JPH071811B2 - 進行波型カスケ−ド光増幅器 - Google Patents
進行波型カスケ−ド光増幅器Info
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- JPH071811B2 JPH071811B2 JP22968685A JP22968685A JPH071811B2 JP H071811 B2 JPH071811 B2 JP H071811B2 JP 22968685 A JP22968685 A JP 22968685A JP 22968685 A JP22968685 A JP 22968685A JP H071811 B2 JPH071811 B2 JP H071811B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ファイバ通信において光信号の増幅その他
に利用される光増幅器に関する。特に、光ファイバ伝送
路の途中の完全な中継処理を必要としない箇所に挿入し
て、中継間隔を増大する目的に使用されるに適する光増
幅器に関する。
に利用される光増幅器に関する。特に、光ファイバ伝送
路の途中の完全な中継処理を必要としない箇所に挿入し
て、中継間隔を増大する目的に使用されるに適する光増
幅器に関する。
ここでは、光増幅器とは入射した光信号を光電気変換を
行わずに直接増幅して送出する全光素子で構成されたも
のをいう。
行わずに直接増幅して送出する全光素子で構成されたも
のをいう。
従来、半導体レーザの誘導放出を利用した半導体レーザ
型光増幅器には、光信号が１回通過することにより増幅
を行う進行波（TW）型と、増幅器自身がファブリペロ共
振器を構成している共振器（FP）型とがある。
型光増幅器には、光信号が１回通過することにより増幅
を行う進行波（TW）型と、増幅器自身がファブリペロ共
振器を構成している共振器（FP）型とがある。
半導体レーザ型光増幅器では注入電流により利得を増加
できるが、実際には注入電流の増加に伴って増幅された
自然放出光が大きくなり、注入電流を増大しても利得が
飽和する。また入射した光信号強度が大きいほど利得の
飽和が生じやすい。
できるが、実際には注入電流の増加に伴って増幅された
自然放出光が大きくなり、注入電流を増大しても利得が
飽和する。また入射した光信号強度が大きいほど利得の
飽和が生じやすい。
進行波型光増幅器では、しきい値60〜80mAのアルミニウ
ムガリウム砒素半導体レーザ（AlGaAs-LD）では、この
飽和値は出力パワー４〜8mWである。
ムガリウム砒素半導体レーザ（AlGaAs-LD）では、この
飽和値は出力パワー４〜8mWである。
共振器型光増幅器では、それ自身光共振器であるので大
きな利得を上げることができるが、実際の特性では利得
の飽和により取り出せる光出力は頭打ちになる。
きな利得を上げることができるが、実際の特性では利得
の飽和により取り出せる光出力は頭打ちになる。
また、進行波型光増幅器は温度変化により利得のピーク
周波数が変動するので、その帯域幅を３〜４×103GHzと
し、利得のピーク値のずれを±500GHzだけ許容すると±
５℃の温度制御を行えばよい。
周波数が変動するので、その帯域幅を３〜４×103GHzと
し、利得のピーク値のずれを±500GHzだけ許容すると±
５℃の温度制御を行えばよい。
一方、共振器型光増幅器では、帯域幅は共振特性を利用
しているために極めて狭く、例えば25dBの利得が得られ
る帯域幅は2.5GHzである。この値は半導体レーザの波長
が実用的な温度や電流の変化で変動する量よりはるかに
小さく、共振器型光増幅器を正常に動作させるには±0.
04℃以内の温度制御、±0.15mA以内の電流制御が必要に
なる。また、送られてくる光信号の周波数に追尾するよ
うに、自動周波数制御が不可欠になる。
しているために極めて狭く、例えば25dBの利得が得られ
る帯域幅は2.5GHzである。この値は半導体レーザの波長
が実用的な温度や電流の変化で変動する量よりはるかに
小さく、共振器型光増幅器を正常に動作させるには±0.
04℃以内の温度制御、±0.15mA以内の電流制御が必要に
なる。また、送られてくる光信号の周波数に追尾するよ
うに、自動周波数制御が不可欠になる。
光増幅器を光ファイバ伝送系に挿入する場合には、光フ
ァイバを伝搬した信号光の偏光状態が定まらないので、
光増幅器は偏光依存性を持たないことが望ましい。しか
し、半導体レーザの活性層は薄膜導波路であり、通常TE
モードおよびTMモードに対する活性層内への閉じ込め係
数Γがこのモードにより異なる。
ァイバを伝搬した信号光の偏光状態が定まらないので、
光増幅器は偏光依存性を持たないことが望ましい。しか
し、半導体レーザの活性層は薄膜導波路であり、通常TE
モードおよびTMモードに対する活性層内への閉じ込め係
数Γがこのモードにより異なる。
進行波型光増幅器では、この差が偏光に対する利得の差
となる。例えば、TEモードに対する閉じ込め係数ΓTE＝
0.52、TMモードに対する閉じ込め係数ΓTM＝0.47とした
チャネルド・サブストレート・プレーナ半導体レーザ
（CSP-LD）では、TEモードの利得が25dBのときにTMモー
ドの利得は2.4dB程低くなる。
となる。例えば、TEモードに対する閉じ込め係数ΓTE＝
0.52、TMモードに対する閉じ込め係数ΓTM＝0.47とした
チャネルド・サブストレート・プレーナ半導体レーザ
（CSP-LD）では、TEモードの利得が25dBのときにTMモー
ドの利得は2.4dB程低くなる。
共振器型光増幅器では、単一通過利得の差異が全体の利
得に大きく寄与するので状況はもっと悪く、さらに共振
器の反射率および共振周波数がTEモードおよびTMモード
で異なることなどから、共振器型の偏光依存性は進行波
型に比べて本質的に大きくなる。
得に大きく寄与するので状況はもっと悪く、さらに共振
器の反射率および共振周波数がTEモードおよびTMモード
で異なることなどから、共振器型の偏光依存性は進行波
型に比べて本質的に大きくなる。
このような従来の光増幅器の利得を増大させるために、
半導体レーザ型光増幅器をカスケードに配置することが
提案されているが、その場合にはそれぞれ次のような問
題点が生じる。
半導体レーザ型光増幅器をカスケードに配置することが
提案されているが、その場合にはそれぞれ次のような問
題点が生じる。
進行波型光増幅器では、自然放出光が増幅されるこ
とによる利得の飽和があり、したがって単純にカスケー
ド接続しても出力パワーをあまり上げることができな
い。
とによる利得の飽和があり、したがって単純にカスケー
ド接続しても出力パワーをあまり上げることができな
い。
共振器型光増幅器では、それ自身光共振器であるの
で利得を上げることも容易になるが、この共振特性のた
めに帯域幅は極めて狭くなる問題点がある。すなわち、
温度制御が±0.04℃以内に制御される必要があり、進行
波型光増幅器の±５℃に比べても非常に厳しい条件とな
る。
で利得を上げることも容易になるが、この共振特性のた
めに帯域幅は極めて狭くなる問題点がある。すなわち、
温度制御が±0.04℃以内に制御される必要があり、進行
波型光増幅器の±５℃に比べても非常に厳しい条件とな
る。
また、共振器の反射率および共振周波数がTEモードおよ
びTMモードで異なることから、偏光依存性は進行波型よ
り本質的に大きく、したがって共振器型光増幅器の場合
にはこの偏光依存性を解消する何らかの方策が求められ
ている。
びTMモードで異なることから、偏光依存性は進行波型よ
り本質的に大きく、したがって共振器型光増幅器の場合
にはこの偏光依存性を解消する何らかの方策が求められ
ている。
また、共振器型光増幅器ではカスケード接続する場合
に、入射側反射鏡からの反射光が、前段の光増幅器に注
入されることを避けるために光アイソレータを必要とす
る。
に、入射側反射鏡からの反射光が、前段の光増幅器に注
入されることを避けるために光アイソレータを必要とす
る。
両型の光増幅器に共通する問題点は、それぞれ独立
に製造された半導体レーザをカスケード光増幅器として
構成する場合には、各半導体レーザのパラメータが少し
ずつ異なるので、それぞれ独立に温度制御して利得分布
を一致させる必要がある。特に、共振器型光増幅器の場
合には、±0.04℃以内の温度制御が必要になるが、これ
をそれぞれの光増幅器に対して行うとすると、温度制御
回路の規模が実用的でない程度に大きくなる欠点があ
る。
に製造された半導体レーザをカスケード光増幅器として
構成する場合には、各半導体レーザのパラメータが少し
ずつ異なるので、それぞれ独立に温度制御して利得分布
を一致させる必要がある。特に、共振器型光増幅器の場
合には、±0.04℃以内の温度制御が必要になるが、これ
をそれぞれの光増幅器に対して行うとすると、温度制御
回路の規模が実用的でない程度に大きくなる欠点があ
る。
これらの従来技術は、文献:J.C.シモン、「光通信シス
テムにおける光増幅技術」、外国通信技術、1985年６
月、pp26-33（J.C.Simom,“Light Amplifiers in Optic
al Communication Sistems",NOTO ASI Series E No.7
8）に詳しい記載がある。
テムにおける光増幅技術」、外国通信技術、1985年６
月、pp26-33（J.C.Simom,“Light Amplifiers in Optic
al Communication Sistems",NOTO ASI Series E No.7
8）に詳しい記載がある。
本発明は、このような従来の問題点を解決するもので、
高利得でしかも温度制御が容易な進行波型カスケード光
増幅器を提供することを目的とする。
高利得でしかも温度制御が容易な進行波型カスケード光
増幅器を提供することを目的とする。
本発明の第一の発明は、それぞれ光信号を増幅する複数
の進行波型光増幅器と、この複数の進行波型光増幅器を
カスケードに接続する光学系とを備えた進行波型カスケ
ード光増幅器において、上記複数の進行波型光増幅器
は、複数の進行波型活性層ストライプが同一半導体基板
上に形成された構造であり、上記光学系または光信号の
入力系または出力系に挿入された光フィルタを含むこと
を特徴とする。
の進行波型光増幅器と、この複数の進行波型光増幅器を
カスケードに接続する光学系とを備えた進行波型カスケ
ード光増幅器において、上記複数の進行波型光増幅器
は、複数の進行波型活性層ストライプが同一半導体基板
上に形成された構造であり、上記光学系または光信号の
入力系または出力系に挿入された光フィルタを含むこと
を特徴とする。
本発明の第二の発明は、進行波型光増幅器の利得制御を
行う制御回路を含めた上記第一の発明の構成に加えて、
上記制御回路は、同一半導体基板上に形成された複数の
進行波型活性層ストライプの一部であって、光増幅器と
し利用されるストライプに隣接するストライプを逆バイ
アスしてフォトダイオードとして動作させる手段と、こ
のストライプに隣のストライプから漏れ光として結合す
る出力をモニタする手段と、このモニタ出力により光増
幅器の利得を制御する手段とを含むことを特徴とする。
行う制御回路を含めた上記第一の発明の構成に加えて、
上記制御回路は、同一半導体基板上に形成された複数の
進行波型活性層ストライプの一部であって、光増幅器と
し利用されるストライプに隣接するストライプを逆バイ
アスしてフォトダイオードとして動作させる手段と、こ
のストライプに隣のストライプから漏れ光として結合す
る出力をモニタする手段と、このモニタ出力により光増
幅器の利得を制御する手段とを含むことを特徴とする。
光フィルタは、同一半導体基板上に形成された回折格子
であることが好ましい。
であることが好ましい。
光学系が同一半導体基板上に形成されたことが好まし
い。
い。
本発明は、単一の半導体基板上に分離して形成された進
行波型活性層ストライプを光フィルタを介してカスケー
ドに接続することにより、進行波型でありながら光フィ
ルタによって不要な自然放出光の増幅による利得飽和を
抑圧する。
行波型活性層ストライプを光フィルタを介してカスケー
ドに接続することにより、進行波型でありながら光フィ
ルタによって不要な自然放出光の増幅による利得飽和を
抑圧する。
また、カスケード接続しても進行波型特有の温度条件の
緩やかさを損なわず、さらに単一の半導体基板上に活性
層ストライプを形成することにより、利得分布を一致さ
せることが可能になり、全体の温度を制御して送信側の
半導体レーザ波長に同調させることができ、温度制御の
負担を軽減する。
緩やかさを損なわず、さらに単一の半導体基板上に活性
層ストライプを形成することにより、利得分布を一致さ
せることが可能になり、全体の温度を制御して送信側の
半導体レーザ波長に同調させることができ、温度制御の
負担を軽減する。
以下、本発明の実施例方式を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示すブロック構成図であ
る。第１図において、参照番号１、３、５、７、９は光
フィルタ、参照番号２、４、８は進行波型活性層ストラ
イプであり、それぞれカスケードに接続されている。
る。第１図において、参照番号１、３、５、７、９は光
フィルタ、参照番号２、４、８は進行波型活性層ストラ
イプであり、それぞれカスケードに接続されている。
活性層は光増幅機能を有している。本発明装置のその一
つの特徴は、複数の進行波型活性層ストライプが単一の
半導体基板上に形成されているところにある。活性層が
その入出力にもその内部にも反射要素を持たない進行波
型光増幅器であるので、光アイソレータは不要である
が、増幅すべき光を周波数領域で切出し利得飽和を可能
な限り回避するために光フィルタを用いる。このカスケ
ード接続された光増幅器を複数個伝送路中に挿入する場
合には、光フィルタ１と光フィルタ９は、いずれか一方
でよい。光フィルタの数は最大〔活性層数＋１〕であ
り、それ以下でよい場合もある。
つの特徴は、複数の進行波型活性層ストライプが単一の
半導体基板上に形成されているところにある。活性層が
その入出力にもその内部にも反射要素を持たない進行波
型光増幅器であるので、光アイソレータは不要である
が、増幅すべき光を周波数領域で切出し利得飽和を可能
な限り回避するために光フィルタを用いる。このカスケ
ード接続された光増幅器を複数個伝送路中に挿入する場
合には、光フィルタ１と光フィルタ９は、いずれか一方
でよい。光フィルタの数は最大〔活性層数＋１〕であ
り、それ以下でよい場合もある。
第２図は、光増幅中継器に本発明進行波型カスケード光
増幅器を実施した例を示すブロック構成図である。光増
幅中継器は、光信号を光電気変換して電気的に増幅する
のではなく、直接光信号を増幅する構成である。なお、
第２図には複数の進行波型活性層ストライプを同一半導
体基板上に形成することを特徴とする本発明第一の発明
と、同一半導体基板上に形成された複数の進行波型活性
層ストライプの一部の隣接するストライプをフォトダイ
オードとして動作させ、このストライプの出力をモニタ
して増幅器の利得制御を行う本発明第二の発明の実施例
が示されている。
増幅器を実施した例を示すブロック構成図である。光増
幅中継器は、光信号を光電気変換して電気的に増幅する
のではなく、直接光信号を増幅する構成である。なお、
第２図には複数の進行波型活性層ストライプを同一半導
体基板上に形成することを特徴とする本発明第一の発明
と、同一半導体基板上に形成された複数の進行波型活性
層ストライプの一部の隣接するストライプをフォトダイ
オードとして動作させ、このストライプの出力をモニタ
して増幅器の利得制御を行う本発明第二の発明の実施例
が示されている。
第２図において、10μｍ程度の間隔をおいて平行に活性
層ストライプ201〜210を配置し、入力される光信号は必
要に応じて光フィルタ301を介して、前置増幅器活性層
ストライプ202に入射させる。ここで増幅された出力
は、カスケードに接続される活性層ストライプ204、206
に入力する。活性層ストライプ202、204、206の各出力
には、光フィルタ302、304、306が配置される。制御回
路100は、活性層ストライプ201の出力を入力とし、利得
を制御する制御信号を活性層ストライプ204、206に出力
する。これにより自動利得制御（AGC）光増幅器が構成
される。AGC光増幅器の最終段の活性層ストライプ206の
出力は、光フィルタ306を介して主増幅器活性層ストラ
イプ208、209、210に入力し、各活性層ストライプの出
力は光結合器400で合成され光ファイバ伝送路に出力さ
れる。
層ストライプ201〜210を配置し、入力される光信号は必
要に応じて光フィルタ301を介して、前置増幅器活性層
ストライプ202に入射させる。ここで増幅された出力
は、カスケードに接続される活性層ストライプ204、206
に入力する。活性層ストライプ202、204、206の各出力
には、光フィルタ302、304、306が配置される。制御回
路100は、活性層ストライプ201の出力を入力とし、利得
を制御する制御信号を活性層ストライプ204、206に出力
する。これにより自動利得制御（AGC）光増幅器が構成
される。AGC光増幅器の最終段の活性層ストライプ206の
出力は、光フィルタ306を介して主増幅器活性層ストラ
イプ208、209、210に入力し、各活性層ストライプの出
力は光結合器400で合成され光ファイバ伝送路に出力さ
れる。
前置増幅器活性層ストライプ202の出力は、カスケード
接続されてAGC光増幅器を構成する活性層ストライプ20
4、206で所定のレベルまで増幅される。このAGC光増幅
器の利得制御は次のように行う。前置増幅器活性層スト
ライプ202よりも外側に配置された活性層ストライプ201
を逆バイアスすることにより、フォトダイオードとして
動作させる。前置増幅器活性層内の光の一部が隣接して
いるフォトダイオードストライプ（201）に漏れて光結
合する。これにより、前置増幅器活性層ストライプ202
の発光強度に比例した光電流が、フォトダイオードスト
ライプ（201）から得られるので、これを制御回路100で
処理することによりAGC光増幅器の利得制御が行われ
る。
接続されてAGC光増幅器を構成する活性層ストライプ20
4、206で所定のレベルまで増幅される。このAGC光増幅
器の利得制御は次のように行う。前置増幅器活性層スト
ライプ202よりも外側に配置された活性層ストライプ201
を逆バイアスすることにより、フォトダイオードとして
動作させる。前置増幅器活性層内の光の一部が隣接して
いるフォトダイオードストライプ（201）に漏れて光結
合する。これにより、前置増幅器活性層ストライプ202
の発光強度に比例した光電流が、フォトダイオードスト
ライプ（201）から得られるので、これを制御回路100で
処理することによりAGC光増幅器の利得制御が行われ
る。
ここで、活性層ストライプ203、205、207の各ストライ
プ部分は、活性層ストライプ201と同様にフォトダイオ
ードとして用いてもよいが、本質的には各々増幅のため
の活性層ストライプ（202、204、206）を光的に分離す
るための吸収層の働きをさせている。
プ部分は、活性層ストライプ201と同様にフォトダイオ
ードとして用いてもよいが、本質的には各々増幅のため
の活性層ストライプ（202、204、206）を光的に分離す
るための吸収層の働きをさせている。
主増幅器を複数の活性層ストライプ208、209、210で構
成することにより、入力光信号が大きくなることによる
利得飽和の影響を緩和し、送出光電力の高出力化を図る
ことができる。また、光が漏れ光で結合するような本実
施例の場合には、３本の活性層ストライプ208、209、21
0は位相同期発振するので、位相の揃った光信号が光結
合器400に送出される。
成することにより、入力光信号が大きくなることによる
利得飽和の影響を緩和し、送出光電力の高出力化を図る
ことができる。また、光が漏れ光で結合するような本実
施例の場合には、３本の活性層ストライプ208、209、21
0は位相同期発振するので、位相の揃った光信号が光結
合器400に送出される。
このような構成により、直接光信号を増幅する光信号中
継器を実現することができる。
継器を実現することができる。
通常、半導体レーザの活性層は薄膜導波路であり、TE、
TM両モードに対する活性層内への閉じ込め係数Γが異な
るために、TMモードの利得はTEモードの利得に比べて一
般に低くなる。したがって、これが問題になる場合に
は、導波路断面を正方形にして直交偏波モードを縮退さ
せればよい。
TM両モードに対する活性層内への閉じ込め係数Γが異な
るために、TMモードの利得はTEモードの利得に比べて一
般に低くなる。したがって、これが問題になる場合に
は、導波路断面を正方形にして直交偏波モードを縮退さ
せればよい。
光フィルタやカスケード接続用の光学部品を個別に用意
し、空気層を介して光学的な接続をとる場合には、それ
ぞれの端面での反射が問題になる。したがって、それら
の光学部品も同一の半導体基板内に作り込むことが望ま
しい。
し、空気層を介して光学的な接続をとる場合には、それ
ぞれの端面での反射が問題になる。したがって、それら
の光学部品も同一の半導体基板内に作り込むことが望ま
しい。
第３図は、光フィルタを活性層ストライプと同一の半導
体基板に形成する場合の構成を示す図である。第３図に
示すように、光フィルタ311、312を回折格子として結晶
内部に作り込むことにより実現できる。これは、現在実
用化されている分布帰還型半導体レーザの回折格子製作
技術を用いれば容易に製作可能である。
体基板に形成する場合の構成を示す図である。第３図に
示すように、光フィルタ311、312を回折格子として結晶
内部に作り込むことにより実現できる。これは、現在実
用化されている分布帰還型半導体レーザの回折格子製作
技術を用いれば容易に製作可能である。
活性層ストライプ221、222が平行に形成されている場合
には、第３図（ａ）に示すように、エッチングなどで形
成した鏡501、502を用いて次段の活性層ストライプに光
を導く構成にする。この鏡を省略するためには、第３図
（ｂ）に示すように、活性層ストライプ223、224を傾け
て形成すればよい。
には、第３図（ａ）に示すように、エッチングなどで形
成した鏡501、502を用いて次段の活性層ストライプに光
を導く構成にする。この鏡を省略するためには、第３図
（ｂ）に示すように、活性層ストライプ223、224を傾け
て形成すればよい。
単一モード光ファイバを使用した光伝送システムでは、
分散の影響が無視できる波長帯でこれを使用することが
多く、このとき中継間隔はシステムの光損失だけで制限
されるために、完全な識別再生中継を行う複雑な光中継
器の代わりに、光を直接増幅する光増幅器が適用でき
る。このような場合には、本発明のカスケード光増幅器
を利用すれば、従来の光増幅技術では個々の半導体レー
ザについて必要であった温度制御回路が１台あればよ
く、実現性を大いに上げることができる。
分散の影響が無視できる波長帯でこれを使用することが
多く、このとき中継間隔はシステムの光損失だけで制限
されるために、完全な識別再生中継を行う複雑な光中継
器の代わりに、光を直接増幅する光増幅器が適用でき
る。このような場合には、本発明のカスケード光増幅器
を利用すれば、従来の光増幅技術では個々の半導体レー
ザについて必要であった温度制御回路が１台あればよ
く、実現性を大いに上げることができる。
また、導波路断面を正方形にして直交偏波モードを縮退
させることにより、偏波依存性のない光増幅器が実現で
き、したがって偏波状態の定まらない光ファイバ伝送路
中の光増幅にも適用することができる。
させることにより、偏波依存性のない光増幅器が実現で
き、したがって偏波状態の定まらない光ファイバ伝送路
中の光増幅にも適用することができる。
本発明は、以上説明したように、単一の半導体基板上に
一連のカスケード接続される活性層ストライプを形成す
るので、各ストライプの特性が均一になる。したがっ
て、各ストライプ間の最大利得周波数のずれが小さくな
り、カスケード接続の効果が大きくなる。また、それぞ
れの増幅器に対して独立した温度制御回路を設ける必要
がなくなり、全体の温度を制御する回路が一つでよいこ
とになり、温度制御を容易にするとともに製造性を大き
く向上させることができる。
一連のカスケード接続される活性層ストライプを形成す
るので、各ストライプの特性が均一になる。したがっ
て、各ストライプ間の最大利得周波数のずれが小さくな
り、カスケード接続の効果が大きくなる。また、それぞ
れの増幅器に対して独立した温度制御回路を設ける必要
がなくなり、全体の温度を制御する回路が一つでよいこ
とになり、温度制御を容易にするとともに製造性を大き
く向上させることができる。
また、増幅が進行波的に行えるので、進行波型特有の温
度条件の緩やかさを保持でき、したがって利得帯域幅積
（GB積）も共振器型に比べて大きくとることができるの
で、超高速のパルス伝送にも適用可能になる効果があ
る。
度条件の緩やかさを保持でき、したがって利得帯域幅積
（GB積）も共振器型に比べて大きくとることができるの
で、超高速のパルス伝送にも適用可能になる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック構成図。 第２図は光増幅中継器への本発明の実施例を示すブロッ
ク構成図。 第３図は光フィルタを活性層ストライプと同一の半導体
基板に形成する場合の構成例を示す図。 １、３、５、７、９……光フィルタ、２、４、８……進
行波型活性層ストライプ、100……制御回路、201〜21
0、221〜224……活性層ストライプ、301、302、304、30
6、311、312……光フィルタ、400……光結合器、501、5
02……鏡。
ク構成図。 第３図は光フィルタを活性層ストライプと同一の半導体
基板に形成する場合の構成例を示す図。 １、３、５、７、９……光フィルタ、２、４、８……進
行波型活性層ストライプ、100……制御回路、201〜21
0、221〜224……活性層ストライプ、301、302、304、30
6、311、312……光フィルタ、400……光結合器、501、5
02……鏡。
Claims (4)
- 【請求項１】それぞれ光信号を増幅する複数の進行波型
光増幅器と、 この複数の進行波型光増幅器をカスケードに接続する光
学系と を備えた進行波型カスケード光増幅器において、 上記複数の進行波型光増幅器は、 複数の進行波型活性層ストライプが同一半導体基板上に
形成された構造であり、 上記光学系または光信号の入力系または出力系に挿入さ
れた光フィルタを含む ことを特徴とする進行波型カスケード光増幅器。 - 【請求項２】光フィルタは、同一半導体基板上に形成さ
れた回折格子である 特許請求の範囲第（１）項に記載の進行波型カスケード
光増幅器。 - 【請求項３】光学系が同一半導体基板上に形成された 特許請求の範囲第（２）項に記載の進行波型カスケード
光増幅器。 - 【請求項４】それぞれ光信号を増幅する複数の進行波型
光増幅器と、 この複数の進行波型光増幅器をカスケードに接続する光
学系と、 上記進行波型光増幅器の利得制御を行う制御回路と を備えた進行波型カスケード光増幅器において、 上記複数の進行波型光増幅器は、 複数の進行波型活性層ストライプが同一半導体基板上に
形成された構造であり、 上記光学系または光信号の入力系または出力系に挿入さ
れた光フィルタを含み、 上記制御回路は、 上記同一半導体基板上に形成された複数の進行波型活性
層ストライプの一部であって、光増幅器として利用され
るストライプに隣接するストライプを逆バイアスしてフ
ォトダイオードとして動作させる手段と、 このストライプに隣のストライプから漏れ光として結合
する出力をモニタする手段と、 このモニタ出力により光増幅器の利得を制御する手段と を含む ことを特徴とする進行波型カスケード光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22968685A JPH071811B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 進行波型カスケ−ド光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22968685A JPH071811B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 進行波型カスケ−ド光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288387A JPS6288387A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH071811B2 true JPH071811B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16896106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22968685A Expired - Fee Related JPH071811B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 進行波型カスケ−ド光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071811B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0769351B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1995-07-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電気信号観測装置 |
| JPH03242627A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多段光増幅装置 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22968685A patent/JPH071811B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6288387A (ja) | 1987-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |