JPH0718190Y2

JPH0718190Y2 - チューナ回路

Info

Publication number: JPH0718190Y2
Application number: JP1989122936U
Authority: JP
Inventors: 憲一関
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-10-19
Filing date: 1989-10-19
Publication date: 1995-04-26
Anticipated expiration: 2004-10-19
Also published as: JPH0361729U

Description

【考案の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本考案は、テレビジョン受像機やビデオテープレコーダ
などに装備され、放送用電波をハイバンドとローバンド
とに切り換えて受信する方式のチューナ回路に関する。

〈従来の技術〉従来のこの種のチューナ回路を第２図に示して、以下に
説明する。

VHFチューナの場合、ローバンド（１〜３チャンネル）
からハイバンド（４〜12チャンネル）までの全帯域をカ
バーするには、バラクタダイオード（可変容量ダイオー
ド）D₃,D₄の容量変化だけでは対応できない。

そのため、ハイバンド同調コイルL₁,L₂とローバンド同
調コイルL₃,L₄を設けるとともにハイバンド／ローバン
ド切り換え用のスイッチングダイオードD₁,D₂を設け
て、スイッチングダイオードD₁,D₂のオン・オフによっ
てインダクタンスを可変することにより対応するように
している。

ハイバンドチャンネル選択時ハイバンド選択端子B_Hに電圧を印加すると、ハイバンド
選択端子B_Hから供給された電流は、１次側スイッチング
ダイオードD₁→１次側ローバンド同調コイルL₃→Ｎチャ
ンネル型の高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁のソー
スバイアス抵抗R₄,R₃の経路で流れるとともに、２次側
スイッチングダイオードD₂→２次側ローバンド同調コイ
ルL₄→ソースバイアス抵抗R₄,R₃に流れる。その結果、
１次側および２次側のスイッチングダイオードD₁,D₂に
順方向電圧が印加されて両スイッチングダイオードD₁,D
₂が導通する。

１次側スイッチングダイオードD₁が導通すると、１次側
ハイバンド同調コイルL₁と１次側ローバンド同調コイル
L₃との接続点は１次側スイッチングダイオードD₁および
１次側バイパスコンデンサC₈を介してアースされ、１次
側ローバンド同調コイルL₃が短絡される。

また、２次側スイッチングダイオードD₂が導通すると、
２次側ハイバンド同調コイルL₂と２次側ローバンド同調
コイルL₄との接続点は２次側スイッチングダイオードD₂
および２次側バイパスコンデンサC₉を介してアースさ
れ、２次側ローバンド同調コイルL₄が短絡される。

１次側ローバンド同調コイルL₃が短絡された結果、１次
側ハイバンド同調コイルL₁がアクティブに、１次側ロー
バンド同調コイルL₃がインアクティブになり、破線で囲
んだようにハイバンドチャンネル選択時の１次側同調回
路a_Hは、同調コンデンサC₁,C₂、バラクタダイオード
（可変容量ダイオード）D₃、１次側ハイバンド同調コイ
ルL₁、１次側スイッチングダイオードD₁および１次側バ
イパスコンデンサC₈で構成された並列共振回路となる。

また、２次側ローバンド同調コイルL₄が短絡された結
果、２次側ハイバンド同調コイルL₂がアクティブに、２
次側ローバンド同調コイルL₄がインアクティブになり、
二点鎖線で囲んだようにローバンドチャンネル選択時の
２次側同調回路b_Hは、同調コンデンサC₃,C₄、バラクタ
ダイオードD₄、２次側ハイバンド同調コイルL₂、２次側
スイッチングダイオードD₂および２次側バイパスコンデ
ンサC₉で構成された並列共振回路となる。

そして、１次側同調回路a_Hと２次側同調回路b_Hとは、１
次側ハイバンド同調コイルL₁と２次側ハイバンド同調コ
イルL₂との相互誘導による結合をもって段間複同調回路
を形成する。

ところで、高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁を構成
しているデュアルゲートMOS型でＮチャンネル型の電界
効果トランジスタ（FET）は、一般に、ゲートG₁がソー
スＳ（負極端子）に対してマイナス電位であるときに限
ってゲートG₁を流れる電流をゼロにできるため、ゲート
G₁の電位がゼロのときにはソースＳの電位が１〜２ボル
トを保つようにする必要がある。そのため、ソースＳに
バイアス抵抗R₄,R₃を接続し、両抵抗R₄,R₃の分圧電位を
ソースＳに印加するようにしている。

すなわち、前述のように、ハイバンド選択端子B_Hから１
次側スイッチングダイオードD₁を通った電流を１次側ロ
ーバンド同調コイルL₃を介して、また、２次側スイッチ
ングダイオードD₂を通った電流を２次側ローバンド同調
コイルL₄を介して、それぞれ高周波増幅用電界効果トラ
ンジスタQ₁のソースＳのバイアス抵抗R₄,R₃に流してい
る。

１次側同調回路a_Hおよび２次側同調回路b_Hには、チュー
ニング電圧端子V_Tからのチューニング電圧がそれぞれ抵
抗R₁,R₂を介して印加されており、そのチューニング電
圧の増・減によってバラクタダイオードD₃,D₄の容量を
減・増することにより、選局を希望するチャンネルごと
に同調周波数を可変してハイバンドにおけるチューニン
グを行う。

アンテナを介してゲートG₂に入力された高周波信号（テ
レビジョン放送の搬送波信号）を高周波増幅用電界効果
トランジスタQ₁によって高周波増幅し、１次側および２
次側の同調回路a_H,b_Hからなる段間複同調回路によって
ハイバンドにおける希望チャンネル信号のみを選択し妨
害チャンネル信号を除去した後、希望チャンネル信号を
結合コンデンサC₅およびミキシング端子MIXを介して次
段のミキシング回路に出力する。

なお、ミキシング回路では、選局チャンネル信号と局部
発振信号とをミキシングして中間周波信号を取り出す。

ローバンドチャンネル選択時ローバンド選択端子B_Lに電圧を印加すると、ローバンド
選択端子B_Lから供給された電流は、ソースバイアス抵抗
R₄,R₃に流れ、その分圧電圧を高周波増幅用電界効果ト
ランジスタQ₁のソースＳに印加することによって、ソー
スＳの電位を１〜２ボルトに保っている。

また、ローバンド選択端子B_Lから供給された電流は、１
次側ローバンド同調コイルL₃を介して１次側スイッチン
グダイオードD₁に逆方向電圧を印加し、また、２次側ロ
ーバンド同調コイルL₄を介して２次側スイッチングダイ
オードD₂に逆方向電圧を印加するため、ハイバンド／ロ
ーバンド切り換え用の両スイッチングダイオードD₁,D₂
が非導通となる。

１次側スイッチングダイオードD₁が非導通となった結
果、二点鎖線で囲んだようにローバンドチャンネル選択
時の１次側同調回路a_Lは、同調コンデンサC₁,C₂、バラ
クタダイオードD₃、１次側ハイバンド同調コイルL₁、１
次側ローバンド同調コイルL₃と１次側ダンピング抵抗R₅
との並列回路および１次側および２次側に共通のバイパ
スコンデンサC₇で構成された並列共振回路となる。

また、２次側スイッチングダイオードD₂が非導通となっ
た結果、ローバンドチャンネル選択時の２次側同調回路
b_Lは、同調コンデンサC₃,C₄、バラクタダイオードD₄、
２次側ハイバンド同調コイルL₂、２次側ローバンド同調
コイルL₄と２次側ダンピング抵抗R₆との並列回路および
バイパスコンデンサC₇で構成された並列共振回路とな
る。

そして、１次側同調回路a_Lと２次側同調回路b_Lとは、１
次側のハイバンド同調コイルL₁およびローバンド同調コ
イルL₃と、２次側のハイバンド同調コイルL₂およびロー
バンド同調コイルL₄との相互誘導による結合をもって段
間複同調回路を形成する。

このように、１次側および２次側の各同調回路a_L,b_Lに
おいて、ハイバンド同調コイルL₁,L₂にそれぞれローバ
ンド同調コイルL₃,L₄を直列接続することにより、バラ
クタダイオードD₃,D₄の容量変化だけでは対応し切れな
かった帯域幅まで広げることができ、チューニング電圧
端子V_Tに印加するチューニング電圧の増・減によってバ
ラクタダイオードD₃,D₄の容量を減・増することによ
り、選局を希望するチャンネルごとに同調周波数を可変
してローバンドにおけるチューニングを行う。

上記のように、高周波増幅段に電界効果トランジスタ
（FET）Q₁を用い、かつ、ハイバンドとローバンドとを
切り換えて高周波信号を選局をするように構成してある
チューナ回路においては、電界効果トランジスタの特性
よりローバンドのときの利得がハイバンドのときの利得
よりも大きくなる。

そこで、その利得差を無くすために、ローバンドチャン
ネル選択時の段間複同調回路を構成する１次側同調回路
a_Lおよび２次側同調回路b_Lの双方においてローバンド同
調コイルL₃,L₄それぞれの両端間に１次側および２次側
のダンピング抵抗R₅,R₆を接続している。

〈考案が解決しようとする課題〉ところで、上記のように構成されたチューナ回路は、部
品点数および接続箇所が非常に多く、一定面積の基板に
全部品を実装する際の実装密度が高いために、半田付け
作業がむずかしく歩留まりが悪いとともに、部品コスト
および作業コストから製品コストが相当に高くなってい
るという問題があった。

本考案は、このような事情に鑑みて創案されたものであ
って、特に、１次側および２次側の両ローバンド同調コ
イルL₃,L₄の双方ともにダンピング抵抗R₅,R₆を並列接続
していることに着目し、少しでも部品点数を削減して、
半田付け作業の歩留まりを改善するとともに、コストダ
ウンを図ることを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉本考案は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。

すなわち、本考案のチューナ回路は、高周波増幅用電界
効果トランジスタと、その正極端子に接続された１次側
同調コンデンサと、この１次側同調コンデンサとともに
並列共振回路を構成する１次側ハイバンド同調コイルお
よび１次側ローバンド同調コイルとの直列回路と、前記
１次側の各同調コイルに相互誘導によって結合された２
次側ハイバンド同調コイルおよび２次側ローバンド同調
コイルとの直列回路と、この２次側の両同調コイルとと
もに並列共振回路を構成する２次側同調コンデンサと、
前記１次側および２次側の両ローバンド同調コイルの負
極端子に接続されたローバンド選択端子と、前記２次側
ローバンド同調コイルに並列接続された２次側ダンピン
グ抵抗と、前記１次側のハイバンド同調コイルとローバ
ンド同調コイルとの接続点にカソードが接続され、アノ
ードがハイバンド選択端子に接続された１次側スイッチ
ングダイオードと、前記２次側のハイバンド同調コイル
とローバンド同調コイルとの接続点にカソードが接続さ
れ、アノードが前記ハイバンド選択端子に接続された２
次側スイッチングダイオードと、前記高周波増幅用電界
効果トランジスタの負極端子とアースとの間に接続され
た接地バイアス抵抗と、この負極端子と接地バイアス抵
抗との接続点と前記１次側スイッチングダイオードのカ
ソードとの間に接続されたバイアス兼１次側ダンピング
抵抗とを備えたことを特徴とするものである。

〈作用〉本考案の上記構成による作用は、次のとおりである。

ハイバンドチャンネル選択時には、ハイバンド選択端子
に電圧を印加して１次側および２次側のスイッチングダ
イオードを導通させることにより、１次側および２次側
のローバンド同調コイルを短絡し、同調コイルとしては
１次側および２次側のハイバンド同調コイルのみをアク
ティブにする。高周波増幅用電界効果トランジスタの負
極端子（Ｎチャンネル型ではソース、Ｐチャンネル型で
はドレイン）に対するバイアス兼１次側ダンピング抵抗
および接地バイアス抵抗に対しては、１次側スイッチン
グダイオードを介して電流が供給され、負極端子を所定
の電圧に保つ。

ローバンドチャンネル選択時には、ローバンド選択端子
に電圧を印加して１次側および２次側のスイッチングダ
イオードを非導通とすることにより、１次側のハイバン
ド同調コイルおよびローバンド同調コイル、２次側のハ
イバンド同調コイルおよびローバンド同調コイルをとも
に直列接続の状態でアクティブとする。高周波増幅用電
界効果トランジスタの負極端子に対するバイアス兼１次
側ダンピング抵抗および接地バイアス抵抗に対しては、
ローバンド同調コイルを介して電流が供給され、負極端
子を所定の電圧に保つ。

このローバンドチャンネル選択時において、２次側ロー
バンド同調コイルについては、それに並列接続されてい
る２次側ダンピング抵抗により利得を調整する。また、
１次側ローバンド同調コイルについては、バイアス兼１
次側ダンピング抵抗、接地バイアス抵抗、アースおよび
１次側ローバンド同調コイルを介してループを形成する
ことにより１次側ローバンド同調コイルに並列接続され
たバイアス兼１次側ダンピング抵抗によって利得を調整
する。

〈実施例〉以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。

第１図は本考案の１実施例に係るチューナ回路の回路図
である。

デュアルゲートMOS型でＮチャンネル型の電界効果トラ
ンジスタ（FET）をもって構成された高周波増幅用電界
効果トランジスタQ₁のゲートG₁はアースされ、ゲートG₂
にアンテナで受信した高周波信号（搬送波信号）が入力
されるようになっている。

高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁のドレインＤ（正
極端子）には、ハイバンドチャンネル選択時の１次側同
調回路a_Hとローバンドチャンネル選択時の１次側同調回
路a_Lとが一部の部品を共用する状態で接続されている。

ハイバンドチャンネル選択時の１次側同調回路a_Hは、破
線で囲んだように、同調コンデンサC₁,C₂、バラクタダ
イオードD₃、ハイバンド同調コイルL₁、スイッチングダ
イオードD₁およびバイパスコンデンサC₈から構成されて
いる。

ローバンドチャンネル選択時の１次側同調回路a_Lは、二
点鎖線で囲んだように、同調コンデンサC₁,C₂、バラク
タダイオードD₃、ハイバンド同調コイルL₁，ローバンド
同調コイルL₃およびバイパスコンデンサC₇から構成され
ている。

そして、１次側同調回路a_Lにおいては、従来例における
１次側ダンピング抵抗R₅は省略されている。

１次側同調コンデンサC₁,C₂および１次側バラクタダイ
オードD₃の接続点は抵抗R₁を介してチューニング電圧端
子V_Tに接続されている。

ハイバンドチャンネル選択時の１次側同調回路a_Hにおけ
る１次側スイッチングダイオードD₁のアノードと１次側
バイパスコンデンサC₈との接続点はハイバンド選択端子
B_Hに接続され、ローバンドチャンネル選択時の１次側同
調回路a_Lにおける１次側ローバンド同調コイルL₃の負極
端子と、１次側および２次側に共通のバイパスコンデン
サC₇との接続点はローバンド選択端子B_Lに接続されてい
る。

破線で囲んだハイバンドチャンネル選択時の２次側同調
回路b_Hと二点鎖線で囲んだローバンドチャンネル選択時
の２次側同調回路b_Lとは、一部の部品を共用する状態で
結合コンデンサC₅を介してミキシング端子MIXに接続さ
れている。

ハイバンドチャンネル選択時の２次側同調回路b_Hは、同
調コンデンサC₃,C₄、バラクタダイオードD₄、ハイバン
ド同調コイルL₂、スイッチングダイオードD₂およびバイ
パスコンデンサC₉から構成されている。

また、ローバンドチャンネル選択時の２次側同調回路b_L
は、同調コンデンサC₃,C₄、バラクタダイオードD₄、ハ
イバンド同調コイルL₂，ローバンド同調コイルL₄とダン
ピング抵抗R₆との並列回路およびバイパスコンデンサC₇
から構成されている。

２次側同調コンデンサC₃,C₄および２次側バラクタダイ
オードD₄の接続点は抵抗R₂を介してチューニング電圧端
子V_Tに接続されている。

ハイバンドチャンネル選択時の２次側同調回路b_Hにおけ
る２次側スイッチングダイオードD₂のアノードと２次側
バイパスコンデンサC₉との接続点はハイバンド選択端子
B_Hに接続され、ローバンドチャンネル選択時の２次側同
調回路b_Lにおける２次側ローバンド同調コイルL₄の負極
端子と、バイパスコンデンサC₇との接続点はローバンド
選択端子B_Lに接続されている。

ハイバンドチャンネル選択時において、１次側同調回路
a_Hと２次側同調回路b_Hとは、１次側ハイバンド同調コイ
ルL₁と２次側ハイバンド同調コイルL₂との相互誘導によ
る結合をもって段間複同調回路を形成する。

また、ローバンドチャンネル選択時において、１次側同
調回路a_Lと２次側同調回路b_Lとは、１次側のハイバンド
同調コイルL₁およびローバンド同調コイルL₃と２次側の
ハイバンド同調コイルL₂およびローバンド同調コイルL₄
との相互誘導による結合をもって段間複同調回路を形成
する。

そして、１次側ダンピング抵抗R₅を省略した代わりに、
ハイバンドチャンネル選択時の１次側同調回路a_Hにおけ
る１次側スイッチングダイオードD₁のカソードをソース
バイアス抵抗R₇を介して高周波増幅用電界効果トランジ
スタQ₁のソースＳ（負極端子）に接続し、その接続点に
接地ソースバイアス抵抗R₃とバイパスコンデンサC₆との
並列回路を接続してある。

本実施例と従来例とを比較すると、従来例で１次側ロー
バンド同調コイルL₃に並列接続していた１次側ダンピン
グ抵抗R₅が本実施例では省略されているとともに、従来
例で接地バイアス抵抗R₄が１次側ローバンド同調コイル
L₃とバイパスコンデンサC₇との接続点に接続されていた
のに対して、本実施例ではソースバイアス抵抗R₇が１次
側ローバンド同調コイルL₃と１次側スイッチングダイオ
ードD₁のカソードとの接続点に接続されている。

後述する動作説明で明らかとなるように、このソースバ
イアス抵抗R₇は、従来例における接地バイアス抵抗R₄と
１次側ダンピング抵抗R₅とを兼ねているのである。した
がって、この抵抗R₇をソースバイアス兼１次側ダンピン
グ抵抗R₇と記載することにする。

次に、本実施例のチューナ回路の動作を説明する。

（ｉ）ハイバンドチャンネル選択時ハイバンド選択端子B_Hに電圧を印加すると、従来例と同
様に、ハイバンド／ローバンド切り換え用の１次側およ
び２次側のスイッチングダイオードD₁,D₂に順方向電圧
が印加されて両スイッチングダイオードD₁,D₂が導通
し、１次側ローバンド同調コイルL₃は１次側スイッチン
グダイオードD₁とバイパスコンデンサC₈を介して短絡さ
れ、２次側ローバンド同調コイルL₄は２次側スイッチン
グダイオードD₂とバイパスコンデンサC₉を介して短絡さ
れる。

その結果、１次側ハイバンド同調コイルL₁および１次側
ローバンド同調コイルL₃のみがアクティブとなり、破線
で囲んだように、ハイバンドチャンネル選択時の１次側
同調回路a_Hと２次側同調回路b_Hとが形成され、それぞれ
が並列共振回路となる。そして、１次側同調回路a_Hと２
次側同調回路b_Hとは、１次側ハイバンド同調コイルL₁と
２次側ハイバンド同調コイルL₂との相互誘導による結合
をもって段間複同調回路を形成する。

１方、ハイバンド選択端子B_Hから１次側スイッチングダ
イオードD₁を通った電流、および２次側スイッチングダ
イオードD₂と２次側ローバンド同調コイルL₄、１次側ロ
ーバンド同調コイルL₃を通った電流は、合流してソース
バイアス兼１次側ダンピング抵抗R₇および接地ソースバ
イアス抵抗R₃に流れ、両抵抗R₇,R₃の分圧電圧が高周波
増幅用電界効果トランジスタQ₁のソースＳに１〜２ボル
トのバイアス電圧を与える。これによって、ゲートG₁の
電位をゼロとすることができる。

なお、このハイバンドチャンネル選択時の１次側同調回
路a_Hは、１次側ローバンド同調コイルL₃を含まないの
で、ソースバイアス兼１次側ダンピング抵抗R₇は、もっ
ぱらソースバイアス抵抗として機能し、ダンピング抵抗
としての機能はもたない。

アンテナを介して入力された高周波信号（搬送波信号）
を高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁によって高周波
増幅し、１次側および２次側の同調回路a_H,b_Hからなる
段間複同調回路によってハイバンドにおける希望チャン
ネル信号のみを選択し妨害チャンネル信号を除去した
後、結合コンデンサC₅およびミキシング端子MIXを介し
て次段のミキシング回路に出力する。なお、ミキシング
回路では、選局チャンネル信号と局部発振信号とをミキ
シングして中間周波信号を取り出す。

（ii）ローバンドチャンネル選択時ローバンド選択端子B_Lに電圧を印加すると、ローバンド
選択端子B_Lから供給された電流は、１次側ローバンド同
調コイルL₃を介してソースバイアス兼１次側ダンピング
抵抗R₇および接地ソースバイアス抵抗R₃に流れ、その分
圧電圧を高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁のソース
Ｓに印加する。

また、ローバンド選択端子B_Lに電圧を印加すると、従来
例と同様に、１次側および２次側の１次側スイッチング
ダイオードD₁,D₂に逆方向電圧が印加されて両スイッチ
ングダイオードD₁,D₂が非導通となり、１次側ハイバン
ド同調コイルL₁、１次側ローバンド同調コイルL₃、２次
側ハイバンド同調コイルL₂および２次側ローバンド同調
コイルL₄のすべてがアクティブとなる。

その結果、二点鎖線で囲んだように、ローバンドチャン
ネル選択時の１次側同調回路a_Lと２次側同調回路b_Lとが
形成され、それぞれが並列共振回路となる。そして、１
次側同調回路a_Lと２次側同調回路b_Lとは、１次側のハイ
バンド同調コイルL₁およびローバンド同調コイルL₃と、
２次側のハイバンド同調コイルL₂およびローバンド同調
コイルL₄との相互誘導による結合をもって段間複同調回
路を形成する。

このローバンドチャンネル選択時の２次側同調回路b_Lの
利得は、２次側ローバンド同調コイルL₄に並列接続され
た２次側ダンピング抵抗R₆によって下げられ、ハイバン
ドチャンネル選択時の２次側同調回路b_Hの利得との差が
なくなる。

また、ソースバイアス兼１次側ダンピング抵抗R₇は、バ
イパスコンデンサC₆,C₇を介して１次側ローバンド同調
コイルL₃に並列接続されるから、１次側同調回路a_Lの利
得は、そのソースバイアス兼１次側ダンピング抵抗R₇に
よって下げられ、ハイバンドチャンネル選択時の１次側
同調回路a_Hの利得との差がなくなる。

ちなみに、従来例において、ローバンドチャンネル選択
時のダンピング抵抗R₅,R₆は、通常、１次側と２次側の
トータルで利得の調整を行っており、それぞれ数百Ω〜
2KΩの抵抗値となっている。一方、接地バイアス抵抗R₄
も通常、820Ω〜1.8KΩの抵抗値となっており、両者は
ほぼ等しい。したがって、ソースバイアス抵抗R₇をソー
スバイアス兼１次側ダンピング抵抗R₇として兼用しても
差し支えないのである。

なお、高周波増幅用電界効果トランジスタQ₁としては、
Ｐチャンネル型のものを使用してもよく、その場合は、
ソースが正極端子に、ドレインが負極端子となる。

〈考案の効果〉本考案によれば、次の効果が発揮される。

ローバンドチャンネル選択時においては、１次側スイッ
チングダイオードのカソードと高周波増幅用電界効果ト
ランジスタの負極端子との間に接続されたバイアス兼１
次側ダンピング抵抗を１次側ローバンド同調コイルに並
列接続することによって１次側ローバンド同調コイルに
対するダンピング（利得調整）を行うように構成したの
で、換言すれば、負極端子に対する接地バイアス抵抗と
１次側ローバンド同調コイルに対する１次側ダンピング
抵抗とを兼用したので、従来例において１次側ローバン
ド同調コイルに直接並列接続されていた１次側ダンピン
グ抵抗を省略することができ、部品点数および接続箇所
を減らすことができる。

したがって、一定面積の基板における部品実装密度を低
くして、半田付け作業を容易化し歩留まりを改善できる
とともに、部品コストおよび作業コストの低減によって
製品のコストダウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係るチューナ回路の回路
図、第２図は従来例のチューナ回路に係る回路図であ
る。 Q₁……高周波増幅用電界効果トランジスタ、Ｄ……ドレ
イン（正極端子）、Ｓ……ソース（負極端子）、C₁,C₂
……１次側同調コンデンサ、D₃……１次側バラクタダイ
オード、L₁……１次側ハイバンド同調コイル、L₃……１
次側ローバンド同調コイル、D₁……１次側スイッチング
ダイオード、R₇……バイアス兼１次側ダンピング抵抗、
C₃,C₄……２次側同調コンデンサ、D₄……２次側バラク
タダイオード、L₂……２次側ハイバンド同調コイル、L₄
……２次側ローバンド同調コイル、D₂……２次側スイッ
チングダイオード、R₃……接地バイアス抵抗、R₆……２
次側ダンピング抵抗、B_H……ハイバンド選択端子、B_L…
…ローバンド選択端子、V_T……チューニング電圧端子

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】高周波増幅用電界効果トランジスタと、その正極端子に接続された１次側同調コンデンサと、この１次側同調コンデンサとともに並列共振回路を構成
する１次側ハイバンド同調コイルおよび１次側ローバン
ド同調コイルとの直列回路と、前記１次側の各同調コイルに相互誘導によって結合され
た２次側ハイバンド同調コイルおよび２次側ローバンド
同調コイルとの直列回路と、この２次側の両同調コイルとともに並列共振回路を構成
する２次側同調コンデンサと、前記１次側および２次側の両ローバンド同調コイルの負
極端子に接続されたローバンド選択端子と、前記２次側ローバンド同調コイルに並列接続された２次
側ダンピング抵抗と、前記１次側のハイバンド同調コイルとローバンド同調コ
イルとの接続点にカソードが接続され、アノードがハイ
バンド選択端子に接続された１次側スイッチングダイオ
ードと、前記２次側のハイバンド同調コイルとローバンド同調コ
イルとの接続点にカソードが接続され、アノードが前記
ハイバンド選択端子に接続された２次側スイッチングダ
イオードと、前記高周波増幅用電界効果トランジスタの負極端子とア
ースとの間に接続された接地バイアス抵抗と、この負極端子と接地バイアス抵抗との接続点と前記１次
側スイッチングダイオードのカソードとの間に接続され
たバイアス兼１次側ダンピング抵抗とを備えたことを特徴とするチューナ回路。