光のパターン反射光は対
物レンズ５およびプリズム６を通してカラーセンサ７に
結像される。そして、このとき、プリズム６の作用によ
りパターン反射光のB,G,Rの三原色は夫々B,G,Rの各色の
素子7B,7G,7R列上に結像され、結局三色に分解されて夫
々独自に検出される。この検出信号が前記走査に伴なっ
て時間の関数で検出される。According to the above configuration, the XY table 2 allows the wafer 1
Is moved in the X direction or the Y direction, the pattern inspection unit 4
The pattern on the wafer is scanned against. By this scanning, the pattern reflected light of white light from the illumination lamp 3 is imaged on the color sensor 7 through the objective lens 5 and the prism 6. At this time, due to the action of the prism 6, the three primary colors B, G, and R of the pattern-reflected light are imaged on the elements 7 B , 7 G , and 7 R columns of the respective colors B, G, and R, and finally the three colors Are decomposed into and are individually detected. This detection signal is detected as a function of time with the scanning.
検出された信号は増幅器9B,9G,9Rで増幅された上で単位
チップ相当分が切換器13B,13G,13Rを通してメモリ10B,1
0G,10Rに記憶される。そして、次のチップ相当分の信号
が検出されると、メモリ10B,10G,10R内の信号と新たな
信号とは同期的に比較器11B,11G,11R内に入力されここ
で両者の比較が行なわれる。比較の結果、両者に違いが
存在すれば判定処理器12ではこれを欠陥又は異物として
検出することになる。The detected signal is amplified by the amplifiers 9 B , 9 G , 9 R , and the unit chip equivalent is passed through the switches 13 B , 13 G , 13 R to the memories 10 B , 1
It is stored in 0 G and 10 R. Then, when the signal corresponding to the next chip is detected, the signal in the memories 10 B , 10 G , and 10 R and the new signal are synchronously input into the comparators 11 B , 11 G , and 11 R. Here, the two are compared. If there is a difference between the two as a result of the comparison, the determination processor 12 will detect this as a defect or a foreign substance.
したがって、この検査によれば、パターンを三原色に分
解してカラーの比較を行なっているので、パターンを構
成する薄膜の干渉色から薄膜の厚さむらを検査でき、か
つ色の相違から段差や膜厚不均一等の欠陥や異物を検査
することができる。また、このときカラーセンサ７はB,
G,Rに相当する３個の撮像素子7B,7G,7Rを１組とし、こ
れを多数組列設した構成としているので、パターンを各
色毎にしかも組数に相当するビット数で認識することが
でき、特に微細なパターンの検査を高精度に行なうこと
ができる。更に、検査光をプリズム６にて三原色に分解
しているので構成の簡易化を図ると共に、カラーセンサ
７の各色の素子7B,7G,7Rに同時に検査光を到達させ、検
査回路８における信号処理（時間の関数による）を容易
なものとする。Therefore, according to this inspection, since the patterns are separated into the three primary colors and the colors are compared, it is possible to inspect the thickness unevenness of the thin film from the interference color of the thin films forming the pattern, and it is possible to check the steps and the film from the color difference. It is possible to inspect defects such as non-uniform thickness and foreign substances. At this time, the color sensor 7 is set to B,
Since three image pickup devices 7 B , 7 G , and 7 R corresponding to G and R are set as one set and a large number of these sets are arranged in a row, the pattern is set for each color and with the number of bits corresponding to the number of sets. It can be recognized, and particularly fine patterns can be inspected with high accuracy. Further, since the inspection light is separated into the three primary colors by the prism 6, the structure is simplified and the inspection light is made to reach the elements 7 B , 7 G and 7 R of each color of the color sensor 7 at the same time, and the inspection circuit 8 Facilitate signal processing (as a function of time) in.
〔実施例２〕 第３図は本発明の他の実施例であるパターン検査装置の
全体構成図を示し、ウェーハ上に形成された多数個のチ
ップの中から２個のチップを直接比較してパターン検査
を行なう所謂隣接チップ比較型の検査装置の例である。
図中、第１図と同一部分には同一ないし添字を付した同
一記号を付してその詳細な説明は省略する。本例では、
パターン検査部4A内に夫々一対の対物レンズ5X,5Y,プリ
ズム6X,6Y,カラーセンサ7X,7Yを設け、ウェーハ１上の
異なるチップのパターンを夫々検出する構成としてい
る。但し、本例ではカラーセンサ7X,7Yは撮像素子を縦
方向に複数個並べた直線状のものをB,G,Rの各素子7XBと
7YB，7XGと7YG，7XRと7YRして構成した独立構造のもの
としている。そして、各素子には夫々パターン抽出増幅
器14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YRを接続し、B,G,Rの各
色毎に比較器15B,15G,15Rにて信号比較を行なった上で
判定処理器16において処理する検査回路17に構成してい
る。[Embodiment 2] FIG. 3 is an overall configuration diagram of a pattern inspection apparatus according to another embodiment of the present invention, in which two chips are directly compared from a large number of chips formed on a wafer. This is an example of a so-called adjacent chip comparison type inspection device that performs a pattern inspection.
In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same or the same reference numerals and the detailed description thereof is omitted. In this example,
A pair of objective lenses 5X and 5Y, prisms 6X and 6Y, and color sensors 7X and 7Y are provided in the pattern inspecting unit 4A, respectively, and the patterns of different chips on the wafer 1 are detected. However, the color sensor 7X in this example, 7Y is B a rectilinear obtained by arranging a plurality of image pickup elements in a vertical direction, G, and each element 7X B of R
The independent structure consists of 7Y B , 7X G and 7Y G , 7X R and 7Y R. Then, each element is connected with a pattern extraction amplifier 14X B , 14X G , 14X R , 14Y B , 14Y G , 14Y R , and a comparator 15 B , 15 G , 15 R for each color of B , G , R. The inspection circuit 17 is configured to perform the signal comparison and then process in the determination processor 16.
本実施例では、カラーセンサ7X,7Yにて夫々検出した２
個のチップの三原色信号を直接比較器15B,15G,15Rにお
いて比較しているので直ちに両チップのパターンの相違
が検出でき、欠陥や異物の検査を行なうことができる。
そして、この場合においてもプリズム6X,6Yとカラーセ
ンサ7X,7Yによりパターンをカラー信号で検出している
ので、良好なパターン検査を行なうことができ、かつカ
ラーセンサ7X,7Yは素子を縦方向に直線状に列設した構
成であるのでパターンのビット処理を可能にし微細かつ
高精度の検査を可能にする。なお、本例ではカラーセン
サ7X,7Yは夫々独立した素子7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YRで
構成しているので、センサの製造や取扱いを容易にでき
る。In this embodiment, 2 detected by the color sensors 7X and 7Y, respectively.
Since the three primary color signals of the individual chips are directly compared by the comparators 15 B , 15 G , and 15 R , the difference between the patterns of the two chips can be immediately detected, and the defect and the foreign matter can be inspected.
And, even in this case, since the pattern is detected by the color signals by the prisms 6X, 6Y and the color sensors 7X, 7Y, it is possible to perform a good pattern inspection, and the color sensors 7X, 7Y vertically position the elements. Since it is arranged in a line in a straight line, it is possible to perform bit processing of the pattern and enable fine and highly accurate inspection. The color sensor 7X, 7Y in this example are each independent element 7X B, 7X G, 7X R , 7Y B, 7Y G, since the configuration in 7Y R, the production and handling of the sensor can be easily.
ここで、カラーセンサ7X,7Yは第１図に示した一体型の
カラーセンサ７を夫々に使用してもよいことは勿論であ
る。また、カラーセンサの構成は、第４図に示すように
Ｗ（白）,Y（黄）,C（シアン）,M（マゼンタ）の四素補
色型の構成のカラーセンサ7Zでもよく、W,Y,C,Mの各色
の素子7ZW,7ZY,7ZC,7ZMを横方向にかつこれをｎビット
相当数だけ縦方向に列設してもよい。Here, it goes without saying that the color sensors 7X and 7Y may use the integrated color sensor 7 shown in FIG. 1, respectively. Further, as shown in FIG. 4, the color sensor may be a color sensor 7Z having a quadruple complementary color type of W (white), Y (yellow), C (cyan), and M (magenta). Y, C, each color element 7Z W of M, 7Z Y, 7Z C, laterally and this may be arrayed in the vertical direction by n bits corresponding number 7Z M.
（１）１つの素子パターンについてメモリに記憶された
画像信号と、別の素子パターンについて得られた画像信
号とを比較することにより、干渉色を利用してウェーハ
上の素子パターンの薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はも
とより、異物その他の欠陥を１つのカラーセンサによっ
て良好に検査できる。(1) By comparing the image signal stored in the memory for one element pattern with the image signal obtained for another element pattern, the interference color is used to make the thin film thickness of the element pattern on the wafer. Not only defects such as unevenness and steps but also foreign substances and other defects can be satisfactorily inspected by one color sensor.
（２）２つのカラーセンサにより同時に別々の素子パタ
ーンの画像を検出して、これらの画像信号を比較するこ
とにより、干渉色を利用してウェーハ上の素子パターン
の薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はもとより、異物その
他の欠陥を迅速に検査することができる。(2) The two color sensors detect images of different element patterns at the same time and compare these image signals, so that the interference color is used to make the thin film thickness unevenness of the element pattern on the wafer, a step, etc. It is possible to quickly inspect foreign matters and other defects as well as the above defects.
（３）カラーセンサの各色の素子は多数個を直線状に列
設しているので、検査するパターンを列設した個数に相
当するビット単位の信号で検出でき、微細パターンの検
査においても高精度の検査を行なうことができる。(3) Since a large number of elements of each color of the color sensor are arranged in a straight line, the pattern to be inspected can be detected by a bit-unit signal corresponding to the number of the rows inspected, which is highly accurate even in the inspection of a fine pattern. Can be inspected.
（４）パターン検査光をプリズムにて三原色に分解して
いるので検査装置の構成、特に光学系を簡略化できると
共にカラーセンサの各色の素子へ同時に検査光を到達さ
せることができ、検査回路における信号処理を容易なも
のにできる。(4) Since the pattern inspection light is separated into the three primary colors by the prism, the structure of the inspection device, especially the optical system can be simplified and the inspection light can reach the respective color elements of the color sensor at the same time. The signal processing can be facilitated.
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、分光器とし
てはプリズムの外に回折格子が利用でき、場合によって
はハーフミラー等と組合わせてフィルタを利用すること
もできる。更に、カラーセンサの固体撮像素子の代りに
光電検出器や撮像管を使用することも可能である。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments and can be variously modified without departing from the scope of the invention. Nor. For example, as the spectroscope, a diffraction grating can be used in addition to the prism, and in some cases, a filter can be used in combination with a half mirror or the like. Further, it is possible to use a photoelectric detector or an image pickup tube instead of the solid-state image pickup element of the color sensor.
第１図は本発明のパターン検査装置の全体構成図、 第２図はカラーセンサの拡大図、 第３図は他の実施例のパターン検査装置の全体構成図、 第４図はカラーセンサの変形例の斜視図である。 １……ウェーハ、２……XYテーブル、３……照明ラン
プ、4,4A……パターン検出部、5,5X,5Y……対物レン
ズ、6,6X,6Y……プリズム、7,7X,7Y,7Z……カラーセン
サ、7B,7G,7R,7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YR,7ZW,7ZY,7ZC,7
ZM……撮像素子、８……検査回路、9B,9G,9R……増幅
器、10B,10G,10R……メモリ、11B,11G,11R……比較器、
12……判定処理器、14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YR…
…増幅器、15B,15G,15R……比較器、16……判定処理
器、17……検査回路。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a pattern inspection apparatus of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a color sensor, FIG. 3 is an overall configuration diagram of a pattern inspection apparatus of another embodiment, and FIG. 4 is a modification of the color sensor. It is a perspective view of an example. 1 ... Wafer, 2 ... XY table, 3 ... Illumination lamp, 4,4A ... Pattern detector, 5,5X, 5Y ... Objective lens, 6,6X, 6Y ... Prism, 7,7X, 7Y , 7Z ... Color sensor, 7 B , 7 G , 7 R , 7X B , 7X G , 7X R , 7Y B , 7Y G , 7Y R , 7Z W , 7Z Y , 7Z C , 7
Z M …… Image sensor, 8 …… Inspection circuit, 9 B , 9 G , 9 R …… Amplifier, 10 B , 10 G , 10 R・ ・ ・ Memory, 11 B , 11 G , 11 R …… Comparator,
12 ... Judgment processor, 14X B , 14X G , 14X R , 14Y B , 14Y G , 14Y R
… Amplifier, 15 B , 15 G , 15 R …… Comparator, 16 …… Judgment processor, 17 …… Inspection circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−101983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−140490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−103573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−196530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−154853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−34402（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−51531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−192326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−133341（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) References JP-A-48-101983 (JP, A) JP-A-54-140490 (JP, A) JP-A-56-103573 (JP, A) JP-A-57- 196530 (JP, A) JP 57-154853 (JP, A) JP 57-34402 (JP, A) JP 58-51531 (JP, A) JP 58-192326 (JP, A) JP-A-57-133341 (JP, A)
Claims (6)
体ウェーハを支持するテーブルと、 前記素子パターンの検査光を波長に応じて分光する分光
手段と、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記分光手段により分光された各色光が投射
されるカラーセンサと、 前記半導体ウェーハ上の１つの素子パターンについての
それぞれの撮像素子からの検出信号を各分光色毎に記憶
するメモリと、 前記半導体ウェーハ上の前記素子パターンとは別の素子
パターンについてのそれぞれの撮像素子からの各分光色
毎の検出信号と、前記メモリ内に記憶された信号とを各
分光色毎に比較する比較器と、 当該比較器の出力に基づいて前記素子パターンを構成す
る薄膜の干渉色から素子パターンの欠陥を検出する判定
処理器とを有することを特徴とするパターン検査装置。1. A table for supporting a semiconductor wafer having a plurality of identical device patterns formed thereon, a spectroscopic unit for separating the inspection light of the device patterns according to wavelengths, and a plurality of image pickup devices, at least three of which are provided in one unit. A plurality of sets are arranged side by side in the horizontal direction and a plurality of sets are arranged in the vertical direction. The color sensor projects each color light dispersed by the spectroscopic unit, and one element on the semiconductor wafer. A memory that stores a detection signal from each image sensor for a pattern for each spectral color, and a detection for each spectral color from each image sensor for an element pattern different from the element pattern on the semiconductor wafer A comparator for comparing the signal and the signal stored in the memory for each spectral color, and a thin film forming the element pattern based on the output of the comparator. Pattern inspection apparatus characterized by comprising a determination process for detecting the defects of the element pattern from Wataruiro.
範囲第１項記載のパターン検査装置。2. The pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein the spectroscopic means is a prism.
に走査させ、前記パターンを前記カラーセンサの縦方向
にビット認識できるように構成してなる特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のパターン検査装置。3. The method according to claim 1, wherein the pattern is made to scan in the horizontal direction of the color sensor and the pattern can be bit-recognized in the vertical direction of the color sensor. Pattern inspection device.
体ウェーハを支持するテーブルと、 前記半導体ウェーハの１つの素子パターンの検査光を波
長に応じて分光する第１分光手段と、 前記半導体ウェーハの前記素子パターンとは別の素子パ
ターンの検査光を波長に応じて分光する第２分光手段
と、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記第１分光手段により分光された各色光が
投射される第１カラーセンサと、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記第２分光手段により分光された各色光が
投射される第２カラーセンサと、 前記第１および第２カラーセンサにおけるそれぞれの前
記撮像素子からの各分光色毎の検出信号を比較する比較
器と、 当該比較器の出力に基づいて前記素子パターンを構成す
る薄膜の干渉色から素子パターンの欠陥を検出する判定
処理器とを有することを特徴とするパターン検査装置。4. A table for supporting a semiconductor wafer on which a plurality of identical device patterns are formed, a first spectroscopic unit for separating inspection light of one device pattern of the semiconductor wafer according to a wavelength, and a semiconductor wafer for the semiconductor wafer. A second spectroscopic unit that disperses the inspection light of an element pattern different from the element pattern according to the wavelength, and a plurality of imaging elements, at least three of which are set as one set, are arranged in parallel in the horizontal direction, and A plurality of sets are arranged in a row in the vertical direction, and a first color sensor on which each color light split by the first splitting means is projected, and at least three sets of a plurality of image pickup devices as one set are arranged in the horizontal direction. A plurality of sets are arranged in parallel in the vertical direction and are arranged in a row in the vertical direction. The second color sensor projects the respective color lights dispersed by the second spectroscopic means, and the first and second color sensors. A comparator for comparing the detection signals of the respective spectral colors from the respective image pickup devices, and a determination process for detecting a defect of the element pattern from the interference color of the thin film forming the element pattern based on the output of the comparator. And a pattern inspection device.
リズムである特許請求の範囲第４項記載のパターン検査
装置。5. The pattern inspection apparatus according to claim 4, wherein each of the first and second spectroscopic means is a prism.
センサの横方向に走査させ、前記パターンを前記第２お
よび第２カラーセンサの縦方向にビット認識できるよう
に構成してなる特許請求の範囲第４項又は第５項記載の
パターン検査装置。6. A structure in which the pattern is scanned in the horizontal direction of the first and second color sensors, and the pattern can be bit-recognized in the vertical direction of the second and second color sensors. The pattern inspection apparatus according to claim 4 or 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220619A JPH071776B2 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | Pattern inspection equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220619A JPH071776B2 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | Pattern inspection equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113937A JPS60113937A (en) | 1985-06-20 |
| JPH071776B2 true JPH071776B2 (en) | 1995-01-11 |
Family
ID=16753806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220619A Expired - Lifetime JPH071776B2 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | Pattern inspection equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071776B2 (en) |
Families Citing this family (4)
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101983A (en) * | 1972-04-06 | 1973-12-21 | ||
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| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP58220619A patent/JPH071776B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60113937A (en) | 1985-06-20 |
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