JPH07181527A - 光スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 双方向伝送が可能で、しかもバイパスするた
めの伝送路の切替が可能な光スイッチを提供すること 【構成】 第１，第２の偏光ビームスプリッタ１０，１
１間に１／２波長板１２，ファラデー回転子１３を配置
する。ファラデー回転子の周囲には電磁石が配置され、
磁界の印加方向を反転できるようになっている。偏光ビ
ームスプリッタの４つの入出射面のうちの所定の１面に
反射板１４を設置すると共に、残りをそれぞれ第１〜第
３のポートＰ１〜Ｐ３とした。磁界の印加方向を図中右
方向とすると、Ｐ１→Ｐ２→Ｐ３の順に光が伝送され
る。図示するように左方向に印加すると、Ｐ１から入射
された光は、反射板に至りそこで反射されて、今来た光
路を戻り、Ｐ３から出射される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光スイッチに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】光の伝送路を切り替えるための光スイッ
チとしては、従来例えば音響光学素子を用いたものや導
波路型のものや機械式さらには磁気光学式など種々の形
態のものがあった。そしてこれら各光スイッチは、一般
に第１のポートから第２のポートに光信号を伝達する第
１の伝送路と、第１のポートから第３のポートに光信号
を伝達する第２の伝送路を有し、各種機構によりそれら
両伝送路のうちの一方を選択できるようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に上記
第１の伝送路を用いる場合には、第２のポートから光を
送ると、第１のポートに入射したり、或いは、どのポー
トにも入射しないようになり、光サーキュレータのよう
に双方向の信号を分離することができないので双方向で
の信号伝送はできず、一方向伝送路として用いている。

【０００４】従って、例えば光ＬＡＮ等の中継点に用い
る場合には、ある端末装置に接続された第１のポートか
ら第２のポートに光信号を送り、第２のポートに接続さ
れた端末装置に情報伝達後、その第２のポートから第３
のポートに光信号を送り、その第３のポートに接続され
た端末装置に情報伝達するためには、何等かの信号分離
装置を加える必要があり装置が複雑・大型化する。

【０００５】一方、単に光サーキュレータを実装する
と、上記双方向の信号の分離はでき、上記した経路での
光の情報伝達は可能となるが、例えば第２のポートに接
続された端末装置が故障したような場合には、第２のポ
ートをバイパスして第１のポートの出力を第３のポート
に直接送ることができない。

【０００６】また、光スイッチの場合、通常２つの伝送
路間での切替えが行なわれるに過ぎず、３つ以上の多段
切替えが困難であった。

【０００７】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、双方向伝送が可能
で、しかもバイパスするための伝送路の切替が可能とな
り、さらには３本以上の伝送路の切替えも可能な光スイ
ッチを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る光スイッチでは、平行に配置された
一対の偏光ビームスプリッタと、前記一対の偏光ビーム
スプリッタ間に平行に配置された１／２波長板及びファ
ラデー回転子と、前記ファラデー回転子に対し所定方向
の磁界を印加する手段と前記偏光ビームスプリッタの４
つの入出射面のうちの所定の１面に配置した反射部材と
から構成した。

【０００９】また、上記構成を基本構成とし、係る基本
構成を複数個設け、ある基本構成に設けられた前記反射
部材で反射され、前記一対の偏光ビームスプリッタを通
過して最終的に出射される光が、次段の他の基本構成の
入射光となるように前記複数の基本構成を光学的に連続
するように配置しもてよい。

【００１０】そして好ましくは、前記反射部材が、前記
偏光ビームスプリッタの所定の入出射面に直接形成され
た反射膜とすることである。

【００１１】

【作用】例えば上記基本構成が１個の場合（請求項１の
発明）を考えると、反射部材を設けていないある入出射
面（便宜上「第１のポート」とする）から入射した光
は、一方の偏光ビームスプリッタを通過することにより
Ｐ偏光とＳ偏光に分離され、そのまま各偏光は１／２波
長板及びファラデー回転子を通過する。この時、ファラ
デー回転子に印加する磁界の向きにより偏光面が９０度
回転したり（Ｐ偏光とＳ偏光が逆になる）、回転しなか
ったりする。そして、他方の偏光ビームスプリッタ内の
偏光分離膜で合成され、所定の入出射面から出射する。
この出射側に第２のポートを設ける。

【００１２】また、磁界の印加方向を変えないと、第２
のポートから入射した光は、上記逆の光路を通って一方
の偏光ビームスプリッタの偏光分離膜に至り、そこで合
成されるが、ファラデー回転子の回転方向は進行方向に
依存せず、一方１／２波長板のそれは進行方向に依存す
るため、第１のポートと異なる入出射面（第３のポート
と称する）に出射される。よって、これにより、第１の
ポートから入射した光は第２のポートに出射し、また第
２のポートから入射した光は第３のポートに出射すると
いうように、双方向伝送が可能となる。

【００１３】一方、第２のポート側に何等かの異常等が
ありバイパスさせたい場合には、ファラデー回転子に印
加する磁界の向きを反転する。すると、第１のポートか
ら入射されれた光は、他方の偏光ビームスプリッタに至
りそこで合成されるが、偏光状態が上記と反対となるの
で第２のポートと異なる入出射面、すなわち、反射部材
に照射される。そしてそこで反射された光は元きた光路
を戻るが、一方の偏光ビームスプリッタの偏光分離膜に
至り、そこで合成され、上記と同様の理由により第３の
ポートに出射される。すなわち、第１のポートから入射
された光は第２のポートを通ることなくバイパスして第
３のポートに出射される。

【００１４】また、基本構成を所定の位置関係で複数個
設けた場合には（請求項２の発明）、ある基本構成から
出射された光は次段の基本構成の入射光となり、しかも
各基本構成内では上記と同様の動作が行われる。よっ
て、各基本構成のファラデー回転子に印加する磁界の向
きを適宜設定すると、例えば第１段目の基本構成の上記
便宜上決定した第１のポートから入射された光は、その
第１段目の基本構成の第２のポートから順に後段の各基
本構成のポートに対し光の伝達が行われる。また、その
光信号の伝達中に任意のポートをバイパスすることもで
きる。すなわち、あるポートから入射された光を複数の
ポートの中から選択される所定のポートに出射させるこ
とができ、所望の多段の光スイッチとなる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明に係る光スイッチの好適な実施
例を添付図面を参照にして詳述する。図１は本発明に係
る光スイッチの第１実施例を示している。同図に示すよ
うに、所定間隔をおいて第１，第２の偏光ビームスプリ
ッタ１０，１１が平行に配置されている。そして、第
１，第２の偏光ビームスプリッタ１０，１１は、平面形
状が片台形となり、偏光分離膜１０ａ，１１ａを境に平
行四辺形の部分と直角三角形の部分とに分けられる。そ
して、平行四辺形の一方の斜辺（偏光分離膜１０ａ，１
１ａと反対側）１０ｂ，１１ｂが平行になるように配置
される。

【００１６】また両偏光ビームスプリッタ１０，１１の
間には、１／２波長板１２とファラデー回転子１３とが
配置されている。そして、図示省略するがファラデー回
転子１３の周囲には電磁石を配置し、ファラデー回転子
１３に印加する磁界の方向（図中矢印で示す）を反転可
能としている。さらに、１／２波長板１２の光学軸は偏
光面が４５度回転するように設定している。また、ファ
ラデー回転子１３の厚さは、透過する光の偏光面を４５
度回転するように設定している。そして、両者１２，１
３の関係は、磁界の向きが図中右方向の時に１／２波長
板１２側から入射する光の偏光面を、その通過時にそれ
ぞれ逆方向に４５度回転させて、結果的に偏光面の回転
がないように設定されている。

【００１７】さらに、第１の偏光ビームスプリッタ１０
の外側所定位置には第１，第３のポートＰ１，Ｐ３が設
けられている。これら各ポートＰ１，Ｐ３は、共に伝送
路となる光ファイバ１４ａ，１４ｃとその先端に設けら
れたレンズ１５ａ，１５ｃとから構成される。そして、
具体的には、第１のポートＰ１から入射する光の光路
と、第３のポートＰ３から出射する光の光路が、偏光分
離膜１０ａの同一箇所でなす角９０度で交差し、それぞ
れ偏光分離膜１０ａに対して４５度傾斜状になるように
調整される。

【００１８】さらに、第２の偏光ビームスプリッタ１１
の直角三角形部位の外側所定位置、すなわち、上記第３
のポートＰ３と平行で、磁界の向きが所定の方向の時に
おける第１のポートＰ１から入射された光の出射位置に
は、第２のポートＰ２が設置されている。この第２のポ
ートＰ２も光ファイバ１４ｂとレンズ１５ｂからなる。

【００１９】一方、第１の偏光ビームスプリッタ１１の
平行四辺形部位の外側所定位置、すなわち、磁界の向き
が上記と逆向きにおける第１のポートＰ１から入射され
た光の出射位置には、反射板１６が設置されている。

【００２０】次に本実施例の動作原理について説明す
る。まず図２に示すように、ファラデー回転子１３へ印
加する磁界の向きを図中右方向（矢印で示す）とする
と、第１のポートＰ１から入射した光は、第１の偏光分
離膜１０へ照射される。すると公知のように偏光分離膜
ではＰ偏光は透過しＳ偏光は反射するので、結局偏光分
離膜１０ａにてＰ偏光とＳ偏光に分離され、Ｐ偏光はそ
のまま直進し、Ｓ偏光は反射して光路を９０度変換させ
て進み第１の偏光ビームスプリッタ１０の全反射面１０
ｂでさらにその光路が９０度変換されることになる。こ
れにより、第１の偏光ビームスプリッタ１０を透過した
Ｐ偏光とＳ偏光は所定距離をおいて平行状態で進む。そ
して、磁界の向きが右方向であるので１／２波長板１２
及びファラデー回転子１３を通過しても偏光面が変わら
ずＰ偏光，Ｓ偏光のまま第２の偏光ビームスプリッタ１
１に入射する。

【００２１】そして、Ｓ偏光はそのまま直接偏光分離膜
１１ａに照射され、またＰ偏光は全反射膜１１ｂで反射
された後偏光分離膜１１ａの所定位置（Ｓ偏光の照射位
置と同一箇所の裏面側）に照射され、ここにおいて両偏
光が合成された後、第２のポートＰ２に出射される。

【００２２】また、上記と同一方向に磁界が印加されて
いる場合において第２のポートから光が入射されると、
図３に示すように上記と逆の光路を通って第１の偏光ビ
ームスプリッタ１０の偏光分離膜１０ａに至るが、ファ
ラデー回転子１３，１／２波長板１２を通過することに
より偏光面が９０度回転されＰ偏光はＳ偏光に、またＳ
偏光はＰ偏光になるので、図示するように第３のポート
Ｐ３に出射される。

【００２３】一方、上記と逆方向（図中左方向）に磁界
を印加した場合には、第１のポートＰ１から入射した光
は、図４（Ａ）に示すように第１の偏光ビームスプリッ
タ１０の偏光分離膜１０ａでＰ偏光とＳ偏光に分離され
た後、それぞれ１／２波長板１２，ファラデー回転子１
３を通過するが、この時偏光面が回転されてＰ偏光（Ｓ
偏光）はＳ偏光（Ｐ偏光）になる。よって、第２の偏光
ビームスプリッタ１１の偏光分離膜１１ａでは、図２の
場合と逆の現象を生じ、図４（Ａ）に示すように合成さ
れた光は反射板１６に照射される。

【００２４】そして、その反射板１６にて全反射されて
その光路が１８０度変換された光が、再び第２の偏光ビ
ームスプリッタ１１に入射され、図４（Ｂ）に示すよう
な光路を通って第３のポートＰ３に出射される。

【００２５】すなわち、本例では、磁界の向きを所定の
方向にしている場合には、第１のポートＰ１から入射し
た光は第２のポートＰ２へ出射し、第２のポートＰ２か
ら入射した光は第３のポートＰ３へ出射するようにな
り、一方、磁界の向きを逆にすると、第１のポートＰ１
から入射した光は第２のポートＰ２を介することなく第
３のポートＰ３へ出射することになる。

【００２６】これにより、本光スイッチを例えば光ＬＡ
Ｎの伝送系の途中に実装した場合に、通常は第１のポー
トＰ１から第２のポートＰ２を介して第３のポートＰ３
に光信号を伝送し、一方第２のポートＰ２に接続された
端末装置等に故障等が発生した場合に磁界の向きを切り
替えることにより第１のポートＰ１から第３のポートＰ
３へ光信号を伝送する経路に切り替え、第２のポートＰ
２をバイパスすることができる。

【００２７】なお、上記した実施例では、第２の偏光ビ
ームスプリッタ１１の外側所定位置に反射板１６を設け
たが、本発明は係る構成に限ることなく、例えば図５に
示すように第２の偏光ビームスプリッタ１１の所定面
（第１実施例における反射板を設けた面）に反射膜１７
を付着させても良い。そして、係る反射膜１７として
は、例えば金属膜（安価となる）や、膜厚や層数を制御
した誘電体多層膜（高反射率が得られる）等を蒸着等す
ることにより形成することができる。これにより、部品
点数の削減並びに各部品間の位置調節も不要となる。な
お、図中符合１８は反射防止膜であり、入・出射時にお
ける反射による損失発生を抑制している。そして上記し
た第１実施例における偏光ビームスプリッタの所定位置
にも係る反射防止膜を形成するのが好ましい。

【００２８】図６〜図１１は本発明の第２実施例を示し
てる。この実施例では、多段結合し第１のボートＰ１か
ら入射された光を第２〜第４のポートＰ２〜Ｐ４のうち
の選択されたいずれかに伝達することができるようにな
っている。そして、第２のポートＰ２から第３のポート
Ｐ３へ、さらに第３のポートＰ３から第４のポートＰ４
への光情報を伝達でき、サーキュレータ的な機能も発揮
し得るようになっている。

【００２９】具体的には、所定間隔をおいて平行に配置
された平面形状が等脚台形状の第１の偏光ビームスプリ
ッタ２０と、片台形状の第２の偏光ビームスプリッタ２
１の間に、上記第１実施例と同様に第１の１／２波長板
２２及び第１のファラデー回転子２３（図示省略するが
その周囲には電磁石が配置される）が配置される。これ
により１段目が構成される。そして、第１，第２のポー
トＰ１，Ｐ２並びに第１の反射板２４はそれぞれ上記し
た第１実施例と同様の位置に設置する（磁界が右方向の
時に第１のポートＰ１から入射した光が第２のポートＰ
２に出射されるように各位置が調整される）。また、各
部品の構成も基本的には上記第１実施例のものと同じで
あるが、第１の偏光ビームスプリッタ２０は、その平面
形状を等脚台形状（斜辺２０ｂ，２０ｃ）とした（第２
の偏光ビームスプリッタ２１は第１実施例と同様に片台
形状（斜辺２１ｂ）である）。なお、図６中符合２０
ａ，２１ａはそれぞれ偏光分離膜である。

【００３０】そして、上記した１段目と同様の配置で、
第３の偏光ビームスプリッタ２５と第２の偏光ビームス
プリッタ２６間に第２の１／２波長板２７と第２のファ
ラデー回転子２８を配設することにより２段目が構成さ
れている。さらに、第２の偏光ビームスプリッタ２５の
外側所定位置に第３のポートＰ３と第２の反射板２９を
設置している。さらにまた、第３の偏光ビームスプリッ
タ２５の三角形部位の底辺側の外側所定位置に第４のポ
ートＰ４を配設している。

【００３１】そして、各ポートＰ３，Ｐ４並びに１段目
に対する２段目の相対位置関係は、図７に示すように第
２のポートＰ２から入射された光が最終的に第１の偏光
ビームスプリッタ２０の全反射面２０ｃに至りそこで反
射された後出射された光が、第３の偏光ビームスプリッ
タ２５の偏光分離膜２５ａに直接照射されるように調整
される。さらに、その偏光分離膜２５ａで一旦Ｐ偏光と
Ｓ偏光に分離後第４の偏光ビームスプリッタ２６の偏光
分離膜２６ａで合成された光の各出射位置に第３のポー
トＰ３と第２の反射板２９（図１０参照）がそれぞれ配
置される。なお、各部品２５〜２７間の相対位置関係は
１段目のそれと同様である。なお、両偏光ビームスプリ
ッタ２５，２６の台形の斜辺２５ｂ，２５ｃ，２６ｂに
て、所定の偏光が反射される。両光を平行に出射した
り、合成させたりするようになっている。

【００３２】次に上記した第２実施例の動作原理につい
て説明する。まず第１のポートＰ１から入射された光を
第２のポートＰ２に出射させるためには、図６に示すよ
うに第１のファラデー回転子２３に印加する磁界の向き
を図中右方向にする。すると、上記した第１実施例と同
一の原理により第１のポートＰ１から入射した光は第１
の偏光ビームスプリッタ２０，第１の１／２波長板２
２，第１のファラデー回転子２３並びに第２の偏光ビー
ムスプリッタ２１を通って第２のポートＰ２に出射され
る。

【００３３】また、この状態で第２のポートＰ２から光
を入射させると、図７に示すように上記と逆の光路を通
って（第１のファラデー回転子２３，第１の１／２波長
板２２を通過する際に偏光面が９０度回転する）第１の
偏光ビームスプリッタ２０の偏光分離膜２０ａに至り、
そこで合成されて斜辺２０ｃにて光路が９０度変換され
て、第１の偏光ビームスプリッタ２０から出射され、２
段目の第３の偏光ビームスプリッタ２５に入射される。
そして、この第３の偏光ビームスプリッタ２５の偏光分
離膜２５ａで一旦Ｐ偏光とＳ偏光に分離され、そのまま
第２の１／２波長板２７，第２のファラデー回転子２８
を通過後（第２のファラデー回転子２８には図示するよ
うに右方向の磁界が印加されているので偏光面は回転し
ない）第４の偏光ビームスプリッタ２６の偏光分離膜２
６ａで合成された後、第３のポートＰ３に出射される。

【００３４】さらに、第２のファラデー回転子２８への
磁界の印加方向を変えない状態（右方向）で第３のポー
トＰ３から光が入射されると、図８に示すように、第４
の偏光ビームスプリッタ２６の偏光分離膜２６ａで一旦
Ｐ偏光とＳ偏光に分離され、そのまま第２のファラデー
回転子２８，第２の１／２波長板２７を通過後（この時
偏光面は９０度回転する）第３の偏光ビームスプリッタ
２５の偏光分離膜２５ａで合成された後、全反射面２５
ｃに至り、そこで反射された光が第４のポートＰ４に出
射される。

【００３５】この様にして、第１，第２のファラデー回
転子２３，２８に印加する磁界の向きを変えずに、「第
１のポートＰ１→第２ポートＰ２→第３のポートＰ３→
第４のポートＰ４」というように、順次光情報の伝達を
行うことができる。

【００３６】一方、例えば第２のポートＰ２や第３のポ
ートＰ３に接続された装置などに故障があるような場合
など、あるポートをバイパスさせたい場合には、各ファ
ラデー回転子２４，２８に印加する磁界の方向を反転す
ることにより対応できる。

【００３７】すなわち、第２のポートＰ２をバイパスさ
せる場合には、図９に示すように、第１のファラデー回
転子２３に印加する磁界を反転（左方向）させればよ
い。すると、同図（Ａ）に示すようにまず第１のポート
Ｐ１から入射された光は、第１の反射板２４に至る。そ
して、同図（Ｂ）に示すように、第１の反射板２４で反
射された光は、元きた光路を戻るように進み、第１の偏
光ビームスプリッタ２０の偏光分離膜２０ａで合成され
た後、第３の偏光ビームスプリッタ２５に入射される。
そして、上記した図７における２段目と同様の原理によ
り第３のポートＰ３に出射される。

【００３８】そして、図９（Ｃ）に示すように、各磁界
の向きを変更しないで第３のポートＰ３から第４の偏光
分離膜２６に光が入射すると、上記した図８に示す原理
と同様に第４のポートＰ４に出射される。すなわち、こ
れら各光路図に示すように、「第１のポートＰ１→第３
のポートＰ３→第４のポートＰ４」というように、第２
のポートＰ２をバイパスさせて順次光情報の伝達を行う
ことができる。

【００３９】さらに、図１０に示すように、第１，第２
のファラデー回転子２３，２８に印加する磁界の向きを
共に左側にすると、第１のポートＰ１から入射された光
は、第１の反射板２４に至り（同図（Ａ））、そこにお
いて反射された光は、各部品内を適宜進み第２の反射板
２９に至り（同図（Ｂ））、さらにそこで反射された光
は、同図（Ｃ）に示すように第４のポートＰ４に出射さ
れる。すなわち、この例では、「第１のポートＰ１→第
４のポートＰ４」というように、第２のポートＰ２，第
３のポートＰ３の両方をバイパスさせることができる。

【００４０】また、具体的な図示は省略するが、第１の
ファラデー回転子２３へ印加する磁界の向きを右方向に
し、第２のファラデー回転子２８へ印加する磁界の向き
を左方向にすると、第３のポートＰ３のみをバイパスす
ることができる。

【００４１】なお、上記した第２実施例では、２段に重
ねたが、本発明では３段以上の多段としてもよいのはも
ちろんである。また、この第２実施例においても、図５
に示すように反射板を設けることなく偏光ビームスプリ
ッタの所定面に反射膜を形成してもよいのはもちろんで
ある。

【００４２】また、上記各実施例では、「第１のポート
Ｐ１→第２のポートＰ２→第３のポート→…」というよ
うに上流から下流に向けて光を伝達することを前提と
し、その途中の任意のポートをバイパスする例について
説明したが、例えば第２のポートＰ２から第１のポート
Ｐ１へというように反対方向に光を伝送することができ
るのはもちろんである。 なおまた、１つの基本構成に
おける反射部材（反射板，反射膜）の設置位置は上記し
た各実施例に限らず、実施例において他のポートを設置
したいずれの箇所に配置しても良い。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る光スイッチ
では、ファラデー回転子にある方向に磁界を印加する
と、基本構成の３つの入出射面を所定の順で光を伝送す
ることができる（サーキュレータ的に機能する）。そし
て、逆方向に磁界を印加すると、所定の入出射面から入
射した光は反射部材に至り、そこで反射されて最終的に
他の２つの入出射面のうちサーキュレータ的に機能した
時に出射しなかった入射面に出射させることができる。
これにより双方向伝送が可能で、ある入出射面をバイパ
スするための伝送路の切替が可能となる。

【００４４】そして、基本構成を複数個用い、それらを
光学的に連続して接続した（１つの基本構成から出射し
た光を次の基本構成の入射光とする）場合には（請求項
２）、３個以上の伝送路の切替えも可能となる。

【００４５】さらに、反射部材とし、偏光ビームスプリ
ッタの所定の入出射面に直接形成された反射膜とした場
合には（請求項３）、部品点数の削減に伴う装置の小型
化・低コスト化や、反射部材と偏光ビームスプリッタと
の位置関係の調整が不要となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光スイッチの第１実施例を示す図
である。

【図２】その作用を説明する光路図である。

【図３】その作用を説明する光路図である。

【図４】その作用を説明する光路図である。

【図５】偏光ビームスプリッタの他の実施例を示す図で
ある。

【図６】本発明に係る光スイッチの第２実施例を示す図
である。

【図７】本発明に係る光スイッチの第２実施例を示す図
である。

【図８】本発明に係る光スイッチの第２実施例を示す図
である。

【図９】本発明に係る光スイッチの第２実施例を示す図
である。

【図１０】本発明に係る光スイッチの第２実施例を示す
図である。

【符号の説明】

１０ 第１の偏光ビームスプリッタ １１ 第２の偏光ビームスプリッタ １２ １／２波長板 １３ ファラデー回転子 １６ 反射板 １７ 反射膜 ２０ 第１の偏光ビームスプリッタ ２１ 第２の偏光ビームスプリッタ ２２ 第１の１／２波長板 ２３ 第１のファラデー回転子 ２４ 第１の反射板 ２５ 第３の偏光ビームスプリッタ ２６ 第４の偏光ビームスプリッタ ２７ 第２の１／２波長板 ２８ 第２のファラデー回転子 ２９ 第２の反射板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平行に配置された一対の偏光ビームスプ
   リッタと、 前記一対の偏光ビームスプリッタ間に平行に配置された
   １／２波長板及びファラデー回転子と、 前記ファラデー回転子に対し所定方向の磁界を印加する
   手段と前記偏光ビームスプリッタの４つの入出射面のう
   ちの所定の１面に配置した反射部材とを備えた光スイッ
   チ。
2. 【請求項２】 平行に配置された一対の偏光ビームスプ
   リッタと、 前記一対の偏光ビームスプリッタ間に平行に配置された
   １／２波長板及びファラデー回転子と、 前記ファラデー回転子に対し所定方向の磁界を印加する
   手段と前記偏光ビームスプリッタの４つの入出射面のう
   ちの所定の１面に配置した反射部材とからなる基本構成
   を、複数設けるとともに、 ある基本構成に設けられた前記反射部材で反射され、前
   記一対の偏光ビームスプリッタを通過して最終的に出射
   される光が、次段の他の基本構成の入射光となるように
   前記複数の基本構成を光学的に連続するように配置した
   光スイッチ。
3. 【請求項３】 前記反射部材が、前記偏光ビームスプリ
   ッタの所定の入出射面に直接形成された反射膜である請
   求項１または２に記載の光スイッチ。