JPH07180061A

JPH07180061A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法および装置

Info

Publication number: JPH07180061A
Application number: JP5325191A
Authority: JP
Inventors: Tatsuji Okamura; 竜次岡村; Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山; Mitsuharu Hitsuishi; 光治櫃石; Hitoshi Murayama; 仁村山; Hirokazu Otoshi; 博和大利
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-12-22
Filing date: 1993-12-22
Publication date: 1995-07-18

Abstract

(57)【要約】【目的】基板上に、均一で優れた特性の堆積膜をマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法により作製する方法及び該方法
を行うための装置を提供すること。【構成】減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用の原料
ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入したマイ
クロ波エネルギーにより励起されるグロー放電により基
体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法で
あって、放電空間内に設けたプラズマの電位制御を行う
ための電極を、その表面温度を均一として堆積膜を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基体上に堆積膜、とり
わけ機能性膜を作製する方法および装置に関し、特に半
導体デバイス、電子写真感光体デバイス、画像入力用ラ
インセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイス等に用
いるアモルフファス堆積膜をマイクロ波プラズマＣＶＤ
法によって作製する方法及び該方法を行うためのプラズ
マＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真感光体
デバイス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、
光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、
光学素子等に用いる素子部材として、アモルファスシリ
コン〔例えば水素又は／及びハロゲン（例えばフッ素、
塩素等）で補償されたアモルファスシリコン〕等のアモ
ルファス堆積膜が提案され、その幾つかは実用に供され
ている。

【０００３】こうした堆積膜の形成方法として、従来、
スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法
（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光
ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法
（プラズマＣＶＤ法）等、多数知られている。中でも、
プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高
周波またはマイクロ波によるグロー放電等によって分解
し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレ
ス、アルミニウムなどの基体上に薄膜状の堆積膜を形成
する方法は電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形
成方法として現在実用化が非常に進んでおり、そのため
の装置も各種提案されている。特に、近年堆積膜形成方
法としてマイクロ波グロー放電分解を用いたプラズマＣ
ＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的に
も注目されている。

【０００４】マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法
に比ベ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率と
いう利点を有している。こうした利点を生かしたマイク
ロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、特開昭５９−０
７８５２８（米国特許４，５０４，５１８）号公報に記
載されている。該公報に記載の技術は、０．１Ｔｏｒｒ
以下の低圧でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により高速の
堆積速度で良質の堆積膜を得るというものである。

【０００５】更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０
−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載
の技術の概要は、マイクロ波エネルギーの導入手段を取
り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわち
放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を
非常に高めるようにしたものである。

【０００６】また、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示さ
れている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズ
マ電位制御用として電極（バイアス電極）を設け、この
バイアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して
堆積膜ヘのイオン衝撃を制御しながら膜堆積を行うよう
にして堆積膜の特性を向上させる技術が開示されてい
る。

【０００７】更に、特開平３−２１９０８１号公報に
は、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において放電空間に
電極を兼ねたガス導入手段を設けることによって原料ガ
スが基板に到達するまで充分励起、分解が行われ、原料
ガス導入と同時に、電界が掛かけられる構成が開示され
ている。このような構成とすることにより電荷が原料ガ
ス導入手段の回りに集中して励起速度が早くなり、充分
分解された高エネルギーの前駆体となり、基板上でサー
フェイスモビリティーが高くなることで内部ストレスの
低い特性の良い堆積膜が形成されることが開示されてい
る。

【０００８】上記の様な技術により、ある程度良好な特
性を有する光導電性材料を、ある程度高速の堆積速度と
高い原料ガスの利用効率で製造することが可能となっ
た。

【０００９】図４は上述したような技術を用いて電子写
真感光体を作製するためのプラズマＣＶＤ装置の従来例
の構成を示す図である。

【００１０】まず真空ポンプ（図示せず）により排気管
４０４を介して、反応容器４０１を排気し、反応容器４
０１内の圧力を１×ｌ０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。つ
いでヒーター４０７により、基体４０５の温度をドラム
形成に最適な温度に加熱保持する。この状態とした上
で、原料ガスをプラズマ電位制御のための電極４０８を
介して導入する。原料ガスの種類は、アモルファスシリ
コンの原料ガスとしてシランガスが導入され、希釈ガス
として、水素ガス等の原料ガスが反応容器４０１内に導
入される。また、同時並行的にマイクロ波電源（不図
示）により周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生さ
せて導波管４０３を通し、誘電体窓４０２を介して反応
容器４０１内に導入する。更にバイアス印加のための電
源４１１によりプラズマ電位制御のための電極４０８に
基体４０５に対してバイアスを印加する。かくして基体
４０５により囲まれた放電空間４０６において、原料ガ
スはマイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、
基体４０５の表面に堆積膜が形成される。この時、基体
４０５が設置された回転軸４０９をモーター４１０によ
り回転させ、基体４０５を基体母線方向中心軸の回りに
回転させることにより、基体４０５全周に渡って均一に
堆積膜が形成される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】特に近年、高速機、デ
ジタル機、フルカラー機の普及にともない電子写真装置
はさらに高画質化、高速化、高耐久化が望まれている。
その結果、アモルファスシリコン感光体においては今ま
で以上に高画質化を実現することが要求されている。と
りわけ、デジタル機、フルカラー機の普及により従来の
文字だけのコピーから、写真や絵のコピー画像が要求さ
れる。従って、それらの画像を鮮明に再現するには今ま
で以上に感光体の特性むらを抑えなければならない。そ
のために、電子写真画像特性におけるハーフトーンむら
に関しては今まで以上に改善しなければならなかった。

【００１２】ところが、従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置においては、プラズマ制御のための電極の表面温
度は、マイクロ波導入窓近傍で高いことが解ってきた。
例えば、より大きなマイクロ波電力を投入したときは、
マイクロ波導入窓近傍とそれから離れた部分の温度差は
より顕著なものとなる。そのため、マイクロ波導入窓近
傍では、プラズマ電位制御のための電極の表面温度が異
常に高温に加熱され、その影響によりプラズマ電位制御
のための電極から不純物が堆積膜に混入したり、堆積膜
が部分的に加熱されるために感光体としての特性のむら
が起こり、今まではあまり問題にならなかったもので
も、より高画質になったため問題になってきた。また、
より電子写真特性をアップしようとして大きなマイクロ
波電力を導入しようとした場合にはさらに顕著な問題と
なった。

【００１３】また、プラズマ電位制御のための電極の場
所による温度の違いにより、付着する膜質が部分的に異
なり、堆積膜作製中に剥離し易くなるという問題点もあ
る。付着している膜が堆積膜形成中に剥がれた場合、こ
の微小な破片が飛翔して基体上に付着し、これを中心に
膜の異常成長がはじまり、電子写真感光体の場合画像欠
陥を発生させてしまう。この問題点も、従来の電子写真
感光体においては、プラズマ電位制御のための電極表面
からの剥離はほとんど問題にならなかったが、より性能
アップの為に投入するマイクロ波電力を増加すると顕著
になってきた問題点である。

【００１４】以上の問題点は電子写真感光体を例にあげ
て説明したがマイクロ波ＣＶＤ法により特性アップと、
原料ガスの利用効率をあげるために投入するマイクロ波
電力を上げて堆積膜を作製する場合、問題となる。

【００１５】本発明は、上述のごとき諸問題を克服し、
基板上に、均一で優れた特性の堆積膜をマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法により作製する方法及び該方法を行うため
の装置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法は、減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用
の原料ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入し
たマイクロ波エネルギーにより励起されるグロー放電に
より基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法であって、放電空間内に設けたプラズマの電位制御
を行うための電極を、その表面温度を均一として堆積膜
を形成することを特徴とする。

【００１７】この場合、プラズマ電位の制御のための電
極が原料ガスを導入する手段を兼ねてもよい。

【００１８】上記のような方法を実現するための本発明
のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、減圧可能な反応容
器内に堆積膜形成用の原料ガス及びマイクロ波エネルギ
ーを導入し、導入したマイクロ波エネルギーにより励起
されるグロー放電により基体上に堆積膜を形成するマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置であって、放電空間内に設け
たプラズマの電位制御を行うための電極の内部に、電極
の表面温度を均一とするためのヒートパイプが設けられ
ていることを特徴とする。

【００１９】

【作用】本発明者らは、従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法における諸問題を克服すべく鋭意研究を重ねた結
果、上記目的を達成するためにはプラズマ電位を制御す
るための電極の表面温度を制御することがたいへん重要
であることがわかった。

【００２０】表面温度が上がりすぎると該電極から不純
物として放電空間中に原料ガスとして導入していない元
素が入ってしまい、多くの場合作製した堆積膜に悪影響
を与えてしまう。また、該電極の表面温度が部分的に違
った場合、作製した堆積膜の特性むらとして現れる。さ
らに、該電極の表面温度が部分的に大きいと、堆積膜作
製中に該電極から膜はがれが生じ、欠陥となる堆積膜の
異常成長の数が増えてしまうことがわかった。

【００２１】本発明は、該知見をもとに完成せしめたも
のであり、プラズマの電位制御を行うための電極の表面
温度を均一とすることにより、上記のような不具合が発
生することを防止するものである。

【００２２】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の作製方法及び装
置を用いて電子写真感光体の作製を行うための具体的構
成を示す。

【００２３】まず、本発明のプラズマＣＶＤ装置による
電子写真感光体作製装置を図１の概略断面図および図１
のＸ−Ｘ線断面図である図２に示す。

【００２４】本実施例の装置による堆積膜作製は図４に
示した従来例と同様のものであり、概略以下のように行
われる。

【００２５】まず真空ポンプ（図示せず）により排気管
１０４を介して、反応容器１０１を排気し、反応容器１
０１内の圧力を１×ｌ０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。つ
いでヒーター１０７により、基体１０５の温度をドラム
形成に最適な温度に加熱保持する。このような状態とし
たうえで原料ガスをプラズマ電位制御のための電極１０
８を介して導入する。原料ガスは、アモルファスシリコ
ンの原料ガスとしてのシランガスおよび希釈ガスとして
の水素ガス等の原料ガスが反応容器１０１内に導入され
る。それと同時併行的にマイクロ波電源（不図示）によ
り周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、導波
管１０３を通し、誘電体窓１０２を介して反応容器１０
１内に導入される。更にバイアス印加のための電源１１
１によりプラズマ電位制御のための電極１０８に基体１
０５に対してバイアスを印加する。かくして基体１０５
により囲まれた放電空間１０６において、原料ガスはマ
イクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、基体１
０５の表面に堆積膜が形成される。この時、基体１０５
が設置された回転軸１０９をモーター１１０により回転
させ、基体１０５を基体母線方向中心軸の回りに回転さ
せることにより、基体１０５全周に渡って均一に堆積膜
が形成される。

【００２６】次に、本発明のプラズマ電位を制御するた
めの電極１０８について図３を用いてさらに詳しく説明
する。

【００２７】電極１０８は、電極外枠３０１とその内部
に設けられるヒートパイプ３０２より構成されるもの
で、ヒートパイプ３０２を電極外枠３０１の形状に合わ
せ溶接により電極外枠３０１に取付けた２重構造とす
る。原料ガスは電極外枠３０１とヒートパイプ３０２の
間を通過して電極外枠３０１の外周に設けられた原料ガ
ス導入管３０３より放電空間ヘ吹き出される。この時、
電極外枠３０１内は温度があまり上昇しないので原料ガ
スの熱分解による膜堆積がおこらない。そのためガス管
内での膜はがれによる破片が放電空間ヘ吹き出すことに
よる欠陥も減る効果もある。

【００２８】本発明に用いるプラズマ電位制御のための
電極の材質としては、導電性の材質ならばいずれでも良
いが、堆積膜の密着性と温度上昇に伴う放電空間ヘの不
純物としての流出の問題から、ステンレス、ニッケル等
が本発明では有効である。本発明のプラズマ電位制御の
ための電極の表面温度の変化を減少させる具体的手段と
しては、ヒートパイプをプラズマ電位制御のための電極
内部に設置する事が有効である。

【００２９】本発明に使われるヒートパイプは、内部に
燈心状の毛細管物質をライニングし、部分真空中に少量
の液体を入れた金属封管より成る熱輸送装置で、熱は液
体の蒸発によって一端から吸収され、蒸気の凝縮によっ
て他端で放出される仕組みである。そのため、ヒートパ
イプを内部に入れることにより、それに接する電極の表
面温度は均一になる。

【００３０】本発明に用いるヒートパイプの材質として
は、金属封管には、銅、ステンレス、ニッケル等が有効
である。ヒートパイプ中の液体としては、水が一般的に
利用されるが、本発明においては数百度になることから
ナトリウム、水銀等が好ましい。

【００３１】本発明では、堆積膜の原料ガスとしては、
例えばシラン（ＳｉＨ₄）、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）等の
アモルファスシリコン形成原料ガス、ゲルマン（ＧｅＨ
₄、メタン（ＣＨ₄）等の他の機能性堆積膜形成原料ガス
又はそれらの混合ガスが挙げられる。希釈ガスとしては
水素（Ｈ₂）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等
が挙げられる。又、堆積膜のバンドギャップ幅を変化さ
せる等の特性改善ガスとしては、アンモニア（Ｎ
Ｈ₃）、窒素（Ｎ₂）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ
₂）、酸化窒素（ＮＯ）、酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）等の酸素
原子を含む元素、メタン（ＣＨ₄）、エタン（Ｃ
₂Ｈ₆）、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄）、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）、
プロパン（Ｃ₃Ｈ₈）等の炭化水素、四フッ化硅素（Ｓｉ
Ｆ₄）、六フッ化二硅素（Ｓｉ₂Ｆ₆）、四フッ化ゲルマ
ニウム（ＧｅＦ₄）等のフッ素化合物又はこれらの混合
ガスが挙げられる。ドービングを目的としてジボラン
（Ｂ₂Ｈ₆）、フッ化ほう素（ＢＦ₃）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ₃）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入して
も本発明は同様に有効である。

【００３２】本発明において、マイクロ波導入のための
誘電体窓の材質としてはアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ポロン（ＢＮ）、窒化珪素
（ＳｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリス
チレン等マイクロ波の損失の少ない材料が通常使用され
る。

【００３３】本発明では、放電空間の圧力がいずれの領
域でも効果が現われたが、特に１００ｍＴｏｒｒ以下、
好ましくは５０ｍＴｏｒｒ以下で特に良好な結果が再現
良く得られた。

【００３４】基体材料としては、例えば、ステンレス、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したポリカーボネート等の合成樹脂、ガラ
ス、セラミックス、紙等が本発明では通常使用される。

【００３５】本発明は、阻止型アモルファスシリコン感
光体、高抵抗型アモルファスシリコン感光体等、複写
機、またはプリンター用感光体の作製のように長時間堆
積膜作製時間がかかる場合において特に効果が顕著であ
る。

【００３６】［実験例］以下、実験例により本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定され
るものではない。

【００３７】〈実験例１および比較実験例１〉実験例１図３に示した本発明のプラズマ電位制御のための電極を
用い、図１および図２に示したマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置により表１に示す条件で円筒状のアルミシリンダ
ーに２０ミクロンの堆積膜を形成した。本実験例ではプ
ラズマ電位制御のための電極として、直流（ＤＣ）を印
加した。

【００３８】こうして得られたアルミシリンダーの上端
部と中央部の堆積膜を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭ
Ｓ）により、炭素、クロム、鉄、ニッケルの不純物の定
量分析を行い、その量を上端部と中央部で比較した。そ
の結果を表２に示す。

【００３９】

【表１】比較実験例２図４に示した従来のプラズマ電位制御のための電極を用
いた堆積膜形成装置により、実験例１と同様に表１に示
す条件で２０ミクロンの堆積膜を形成した。そしてＳＩ
ＭＳによる不純物の定量を行った結果を表２に示す。

【００４０】

【表２】実験例１と比較実験例１の結果を中央の含有量に対する
上部の含有量として表２に相対値で示した。表に示され
るように、本発明では、従来のプラズマ電位制御のため
の電極を使用したときと比ベ、堆積膜中に含まれる元素
の含有量が上端部と中央部で差がなく均一である事がわ
かる。

【００４１】〈実験例２および比較実験例２〉実験例２図３に示した本発明のプラズマ電位の制御のための電極
を用い、図１に示すマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によ
り表１に示した条件で円筒状のアルミシリンダーに堆積
膜を形成した。この時のプラズマ電位制御のための電極
の表面の温度を熱電対により測定し、プラズマ電位制御
のための電極の上端部と中央部の温度差（△Ｔｓ＝先端
部Ｔｓ／中央部Ｔｓ）「単位は℃」を比較した。その結
果を表３に示す。

【００４２】比較実験例２図４に示した従来のプラズマ電位制御のための電極を用
い、実験例２と同様に堆積膜を形成し、プラズマ電位制
御のための電極の表面の温度を熱電対を用い測定し、上
端部と中央部の温度差（△Ｔｓ＝先端部Ｔｓ／中央部Ｔ
ｓ）を比較した。その結果を実験例２の結果とあわせて
表３に示す。

【００４３】

【表３】表に示されるように、従来のプラズマ電位制御のための
電極を使用したときに比ベ、本発明によれば電極の表面
温度は上端部と中央部で均一である事がわかる。［実
施例］本発明により実際に電子写真感光体を作製した例
について説明する。

【００４４】〈実施例１および比較例１〉実施例１図１に示す本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
い、前記記載の手順に従い電荷阻止層、感光層、表面保
護層の３層からなる電子写真感光体を表４に示す条件で
作製した。なお、本実施例ではプラズマ電位制御のため
に１３．５６ＭＨｚの周波数である高周波を印加した。

【００４５】

【表４】この様にして作製した電子写真感光体を、以下のように
して電子写真特性を評価した。

【００４６】作製した感光ドラムをキヤノン社製複写機
（ＮＰ６０６０）を実験用に改造した装置に入れ、通常
の複写プロセスにより転写紙上に画像を作製した。但
し、この時、帯電器に６ｋＶの電圧で印加し帯電を行っ
た。

【００４７】ハーフトーンむら全面ハーフトーンの原稿を原稿台に置きコピーした時に
得られた画像サンプルを観察し、濃淡のむらを評価し
た。

【００４８】◎・・・良好 ○・・・一部僅かな濃淡の差有り △・・・全面に渡り濃淡の差があるが文字の認識には支
障無しＸ・・・文字が読みにくい程むらがある画像欠陥黒原稿を原稿台に置きコビーした時に得られた画像サン
プルの同一面積内にある白点の数により評価を行った。

【００４９】◎・・・良好 ○・・・一部小さな白点有り △・・・全面に白点があるが文字の認識には支障無しＸ・・・文字が読みにくい程白点が多いこの結果を表５と表６に示した。

【００５０】比較例１図４に示した従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
い、前記記載の手順に従い電荷阻止層、感光層、表面保
護層の３層からなる電子写真感光体を表４に示す条件で
作製した。なお、プラズマ電位制御のために１３．５６
ＭＨｚの周波数である高周波を印加した。

【００５１】この様にして作製した電子写真感光体を、
実施例１と同様の評価を行った。その結果を実施例１の
結果にあわせて表５、表６に示す。

【００５２】

【表５】

【００５３】

【表６】表５、表６より本発明の方法により作製した電子写真感
光体は、ハーフトーンむら、画像欠陥双方においていず
れも良好な結果が得られたことがわかる。特に、作製時
においてマイクロ波バワーを増大させるとき、その効果
は比較例１に比ベ顕著に現れている。

【００５４】

【発明の効果】本発明の効果は、プラズマ電位制御のた
めの電極の表面温度を均一にする事で、該電極上に堆積
する膜の密着性が向上する。その結果欠陥となる堆積膜
の異常成長の数を減らすことができる効果がある。

【００５５】更に、堆積膜作製中の該電極の表面温度が
局部的に高くなることをおさえることができるため電子
写真特性を上げるため投入するマイクロ波バワーをさら
にあげても該電極からの不純物流出がおさえられる。そ
の結果、堆積膜の電気特性を上げることができる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマイクロ波プラズマＣＶＤによる
堆積膜形成装置を示す図である。

【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。

【図３】本発明のプラズマ電位を制御するための電極の
詳細な図である。

【図４】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤによる堆積膜
形成装置を示す図である。

【符号の説明】

１０１反応容器１０２誘電体窓１０３導波管１０４排気管１０５基体１０６放電空間１０７加熱用ヒーター１０８プラズマ電位制御のための電極１０９回転軸１１０モーター３０１電極外枠３０２ヒートパイプ３０３原料ガス導入管

フロントページの続き (72)発明者村山仁東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者大利博和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用の
原料ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入した
マイクロ波エネルギーにより励起されるグロー放電によ
り基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ
法であって、前記放電空間内に設けたプラズマの電位制御を行うため
の電極を、その表面温度を均一として堆積膜を形成する
ことを特徴とするマイクロ波プラズマＣＶＤ法。
【請求項２】請求項１記載のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法において、前記プラズマ電位の制御のための電極が原料ガスを導入
する手段を兼ねることを特徴とするマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法。
【請求項３】減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用の
原料ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入した
マイクロ波エネルギーにより励起されるグロー放電によ
り基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置であって、前記放電空間内に設けたプラズマの電位制御を行うため
の電極の内部に、電極の表面温度を均一とするためのヒ
ートパイプが設けられていることを特徴とするマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】請求項３記載のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記プラズマ電位の制御のための電極が原料ガスを導入
する手段を兼ねることを特徴とするマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置。