JPH07183268A - 半導体ウェハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェハの洗浄装置Info
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- JPH07183268A JPH07183268A JP5354796A JP35479693A JPH07183268A JP H07183268 A JPH07183268 A JP H07183268A JP 5354796 A JP5354796 A JP 5354796A JP 35479693 A JP35479693 A JP 35479693A JP H07183268 A JPH07183268 A JP H07183268A
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- semiconductor wafer
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬液洗浄後のウェハ表面に残留付着している
パーティクルの数を大幅に低減させると共に、半導体デ
バイスの製品歩留を向上することができる。 【構成】 左から順にＮＨ液７（アンモニア水と過酸化
水素水と純水との混合液）を収納した第１の薬液槽１、
８０℃の純水を収納した純水すすぎ槽２、第１の薬液槽
１と同じ薬液であるＮＨ液７を収納した第２の薬液槽
３、８０℃の純水を収納した純水すすぎ槽４及び乾燥機
５とを連続して設ける。
パーティクルの数を大幅に低減させると共に、半導体デ
バイスの製品歩留を向上することができる。 【構成】 左から順にＮＨ液７（アンモニア水と過酸化
水素水と純水との混合液）を収納した第１の薬液槽１、
８０℃の純水を収納した純水すすぎ槽２、第１の薬液槽
１と同じ薬液であるＮＨ液７を収納した第２の薬液槽
３、８０℃の純水を収納した純水すすぎ槽４及び乾燥機
５とを連続して設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの洗浄装
置に関するものである。
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造工程に
おいて、その基材である半導体ウェハの表面に付着した
微細なパーティクルが、不良品を発生させ製品歩留を悪
化させる大きな原因となっている。このため、半導体ウ
ェハ製造の最終工程である洗浄工程においては、同一の
薬液槽を２槽連続して設け、ウェハを同一の薬液に２度
浸漬させて洗浄した後、純水槽によるすすぎを行う洗浄
装置が使用されている。
おいて、その基材である半導体ウェハの表面に付着した
微細なパーティクルが、不良品を発生させ製品歩留を悪
化させる大きな原因となっている。このため、半導体ウ
ェハ製造の最終工程である洗浄工程においては、同一の
薬液槽を２槽連続して設け、ウェハを同一の薬液に２度
浸漬させて洗浄した後、純水槽によるすすぎを行う洗浄
装置が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
装置においては、第１の薬液槽中で、ウェハ表面から一
旦除去され薬液中を浮遊しているパーティクルの一部
が、ウェハを引き上げる際に再付着してしまい第２の薬
液槽に持ち込まれてしまうため、第二の薬液槽から引き
上げられたウェハには２槽分の浮遊パーティクルが付着
してしまい、最後の純水によるすすぎだけでは除去しき
れないという問題があった。本発明は、上記問題点に鑑
み、薬液洗浄後のウェハ表面に残留付着しているパーテ
ィクルの数を大幅に減少させると共に、半導体デバイス
の製品歩留を向上することができる半導体ウェハ洗浄装
置を提供することを目的とするものである。
装置においては、第１の薬液槽中で、ウェハ表面から一
旦除去され薬液中を浮遊しているパーティクルの一部
が、ウェハを引き上げる際に再付着してしまい第２の薬
液槽に持ち込まれてしまうため、第二の薬液槽から引き
上げられたウェハには２槽分の浮遊パーティクルが付着
してしまい、最後の純水によるすすぎだけでは除去しき
れないという問題があった。本発明は、上記問題点に鑑
み、薬液洗浄後のウェハ表面に残留付着しているパーテ
ィクルの数を大幅に減少させると共に、半導体デバイス
の製品歩留を向上することができる半導体ウェハ洗浄装
置を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するため手段】このため本発明では、同一
薬液槽を２槽以上連続して設け、前記薬液槽間にリンス
槽を設けたものである。
薬液槽を２槽以上連続して設け、前記薬液槽間にリンス
槽を設けたものである。
【０００５】
【作用】本装置により半導体ウェハの洗浄を行えば、第
一の薬液槽を引き上げる際に付着した浮遊パーティクル
が第１の薬液槽と第２の薬液槽の間に設けられたリンス
槽である純水すすぎ槽にて除去されるので、第２の薬液
槽に持ち込まれるパーティクルの量が低減できる。
一の薬液槽を引き上げる際に付着した浮遊パーティクル
が第１の薬液槽と第２の薬液槽の間に設けられたリンス
槽である純水すすぎ槽にて除去されるので、第２の薬液
槽に持ち込まれるパーティクルの量が低減できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置の構
成を示す縦断面図、図２は従来の洗浄装置の構成を示す
縦断面図、図３は本実施例及び従来の装置におけるパー
ティクル付着数の比較データを示すグラフである。
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置の構
成を示す縦断面図、図２は従来の洗浄装置の構成を示す
縦断面図、図３は本実施例及び従来の装置におけるパー
ティクル付着数の比較データを示すグラフである。
【０００７】図１に示すように、本発明に係る洗浄装置
は、左から順に第１の薬液槽１、純水すすぎ槽２、第２
の薬液槽３、純水すすぎ槽４及び乾燥機５とを連続して
構成されており、図２に示すような従来の洗浄装置の同
一薬液槽間に純水すすぎ槽を増設したものである。
は、左から順に第１の薬液槽１、純水すすぎ槽２、第２
の薬液槽３、純水すすぎ槽４及び乾燥機５とを連続して
構成されており、図２に示すような従来の洗浄装置の同
一薬液槽間に純水すすぎ槽を増設したものである。
【０００８】図１に示すように、ウェハ６は、まずアン
モニア水と過酸化水素水と純水との混合液７（以下、Ｎ
Ｈ液７という）が収納された第１の薬液槽１に浸漬して
洗浄され、ウェハ６の表面に付着しているパーティクル
８がＮＨ液７のエッチング作用により除去される。その
際、薬液槽１内で、ウェハ表面から一旦除去され薬液中
に残留し浮遊しているパーティクル８の一部が、ウェハ
６を引き上げる際に再付着してしまう。パーティクル８
が再付着したウェハ６は、リンス槽である８０℃の純水
が収納された純水すすぎ槽２に移行して浸漬され、すす
ぎ洗浄される。その際、ウェハ６の表面に付着している
パーティクル８は剥離除去される。ここで、純水すすぎ
槽２はオーバーフロー槽にされており、パーティクル８
の除去により汚染された水が、外部に設けられたフィル
ター（図示せず）を通って清浄され循環するようにされ
ており、ウェハ６へのパーティクル８の再々付着を低減
するようにされている。次いで、第１の薬液槽１と同じ
薬液であるＮＨ液７が収納された第２の薬液槽３に移行
して浸漬され、再度ウェハ６の表面に付着しているパー
ティクル８を除去した後、純水すすぎ槽４にて再度すす
ぎ洗浄され、最後に乾燥機５で乾燥される。以上、上記
工程におけるウェハ６の移送はウェハキャリア（図示せ
ず）に装填され自動キャリア搬送機構により行われる。
尚、上記洗浄装置にて使用されるＮＨ液は、これに含ま
れる過酸化水素水に代えてオゾンを注入するようにした
ものでもよく、充分なエッチング効果を得ることができ
る。
モニア水と過酸化水素水と純水との混合液７（以下、Ｎ
Ｈ液７という）が収納された第１の薬液槽１に浸漬して
洗浄され、ウェハ６の表面に付着しているパーティクル
８がＮＨ液７のエッチング作用により除去される。その
際、薬液槽１内で、ウェハ表面から一旦除去され薬液中
に残留し浮遊しているパーティクル８の一部が、ウェハ
６を引き上げる際に再付着してしまう。パーティクル８
が再付着したウェハ６は、リンス槽である８０℃の純水
が収納された純水すすぎ槽２に移行して浸漬され、すす
ぎ洗浄される。その際、ウェハ６の表面に付着している
パーティクル８は剥離除去される。ここで、純水すすぎ
槽２はオーバーフロー槽にされており、パーティクル８
の除去により汚染された水が、外部に設けられたフィル
ター（図示せず）を通って清浄され循環するようにされ
ており、ウェハ６へのパーティクル８の再々付着を低減
するようにされている。次いで、第１の薬液槽１と同じ
薬液であるＮＨ液７が収納された第２の薬液槽３に移行
して浸漬され、再度ウェハ６の表面に付着しているパー
ティクル８を除去した後、純水すすぎ槽４にて再度すす
ぎ洗浄され、最後に乾燥機５で乾燥される。以上、上記
工程におけるウェハ６の移送はウェハキャリア（図示せ
ず）に装填され自動キャリア搬送機構により行われる。
尚、上記洗浄装置にて使用されるＮＨ液は、これに含ま
れる過酸化水素水に代えてオゾンを注入するようにした
ものでもよく、充分なエッチング効果を得ることができ
る。
【０００９】図３は本実施例の効果を表すデータであ
り、ウェハ６乾燥後のサブミクロンオーダーのパーティ
クル付着数が、従来の洗浄装置と比較して純水すすぎ槽
２の純水が常温の場合で４分の１に、８０℃の温水の場
合で５分の１以下に低減した。
り、ウェハ６乾燥後のサブミクロンオーダーのパーティ
クル付着数が、従来の洗浄装置と比較して純水すすぎ槽
２の純水が常温の場合で４分の１に、８０℃の温水の場
合で５分の１以下に低減した。
【００１０】尚、上記実施例では、純水すすぎ槽２及び
４の純水の温度を８０℃としているがこれに限定される
ものではなく４０℃以上であれば良く、常温水と比較し
てパーティクルの剥離が活発になる。さらに、純水すす
ぎ槽２及び４に、超音波による振動を与えることにより
尚一層の剥離効果が得られる。
４の純水の温度を８０℃としているがこれに限定される
ものではなく４０℃以上であれば良く、常温水と比較し
てパーティクルの剥離が活発になる。さらに、純水すす
ぎ槽２及び４に、超音波による振動を与えることにより
尚一層の剥離効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置に
よれば、次のような効果がある。薬液洗浄後のウェハ表
面に残留付着しているパーティクルの数を従来装置の約
５分の１以下と、大幅に低減させることができ、半導体
デバイスの製品歩留を向上することができる。
よれば、次のような効果がある。薬液洗浄後のウェハ表
面に残留付着しているパーティクルの数を従来装置の約
５分の１以下と、大幅に低減させることができ、半導体
デバイスの製品歩留を向上することができる。
【００１２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置の構成を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図２】従来の洗浄装置の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明及び従来の装置におけるパーティクル付
着数の比較データを示すグラフである。
着数の比較データを示すグラフである。
１ 第１の薬液槽 ２ 純水すすぎ槽（リンス槽） ３ 第２の薬液槽 ４ 純水すすぎ槽（リンス槽） ５ 乾燥機 ６ ウェハ ７ ＮＨ液（アンモニア水と過酸化水素水と純水との
混合液）
混合液）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 正 宮崎県宮崎郡清武町大字木原1112番地 九 州コマツ電子株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】同一薬液槽を２槽以上連続して設け、前記
薬液槽間にリンス槽を設けたことを特徴とする半導体ウ
ェハの洗浄装置。 - 【請求項２】薬液槽がアンモニア水と過酸化水素水と純
水との混合液槽であることを特徴とする請求項１記載の
半導体ウェハの洗浄装置。 - 【請求項３】薬液槽がアンモニア水とオゾンと純水との
混合液槽であることを特徴とする請求項１記載の半導体
ウェハの洗浄装置。 - 【請求項４】リンス槽が純水すすぎ槽であることを特徴
とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄装置。 - 【請求項５】純水すすぎ槽の純水が温水であることを特
徴とする請求項４記載の半導体ウェハの洗浄装置。 - 【請求項６】純水すすぎ槽の純水の温度が４０℃以上で
あることを特徴とする請求項４記載の半導体ウェハの洗
浄装置。 - 【請求項７】リンス槽がオーバーフロー槽であることを
特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄装置。 - 【請求項８】リンス槽に超音波振動を与えることを特徴
とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354796A JPH07183268A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354796A JPH07183268A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183268A true JPH07183268A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18439968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5354796A Pending JPH07183268A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183268A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189297A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | ウエハの洗浄方法及びウエハ洗浄装置 |
| JP2008182248A (ja) * | 2008-01-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014082212A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| CN112086342A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-15 | 有研半导体材料有限公司 | 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP5354796A patent/JPH07183268A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189297A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | ウエハの洗浄方法及びウエハ洗浄装置 |
| JP2008182248A (ja) * | 2008-01-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014082212A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| US10297472B2 (en) | 2012-11-28 | 2019-05-21 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| US11462423B2 (en) | 2012-11-28 | 2022-10-04 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| CN112086342A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-15 | 有研半导体材料有限公司 | 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法 |
| CN112086342B (zh) * | 2019-06-14 | 2023-10-20 | 有研半导体硅材料股份公司 | 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法 |
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Legal Events
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